專利名稱：底部設置導熱柱的夾層石英坩堝的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及石英坩堝，具體為一種用于太陽能級硅單晶生產的底部設置導熱柱的夾層石英坩堝。
背景技術：
直拉法生產硅單晶已經是該領域通用的一種技術手段，在此生產過程中，需要用到熱場裝置，通常情況下，熱場裝置包括有外殼、安裝在外殼中心的石墨坩堝、位于石墨坩堝內的石英坩堝、位于石墨坩堝外圍的加熱電極和位于石英坩堝內側的導流筒，生產過程中，石英坩堝內的原料經過加熱和局部冷卻并拉伸生長形成圓柱狀的硅單晶。用于太陽能級硅單晶生產中的傳統(tǒng)石英坩堝，結構非常簡單，導致內部熔體在加熱時熱量不易從高溫區(qū)流向低溫區(qū)，同時熔體對熱場變化的感知度十分敏感，在生產中溫度不易調控。

實用新型內容本實用新型所解決的技術問題在于提供一種底部設置導熱柱的夾層石英坩堝，使其具有良好的軸向導熱功能，同時削弱內部熔體對熱場變化的感知能力，從而解決上述背景技術中的缺點。本實用新型所解決的技術問題采用以下技術方案來實現(xiàn)底部設置導熱柱的夾層石英坩堝，包括坩堝本體和導熱柱，與傳統(tǒng)石英坩堝的顯著區(qū)別在于，所述坩堝本體具有內壁、外壁和鍋底，所述內壁和所述外壁之間為真空夾層， 兩壁底部在鍋底處連接為一體，所述導熱柱安裝在鍋底的底部中心。作為一種改進，所述導熱柱為石墨柱。作為一種進一步改進，所述石英坩堝在高溫爐中采用高純度的丙酮高溫熱解從而在內壁上沉積一層碳膜。由于采用了以上結構，本實用新型具有以下有益效果1、設置的導熱柱有利于軸向熱流的引導，在晶體生長過程中，導熱柱一端處于遠低于坩堝底部位置的溫場中，由于散熱柱的作用，使坩堝底部位置晶體中的熱量快速流向低溫區(qū)，起到軸向引導熱流的作用；2、內壁和外壁之間設置真空夾層，使得坩堝本體具有遮熱作用，當溫場發(fā)生波動時，內部熔體感知溫場變化的能力大大延遲和削弱，具有屏蔽熱場波動的能力，更利于晶體的穩(wěn)定成長。

圖1為本實用新型結構示意圖。
具體實施方式
為了使本實用新型實現(xiàn)的技術手段、創(chuàng)作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面結合具體圖示，進一步闡述本實用新型。參見圖1，底部設置導熱柱的夾層石英坩堝，包括坩堝本體1和導熱柱2，與傳統(tǒng)石英坩堝的顯著區(qū)別在于，所述坩堝本體具有內壁11、外壁12和鍋底13，所述內壁11和所述外壁12之間為真空夾層14，兩壁底部在鍋底13處連接為一體，所述導熱柱2安裝在鍋底 13的底部中心。本實施例中，所述導熱柱2為石墨柱。本實施例中，所述石英坩堝在高溫爐中采用高純度的丙酮高溫熱解從而在內壁11 上沉積一層碳膜15。以上顯示和描述了本實用新型的基本原理和主要特征和本實用新型的優(yōu)點。本行業(yè)的技術人員應該了解，本實用新型不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本實用新型的原理，在不脫離本實用新型精神和范圍的前提下，本實用新型還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本實用新型范圍內。本實用新型要求保護范圍由所附的權利要求書及其等效物界定。
權利要求1.底部設置導熱柱的夾層石英坩堝，包括坩堝本體和導熱柱，其特征在于所述坩堝本體具有內壁、外壁和鍋底，所述內壁和所述外壁之間為真空夾層，兩壁底部在鍋底處連接為一體，所述導熱柱安裝在鍋底的底部中心。
2.根據(jù)權利要求1所述的底部設置導熱柱的夾層石英坩堝，其特征在于所述導熱柱為石墨柱。
專利摘要底部設置導熱柱的夾層石英坩堝，包括坩堝本體和導熱柱，所述坩堝本體具有內壁、外壁和鍋底，所述內壁和所述外壁之間為真空夾層，兩壁底部在鍋底處連接為一體，所述導熱柱安裝在鍋底的底部中心。本實用新型具有良好的軸向導熱功能，同時真空夾層具有屏蔽熱場波動的能力，可以削弱內部熔體對熱場變化的感知能力。
文檔編號C30B15/10GK201962412SQ20112002053
公開日2011年9月7日 申請日期2011年1月23日 優(yōu)先權日2011年1月23日
發(fā)明者占勝, 孔旺, 官春水, 徐振華, 昝繼軍, 李志超, 江迪夫, 羅軍, 董建安, 趙苗東 申請人:江西索威科技有限公司