專利名稱：雙涂層石英坩堝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及加工設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，更具體的說是一種直拉單晶爐使用的石英坩禍。
背景技術(shù)：
石英坩堝可在1450度以下使用，分為透明和不透明兩種，用電弧法制的半透明石英坩堝是拉制大直徑單晶硅，發(fā)展大規(guī)模集成電路必不可少的基礎(chǔ)材料，當(dāng)今，世界半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)達(dá)國家已用此坩堝取代了小的透明石英坩堝，半透明石英坩堝具有高純度、耐溫性強(qiáng)、尺寸大精度高、保溫性好、節(jié)約能源、質(zhì)量穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)，目前，生產(chǎn)半透明石英坩堝采用的是高純石英砂，高純石英砂價格昂貴，使得生產(chǎn)出的半透明石英坩堝成本較高，制約了廠家的生產(chǎn)，影響了單晶硅行業(yè)的發(fā)展。
發(fā)明內(nèi)容為解決上述問題，本實(shí)用新型設(shè)計了一種雙涂層石英坩堝，它的技術(shù)方案為所述的雙涂層石英坩堝由普通石英層、氫氧化鋇層、高純石英層組成，其特征是普通石英層的內(nèi)側(cè)設(shè)置高純石英層，高純石英層的內(nèi)側(cè)設(shè)置氫氧化鋇層。本實(shí)用新型所述的高純石英層，其特征是采用高純度石英砂，熔制噴涂在普通石英層的內(nèi)側(cè)。本實(shí)用新型成本較低，內(nèi)側(cè)涂有氫氧化鋇，可以大幅度的改善石英坩堝的使用壽命及長晶良率。

附圖是本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖；附圖中1.普通石英層，2.氫氧化鋇層，3.高純石英層。
具體實(shí)施方式
結(jié)合附圖對本實(shí)用新型進(jìn)一步詳細(xì)描述，以便公眾更好地掌握本實(shí)用新型的實(shí)施方法，本實(shí)用新型具體的實(shí)施方案為所述的雙涂層石英坩堝由普通石英層1、氫氧化鋇層 2、高純石英層3組成，其特征是普通石英層1的內(nèi)側(cè)設(shè)置高純石英層3，高純石英層3的內(nèi)側(cè)設(shè)置氫氧化鋇層2。本實(shí)用新型所述的高純石英層3，其特征是采用高純度石英砂，熔制噴涂在普通石英層1的內(nèi)側(cè)。本實(shí)用新型成本較低，內(nèi)側(cè)涂有氫氧化鋇，可以大幅度的改善石英坩堝的使用壽命及長晶良率。
權(quán)利要求1.雙涂層石英坩堝，由普通石英層(1)、氫氧化鋇層O)、高純石英層C3)組成，其特征是普通石英層(1)的內(nèi)側(cè)設(shè)置高純石英層(3)，高純石英層(3)的內(nèi)側(cè)設(shè)置氫氧化鋇層 ⑵。
專利摘要雙涂層石英坩堝，由普通石英層、氫氧化鋇層、高純石英層組成，其特征是普通石英層的內(nèi)側(cè)設(shè)置高純石英層，高純石英層的內(nèi)側(cè)設(shè)置氫氧化鋇層，本實(shí)用新型成本較低，內(nèi)側(cè)涂有氫氧化鋇，可以大幅度的改善石英坩堝的使用壽命及長晶良率。
文檔編號C30B15/10GK201933195SQ20102068268
公開日2011年8月17日 申請日期2010年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月28日
發(fā)明者岳喜東 申請人:濟(jì)寧潤鵬光伏科技有限公司