專利名稱：一種磁場增強的等離子體槍的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種等離子體放電設備，尤其是一種用磁場增強的等離子體槍， 適用于在大氣中進行等離子體放電表面處理。
背景技術：
等離子放電表面處理方法，由于其清潔高效越來越受到表面處理領域的重視。現(xiàn)有技術中，放電等離子體源從總體上說有兩類一是真空放電，低壓輝光放電是其典型的代表；二是大氣壓放電類，電暈放電是其典型代表。其中，低壓輝光放電由于其處理后的表面均勻一致以及其放電氣氛、輸入電壓、頻率等參數的可控性而被廣泛應用。然而，低壓輝光放電通常要在10托以下的低壓條件下進行，在進行表面處理時往往需要大型的真空裝置予以配合，導致處理成本居高不下。同時， 由于被處理物大都含有水分，在低壓氛圍中，水分氣化從處理物表面逸出而影響等離子體處理表面性能的獲得。此外，由于等離子體處理過程中很容易發(fā)熱，該方法也不適用于低熔點的被處理物。而與低壓輝光放電不同，電暈放電是在大氣壓條件下，在大氣或氮氣等氛圍中進行，其廉價簡便等優(yōu)點使其受到廣泛關注。然而，電暈放電由于是電子的束狀放電，在被處理物的表面經常產生不均勻的現(xiàn)象。并且電暈放電的氣體溫度與低溫等離子體的氣體溫度相比較高，除了親水化表面處理外，在其他領域的應用受到很大限制。為了解決上述兩種處理方法的不足，又出現(xiàn)了大氣壓輝光放電的表面處理方法。 其能夠在近大氣壓條件下進行表面處理從而不需要大型的真空裝置，同時在處理的過程中發(fā)熱很少，從而適于處理含水分亦或低熔點的被處理物。并且由于等離子體放電區(qū)域在處理過程不擴大，使得表面的局部處理更為有效準確。然而，上述大氣壓輝光放電的處理方法必須要在處理室中通入氦、氖、氬、氮等不活性氣體以維持穩(wěn)定的放電，因此無法在大氣中放置被處理物以進行表面處理。也正因此，盡管其適用于表面的局部處理，但并不能像激光表面處理那樣處理很狹小的局部。
發(fā)明內容為了克服上述各處理方法的不足，本實用新型所要解決的技術問題是提供一種能在大氣中進行輝光等離子體放電表面處理的設備，以適用于各種材料的涂層、蝕刻等表面處理，同時對材料表面進行更好的局部處理。本實用新型解決其技術問題所采用的具體技術方案是一種用磁場增強的等離子體槍，其包括一個絕緣槍體，所述絕緣槍體具有氣體導入口以及與所述氣體導入口相對的尖端開口作為氣體導出口，絕緣槍體內部配置有電極，所述電極與所述絕緣體容器外部的交流電源相連，當所述電極通電后在尖端開口處產生等離子體，所述等離子體從尖端開口處射出，在尖端開口外側設置有磁石以產生磁場增強等離子體，在所述等離子體射出的位置配置承載被處理物的載物臺。[0008]本實用新型的有益效果是，在大氣中即能以極簡單的方式實施輝光等離子體放電表面處理，適用于各種材料的各種表面處理，尤其適用于特別局部的，如點狀表面處理，同時由于磁場的引入，等離子體放電強度被放大。

圖1 是本實用新型中在大氣中進行等離子體放電的表面處理設備的示意圖。1.絕緣體容器；2.氣體到入口 ；3.尖端開口 ；4.電極；5.交流電源；6.等離子體； 7.被處理物；8.載物臺；9.磁石。
具體實施方式
如圖1所示，一種在大氣中進行等離子體放電的表面處理設備，其包括一個絕緣體容器1，所述絕緣體容器具有氣體導入口 2以及與所述氣體導入口相對的尖端開口 3作為氣體導出口，絕緣體容器內部配置有電極4，所述電極與所述絕緣體容器外部的交流電源 5相連，當所述電極通電后在尖端開口處產生等離子體6，所述等離子體從尖端開口 3處射出，在尖端開口 3外側設置有磁石9以產生磁場增強等離子體，在所述等離子體射出的位置配置承載被處理物7的載物臺8。
權利要求1. 一種磁場增強的等離子體槍，其特征在于其包括一個絕緣體容器，所述絕緣體容器具有氣體導入口以及與所述氣體導入口相對的尖端開口作為氣體導出口，絕緣體容器內部配置有電極，所述電極與所述絕緣體容器外部的交流電源相連，當所述電極通電后在尖端開口處產生等離子體，所述等離子體從尖端開口處射出，在所述等離子體射出的位置配置承載被處理物的載物臺。
專利摘要一種磁場增強的等離子體槍，其包括一個絕緣體容器，所述絕緣體容器具有氣體導入口以及與所述氣體導入口相對的尖端開口作為氣體導出口，絕緣體容器內部配置有電極，所述電極與所述絕緣體容器外部的交流電源相連，當所述電極通電后在尖端開口處產生等離子體，在尖端開口外側設置有磁石以產生磁場增強等離子體，該設備能夠在大氣中以極簡單的方式實施輝光等離子體放電表面處理，適用于各種材料的各種表面處理，尤其適用于特別局部的，如點狀表面處理，同時由于磁場的引入，等離子體放電被增強。
文檔編號H05H1/26GK202103932SQ201120062558
公開日2012年1月4日 申請日期2011年3月11日 優(yōu)先權日2011年3月11日
發(fā)明者倪楊, 鄭順奇, 齊偉光 申請人:寧波表面工程研究中心