專利名稱：多晶硅太陽(yáng)能電池片的制絨方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池制作工藝技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，涉及一種多晶硅太陽(yáng)能電池片的制絨方法。
背景技術(shù)：
太陽(yáng)能電池，也稱光伏電池，是一種將太陽(yáng)的光能直接轉(zhuǎn)化為電能的半導(dǎo)體器件。 由于它是綠色環(huán)保產(chǎn)品，不會(huì)引起環(huán)境污染，而且是可再生資源，所以在當(dāng)今能源短缺的情形下，太陽(yáng)能電池是一種具有廣闊發(fā)展前途的新型能源。目前，太陽(yáng)能電池片的制造工藝已經(jīng)標(biāo)準(zhǔn)化，其主要步驟如下1.制絨通過(guò)化學(xué)反應(yīng)使原本光亮的硅片表面(包括正面和背面)形成凸凹不平的結(jié)構(gòu)以延長(zhǎng)光在其表面的傳播路徑，從而提高太陽(yáng)能電池片對(duì)光的吸收效率。2.擴(kuò)散制結(jié)P型硅片在擴(kuò)散后表面變成N型，形成PN結(jié)，使得硅片具有光伏效應(yīng)。擴(kuò)散的濃度、深度以及均勻性直接影響太陽(yáng)能電池片的電性能，擴(kuò)散進(jìn)雜質(zhì)的總量用方塊電阻來(lái)衡量，雜質(zhì)總量越小，方塊電阻越大。3.周邊刻蝕該步驟的目的在于去掉擴(kuò)散制結(jié)時(shí)在硅片邊緣形成的將PN結(jié)兩端短路的導(dǎo)電層。4.沉積減反射膜目前主要有兩類減反射膜，氮化硅膜和氧化鈦膜，主要起減反射和鈍化的作用。5.印刷電極。6.燒結(jié)使印刷的電極與硅片之間形成合金?，F(xiàn)有技術(shù)中關(guān)于制絨工藝已經(jīng)發(fā)展的相當(dāng)成熟，對(duì)于多晶硅太陽(yáng)能電池片而言， 其一般通過(guò)酸性溶液腐蝕來(lái)實(shí)現(xiàn)制絨，例如，一般采用硝酸和氫氟酸的混合溶液對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片表面進(jìn)行腐蝕，進(jìn)而在其表面形成蜂窩狀結(jié)構(gòu)。當(dāng)太陽(yáng)光照射在腐蝕后的多晶硅太陽(yáng)能電池片表面時(shí)，光線會(huì)因?yàn)榻q面的存在而發(fā)生多次反射，進(jìn)而減小了太陽(yáng)光的反射率，增加了電池片對(duì)太陽(yáng)光的利用率，最終可提高電池片的光電轉(zhuǎn)換效率?，F(xiàn)有技術(shù)中在對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行制絨時(shí)常采用質(zhì)量濃度為550g/L的硝酸和55g/L的氫氟酸作為酸性混合溶液，制絨時(shí)間控制在120s左右。但是，依照現(xiàn)有技術(shù)對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行制絨后，所得硅片絨面的均勻性較差，不利于提高多晶硅太陽(yáng)能電池片的光電轉(zhuǎn)換效率。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種多晶硅太陽(yáng)能電池片的制絨方法，該方法能夠有效地提高多晶硅太陽(yáng)能電池片的光電轉(zhuǎn)換效率。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案一種多晶硅太陽(yáng)能電池片的制絨方法，該方法包括采用硝酸和氫氟酸的混合溶液對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第一次制絨；
采用硝酸和氫氟酸的混合溶液對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第二次制絨；其中，對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第二次制絨時(shí)所用硝酸和氫氟酸的質(zhì)量濃度比小于對(duì)其進(jìn)行第一次制絨時(shí)所用硝酸和氫氟酸的質(zhì)量濃度比。優(yōu)選的，上述方法中，對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第二次制絨時(shí)所用硝酸和氫氟酸的質(zhì)量濃度比為10 1。優(yōu)選的，上述方法中，對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第一次制絨時(shí)所用硝酸和氫氟酸的質(zhì)量濃度比為12. 5 1。優(yōu)選的，上述方法中，對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第一次制絨時(shí)所用硝酸的質(zhì)量濃度為500g/L，氫氟酸的質(zhì)量濃度為40g/L。優(yōu)選的，上述方法中，對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第二次制絨時(shí)所用硝酸的質(zhì)量濃度為550g/L，氫氟酸的質(zhì)量濃度為55g/L。優(yōu)選的，上述方法中，對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第一次制絨的制絨時(shí)間為50s， 對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第二次制絨的制絨時(shí)間為70s。優(yōu)選的，上述方法中，對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第一次制絨和第二次制絨時(shí)所用硝酸和氫氟酸的混合溶液的溫度均為8 15°C。優(yōu)選的，上述方法中，對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第二次制絨之后，還包括對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第一次去離子水清洗；采用氫氧化鉀溶液對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行清洗；對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第二次去離子水清洗；采用氫氟酸和鹽酸的混合溶液對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行清洗；對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第三次去離子水清洗；對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行烘干處理。優(yōu)選的，上述方法中，對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第一次、第二次和第三次去離子水清洗均在常溫下進(jìn)行，時(shí)間均為15s。優(yōu)選的，上述方法中，對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行烘干處理，具體為在45°C下使多晶硅太陽(yáng)能電池片在空氣中風(fēng)干。從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明所提供的多晶硅太陽(yáng)能電池片的制絨方法包括采用硝酸和氫氟酸的混合溶液對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第一次制絨；采用硝酸和氫氟酸的混合溶液對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第二次制絨；其中，對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第二次制絨時(shí)所用硝酸和氫氟酸的質(zhì)量濃度比小于對(duì)其進(jìn)行第一次制絨時(shí)所用硝酸和氫氟酸的質(zhì)量濃度比。本發(fā)明所提供的方法在對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行制絨時(shí)分兩次進(jìn)行，且第二次制絨時(shí)所用硝酸和氫氟酸的質(zhì)量濃度比小于第一次制絨時(shí)所用硝酸和氫氟酸的質(zhì)量濃度比，這樣，在第一次制絨過(guò)程中，質(zhì)量濃度比相對(duì)較大的硝酸和氫氟酸的混合溶液可對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片起到拋光作用(即去除多晶硅太陽(yáng)能電池片表面的損傷層)， 在第二次制絨過(guò)程中，質(zhì)量濃度比相對(duì)較小的硝酸和氫氟酸的混合溶液可對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片起到制絨作用，因此，本發(fā)明所提供的方法，使硝酸和氫氟酸的混合溶液對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片所起到的拋光和制絨作用分開來(lái)進(jìn)行，最終可在多晶硅太陽(yáng)能電池片的表面形成比較均勻的絨面結(jié)構(gòu)，所述均勻的絨面結(jié)構(gòu)利于提高多晶硅太陽(yáng)能電池片的光電轉(zhuǎn)換效率。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種多晶硅太陽(yáng)能電池片制絨方法的流程示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。正如背景技術(shù)部分所述，依照現(xiàn)有技術(shù)對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片(可簡(jiǎn)稱多晶硅片或硅片)進(jìn)行制絨后，所得硅片絨面的均勻性較差，不利于提高多晶硅太陽(yáng)能電池片的光電轉(zhuǎn)換效率。發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，造成制絨后硅片絨面均勻性較差的原因在于采用酸性溶液對(duì)多晶硅片進(jìn)行腐蝕進(jìn)而實(shí)現(xiàn)制絨，其過(guò)程包括拋光(即去除多晶硅片上的損傷層)和制絨，因此，依據(jù)現(xiàn)有工藝采用質(zhì)量濃度為550g/L的硝酸和55g/L的氫氟酸的混合溶液對(duì)硅片進(jìn)行制絨，制絨時(shí)間控制在120s左右，這種制絨方法使得拋光與制絨工藝同時(shí)進(jìn)行，因此，最終導(dǎo)致所得絨面均勻性較差?；诖耍景l(fā)明提供了一種多晶硅太陽(yáng)能電池片的制絨方法，該方法包括采用硝酸和氫氟酸的混合溶液對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第一次制絨；采用硝酸和氫氟酸的混合溶液對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第二次制絨；其中，對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第二次制絨時(shí)所用硝酸和氫氟酸的質(zhì)量濃度比小于對(duì)其進(jìn)行第一次制絨時(shí)所用硝酸和氫氟酸的質(zhì)量濃度比。由上可知，本發(fā)明所提供的多晶硅太陽(yáng)能電池片的制絨方法，針對(duì)酸性溶液腐蝕多晶硅片包括拋光和制絨兩個(gè)過(guò)程，因此，使對(duì)多晶硅片的制絨過(guò)程分兩次進(jìn)行，第一次制絨過(guò)程即為對(duì)多晶硅片的拋光過(guò)程，第二次制絨過(guò)程即為對(duì)多晶硅片的制絨(形成絨面) 過(guò)程，由于拋光過(guò)程中需要去除多晶硅片表面的損傷層，因此，此過(guò)程中所需硝酸和氫氟酸的質(zhì)量濃度比應(yīng)該相對(duì)較大，而制絨過(guò)程中所需硝酸和氫氟酸的質(zhì)量濃度比可相對(duì)較小。 故本發(fā)明所提供的多晶硅太陽(yáng)能電池片的制絨方法，通過(guò)將制絨過(guò)程分兩次進(jìn)行，且控制第一次制絨過(guò)程中所用硝酸和氫氟酸的質(zhì)量濃度比大于第二次制絨過(guò)程中所用硝酸和氫氟酸的質(zhì)量濃度比，這樣，使所述硝酸和氫氟酸的混合溶液對(duì)多晶硅片的拋光和制絨過(guò)程分開，從而可在多晶硅片表面形成比較均勻的絨面結(jié)構(gòu)，進(jìn)而可提高多晶硅太陽(yáng)能電池片的光電轉(zhuǎn)換效率。下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例詳細(xì)描述本發(fā)明所提供的多晶硅太陽(yáng)能電池片的制絨方法。參考圖1，圖1為本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種多晶硅太陽(yáng)能電池片的制絨方法流程圖，該方法具體包括步驟Sl 采用硝酸和氫氟酸的混合溶液對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第一次制絨。本發(fā)明實(shí)施例在此步驟中所采用的硝酸和氫氟酸的質(zhì)量濃度比相對(duì)較大，具體可以為采用質(zhì)量濃度比為12.5 1、體積比為13 2的硝酸和氫氟酸的混合溶液作為酸性溶液，且在第一次制絨過(guò)程中控制所述酸性溶液的溫度在8 15°C之間，控制制絨時(shí)間在
50s左右。對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第一次制絨的目的是去除多晶硅片表面的損傷層。步驟S2 采用硝酸和氫氟酸的混合溶液對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第二次制絨； 其中，對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第二次制絨時(shí)所用硝酸和氫氟酸的質(zhì)量濃度比小于對(duì)其進(jìn)行第一次制絨時(shí)所用硝酸和氫氟酸的質(zhì)量濃度比。此步驟中所采用的硝酸和氫氟酸的質(zhì)量濃度比相對(duì)第一次制絨過(guò)程中所用的硝酸和氫氟酸的質(zhì)量濃度比要小，具體的，可采用質(zhì)量濃度比為10 1、體積比為13 2的硝酸和氫氟酸的混合溶液作為第二次制絨過(guò)程中的酸性溶液，且控制第二次制絨過(guò)程中的酸性溶液的溫度在8 15°C之間，控制制絨時(shí)間在70s左右。對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第二次制絨的目的是在多晶硅片表面形成均勻、細(xì)致的絨面。步驟S3 對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第一次去離子水清洗。具體的，可以在常溫狀態(tài)下采用噴淋設(shè)備對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第一次去離子水清洗，清洗時(shí)間可以為1 左右，洗去多晶硅片上的酸性溶液。步驟S4 采用氫氧化鉀溶液對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行清洗。在常溫狀態(tài)下采用較低濃度的氫氧化鉀溶液對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行噴淋清洗，清洗時(shí)間可以為1 左右。步驟S5 對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第二次去離子水清洗。在常溫狀態(tài)下采用噴淋設(shè)備對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第二次去離子水清洗，清洗時(shí)間可以為1 左右，洗去多晶硅片上的氫氧化鉀溶液。步驟S6 采用氫氟酸和鹽酸的混合溶液對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行清洗。在常溫狀態(tài)下采用較低濃度的氫氟酸和鹽酸的混合溶液對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行噴淋清洗，清洗時(shí)間可以為1 左右。步驟S7 對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第三次去離子水清洗。在常溫狀態(tài)下采用噴淋設(shè)備對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第三次去離子水清洗，清洗時(shí)間可以為1 左右，洗去多晶硅片上的氫氟酸和鹽酸的混合溶液。步驟S8 對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行烘干處理。在45°C下使多晶硅太陽(yáng)能電池片在空氣中風(fēng)干。本發(fā)明所提供的多晶硅太陽(yáng)能電池片的制絨方法，將制絨過(guò)程分成兩步進(jìn)行，且兩步中所用硝酸和氫氟酸的質(zhì)量濃度比不同，第一步中硝酸和氫氟酸的質(zhì)量濃度比相對(duì)較大，可實(shí)現(xiàn)對(duì)多晶硅片的拋光作用，第二步中硝酸和氫氟酸的質(zhì)量濃度比相對(duì)較小，目的是在多晶硅片表面形成小而均勻的絨面。本發(fā)明實(shí)施例雖然將多晶硅片的制絨過(guò)程分成兩步進(jìn)行，但并未增加整個(gè)制絨過(guò)程的時(shí)間，因此，本發(fā)明所提供的方法，在不增加制絨時(shí)間的條件下，使得多晶硅片表面形成了小而且較均勻的絨面結(jié)構(gòu)，這種小而均勻的絨面結(jié)構(gòu)不僅可以增加多晶硅太陽(yáng)能電池片的短路電流，而且可以提高硅片的光電轉(zhuǎn)換效率；同時(shí)，小而均勻的絨面結(jié)構(gòu)利于后續(xù)工藝的正常進(jìn)行，不會(huì)對(duì)電池生產(chǎn)產(chǎn)生不利影響。下面采用兩批完全相同的、電阻率可介于0.5 Ω .cm 3Ω · cm之間的、P型多晶硅樣品進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，每批中包含18個(gè)樣品，使第一批樣品按照本發(fā)明所提供的方法進(jìn)行制絨，使第二批樣品按照現(xiàn)有工藝進(jìn)行制絨，具體過(guò)程如下使第一批的18個(gè)樣品均按照如下步驟進(jìn)行制絨al、采用質(zhì)量濃度為500g/L的硝酸和40g/L的氫氟酸的混合溶液(硝酸和氫氟酸的體積比為13 幻對(duì)多晶硅片進(jìn)行第一次制絨，控制第一次制絨過(guò)程中混合溶液的溫度為10°C，控制制絨時(shí)間為50s。bl、采用質(zhì)量濃度為550g/L的硝酸和55g/L的氫氟酸的混合溶液(硝酸和氫氟酸的體積比為13 幻對(duì)多晶硅片進(jìn)行第二次制絨，控制第二次制絨過(guò)程中混合溶液的溫度為10°C，控制制絨時(shí)間為70s。Cl、在常溫狀態(tài)下對(duì)多晶硅片進(jìn)行第一次去離子水清洗，清洗時(shí)間為15s。dl、在常溫狀態(tài)下采用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5%的氫氧化鉀溶液對(duì)多晶硅片進(jìn)行清洗，清洗時(shí)間為巧S。el、在常溫狀態(tài)下對(duì)多晶硅片進(jìn)行第二次去離子水清洗，清洗時(shí)間為15s。fl、在常溫狀態(tài)下采用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5%的氫氟酸和質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%的鹽酸的混合溶液對(duì)多晶硅片進(jìn)行清洗，清洗時(shí)間為15s。gl、在常溫狀態(tài)下對(duì)多晶硅片進(jìn)行第三次去離子水清洗，清洗時(shí)間為15s。hi、在45°C下使多晶硅片在空氣中風(fēng)干。使第二批的18個(gè)樣品均按照如下步驟進(jìn)行制絨a2、采用質(zhì)量濃度為550g/L的硝酸和55g/L的氫氟酸的混合溶液(硝酸和氫氟酸的體積比為13 2)對(duì)多晶硅片進(jìn)行一次制絨，控制制絨過(guò)程中混合溶液的溫度為10°C，控制制絨時(shí)間為120s。b2、在常溫狀態(tài)下對(duì)多晶硅片進(jìn)行第一次去離子水清洗，清洗時(shí)間為15s。c2、在常溫狀態(tài)下采用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5%的氫氧化鉀溶液對(duì)多晶硅片進(jìn)行清洗，清洗時(shí)間為巧S。d2、在常溫狀態(tài)下對(duì)多晶硅片進(jìn)行第二次去離子水清洗，清洗時(shí)間為15s。e2、在常溫狀態(tài)下采用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5%的氫氟酸和質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%的鹽酸的混合溶液對(duì)多晶硅片進(jìn)行清洗，清洗時(shí)間為15s。f2、在常溫狀態(tài)下對(duì)多晶硅片進(jìn)行第三次去離子水清洗，清洗時(shí)間為15s。g2、在45°C下使多晶硅片在空氣中風(fēng)干。上述兩批樣品在制絨工藝完成后，依次對(duì)其進(jìn)行擴(kuò)散制結(jié)、沉積減反射膜和印刷電極等工藝，最終制得成品后對(duì)所述成品進(jìn)行電性能測(cè)試，所得測(cè)試結(jié)果分別見(jiàn)表一和表表一示出了第一批樣品的電性能測(cè)試結(jié)果，表二示出了第二批樣品的電性能測(cè)試結(jié)果。由表一和表二對(duì)比可知，采用本發(fā)明所提供的方法對(duì)多晶硅片進(jìn)行制絨，相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)來(lái)說(shuō)，最終所得產(chǎn)品的短路電流由8. 33A提高到了 8. 36A，其光電轉(zhuǎn)換效率由16. 68%提高到了 16. 76%。
因此，采用本發(fā)明所提供的技術(shù)方案，在不增加制絨時(shí)間的前提下，在多晶硅片表面形成了小而均勻的蜂窩狀絨面結(jié)構(gòu)，從而可提高電池片的短路電流，且可提高電池片的光電轉(zhuǎn)換效率。與此同時(shí)，小而均勻的絨面結(jié)構(gòu)利于后續(xù)工藝的正常進(jìn)行，不會(huì)對(duì)后續(xù)工藝中電極及背場(chǎng)的印刷造成不利影響。表一實(shí)施例1 18的性能表
權(quán)利要求
1.一種多晶硅太陽(yáng)能電池片的制絨方法，其特征在于，包括采用硝酸和氫氟酸的混合溶液對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第一次制絨；采用硝酸和氫氟酸的混合溶液對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第二次制絨；其中，對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第二次制絨時(shí)所用硝酸和氫氟酸的質(zhì)量濃度比小于對(duì)其進(jìn)行第一次制絨時(shí)所用硝酸和氫氟酸的質(zhì)量濃度比。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第二次制絨時(shí)所用硝酸和氫氟酸的質(zhì)量濃度比為10 1。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第一次制絨時(shí)所用硝酸和氫氟酸的質(zhì)量濃度比為12.5 1。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第一次制絨時(shí)所用硝酸的質(zhì)量濃度為500g/L，氫氟酸的質(zhì)量濃度為40g/L。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第二次制絨時(shí)所用硝酸的質(zhì)量濃度為550g/L，氫氟酸的質(zhì)量濃度為55g/L。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第一次制絨的制絨時(shí)間為50s，對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第二次制絨的制絨時(shí)間為70s。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第一次制絨和第二次制絨時(shí)所用硝酸和氫氟酸的混合溶液的溫度均為8 15°C。
8.根據(jù)權(quán)利要求1 7任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第二次制絨之后，還包括對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第一次去離子水清洗；采用氫氧化鉀溶液對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行清洗；對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第二次去離子水清洗；采用氫氟酸和鹽酸的混合溶液對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行清洗；對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第三次去離子水清洗；對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行烘干處理。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第一次、第二次和第三次去離子水清洗均在常溫下進(jìn)行，時(shí)間均為15s。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行烘干處理， 具體為在45°C下使多晶硅太陽(yáng)能電池片在空氣中風(fēng)干。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例公開了一種多晶硅太陽(yáng)能電池片的制絨方法，該方法包括采用硝酸和氫氟酸的混合溶液對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第一次制絨；采用硝酸和氫氟酸的混合溶液對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第二次制絨；其中，對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行第二次制絨時(shí)所用硝酸和氫氟酸的質(zhì)量濃度比小于對(duì)其進(jìn)行第一次制絨時(shí)所用硝酸和氫氟酸的質(zhì)量濃度比。通過(guò)本發(fā)明所提供的方法，能夠在多晶硅太陽(yáng)能電池片表面形成比較均勻的絨面結(jié)構(gòu)，進(jìn)而可提高多晶硅太陽(yáng)能電池片的光電轉(zhuǎn)換效率。
文檔編號(hào)C30B29/06GK102212885SQ20111010777
公開日2011年10月12日 申請(qǐng)日期2011年4月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月27日
發(fā)明者王守志 申請(qǐng)人:江陰浚鑫科技有限公司