專利名稱：超聲波作用下真空蒸發(fā)氣相沉積生長(zhǎng)多晶碘化汞厚膜的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種利用磁力攪拌激勵(lì)的垂直沉積技術(shù)生長(zhǎng)多晶碘化汞薄膜，生長(zhǎng)出來(lái)的多晶碘化汞薄膜作為晶種層，通過(guò)超聲波作用下真空蒸發(fā)物理氣相沉積法在晶種層上沉積生長(zhǎng)高質(zhì)量多晶碘化汞厚膜的制備方法。生長(zhǎng)出來(lái)的高質(zhì)量多晶碘化汞厚膜特別適合于X射線、Gama射線多晶碘化汞厚膜探測(cè)器的制備，本發(fā)明屬于半導(dǎo)體厚膜制備技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
碘化汞(HgI2)禁帶寬度大(2. 13eV)、原子序數(shù)高(MHg = 80，M1 = 53)、電阻率高 (ρ>1013Ω ·_)、電離效率高(52%)，優(yōu)異的物理、化學(xué)和電學(xué)特性，使得碘化汞具有光電線性吸收系數(shù)大、探測(cè)效率高、能量分辨率好等優(yōu)勢(shì)，因此其對(duì)X、Y射線(尤其對(duì)低能量的 X、Y射線)具有很高的探測(cè)效率和良好的能量分辨率，廣泛應(yīng)用于熒光分析、航空航天和核醫(yī)學(xué)和高能物理等領(lǐng)域。高原子序數(shù)材料制作射線探測(cè)器件具有尺寸小的優(yōu)勢(shì)，由碘化汞探測(cè)器構(gòu)成的X、Y射線譜儀具有探測(cè)效率高、質(zhì)量輕、小巧致密的特點(diǎn)，廣泛用于軍事、 核工業(yè)、環(huán)境保護(hù)等領(lǐng)域，所以碘化汞是目前制備室溫半導(dǎo)體核輻射探測(cè)器最理想的材料之一。
目前，多晶碘化汞的常用沉積方法都屬于物理方法，包括有SP(絲網(wǎng)印刷)、 PVD(物理氣相沉積)、LA(激光消融法)、HP(熱壓法)以及PIB(粘結(jié)劑法)等。而以上這些物理方法則要求原材料碘化汞粉末有分析純級(jí)以上純度(> 99. 9999%)，倘若原材料純度低于該標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，就難以用這些物理方法來(lái)制備得到多晶碘化汞，即使勉強(qiáng)沉積得到的碘化汞材料，其結(jié)構(gòu)性能差異也較大。由于物理氣相沉積法制備厚膜成本較低、厚膜性能較好且容易規(guī)?；a(chǎn)，因此，目前主要使用這種方法制備“探測(cè)器級(jí)”多晶HgI2厚膜。
迄今為止還沒(méi)有文獻(xiàn)記載過(guò)用化學(xué)液相垂直沉積法結(jié)合擁有超聲波作用的真空蒸發(fā)物理氣相沉積法生長(zhǎng)多晶碘化汞材料。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種利用磁力攪拌激勵(lì)的垂直沉積技術(shù)生長(zhǎng)多晶碘化汞薄膜，生長(zhǎng)出來(lái)的多晶碘化汞薄膜作為晶種層，通過(guò)超聲波作用下真空蒸發(fā)物理氣相沉積法在晶種層上沉積生長(zhǎng)高質(zhì)量多晶碘化汞厚膜的制備方法。通過(guò)本方法制得的多晶碘化汞厚膜具有致密性好，晶粒細(xì)小，表面分布均勻，結(jié)晶性好，質(zhì)量佳的優(yōu)點(diǎn)。對(duì)所制備的多晶碘化汞薄膜與厚膜采用原子力顯微鏡、掃描電子顯微鏡、X射線衍射儀進(jìn)行表征。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用下述技術(shù)方案。
本發(fā)明一種超聲波作用下真空蒸發(fā)氣相沉積生長(zhǎng)多晶碘化汞厚膜的制備方法，其特征在于具有如下的工藝過(guò)程和步驟一、作為晶種層的碘化汞薄膜的制備a.襯底基片ITO的準(zhǔn)備對(duì)ITO導(dǎo)電玻璃進(jìn)行表面清洗處理工作，依次放入丙4酮溶液、無(wú)水酒精溶液和去離子水溶液中各超聲15分鐘，然后將光滑ITO導(dǎo)電玻璃烘干。
b.碘化汞薄膜的制備將2，7- 二溴-4-羥汞基熒光紅雙鈉鹽(又名汞溴紅)、碘酊試劑按[Hg2+]和[I ]的配合要求，各配制成濃度為20g/L的溶液，并取用兩者溶液的體積比為1:3;將兩者的混合溶液倒入實(shí)驗(yàn)裝置中；實(shí)際裝置中的旋轉(zhuǎn)磁子以500 rpm的速度轉(zhuǎn)動(dòng)，使兩種試劑充分反應(yīng)；0. 5h后，游離出來(lái)的金屬Hg+與Γ離子充分結(jié)合形成HgI2分子，這時(shí)調(diào)整旋轉(zhuǎn)磁子的速度轉(zhuǎn)動(dòng)為200 rpm，并倒入等量的無(wú)水酒精，其目的是為了加速后續(xù)步驟的蒸發(fā)；然后垂直插入烘干了的光滑ITO導(dǎo)電玻璃基片，使多晶碘化汞在30 °C的溫度下生長(zhǎng)；8小時(shí)后，溶劑接近完全蒸發(fā)，取出基片，此時(shí)基片表面長(zhǎng)有一層紅色的薄膜， 薄膜厚度約為500nm ；c.退火將制得的樣品放置在退火爐內(nèi)，以105！恒溫在氮?dú)鈿夥罩型嘶?. 5h ；d.干燥將退火后的覆蓋有多晶碘化汞薄膜的ITO透明導(dǎo)電玻璃放在干燥箱中保存， 以此多晶碘化汞薄膜作為晶種層，應(yīng)用到后續(xù)多晶碘化汞厚膜的生長(zhǎng)；二、超聲波作用下真空蒸發(fā)氣相沉積生長(zhǎng)多晶碘化汞厚膜a.清洗、烘干先將特殊設(shè)計(jì)的專用裝置中的薄膜生長(zhǎng)管體、真空活塞蓋用丙酮浸泡 15分鐘，超聲清洗15分鐘；再用酒精浸泡15分鐘，超聲清洗15分鐘；然后再用去離子水反復(fù)沖洗3次；最后烘干備用；b.碘化汞厚膜的制備將碘化汞原料放于薄膜生長(zhǎng)管體的下部的蒸發(fā)管腔體部分的底部；并將覆蓋有多晶碘化汞薄膜的ITO透明導(dǎo)電玻璃放置于所述薄膜生長(zhǎng)管體的上部真空室部分與下部蒸發(fā)管腔體部分的中間接合處，也即放置于下部蒸發(fā)管腔體部分的上端開(kāi)口處；隨后通過(guò)薄膜生長(zhǎng)管體頂部設(shè)置的真空活塞蓋一側(cè)的抽氣口用真空抽氣系統(tǒng)的抽氣裝置進(jìn)行抽真空，使真空室保持真空狀態(tài)，初始真空度要求達(dá)到1.5 X KT3Pa;覆蓋有多晶碘化汞薄膜的ITO透明導(dǎo)電玻璃與碘化汞原料間的距離為12cm ；薄膜生長(zhǎng)管體是垂直插入超聲波水浴加熱容器內(nèi)的，水浴溫度維持在90°C ；在多晶碘化汞沉積過(guò)程中，其真空度始終維持在1. 5 3X 10_3Pa ；進(jìn)行在超聲波作用下的真空蒸發(fā)物理氣相沉積，超聲波頻率為 59KHz，最終在覆蓋有多晶碘化汞薄膜的ITO透明導(dǎo)電玻璃上制得柱狀晶粒的多晶碘化汞厚膜。
本發(fā)明一種超聲波作用下真空蒸發(fā)氣相沉積生長(zhǎng)多晶碘化汞厚膜制備方法的專用裝置，該裝置包括有基片加熱裝置、循環(huán)冷卻水裝置、薄膜生長(zhǎng)管體、超聲波水浴加熱容器、真空抽氣系統(tǒng)；其特征在于薄膜生長(zhǎng)管體由下部的蒸發(fā)管腔體部分和上部的真空室部分組成；在薄膜生長(zhǎng)管體的頂部，也即真空室的上部設(shè)置有一真空活塞蓋，并在其側(cè)部接有抽氣管的真空抽氣系統(tǒng)；碘化汞原料放于薄膜生長(zhǎng)管體的下部蒸發(fā)管腔體部分的底部；在薄膜生長(zhǎng)管體的上部真空室部分與下部的蒸發(fā)管腔體部分的中間接合處，也即在下部蒸發(fā)管腔體的上端開(kāi)口處放置有一供氣相沉積生長(zhǎng)用的襯底基片；薄膜生長(zhǎng)管體下部的蒸發(fā)管腔體部分放置在超聲波水浴加熱容器內(nèi)；真空室的真空度為1. 5 3X10_3Pa，超聲波水浴加熱容器的超聲波頻率為59KHz ；襯底基片與水液面間的距離為2cm ；襯底基片與碘化汞原料間的距離為12cm。
本發(fā)明的特點(diǎn)是(1)通過(guò)溶劑的蒸發(fā)攜帶先驅(qū)反應(yīng)溶液所得反應(yīng)產(chǎn)物自發(fā)在垂直插入的光滑ITO導(dǎo)電玻璃基片上利用毛細(xì)管力裝組成為二維或三維結(jié)構(gòu)的薄膜；操作溫度要求為30 80°C，無(wú)真空度要求。本發(fā)明利用了磁力攪拌激勵(lì)的垂直沉積方法來(lái)生長(zhǎng)多晶碘化汞薄膜。
(2)利用超聲波作用下真空蒸發(fā)物理氣相沉積法，在真空狀態(tài)下，原料通過(guò)超聲波振動(dòng)、水浴加熱后，表面分子獲得足夠高的能量，可以克服其他分子對(duì)它的作用，從粉末表面逸出，然后輸運(yùn)到襯底基片表面，沉積生長(zhǎng)形成膜。相對(duì)于直接沉積在ITO透明導(dǎo)電玻璃上，沉積在覆蓋有多晶碘化汞薄膜的ITO透明導(dǎo)電玻璃所形成的多晶碘化汞厚膜具有致密性好，晶粒細(xì)小，表面分布均勻，結(jié)晶性好，質(zhì)量佳的優(yōu)點(diǎn)。
(3)本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于操作，可重復(fù)使用，成本低廉，特別適合于在常溫常壓下制備“探測(cè)器級(jí)”多晶碘化汞厚膜材料。


圖1為多晶HgI2厚膜生長(zhǎng)裝置的簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為多晶HgI2薄膜原子力顯微鏡圖譜。
圖3為多晶HgI2厚膜掃描電子顯微鏡圖譜。
圖4為多晶HgI2厚膜X射線衍射圖譜。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)將本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例結(jié)合附圖詳述如下。 實(shí)施例
本實(shí)例中的工藝過(guò)程和步驟如下所述 一、作為晶種層的碘化汞薄膜的制備a.襯底基片ITO的準(zhǔn)備對(duì)ITO導(dǎo)電玻璃進(jìn)行表面清洗處理工作，依次放入丙酮溶液、 無(wú)水酒精溶液和去離子水溶液中各超聲15分鐘，然后將光滑ITO導(dǎo)電玻璃烘干。
b.碘化汞薄膜的制備將2，7- 二溴-4-羥汞基熒光紅雙鈉鹽(又名汞溴紅)、碘酊試劑按[Hg2+]和[I ]的配合要求，各配制成濃度為20g/L的溶液，并取用兩者溶液的體積比為1:3;將兩者的混合溶液倒入實(shí)驗(yàn)裝置中；實(shí)際裝置中的旋轉(zhuǎn)磁子以500 rpm的速度轉(zhuǎn)動(dòng)，使兩種試劑充分反應(yīng)；0. 5h后，游離出來(lái)的金屬Hg+與Γ離子充分結(jié)合形成HgI2分子，這時(shí)調(diào)整旋轉(zhuǎn)磁子的速度轉(zhuǎn)動(dòng)為200 rpm，并倒入等量的無(wú)水酒精，其目的是為了加速后續(xù)步驟的蒸發(fā)；然后垂直插入烘干了的光滑ITO導(dǎo)電玻璃基片，多晶碘化汞在30 °C的溫度下生長(zhǎng)。他小時(shí)后，溶劑接近完全蒸發(fā)，取出基片，此時(shí)基片表面長(zhǎng)有一層紅色的薄膜，薄膜厚度約為500nm。
c.退火將制得的樣品放置在退火爐內(nèi)，以105 ！恒溫在氮?dú)鈿夥罩型嘶?. 5h。
d.干燥將退火后的覆蓋有多晶碘化汞薄膜的ITO透明導(dǎo)電玻璃放在干燥箱中保存，多晶碘化汞薄膜作為晶種層，應(yīng)用到后續(xù)多晶碘化汞厚膜的生長(zhǎng)。
二、超聲波作用下真空蒸發(fā)物理氣相沉積生長(zhǎng)多晶碘化汞厚膜a.清洗、烘干先將特殊設(shè)計(jì)的專用裝置中的薄膜生長(zhǎng)管體、真空活塞蓋用丙酮浸泡 15分鐘，超聲清洗15分鐘；再用酒精浸泡15分鐘，超聲清洗15分鐘；然后再用去離子水反復(fù)沖洗3次；最后烘干備用；b.碘化汞厚膜的制備將碘化汞原料放于上述裝置的薄膜生長(zhǎng)管體的下部的蒸發(fā)管腔體部分的底部；并將覆蓋有多晶碘化汞薄膜的ITO透明導(dǎo)電玻璃放置于所述薄膜生長(zhǎng)管體的上部真空室部分與下部蒸發(fā)管腔體部分的中間接合處，也即放置于下部蒸發(fā)管腔體部分的上端開(kāi)口處；隨后通過(guò)薄膜生長(zhǎng)管體頂部設(shè)置的真空活塞蓋一側(cè)的抽氣口用真空抽氣系統(tǒng)的抽氣裝置進(jìn)行抽真空，使真空室保持真空狀態(tài)，初始真空度要求達(dá)到1. 5 X 10 ；覆蓋有多晶碘化汞薄膜的ITO透明導(dǎo)電玻璃與碘化汞原料間的距離為12cm ；薄膜生長(zhǎng)管體是垂直插入超聲波水浴加熱容器內(nèi)的，水浴溫度維持在90°C ；在多晶碘化汞沉積過(guò)程中，其真空度始終維持在 1. 5 3X 10_3Pa ；進(jìn)行在超聲波作用下的真空蒸發(fā)物理氣相沉積，超聲波頻率為59KHz ；在上述條件進(jìn)行超聲波作用下真空蒸發(fā)物理氣相沉積過(guò)程，最終在覆蓋有多晶碘化汞薄膜的 ITO透明導(dǎo)電玻璃上制得柱狀晶粒的多晶碘化汞厚膜。
本發(fā)明中圖1是擁有超聲波作用的真空蒸發(fā)物理氣象沉積法沉積生長(zhǎng)多晶碘化汞厚膜的專用裝置，該裝置包括有基片加熱裝置1、循環(huán)冷卻水裝置2、薄膜生長(zhǎng)管體3、超聲波水浴加熱容器5和6、真空抽氣系統(tǒng)4 ；其特征在于薄膜生長(zhǎng)管體3由下部的蒸發(fā)管腔體部分和上部的真空室部分組成；在薄膜生長(zhǎng)管體3的頂部，也即真空室的上部設(shè)置有一真空活塞蓋，并在其側(cè)部接有抽氣管的真空抽氣系統(tǒng)4 ；碘化汞原料放于薄膜生長(zhǎng)管體3的下部蒸發(fā)管腔體部分的底部；在薄膜生長(zhǎng)管體3的上部真空室部分與下部的蒸發(fā)管腔體部分的中間接合處，也即在下部蒸發(fā)管腔體的上端開(kāi)口處放置有一供氣相沉積生長(zhǎng)用的襯底基片7 ；薄膜生長(zhǎng)管體3下部的蒸發(fā)管腔體部分放置在超聲波水浴加熱容器內(nèi)；超聲波發(fā)射器5與加熱棒加熱裝置以及水浴池6合起來(lái)為超聲波水浴加熱裝置；真空室的真空度為 1. 5 3X 10_3Pa，超聲波頻率為59KHz ；襯底基片7與水液面間的距離為2cm ；襯底基片7與碘化汞原料間的距離為12cm。
儀器檢測(cè)本實(shí)施例中所得產(chǎn)物經(jīng)儀器檢測(cè)，其檢測(cè)結(jié)果顯示于以下各圖中 圖2為所制得的多晶HgI2薄膜原子力顯微鏡圖譜。從圖中可以看出，用化學(xué)液相垂直沉積法沉積生長(zhǎng)出來(lái)的多晶碘化汞晶粒顆粒尺寸很小(<80nm)，屬于納米級(jí)，并且顆粒分布致密而均勻。
圖3為所制得的多晶HgI2厚膜掃描電子顯微鏡圖譜。從圖中可以看出，用真空蒸發(fā)物理氣象沉積法在覆蓋有多晶碘化汞薄膜的ITO透明導(dǎo)電玻璃上沉積多晶碘化汞厚膜， 得到多晶碘化汞結(jié)構(gòu)，晶粒尺寸20—40 μ m,并且擁有更緊密的顆粒分布，更平整的表面，更相似的晶粒結(jié)構(gòu)，以及更高的取向性，沿著<001>晶向生長(zhǎng)。
圖4為所制得的多晶HgI2厚膜X射線衍射圖譜。從圖中可以看出，衍射譜線中出現(xiàn)了若干高強(qiáng)度的衍射峰，對(duì)比標(biāo)準(zhǔn)HgI2-PDF卡片，其對(duì)應(yīng)的衍射峰應(yīng)該是(002)、(004)、 (008)、(0010)，屬于<001>晶向族。這表明沉積生長(zhǎng)出來(lái)的HgI2薄膜存在<001>晶向擇優(yōu)取向性，與圖3多晶HgI2厚膜掃描電子顯微鏡圖譜得到的結(jié)論(更高的取向性，沿著<001> 晶向生長(zhǎng))相一致。
權(quán)利要求
1.一種超聲波作用下真空蒸發(fā)氣相沉積生長(zhǎng)多晶碘化汞厚膜的制備方法，其特征在于該方法具有如下工藝過(guò)程和步驟一、作為晶種層的碘化汞薄膜的制備a.襯底基片ITO的準(zhǔn)備對(duì)ITO導(dǎo)電玻璃進(jìn)行表面清洗處理工作，依次放入丙酮溶液、 無(wú)水酒精溶液和去離子水溶液中各超聲15分鐘，然后將光滑ITO導(dǎo)電玻璃烘干；b.碘化汞薄膜的制備將2，7-二溴-4-羥汞基熒光紅雙鈉鹽(又名汞溴紅)、碘酊試劑按[Hg2+]和[I ]的配合要求，各配制成濃度為20g/L的溶液，并取用兩者溶液的體積比為1:3;將兩者的混合溶液倒入實(shí)驗(yàn)裝置中；實(shí)際裝置中的旋轉(zhuǎn)磁子以500 rpm的速度轉(zhuǎn)動(dòng)，使兩種試劑充分反應(yīng)；0. 5h后，游離出來(lái)的金屬Hg+與Γ離子充分結(jié)合形成HgI2分子， 這時(shí)調(diào)整旋轉(zhuǎn)磁子的速度轉(zhuǎn)動(dòng)為200 rpm，并倒入等量的無(wú)水酒精，其目的是為了加速后續(xù)步驟的蒸發(fā)；然后垂直插入烘干了的光滑ITO導(dǎo)電玻璃基片，使多晶碘化汞在30 °C的溫度下；8小時(shí)后，溶劑接近完全蒸發(fā)，取出基片，此時(shí)基片表面長(zhǎng)有一層紅色的薄膜，薄膜厚度約為500nm ；c.退火將制得的樣品放置在退火爐內(nèi)，以105！恒溫在氮?dú)鈿夥罩型嘶?. 5h ；d.干燥將退火后的覆蓋有多晶碘化汞薄膜的ITO透明導(dǎo)電玻璃放在干燥箱中保存， 以此多晶碘化汞薄膜作為晶種層，應(yīng)用到后續(xù)多晶碘化汞厚膜的生長(zhǎng)；二、超聲波作用下真空蒸發(fā)氣相沉積生長(zhǎng)多晶碘化汞厚膜a.清洗、烘干先將特殊設(shè)計(jì)的專用裝置中的薄膜生長(zhǎng)管體、真空活塞蓋用丙酮浸泡 15分鐘，超聲清洗15分鐘；再用酒精浸泡15分鐘，超聲清洗15分鐘；然后再用去離子水反復(fù)沖洗3次；最后烘干備用；b.碘化汞厚膜的制備將碘化汞原料放于薄膜生長(zhǎng)管體的下部的蒸發(fā)管腔體部分的底部；并將覆蓋有多晶碘化汞薄膜的ITO透明導(dǎo)電玻璃放置于所述薄膜生長(zhǎng)管體的上部真空室部分與下部蒸發(fā)管腔體部分的中間接合處，也即放置于下部蒸發(fā)管腔體部分的上端開(kāi)口處；隨后通過(guò)薄膜生長(zhǎng)管體頂部設(shè)置的真空活塞蓋一側(cè)的抽氣口用真空抽氣系統(tǒng)的抽氣裝置進(jìn)行抽真空，使真空室保持真空狀態(tài)，初始真空度要求達(dá)到1.5 X KT3Pa;覆蓋有多晶碘化汞薄膜的ITO透明導(dǎo)電玻璃與碘化汞原料間的距離為12cm ；薄膜生長(zhǎng)管體是垂直插入水浴加熱容器內(nèi)的，水浴溫度維持在90°C ；在多晶碘化汞沉積過(guò)程中，其真空度始終維持在 1. 5 3X 10_3Pa ；進(jìn)行在超聲波作用下的真空蒸發(fā)物理氣相沉積，超聲波頻率為59KHz ；在上述條件進(jìn)行超聲波作用下真空蒸發(fā)物理氣相沉積過(guò)程，最終在覆蓋有多晶碘化汞薄膜的 ITO透明導(dǎo)電玻璃上制得柱狀晶粒的多晶碘化汞厚膜。
2.一種超聲波作用下真空蒸發(fā)氣相沉積生長(zhǎng)多晶碘化汞厚膜制備方法所用的專用裝置，該裝置包括有基片加熱裝置(1)、循環(huán)冷卻水裝置(2)、薄膜生長(zhǎng)管體(3)、超聲波水浴加熱容器(5、6)、真空抽氣系統(tǒng)(4)；其特征在于薄膜生長(zhǎng)管體(3)由下部的蒸發(fā)管腔體部分和上部的真空室部分組成；在薄膜生長(zhǎng)管體(3)的頂部，也即真空室的上部設(shè)置有一真空活塞蓋，并在其側(cè)部接有抽氣管的真空抽氣系統(tǒng)(4);碘化汞原料放于薄膜生長(zhǎng)管體(3) 的下部蒸發(fā)管腔體部分的底部；在薄膜生長(zhǎng)管體(3)的上部真空室部分與下部的蒸發(fā)管腔體部分的中間接合處，也即在下部蒸發(fā)管腔體的上端開(kāi)口處放置有一供氣相沉積生長(zhǎng)用的襯底基片(7 )；薄膜生長(zhǎng)管體(3 )下部的蒸發(fā)管腔體部分放置在超聲波水浴加熱容器內(nèi)，超聲波發(fā)射器(5)與加熱棒加熱裝置(6)以及水浴池合起來(lái)為超聲波水浴加熱容器；真空室的真空度為1. 5 3X 10_3Pa，超聲波頻率為59KHz ；襯底基片(7)與水液面間的距離為2cm ； 襯底基片(7)與碘化汞原料間的距離為12cm。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種利用磁力攪拌激勵(lì)的垂直沉積技術(shù)生長(zhǎng)多晶碘化汞薄膜，生長(zhǎng)出來(lái)的多晶碘化汞薄膜作為晶種層，通過(guò)超聲波作用下真空蒸發(fā)物理氣相沉積法在晶種層上沉積生長(zhǎng)高質(zhì)量多晶碘化汞厚膜的制備方法。生長(zhǎng)出來(lái)的多晶碘化汞厚膜特別適合于X射線、Gama射線多晶碘化汞厚膜探測(cè)器的制備，本發(fā)明屬于半導(dǎo)體厚膜制備技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明以2,7-二溴-4-羥汞基熒光紅雙鈉鹽(又名汞溴紅)、碘酊為先驅(qū)反應(yīng)溶液，無(wú)水酒精為溶劑，制得了多晶碘化汞薄膜。以碘化汞薄膜作為晶種層，再通過(guò)超聲波作用下真空蒸發(fā)物理氣象沉積法沉積生長(zhǎng)多晶碘化汞厚膜，最終在襯底基片上獲得柱狀晶粒的高質(zhì)量多晶碘化汞厚膜。
文檔編號(hào)C30B29/12GK102517544SQ20111044981
公開(kāi)日2012年6月27日 申請(qǐng)日期2011年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月29日
發(fā)明者劉功龍, 史偉民, 楊偉光, 陳亮亮, 馬磊 申請(qǐng)人:上海大學(xué)