專利名稱：一種單晶硅棒的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種單晶硅棒。
背景技術(shù)：
單晶硅棒是硅的單晶體，是具有基本完整點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的晶體，不同的方向具有不同 的性質(zhì)，是一種良好的半導(dǎo)材料。單晶硅具有準(zhǔn)金屬的物理性質(zhì)，有較弱的導(dǎo)電性，其電導(dǎo) 率隨溫度的升高而增加，有顯著的半導(dǎo)電性。在超純單晶硅中摻入微量的IIIA族元素，如 硼可提高其導(dǎo)電的程度，而形成P型硅半導(dǎo)體；如摻入微量的VA族元素，如磷或砷也可提高 導(dǎo)電程度，形成N型硅半導(dǎo)體。 在單晶硅棒線切割時，晶棒兩頭無任何保護(hù)措施直接安裝到線切機(jī)上切割，切割 過程中鋼線帶著液體磨料以每分鐘600多米的線速度沖擊晶片，晶棒兩頭的晶片因?yàn)闆]有 任何保護(hù)措施，晶片本身厚度非常薄，材料非常脆，這樣一來，晶棒兩頭的晶片很容易被磨 料沖碎；另外切割過程中對接端面產(chǎn)生的碎片會直接掉到線網(wǎng)上，斷線的機(jī)率因此大大提升。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種單晶硅棒，可以有效解決現(xiàn)有單晶硅棒在線切割 過程中線網(wǎng)容易被磨料沖碎，成品率低，斷線率高的問題。
為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案一種單晶硅棒，包括晶棒 本體，其特征在于晶棒本體端部設(shè)有擋板。
進(jìn)一步，晶棒本體前后兩端均設(shè)有擋板。
進(jìn)一步，擋板通過環(huán)氧樹脂沾粘在晶棒本體上。 優(yōu)選的，擋板采用樹脂制成。 進(jìn)一步，晶棒本體底部固定連接在底座上，通過底座將晶棒本體固定在切割設(shè)備 上。 更進(jìn)一步，晶棒本體底部通過環(huán)氧樹脂沾粘在底座上。 本實(shí)用新型由于采用了上述技術(shù)方案，提高了晶片的成品率，晶棒本體兩端增加 的擋板可以在切割過程中對晶棒本體兩端的晶片起保護(hù)作用，晶片不會被高速的鋼線沖 碎，提高了成品率，切割過程中對接端面產(chǎn)生的碎片不會掉下來，降低了斷線率；同時擋板 從晶棒本體上拆下后可以重復(fù)使用，成本低。
以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明

圖1為本實(shí)用新型一種單晶硅棒的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式如圖1所示為本實(shí)用新型一種單晶硅棒，包括晶棒本體l，包括晶棒本體1，晶棒本 體1前后兩端均設(shè)有擋板2，擋板2通過環(huán)氧樹脂沾粘在晶棒本體1上，擋板2采用樹脂制 成。晶棒本體1底部固定連接在底座3上，晶棒本體1底部通過環(huán)氧樹脂沾粘在底座3上。 采用該單晶硅棒，有效提高晶片的成品率，降低斷線率。
權(quán)利要求一種單晶硅棒，包括晶棒本體(1)，其特征在于所述晶棒本體(1)端部設(shè)有擋板(2)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單晶硅棒，其特征在于所述晶棒本體(1)前后兩端均 設(shè)有擋板(2)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種單晶硅棒，其特征在于所述擋板(2)通過環(huán)氧樹 脂沾粘在晶棒本體(1)上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種單晶硅棒，其特征在于所述擋板(2)采用樹脂制成。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單晶硅棒，其特征在于所述晶棒本體(1)底部固定連接在底座(3)上。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種單晶硅棒，其特征在于所述晶棒本體(1)底部通過環(huán)氧樹脂沾粘在底座(3)上。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種單晶硅棒，包括晶棒本體，晶棒本體端部設(shè)有擋板，晶棒本體前后兩端均設(shè)有擋板，擋板通過環(huán)氧樹脂沾粘在晶棒本體上，擋板采用樹脂制成，晶棒本體底部固定連接在底座上，通過底座將晶棒本體固定在切割設(shè)備上，晶棒本體底部通過環(huán)氧樹脂沾粘在底座上。本實(shí)用新型提高了晶片的成品率，晶棒本體兩端增加的擋板可以在切割過程中對晶棒本體兩端的晶片起保護(hù)作用，晶片不會被高速的鋼線沖碎，提高了成品率，切割過程中對接端面產(chǎn)生的碎片不會掉下來，降低了斷線率；同時擋板從晶棒本體上拆下后可以重復(fù)使用，成本低。
文檔編號C30B29/06GK201459279SQ20092012517
公開日2010年5月12日 申請日期2009年7月17日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月17日
發(fā)明者徐禮健 申請人:林永健