專利名稱：顯示面板的制造方法、顯示面板以及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示面板的制造方法、顯示面板以及顯示裝置。
背景技術(shù)：
一直以來，在基板上的中央?yún)^(qū)域形成有顯示部、在該基板上的外周區(qū)域形成有端子部的顯示面板中，通過化學(xué)蒸鍍(CVD)法形成包含SiN (氮化硅)的封止層使其覆蓋顯示部，防止顯示部由于水分和/或氣體等而劣化。在該情況下，封止層需要覆蓋顯示部的整體，但若由該封止層連端子部也被覆蓋，則端子部與連接于該端子部的布線端子的導(dǎo)通性就會(huì)變差。因此，在形成封止層時(shí)，通過例如進(jìn)行利用掩模的選擇成膜來防止封止層形成于端子部上。但是，通過化學(xué)蒸鍍法僅在所希望的區(qū)域正確地形成封止層并不容易，為了完全覆蓋顯示部并且不覆蓋端子部，需要在顯示部形成區(qū)域與端子部形成區(qū)域之間設(shè)置寬度較寬的間隙區(qū)域，使封止層的外周邊緣不接觸端子部。但是，若間隙區(qū)域的寬度較寬，則顯示面板的尺寸會(huì)變大，所以不太好。因此，在專利文獻(xiàn)I所公開的制造方法中，如圖13 (a)所示，在基板901上，形成包括下部電極902、有機(jī)發(fā)光層903以及上部電極904等的顯示部905，并且在下部電極902的與端子部相當(dāng)?shù)膮^(qū)域，粘接帶保護(hù)疊層906的ACF (各向異性導(dǎo)電性粘接片)907，如圖13(b)所示，形成SiN層908使其覆蓋顯示部905以及ACF907，如圖13 (c)所示，將保護(hù)疊層906剝離，由此將SiN層908的保護(hù)層906上的部分剝落而完成封止層909。這樣，ACF907不會(huì)被封止層909覆蓋，所以ACF907與布線端子的導(dǎo)通性就不會(huì)變差。專利文獻(xiàn)1:特開2003-208975號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
但是，在專利文獻(xiàn)I所公開的制造方法中，必須在形成SiN層908之前粘接ACF907，所以必須在依次層疊下部電極902、有機(jī)發(fā)光層903以及上部電極904之后，一旦將層疊工序中斷，從腔室取出基板901而粘接ACF907，然后將基板901放回腔室，再開始層疊工序，形成SiN層908，層疊工序變得復(fù)雜。另外，由于使基板901出入腔室，所以也有可能使塵埃等附著于基板901，這就需要有用于防止該情況的對策。因此，無法高效地制造顯示面板。本發(fā)明是鑒于上述的問題而提出的，其目的在于提供能夠在所希望的區(qū)域正確且高效地形成封止層的顯示面板的制造方法以及顯示裝置的制造方法。本發(fā)明的其他目的在于提供具有這樣的封止層的顯示面板以及顯示裝置。本發(fā)明的一方式所涉及的顯示裝置的制造方法，是具備形成于基板上的不同區(qū)域的顯示部以及端子部的顯示面板的制造方法，該顯示面板的制造方法包括:顯示部形成工序，在所述基板上形成顯示部；導(dǎo)電層形成工序，在所述基板上的要形成所述端子部的預(yù)定區(qū)域，形成包含導(dǎo)電性金屬氧化物或者金屬的導(dǎo)電層；化學(xué)蒸鍍層形成工序，通過化學(xué)蒸鍍法形成包含無機(jī)化合物的化學(xué)蒸鍍層，使其覆蓋所述顯示部并且與所述導(dǎo)電層的至少上表面接觸，且使得所述導(dǎo)電層的上表面變質(zhì)；以及除去工序，將所述化學(xué)蒸鍍層的所述導(dǎo)電層上的部分剝落而除去。另外，在本發(fā)明中所謂剝落，意味著機(jī)械性的剝離，而不包含化學(xué)性的剝離。另外，機(jī)械性的剝離中也不包含研磨那樣的剝離。作為剝落的一例，能夠列舉將剝離的部分在某程度上保持為層狀或者膜狀并機(jī)械性地剝離。本發(fā)明的一所示所涉及的顯示裝置的制造方法，由于包括通過化學(xué)蒸鍍法形成包含無機(jī)化合物的化學(xué)蒸鍍層使其覆蓋顯示部并且與導(dǎo)電層的至少上表面接觸、且使得所述導(dǎo)電層的上表面變質(zhì)的化學(xué)蒸鍍層形成工序以及將所述化學(xué)蒸鍍層的所述導(dǎo)電層上的部分剝落而除去的除去工序，所以由在化學(xué)蒸鍍層的除去后殘留的部分構(gòu)成的封止層正確地形成于所希望的區(qū)域。另外，由于也不需要在形成顯示部的過程中粘接ACF，所以能夠有效地形成封止層。


圖1是表示本發(fā)明的一方式所涉及的顯示裝置的整體結(jié)構(gòu)的圖。圖2是用于說明顯示面板與布線板的連接的方式的立體圖。圖3是沿著圖2所示的A-A線的剖面圖。圖4是用于說明本發(fā)明的一方式所涉及的顯示面板的制造方法的工序圖。圖5是用于說明本發(fā)明的一方式所涉及的顯示面板的制造方法的工序圖。圖6是使用實(shí)驗(yàn)用的基板確認(rèn)表面狀態(tài)時(shí)的電子顯微鏡照片。圖7是沿著圖6所示的線段D的剖面的電子顯微鏡照片。圖8是將由圖7所示的雙點(diǎn)劃線E、F包圍的部分放大的電子顯微鏡照片。圖9是表示與化學(xué)蒸鍍層以及原子層沉積膜對導(dǎo)通性帶來的影響有關(guān)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的圖。圖10是表示與粘接帶的狀態(tài)對剝離性帶來的影響有關(guān)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的圖。圖11是用于說明變形例I所涉及的顯示面板的制造方法的工序圖。圖12是用于說明變形例2所涉及的顯示面板的制造方法的工序圖。圖13是用于說明以往的顯示面板的制造方法的工序圖。符號說明1:顯示裝置，100:顯示面板，101:顯示部，111 =TFT基板，114,714:端子部，114c、714a:導(dǎo)電層，118a:化學(xué)蒸鍍層，119a:原子層沉積膜，500:粘接帶。
具體實(shí)施例方式以下參照附圖對本發(fā)明的一方式所涉及的顯示面板的制造方法、顯示裝置的制造方法、顯示面板以及顯示裝置進(jìn)行說明。另外，各附圖中的部件的比例尺并不一定與實(shí)際的比例尺相同。[本發(fā)明的一方式的概要]本發(fā)明的一方式所涉及的顯示面板的制造方法，是具備形成于基板上的不同區(qū)域的顯示部以及端子部的顯示面板的制造方法，該顯示面板的制造方法包括:顯示部形成工序，在所述基板上形成顯示部；導(dǎo)電層形成工序，在所述基板上的要形成所述端子部的預(yù)定區(qū)域，形成包含導(dǎo)電性金屬氧化物或者金屬的導(dǎo)電層；化學(xué)蒸鍍層形成工序，通過化學(xué)蒸鍍法形成包含無機(jī)化合物的化學(xué)蒸鍍層，使其覆蓋所述顯示部并且與所述導(dǎo)電層的至少上表面接觸，且使得所述導(dǎo)電層的上表面變質(zhì)；以及除去工序，將所述化學(xué)蒸鍍層的所述導(dǎo)電層上的部分剝落而除去。在本發(fā)明的一方式所涉及的顯示面板的制造方法的特定方面:所述導(dǎo)電層包含導(dǎo)電性金屬氧化物；在所述化學(xué)蒸鍍層形成工序中，包括通過還原性氣體使所述導(dǎo)電層的上表面的所述導(dǎo)電性金屬氧化物還原而變質(zhì)的工序。在本發(fā)明的一方式所涉及的顯示面板的制造方法的特定方面:還包括粘接帶粘接工序，在所述化學(xué)蒸鍍層形成工序后，在所述除去工序前，在所述化學(xué)蒸鍍層的所述導(dǎo)電層上的部分粘接粘接帶；在所述除去工序中，通過將所述粘接帶剝離，將所述化學(xué)蒸鍍層的所述導(dǎo)電層上的部分剝落而除去。在本發(fā)明的一方式所涉及的顯示面板的制造方法的特定方面:還包括原子層沉積膜形成工序，在所述化學(xué)蒸鍍層形成工序后，在所述除去工序前，通過原子層沉積法在所述化學(xué)蒸鍍層上形成原子層沉積膜。在本發(fā)明的一方式所涉及的顯示面板的制造方法的特定方面:還包括粘接帶粘接工序，在所述原子層沉積膜形成工序后，在所述除去工序前，在所述原子層沉積膜的所述導(dǎo)電層上的部分粘接粘接帶；在所述除去工序中，通過將所述粘接帶剝離，將所述化學(xué)蒸鍍層的所述導(dǎo)電層上的部分以及所述原子層沉積膜的所述導(dǎo)電層上的部分剝落而除去。在本發(fā)明的一方式所涉及的顯示面板的制造方法的特定方面:所述導(dǎo)電性金屬氧化物為ITO或者ΙΖ0。

在本發(fā)明的一方式所涉及的顯示面板的制造方法的特定方面:所述還原性氣體為SiN 或者 SiH4。本發(fā)明的一方式所涉及的顯示面板，具備形成于基板上的不同區(qū)域的顯示部以及端子部，所述顯示部被封止層覆蓋，所述封止層通過化學(xué)蒸鍍法形成且包含無機(jī)化合物；所述端子部包含導(dǎo)電性金屬氧化物或者金屬，沒有被所述封止層覆蓋，并且所述端子部的上表面的至少一部分通過所述化學(xué)蒸鍍法而變質(zhì)。本發(fā)明的一方式所涉及的顯示裝置，具備以上所述的顯示面板。[顯示裝置]圖1是表示本發(fā)明的一方式所涉及的顯示裝置的整體結(jié)構(gòu)的圖。如圖1所示，本發(fā)明的一方式所涉及的顯示裝置I具備顯示面板100、驅(qū)動(dòng)控制部200和布線板300。顯示面板100為例如利用電致發(fā)光效應(yīng)的有機(jī)EL面板。驅(qū)動(dòng)控制部200包括4個(gè)驅(qū)動(dòng)電路210和控制電路220。布線板300為例如柔性布線板，搭載有作為驅(qū)動(dòng)電路210的1C。圖2是用于說明顯示面板與布線板的連接方式的立體圖。如圖2所示，在顯示面板100的中央?yún)^(qū)域形成有顯示部101 (在圖2中通過雙點(diǎn)劃線包圍的部分)，在圍繞中央?yún)^(qū)域的外周區(qū)域，在外周區(qū)域的4邊全部都分別形成有多個(gè)端子部114 (參照圖5)。布線板300是例如在聚酰亞胺制的基膜310上通過銅等形成有導(dǎo)電圖案(未圖示)的布線板，在基膜310的顯示面板100側(cè)的端部的下表面(與TFT基板111對向一側(cè)的主面)，在與各端子部114對應(yīng)的位置，形成有與所述導(dǎo)電圖案電連接的布線端子320 (參照圖3)。在TFT基板111的外周區(qū)域，在4邊全部經(jīng)由ACF (各向異性導(dǎo)電性粘接片)400分別粘接著基膜310的顯示面板100側(cè)的端部。通過該ACF400，顯示面板100的各端子部114和與其對應(yīng)的布線板300的布線端子320電連接。另外，端子部114不必一定形成于TFT基板111的外周區(qū)域的4邊全部，而既可以僅形成于I邊，也可以形成于2邊或者3邊。而且，驅(qū)動(dòng)電路210以及布線板300僅在形成有端子部114的邊粘接即可。[顯示面板]圖3是沿著圖2所示的A-A線的剖面圖。如圖3所示,顯示面板100具備例如器件基板110和CF (Color Filter，濾色器)基板120。器件基板110以及CF基板120對向
配置，并貼合在一起。在器件基板110的上方，隔著密封部件102a配置CF基板120，在器件基板110與CF基板120之間，填充有樹脂層102b。密封部件102a以及樹脂層102b包含致密的樹脂材料(例如硅系樹脂、丙烯酸系樹脂等)，將器件基板110的顯示部101封止，防止有機(jī)發(fā)光層116接觸水分和/或氣體等。在TFT基板111的上表面(CF基板120側(cè)的主面。在下面的說明中，對于構(gòu)成器件基板110的各層，也將CF基板120側(cè)的面稱為上表面)，形成有包括配置成矩陣狀的多個(gè)像素的顯示部101，這各像素射出的R (紅色)、G (綠色)或者B (藍(lán)色)的光透過CF基板120，在顯示面板100的正面顯示彩色圖像。而且，在TFT基板111的上表面的圍繞顯示部101的區(qū)域設(shè)有端子部114。另 外，在這里以設(shè)置CF基板120的情況進(jìn)行了說明，但CF基板不必一定設(shè)置。<器件基板>器件基板110包括TFT基板111和EL (Electro Luminescence,電致發(fā)光)基板124，EL基板124為在TFT基板111的上表面具有平坦化膜112、下部電極113、接觸孔113X、陽極環(huán)113Y、堤欄115、有機(jī)發(fā)光層116、電子輸送層116X、上部電極117、封止層118以及保護(hù)膜119等的層疊構(gòu)造，構(gòu)成器件基板110的顯示部101的各像素由頂部發(fā)光型的有機(jī)EL兀件構(gòu)成，所述頂部發(fā)光型的有機(jī)EL兀件包括下部電極113、有機(jī)發(fā)光層116、電子輸送層116X、上部電極117。TFT基板111為例如在基板Illa的上表面形成有TFT層Illb的構(gòu)造。在TFT層111b，包含SD布線Illc以及鈍化膜Illd等?；錓lla為在例如由無堿玻璃、堿玻璃、無滅光玻璃、憐Ife系玻璃、砸Ife系玻璃、石央、丙稀Ife系樹脂、本乙稀系樹脂、聚碳Ife酷系樹脂、環(huán)氧系樹脂、聚乙烯、聚酯、硅系樹脂、氧化鋁等絕緣性材料構(gòu)成的基板的上表面以預(yù)定圖案形成有多個(gè)TFT及其引出電極的構(gòu)造。鈍化膜Illd為包含SiO (氧化硅)或者SiN的薄膜，覆蓋SD布線111c，對其進(jìn)行保護(hù)。平坦化膜112例如包含聚酰亞胺系樹脂或者丙烯酸系樹脂等絕緣材料，將鈍化膜Illd的上表面的高度差平坦化。另外，平坦化膜112不是必須的。下部電極113經(jīng)由接觸孔113X與TFT層Illb電連接。另外，下部電極113也可以是例如金屬層與金屬氧化物層的2層構(gòu)造。金屬層包含例如Ag (銀)、APC (銀、鈀、銅的合金)、ARA (銀、銣、金的合金)、MoCr (鑰與鉻的合金)、NiCr (鎳與鉻的合金)等光反射性導(dǎo)電材料，在與各像素對應(yīng)的區(qū)域形成為矩陣狀。金屬氧化物層例如包含ITO (氧化銦錫)、IZO(氧化銦鋅)等導(dǎo)電材料，在金屬層上形成為覆蓋金屬層。端子部114為例如金屬層114a與金屬氧化物層114b的2層構(gòu)造。金屬層114a例如由SD布線Illc的一部分構(gòu)成，包含Cr、Mo、Al、T1、Cu等金屬和/或包含這些金屬的合金(例如MoW、MoCr, NiCr等)等電阻較低、加工穩(wěn)定性高的導(dǎo)電材料，在TFT基板111的外周區(qū)域的4邊全部，沿著TFT基板111的外周邊緣，每多個(gè)隔著間隔而形成。金屬氧化物層114b包含例如ΙΤ0、IZO等光透射性材料，在各金屬層114a上形成為覆蓋各金屬層114a。另外，在金屬氧化物層114b的表面，附著有金屬氧化物變質(zhì)后的物質(zhì)(后述的損傷層114e的殘?jiān)?。堤欄115例如包含絕緣性的有機(jī)材料(例如丙烯酸系樹脂、聚酰亞胺系樹脂、酚醛清漆型酚醛樹脂等)，在TFT基板111的中央?yún)^(qū)域內(nèi)避開形成有下部電極113的區(qū)域而形成。在本實(shí)施方式中，堤欄115為井字形構(gòu)造的像素堤欄，但堤欄也可以是條帶構(gòu)造的線堤欄。有機(jī)發(fā)光層116，形成于與由堤欄115規(guī)定的各像素對應(yīng)的區(qū)域，在顯示面板100的驅(qū)動(dòng)時(shí)，通過空穴與電子的再結(jié)合而以R、G或者B色發(fā)光。有機(jī)發(fā)光層116包含有機(jī)材料，作為有機(jī)材料，能夠列舉例如日本特開平5-163488號公報(bào)所記載的類喔星(oxinoid)化合物、茈化合物、香豆素化合物、氮雜香豆素化合物、噁唑化合物、噁二唑化合物、紫環(huán)酮(perinone)化合物、吡咯并吡咯化合物、萘化合物、蒽化合物(7 >卜> 化合物)、芴化合物、熒蒽化合物、并四苯化合物、芘化合物、暈苯化合物、喹諾酮化合物及氮雜喹諾酮化合物、吡唑啉衍生物及吡唑啉酮衍生物、若丹明化合物、窟(chrysene)化合物、菲化合物、環(huán)戊二烯化合物、芪化合物、二苯基苯醌化合物、苯乙烯基化合物、丁二烯化合物、雙氰亞甲基吡喃化合物、雙氰亞甲基噻喃化合物、熒光素化合物、吡喃鎗化合物、噻喃鎗化合物、硒吡喃鎗化合物、碲吡喃鎗化合物、芳香族坎利酮化合物、低聚亞苯基化合物、噻噸化合物、花青苷化合物、吖啶化合物、8-羥基喹啉化合物的金屬配合物、2，2’ -聯(lián)吡啶化合物的金屬配合物、席夫堿與III族金屬的配合物、8-羥基喹啉(喔星)金屬配合物、稀土類配合物等熒光物質(zhì)。電子輸送層116X包含例如鋇、酞菁、氟化鋰或者它們的混合物等，具有將從上部電極117注入的電子向有機(jī)發(fā)光層116輸送的功能。上部電極117為包含例如ITO、IZO等光透射性導(dǎo)電材料的透明電極，覆蓋堤欄115以及有機(jī)發(fā)光層116的上表面而遍及顯示部101的大致整體地形成。封止層118是例如用于覆蓋并封止顯示部101、防止有機(jī)發(fā)光層116接觸水分和/或氣體等的層，包含例如SiN、SiO、SiON (氮氧化硅)、SiC (碳化硅)、SiOC (含碳氧化硅)等光透射性材料，形成于上部電極117上。保護(hù)膜119是用于覆蓋并封止顯示部101、防止有機(jī)發(fā)光層116接觸水分和/或氣體等的膜，包含Al2O3 (氧化鋁)、A1N (氮化鋁)等光透射性材料，形成于封止層118上。通過在封止層118上進(jìn)而形成保護(hù)膜119，即使在例如封止層118存在被稱為針孔的封止缺陷部分的情況下，也能夠防止水分和/或氣體等從該封止缺陷部分侵入封止層118內(nèi)。關(guān)于如上說明的EL基板124的層疊構(gòu)造，在下部電極113與有機(jī)發(fā)光層116之間，也可以進(jìn)而形成有I層或者多層空穴輸送層、空穴注入層等其他的層。另外，在有機(jī)發(fā)光層116與上部電極117之間，也可以進(jìn)而形成有I層或者多層電子輸送層、電子注入層等其他的層。〈CF 基板 >CF基板120為在玻璃基板121的下表面(器件基板110側(cè)的主面)側(cè)形成有R、G或者B的濾色器122和黑矩陣 層123的構(gòu)造。濾色器122為使與R、G或者B對應(yīng)的波長的可見光透過的透明層，包含公知的樹脂材料等，形成于與各像素對應(yīng)的區(qū)域。黑矩陣層123為以防止外界光向面板內(nèi)部入射、防止透過CF基板120而觀察到內(nèi)部部件或者抑制外界光的反射而提高顯示面板100的對比度的目的而形成的黑色樹脂層，包含例如含有光吸收性以及遮光性優(yōu)異的黑色顏料的紫外線固化樹脂材料。[顯示面板以及顯示裝置的制造方法]對本發(fā)明的一方式所涉及的顯示面板的制造方法進(jìn)行說明。圖4以及圖5是用于說明本發(fā)明的一方式所涉及的顯示面板的制造方法的工序圖。首先，如圖4 (a)所示，在TFT基板111上的要形成端子部114的預(yù)定區(qū)域，形成包括金屬層114a以及導(dǎo)電層114d的層疊體114c。該層疊體114c之后成為端子部114。具體地，通過從TFT基板111除去鈍化膜Illd中的端子部形成預(yù)定區(qū)域的部分，使SD布線Illc中的與金屬層114a相當(dāng)?shù)牟糠致冻觯谠撀冻龅牟糠稚?，通過等離子蒸鍍或者濺射形成包含具有導(dǎo)電性的金屬氧化物的導(dǎo)電層114d。接下來，如圖4 (b)所示，例如對樹脂進(jìn)行旋涂，通過光致抗蝕/光刻進(jìn)行圖案形成，由此形成平坦化膜112(例如厚度4μπι)，進(jìn)而形成接觸孔113Χ、下部電極113和陽極環(huán)113Υ。關(guān)于下部電極113，例如，首先通過真空蒸鍍或者濺射形成金屬薄膜，通過光致抗蝕/光刻對該金屬薄膜進(jìn)行圖案形成，由此形成金屬層。接下來，通過等離子蒸鍍或者濺射形成具有導(dǎo)電性的金屬氧化物薄膜，通過光致抗蝕/光刻對該金屬氧化物薄膜進(jìn)行圖案形成，由此形成金屬氧化物層。接下來，如圖4 (C)所示，依次形成堤欄115、有機(jī)發(fā)光層116、電子輸送層116Χ以及上部電極117。堤欄115例如通過如下過程形成:形成堤欄材料層使其覆蓋要形成顯示部101的區(qū)域的整體，通過光致抗蝕/光刻將形成的堤欄材料層的一部分除去。另外，堤欄115既可以是在列方向以及行方向上伸展、俯視形狀為井字形狀的像素堤欄，也可以是僅在列方向或者行方向上伸展的條帶狀的線堤欄。接下來，在堤欄115之間的凹部，例如通過噴墨法填充有機(jī)發(fā)光層用墨，在25°C氣氛的減壓下對填充的墨進(jìn)行干燥，進(jìn)行烘焙處理，由此形成有機(jī)發(fā)光層116。進(jìn)而，通過ETL蒸鍍形成電子輸送層116X使其覆蓋堤欄115以及有機(jī)發(fā)光層116。另外，將墨填充于堤欄115之間的方法并不限定于噴墨法，也可以是分配器法、噴嘴涂敷法、旋涂法、凹版印刷、凸版印刷等。接下來，形成上部電極117使其覆蓋堤欄115以及有機(jī)發(fā)光層116。例如，通過對光透射性的材料進(jìn)行蒸鍍，形成上部電極117。通過以上，完成在TFT基板111上形成顯示部101的顯示部形成工序和在TFT基板111上的要形成端子部114的區(qū)域形成包含導(dǎo)電性金屬氧化物的導(dǎo)電層114d的導(dǎo)電層形成工序。在本實(shí)施方式中，在進(jìn)行顯示部形成工序之前進(jìn)行導(dǎo)電層形成工序，但既可以在進(jìn)行了顯示部形成工序之后進(jìn)行導(dǎo)電層形成工序，也可以與顯示部形成工序中的例如形成下部電極的工序同時(shí)進(jìn)行導(dǎo)電層形成工序。接下來，如圖4 (d)所示，在TFT基板111的上表面?zhèn)日w通過化學(xué)蒸鍍法形成包含無機(jī)化合物的化學(xué)蒸鍍層118a (例如厚度620nm)。此時(shí)，導(dǎo)電層114d的表面的露出部分即導(dǎo)電層114d的上表面以及側(cè)面變質(zhì)，在導(dǎo)電層114d的表面形成損傷層114e。由此，完成形成化學(xué)蒸鍍層的化學(xué)蒸鍍層形成工序，使得覆蓋顯示部101并且與導(dǎo)電層114d的至少上表面接觸且導(dǎo)電層114d的上表面變質(zhì)。在該時(shí)刻，導(dǎo)電層114d包括損傷層114e和其內(nèi)側(cè)的金屬氧化物層114b?；瘜W(xué)蒸鍍法，具體地為使用例如SiN、SiH4 (硅烷)等還原性氣體的等離子化學(xué)蒸鍍法。在形成化學(xué)蒸鍍層118a時(shí)，導(dǎo)電層114d的上表面以及側(cè)面通過還原氣體還原而變質(zhì)，形成損傷層114e。優(yōu)選的成膜條件為:在例如將SiH4用作為還原性氣體的情況下，成膜溫度為50°C 70 °C，成膜壓力為 80Pa 120Pa，RF 為 1.1kff 1.7kff, SiH4 流量為 120sccm 180sccm, NH3 流量為 70sccm IOOsccm, N2 流量為 2800sccm 4200sccm,成膜時(shí)間為 130秒 190秒。如果還原力過弱，則之后要形成的封止層118的封止性會(huì)變得不充分。如果還原力過強(qiáng)，則封止層118的剝離性會(huì)升高，但顯示部101會(huì)受到損傷。接下來，如圖4 (e)所示，在TFT基板111的上表面?zhèn)日w，通過原子層沉積(ALD)法形成原子層沉積膜119a (例如厚度20nm)。具體地，例如在TMA (三甲基鋁)氣體的存在下通過氧等離子形成Al2O3膜。優(yōu)選的成膜條件為:成膜溫度為75°C 95°C，成膜壓力為80Pa 120Pa, RF為0.8kff 1.2kW，成膜周期為0.12nm/周期 0.18nm/周期。在這里，原子層沉積法為通過吸附使原子級別的小的氣體沉積的方法，所以即使進(jìn)行利用掩模的選擇成膜，氣體也會(huì)繞到掩模的下側(cè)，從而難以在所希望的區(qū)域正確地成膜。另外，通過原子層沉積法形成的原子層沉積膜119a較致密，所以若存在于端子部114上，則會(huì)妨礙端子部114與布線端子320的導(dǎo)通。相對于此，在本實(shí)施方式所涉及的制造方法中，能夠通過后述的除去工序正確地僅除去化學(xué)蒸鍍層118a的所希望的部分，所以不需要掩模，原子層沉積膜119a難以存在于端子部114上。接下來，如圖5(a)所示，在損傷層114e殘留于導(dǎo)電層114d的表面的狀態(tài)下，如圖4 (f)以及圖5 (b)所示，在原子層沉積膜119a的損傷層114e上的部分(也是導(dǎo)電層114d上的部分)粘接粘接帶500。由此，完成粘接帶粘接工序。另外，作為粘接帶500，能夠利用例如ACF等。接下來，通過將粘接帶500剝離，如圖4 (g)所示，將原子層沉積膜119a的導(dǎo)電層114d上的部分、化學(xué)蒸鍍層118a的導(dǎo)電層114d上的部分以及導(dǎo)電層114d的損傷層114e剝落而除去，使金屬氧化物層114b露出。所露出的是在圖5 (c)中通過實(shí)線B表示的粘接有粘接帶500的區(qū)域(也參照圖4 (g)所示的區(qū)域B)。在僅在化學(xué)蒸鍍層118a的導(dǎo)電層114d上的部分的一部分粘接有粘接帶500的情況下，如圖3以及圖5 (c)所示，僅將化學(xué)蒸鍍層118a的導(dǎo)電層114d上的部分的一部分剝落，僅金屬氧化物層114b的一部分露出。在該情況下，在沒有粘接粘接帶500、沒有被剝落的部分，如圖3所示在金屬氧化物層114b上殘留損傷層114e。
另外，也可以為下述構(gòu)成:在化學(xué)蒸鍍層118a的導(dǎo)電層114d上的部分的全部粘接粘接帶500，將化學(xué)蒸鍍層118a的導(dǎo)電層114d上的部分的全部剝落。由此，完成將化學(xué)蒸鍍層118a的導(dǎo)電層114d上的部分剝落而除去的除去工序。原子層沉積膜119a的導(dǎo)電層114d上的部分以及化學(xué)蒸鍍層118a的導(dǎo)電層114d上的部分被除去，所以在將端子部114與布線端子320電連接時(shí)，端子部114與布線端子320的導(dǎo)通性良好。另外，原子層沉積膜119a的導(dǎo)電層114d上的部分以及化學(xué)蒸鍍層118a的導(dǎo)電層114d上的部分優(yōu)選完全除去，但也可以使它們的一部分作為殘?jiān)鴼埩粲趯?dǎo)電層114d上。在該情況下，優(yōu)選為不影響導(dǎo)電性的程度的殘?jiān)?。在除去工序中，損傷層114e既可以全部除去，也可以僅除去一部分，也可以完全不除去。在損傷層114e被全部剝落的情況下，在端子部114上不會(huì)殘留損傷層114e的殘?jiān)?。另一方面，在僅將損傷層114e的一部分剝落的情況下，在端子部114上殘留損傷層114e的殘?jiān)?，在損傷層114e完全不除去的情況下，損傷層114e原樣殘留在端子部114上。損傷層114e即使殘留在端子部114上也不會(huì)妨礙導(dǎo)電性。在損傷層114e的一部分或者全部殘留在端子部114上的情況下，能夠推定為是通過本發(fā)明所涉及的制造方法制造的顯示面板100以及顯示裝置I。在除去工序中，在導(dǎo)電層114d的表面存在損傷層114e，所以與粘接帶500 —起將化學(xué)蒸鍍層118a以及原子層沉積膜119a從TFT基板111側(cè)剝離。所剝離的是損傷層114e與化學(xué)蒸鍍層118a的界面、或者損傷層114e與金屬氧化物層114b的界面、或者是在損傷層114e的厚度內(nèi)，這是因?yàn)檫@些部分容易剝離。作為這些部分容易剝離的原因，可以認(rèn)為是因?yàn)?例如若導(dǎo)電層114d的表面暴露于在化學(xué)蒸鍍法中使用的還原氣體，則構(gòu)成導(dǎo)電層114d的表面的金屬氧化物的一部分被還原而成為金屬，通過金屬氧化物的一部分消失和金屬的析出，在導(dǎo)電層114d的表面形成凹凸，通過該凹凸，導(dǎo)電層114d與化學(xué)蒸鍍層118a的緊密附著性下降。另外，導(dǎo)電層114d的表面變質(zhì)這一情況，也能夠從例如包含ITO的透明的金屬氧化物層114b在進(jìn)行了化學(xué)蒸鍍法后表面白濁或者黑化的現(xiàn)象來確認(rèn)。圖6是對在玻璃基板上形成有包含ITO的導(dǎo)電層的實(shí)驗(yàn)用基板，在如上所述通過等離子化學(xué)蒸鍍法形成了化學(xué)蒸鍍層并通過原子層沉積法形成了原子層沉積膜后通過ACF剝落的表面的電子顯微鏡照片。圖7是沿著圖6所示的線段D的剖面的電子顯微鏡照片。圖8是將由圖7所示的雙點(diǎn)劃線E、F包圍的部分放大的電子顯微鏡照片。如8所示，能夠確認(rèn):在除去工序后，化學(xué)蒸鍍層的導(dǎo)電層上的部分以及原子層沉積膜的導(dǎo)電層上的部分幾乎都被除去。另外，在圖7以及圖8中，包含Al2O3的部分對應(yīng)于原子層沉積膜119a，包含SiN的部分對應(yīng)于化學(xué)蒸鍍層118a，包含ITO的部分對應(yīng)于金屬氧化物層114b。通過以上，器件基板110完成。另外，在圖4所示的制造工藝中，省略了貼合CF基板的工序而進(jìn)行了說明，但在設(shè)置CF基板的情況下，可以在圖4 (e)所示的形成原子層沉積膜的工序之后、圖4 (f)所示的粘接粘接帶的工序之前設(shè)有設(shè)置CF基板的工序。[實(shí)驗(yàn)]通過實(shí)驗(yàn)，研究化學(xué)蒸鍍層以及原子層沉積膜對導(dǎo)通性帶來的影響。圖9是表示與化學(xué)蒸鍍層以及原子層沉積膜對導(dǎo)通性帶來的影響有關(guān)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的圖。在實(shí)驗(yàn)中，在IOOmm見方的玻璃板上，形成使ITO層、SiN層以及Al2O3膜適宜層疊而成的層疊體，在這些層疊體上經(jīng)由ACF連接布線板，通過測試表測定層疊體的電阻值。ACF使用混入有4 μ m的鍍Ni塑料微粒作為導(dǎo)電微粒的材料。使用熱壓接裝置，在設(shè)定溫度250°C、設(shè)定時(shí)間15秒、設(shè)定壓力120Pa下進(jìn)行布線板經(jīng)由ACF向?qū)盈B體的壓接。如圖9所示，與不存在SiN層以及Al2O3膜的情況(實(shí)驗(yàn)I)相比較，存在2nm的Al2O3膜的情況下(實(shí)驗(yàn)2)的電阻值約為1.5倍。進(jìn)而，存在5nm的Al2O3膜的情況下(實(shí)驗(yàn)3)的電阻值約為2倍，存在8nm以上的Al2O3膜的情況下(實(shí)驗(yàn)4)不導(dǎo)通。從該結(jié)果可知，若存在2nm以上的Al2O3膜，則成為導(dǎo)通的妨礙。另一方面，即使形成了 2nm的Al2O3膜和620nm的SiN層，在進(jìn)行了除去工序的情況下(實(shí)驗(yàn)7)，與實(shí)驗(yàn)I相比較也為相同程度的電阻值。這是因?yàn)?，通過除去工序，SiN層以及Al2O3膜被除去。另外，在進(jìn)行除去工序之前的狀態(tài)下不導(dǎo)通。接下來，研究粘接帶的狀態(tài)對剝離性帶來的影響。圖10是表示與粘接帶的狀態(tài)對剝離性帶來的影響有關(guān)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的圖。在實(shí)驗(yàn)中，在IOOmm見方的玻璃板上，形成使ITO層、SiN層以及Al2O3膜適宜層疊而成的層疊體，并從這些層疊體使用粘接帶將SiN層以及Al2O3膜剝落而除去，評價(jià)剝落時(shí)的剝離性。作為粘接帶，使用ACF。粘接帶的壓接使用上述的壓接裝置，在圖10所記載的條件下進(jìn)行。如圖10所示，與基本條件(實(shí)驗(yàn)8)相比較，在將壓接溫度升高而使ACF更硬化的情況下(實(shí)驗(yàn)9)，ACF稍稍變得難以剝離，ACF的殘?jiān)鼩埩粲诓ＡО?，但幾乎沒有對剝離性以及導(dǎo)通性的影響。另外，嘗試升高壓力(實(shí)驗(yàn)10)或者降低壓力(實(shí)驗(yàn)11)而改變ACF的硬度，但沒有對剝離性以及導(dǎo)通性的影響。

ACF的硬度依壓接溫度和壓接時(shí)間的積而確定，但在考慮ACF的樹脂硬化狀態(tài)(粘接強(qiáng)度)的條件范圍內(nèi)，除了為高溫條件的情況，剝離性都良好。另外，在高溫條件的情況下，在ACF與原子層沉積膜119a的界面或者TFT基板111與金屬層114a的界面有可能剝離。最后，若對使用了沒有混入導(dǎo)電微粒的ACF的情況(實(shí)驗(yàn)12)與使用了混入有導(dǎo)電微粒的ACF的情況(實(shí)驗(yàn)13)進(jìn)行比較，則在剝離性以及導(dǎo)通性上沒有不同。由此，能夠確認(rèn):之所以能夠確保導(dǎo)電性，不是因?yàn)閷?dǎo)電微粒使SiN層以及Al2O3膜產(chǎn)生裂紋而容易剝落，而是因?yàn)橥ㄟ^損傷層的界面，將SiN層以及Al2O3膜除去。[變形例]以上，具體說明了本發(fā)明的一方式所涉及的顯示面板的制造方法、顯示裝置的制造方法、顯示面板以及顯示裝置，但上述實(shí)施方式是為了容易理解地說明本發(fā)明的結(jié)構(gòu)以及作用、效果而使用的例子，本發(fā)明的內(nèi)容并不限定于上述的實(shí)施方式。例如，能夠考慮以下的變形例。圖11是用于說明變形例I所涉及的顯示面板的制造方法的工序圖。變形例I所涉及的顯示面板的制造方法，在不形成保護(hù)膜這一點(diǎn)，與形成保護(hù)層的上述實(shí)施方式所涉及的顯示面板的制造方法不同。此外基本上與上述實(shí)施方式所涉及的顯示面板的制造方法相同。因此，僅對不同點(diǎn)詳細(xì)地進(jìn)行說明，關(guān)于其他的構(gòu)成，省略或者簡略說明。另外，對于與上述實(shí)施方式所涉及的顯示面板完全相同的部件，使用與上述實(shí)施方式所涉及的顯示面板相同的符號進(jìn)行說明。在變形例I所涉及的顯示面板的制造方法中，在如圖4 Cd)所示通過化學(xué)蒸鍍法形成了化學(xué)蒸鍍層118a后，不形成原子層沉積膜119a，而如圖11 (a)所示，在化學(xué)蒸鍍層118a的導(dǎo)電層114d上的部分粘接粘接帶500。由此，完成粘接帶粘接工序。接下來，通過將粘接帶500剝離，如圖11 (b)所示，將化學(xué)蒸鍍層118a的導(dǎo)電層114d上的部分以及導(dǎo)電層114d的損傷層114e剝落而除去，使金屬氧化物層114b露出。由此，完成化學(xué)蒸鍍層118a的導(dǎo)電層114d上的部分剝落而除去的除去工序。通過以上，完成器件基板610。另外，在設(shè)置CF基板的情況下，可以在圖4 (d)所示的形成化學(xué)蒸鍍層的工序之后、圖11 (a)所示的粘接粘接帶的工序之前設(shè)有設(shè)置CF基板的工序。這樣，在本發(fā)明所涉及的顯示面板的制造方法中，原子層沉積膜形成工序并非不可或缺。圖12是用于說明變形例2所涉及的顯示面板的制造方法的工序圖。變形例2所涉及的顯示面板的制造方法，在形成僅包括金屬層的端子部這一點(diǎn)，與形成包括金屬層和金屬氧化物層的端子部的上述實(shí)施方式所涉及的顯示面板的制造方法不同。此外基本上與上述實(shí)施方式所涉及的顯示面板的制造方法相同。因此，僅對不同點(diǎn)詳細(xì)地進(jìn)行說明，關(guān)于其他的構(gòu)成，省略或者簡略說明。另外，對于與上述實(shí)施方式所涉及的顯示面板完全相同的部件，使用與上述實(shí)施方式所涉及的顯示面板相同的符號進(jìn)行說明。在變形例2所涉及的顯示面板的制造方法中，首先，如圖12 (a)所示，準(zhǔn)備TFT基板111，該TFT基板111通過將鈍化膜Illd中的端子部形成預(yù)定區(qū)域的部分去除而使SD布線Illc中的與金屬層714a相當(dāng)?shù)牟糠致冻觥FT基板111的SD布線Illc中的要形成端子部714的預(yù)定區(qū)域?yàn)?導(dǎo)電層714a。接下來，如圖12 (b)所示，例如對樹脂進(jìn)行旋涂，通過光致抗蝕/光刻進(jìn)行圖案形成，由此形成平坦化膜112 (例如厚度4μπι)，進(jìn)而形成包括金屬層的下部電極713等。下部電極713通過如下過程形成:例如，首先通過真空蒸鍍或者濺射形成金屬薄膜，通過光致抗蝕/光刻對該金屬薄膜進(jìn)行圖案形成。接下來，如圖12 (C)所示，依次形成堤欄115、有機(jī)發(fā)光層116、電子輸送層116Χ以及上部電極117。通過以上，完成在TFT基板111上形成顯示部的顯示部形成工序和在TFT基板111上的要形成端子部714的區(qū)域形成包含金屬的導(dǎo)電層714a的導(dǎo)電層形成工序。接下來，如圖12 Cd)所示，在TFT基板111的上表面?zhèn)日w通過等離子化學(xué)蒸鍍法形成包含無機(jī)化合物的化學(xué)蒸鍍層118a。此時(shí)，導(dǎo)電層714a的表面的露出部分即導(dǎo)電層714a的上表面以及側(cè)面變質(zhì)，在導(dǎo)電層714a的表面形成損傷層714b。由此，完成形成化學(xué)蒸鍍層的化學(xué)蒸鍍層形成工序，使得覆蓋顯示部101并且與導(dǎo)電層714a的至少上表面接觸且導(dǎo)電層714a的上表面變質(zhì)。在該時(shí)刻，導(dǎo)電層714a包括損傷層714b和其內(nèi)側(cè)的包含金屬的端子部714。接下來，如圖12 (e)所示，在TFT基板111的上表面?zhèn)日w，通過原子層沉積法形成原子層沉積膜119a。接下來，如圖12 (f)所示，在原子層沉積膜119a的損傷層714b上的部分(也是導(dǎo)電層714a上的部分)粘接粘接帶500。由此，完成粘接帶粘接工序。接下來，通過將粘接帶500剝離，如圖12(g)所示，將原子層沉積膜119a的導(dǎo)電層714a上的部分、化學(xué)蒸鍍層118a的導(dǎo)電層714a上的部分以及導(dǎo)電層714a的損傷層714b剝落而除去，使端子部714露出。由此，完成將化學(xué)蒸鍍層118a的導(dǎo)電層714a上的部分剝落而除去的除去工序。在除去工序中，由于在導(dǎo)電層714a的表面存在損傷層714b，所以與粘接帶500 —起將化學(xué)蒸鍍層118a以及原子層沉積膜119a從TFT基板111側(cè)剝離。所剝離的是損傷層714b與化學(xué)蒸鍍層118a的界面、或者損傷層714b與端子部714的界面、或者在損傷層714b的厚度內(nèi)，這是因?yàn)檫@些部分容易剝離。作為這些部分容易剝離的原因，可以認(rèn)為是因?yàn)?例如導(dǎo)電層714a的表面由于在等離子化學(xué)蒸鍍法中使用的等離子而受到損傷。通過以上，完成器件基板710。另外，在圖12所示的制造工藝中，省略貼合CF基板的工序而進(jìn)行了說明，但在設(shè)置CF基板的情況下，可以在圖12 (e)所示的形成原子層沉積膜的工序之后、圖12 (f)所示的粘接粘接帶的工序之前設(shè)有設(shè)置CF基板的工序。這樣，在本發(fā)明所涉及的顯示面板的制造方法中，在導(dǎo)電層形成工序中，也可以形成包含金屬的導(dǎo)電層。作為其他的變形例，也可以在原子層沉積膜上，形成I層或者多層。在該情況下，也能夠通過進(jìn)行除去工序而將導(dǎo)電層上的部分剝落。另外，作為將化學(xué)蒸鍍層剝落的方法，并不限定于利用粘接帶的方法，例如也可以通過激光移除等方法剝落。本發(fā)明所涉及的顯示面板以及顯示裝置能夠適用于例如家庭用或者公共設(shè)施、或者業(yè)務(wù)用的各種顯示裝置、電視裝置、便攜型電子設(shè)備用顯示器等。
權(quán)利要求
1.一種顯示面板的制造方法，該顯示面板具備形成于基板上的不同區(qū)域的顯示部以及端子部，該顯示面板的制造方法包括: 顯示部形成工序，在所述基板上形成顯示部； 導(dǎo)電層形成工序，在所述基板上的要形成所述端子部的預(yù)定區(qū)域，形成包含導(dǎo)電性金屬氧化物或者金屬的導(dǎo)電層； 化學(xué)蒸鍍層形成工序，通過化學(xué)蒸鍍法形成包含無機(jī)化合物的化學(xué)蒸鍍層，使其覆蓋所述顯示部并且與所述導(dǎo)電層的至少上表面接觸，且使得所述導(dǎo)電層的上表面變質(zhì)；以及除去工序，將所述化學(xué)蒸鍍層的所述導(dǎo)電層上的部分剝落而除去。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示面板的制造方法， 所述導(dǎo)電層包含導(dǎo)電性金屬氧化物； 在所述化學(xué)蒸鍍層形成工序中，包括通過還原性氣體使所述導(dǎo)電層的上表面的所述導(dǎo)電性金屬氧化物還原而變質(zhì)的工序。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示面板的制造方法， 還包括粘接帶粘接工序，在所述化學(xué)蒸鍍層形成工序后，在所述除去工序前，在所述化學(xué)蒸鍍層的所述導(dǎo)電層上的部分粘接粘接帶； 在所述除去工序中，通過將所述粘接帶剝離，將所述化學(xué)蒸鍍層的所述導(dǎo)電層上的部分剝落而除去。
4.如權(quán)利要求1所述的顯示面板的制造方法， 還包括原子層沉積膜形成工序，在所述化學(xué)蒸鍍層形成工序后，在所述除去工序前，通過原子層沉積法在所述化學(xué)蒸鍍層上形成原子層沉積膜。
5.如權(quán)利要求4所述的顯示面板的制造方法， 還包括粘接帶粘接工序，在所述原子層沉積膜形成工序后，在所述除去工序前，在所述原子層沉積膜的所述導(dǎo)電層上的部分粘接粘接帶； 在所述除去工序中，通過將所述粘接帶剝離，將所述化學(xué)蒸鍍層的所述導(dǎo)電層上的部分以及所述原子層沉積膜的所述導(dǎo)電層上的部分剝落而除去。
6.如權(quán)利要求1所述的顯示面板的制造方法， 所述導(dǎo)電性金屬氧化物為ITO或者ΙΖ0。
7.如權(quán)利要求2所述的顯示面板的制造方法， 所述還原性氣體為SiN或者SiH4。
8.—種顯示面板，其具備形成于基板上的不同區(qū)域的顯示部以及端子部， 所述顯示部被封止層覆蓋，所述封止層通過化學(xué)蒸鍍法形成且包含無機(jī)化合物； 所述端子部包含導(dǎo)電性金屬氧化物或者金屬，沒有被所述封止層所覆蓋，并且所述端子部的上表面的至少一部分通過所述化學(xué)蒸鍍法而變質(zhì)。
9.一種顯示裝置，具備權(quán)利要求8所述的顯示面板。
全文摘要
提供能夠在所希望的區(qū)域正確且有效地形成封止層的顯示面板的制造方法，其是顯示面板(100)的制造方法，該顯示面板(100)具備形成于TFT基板(111)上的不同區(qū)域的顯示部(101)以及端子部(114)，該制造方法包括顯示部形成工序，在所述TFT基板(111)上形成顯示部(101)；導(dǎo)電層形成工序，在所述TFT基板(111)上的要形成所述端子部(114)的區(qū)域，形成包含導(dǎo)電性金屬氧化物或者金屬的導(dǎo)電層(114d)；化學(xué)蒸鍍層形成工序，通過化學(xué)蒸鍍法形成包含無機(jī)化合物的化學(xué)蒸鍍層(118a)，使其覆蓋所述顯示部(101)并且與所述導(dǎo)電層(114d)的至少上表面接觸，且使得所述導(dǎo)電層(114d)的上表面變質(zhì)；以及除去工序，將所述化學(xué)蒸鍍層(118a)的所述導(dǎo)電層(114d)上的部分剝落而除去。
文檔編號H05B33/06GK103222340SQ20118003428
公開日2013年7月24日 申請日期2011年11月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月22日
發(fā)明者大迫崇 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社