專利名稱：輻射源的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種輻射源、一種產(chǎn)生輻射的方法以及一種包括該輻射源的光刻設備。
背景技術：
光刻設備是一種將所需圖案應用到襯底上，通常是襯底的目標部分上的機器。例 如，可以將光刻設備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩模 或掩模版的圖案形成裝置用于生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案。可以將該圖案 轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標部分(例如，包括一部分管芯、一個或多個管芯)上。 通常，圖案的轉(zhuǎn)移是通過把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進行 的。通常，單獨的襯底將包含被連續(xù)形成圖案的相鄰目標部分的網(wǎng)絡。公知的光刻設備包 括所謂步進機，在所述步進機中，通過將全部圖案一次曝光到所述目標部分上來輻射每一 個目標部分；以及所謂掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向("掃描"方向) 掃描所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向掃描所述襯底來輻射每一個目標部 分。也能夠以通過將圖案壓印(imprinting)到襯底的方式將圖案從圖案形成裝置轉(zhuǎn)移到 襯底上。 為了能夠?qū)⒉粩鄿p小的結構投影到襯底上，已經(jīng)提出使用波長在10-20nm范圍內(nèi) 的極紫外輻射，例如波長在13-14nm范圍內(nèi)。另外提出具有小于10nm的波長的輻射可以被 使用，例如6. 7nm或6. 8nm。在光刻術的情形中，小于10nm的波長有時被稱作"超EUV"。
可以使用等離子體來產(chǎn)生極紫外輻射和超EUV輻射。例如通過將激光引導到適合 材料(例如錫)的顆粒上或通過將激光引導到適合的氣體流(例如Sn蒸汽、SnH4或Sn蒸 汽以及具有小的核電荷(例如從4至Ar)的任何氣體的混合物)來產(chǎn)生等離子體。所獲 得的等離子體發(fā)射極紫外輻射(或超EUV輻射)，其可以通過使用收集反射鏡來收集和聚焦 到焦點上。 除了極紫外輻射(或超EUV輻射)之外，等離子體產(chǎn)生成顆粒形式的碎片，例如熱 化原子、離子、納米團簇和/或微米顆粒。碎片可能導致對收集反射鏡(或其它部件)造成 損壞?？梢詫⒕彌_氣體設置在等離子體附近。由等離子體產(chǎn)生的顆粒與緩沖氣體的分子碰 撞，并且因此損失能量。這樣，至少一些顆?？梢员蛔銐虻販p慢，使得它們不到達收集反射 鏡。對收集反射鏡造成的損害可能因此被減小。然而，即使在使用緩沖氣體時，一些顆粒仍 然可能到達收集反射鏡，并且導致對其的損壞。
期望改善緩沖氣體的效率。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種輻射源，其包括腔和用于產(chǎn)生等離子體的物 質(zhì)的供給裝置，所述源具有相互作用點，在該相互作用點處，被引入到所述腔中的用于產(chǎn)生 等離子體的所述物質(zhì)可以與激光束相互作用，并且因此產(chǎn)生輻射發(fā)射等離子體，其中所述源進一步包括被布置以將緩沖氣體傳遞到所述腔中的導管，所述導管具有鄰近所述相互作 用點處的出口。 根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種產(chǎn)生輻射的方法，該方法包括將用于產(chǎn)生等 離子體的物質(zhì)引入到腔中，并將激光束引導至所述腔，以便產(chǎn)生輻射發(fā)射等離子體，其中所 述方法還包括將緩沖氣體引導到鄰近所述激光束和用于產(chǎn)生等離子體的所述物質(zhì)相互作 用的點的位置處的所述腔中。 根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供了一種光刻設備，其包括輻射源；用于調(diào)節(jié)所述輻 射的照射系統(tǒng)；支撐結構，其用于支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置用于將圖案在其橫 截面上賦予所述輻射束；用于保持襯底的襯底臺；和投影系統(tǒng)，用于將圖案化的輻射束投 影到所述襯底的目標部分上，其中，所述輻射源包括腔和用于產(chǎn)生等離子體的物質(zhì)的供給 裝置，所述源具有相互作用點，在該相互作用點處，被引入到所述腔中的用于產(chǎn)生等離子體 的所述物質(zhì)可以與激光束相互作用，并且因此產(chǎn)生輻射發(fā)射等離子體，所述源進一步包括 被布置以將緩沖氣體傳遞到所述腔中的導管，且所述導管具有鄰近所述相互作用點處的出 □。


下面僅通過示例的方式，參考示意性附圖對本發(fā)明的實施例進行描述，其中示意
性附圖中相應的參考標記表示相應的部件，在附圖中 圖1示出根據(jù)本發(fā)明實施例的光刻設備；
圖2示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的輻射源；禾口
圖3示出根據(jù)本發(fā)明的可替代的實施例的輻射源。
具體實施例方式圖1示意地示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的光刻設備。所述光刻設備包括
照射系統(tǒng)(照射器)IL，其配置用于調(diào)節(jié)輻射束B(例如，極紫外(EUV)輻射或超極 紫外輻射)； 支撐結構(例如掩模臺)MT，其構造用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA，并與
配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位圖案形成裝置MA的第一定位裝置PM相連； 襯底臺(例如晶片臺)WT，其構造用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W，并
與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位襯底W的第二定位裝置PW相連；禾口 投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng))PS，其配置用于將由圖案形成裝置MA賦予
輻射束B的圖案投影到襯底W的目標部分C(例如包括一根或多根管芯)上。 照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜
電型或其它類型的光學部件、或其任意組合，以引導、成形、或控制輻射。 所述支撐結構支撐圖案形成裝置，即承受圖案形成裝置的重量。支撐結構以依賴
于圖案形成裝置的方向、光刻設備的設計以及諸如圖案形成裝置是否保持在真空環(huán)境中等
其它條件的方式保持圖案形成裝置。所述支撐結構可以采用機械的、真空的、靜電的或其它
夾持技術來保持圖案形成裝置。所述支撐結構可以是框架或臺，例如，其可以根據(jù)需要成為
固定的或可移動的。所述支撐結構可以確保圖案形成裝置位于所需的位置上(例如相對于
5投影系統(tǒng))。在這里任何使用的術語"掩模版"或"掩模"都可以認為與更上位的術語"圖案 形成裝置"同義。 這里所使用的術語"圖案形成裝置"應該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在 輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標部分上形成圖案的任何裝置。應當注意， 被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標部分上的所需圖案完全相符(例如如果該圖 案包括相移特征或所謂的輔助特征)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標部分上形成的 器件中的特定的功能層相對應，例如集成電路。 圖案形成裝置的示例包括掩模和可編程反射鏡陣列。掩模在光刻術中是公知的， 且典型地在EUV或超EUV光刻設備中將是反射性的。可編程反射鏡陣列的示例采用小反射 鏡的矩陣布置，其中的每個小反射鏡可以獨立地傾斜，以便在不同的方向上反射入射的輻 射束。傾斜的反射鏡將圖案賦予到被反射鏡矩陣反射的輻射束中。 這里使用的術語"投影系統(tǒng)"應該廣義地解釋為包括任意類型的投影系統(tǒng)。通常 在EUV或超EUV光刻設備中光學元件可以是反射性的。然而，可以使用任何類型的光學元 件。光學元件可以處于真空中。這里任何使用的術語"投影透鏡"可以認為是與更上位的 術語"投影系統(tǒng)"同義。 如這里所示的，所述設備是反射型的(例如，采用反射式掩模)。
所述光刻設備可以是具有兩個(雙臺)或更多襯底臺(和/或兩個或更多的掩模 臺)的類型。在這種"多臺"機器中，可以并行地使用附加的臺，或可以在一個或更多個臺 上執(zhí)行預備步驟的同時，將一個或更多個其它臺用于曝光。 參照圖l，所述照射器IL接收從輻射源S0發(fā)出的輻射束。該源和所述光刻設備可 以是分立的實體。在這種情況下，不會將該源考慮成形成光刻設備的一部分，并且通過包括 例如合適的定向反射鏡和/或擴束器的束傳遞系統(tǒng)的幫助，將所述輻射束從所述源S0傳到 所述照射器IL。在其它情況下，所述源可以是所述光刻設備的組成部分?？梢詫⑺鲈碨0 和所述照射器IL、以及如果需要時設置的所述束傳遞系統(tǒng)一起稱作輻射系統(tǒng)。
所述照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強度分布的調(diào)整器。通常，可以 對所述照射器IL的光瞳平面中的強度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍( 一般分 別稱為o-外部和o-內(nèi)部)進行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它部件，例 如積分器和聚光器。可以將所述照射器用于調(diào)節(jié)所述輻射束B，以在其橫截面中具有所需的 均勻性和強度分布。 所述輻射束B入射到保持在支撐結構(例如，掩模臺MT)上的所述圖案形成裝置 (例如，掩模MA)上，并且通過所述圖案形成裝置來形成圖案。已經(jīng)被掩模MA反射之后，所 述輻射束B通過投影系統(tǒng)PS，所述投影系統(tǒng)PS將輻射束聚焦到所述襯底W的目標部分C 上。通過第二定位裝置PW和位置傳感器IF2 (例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感 器)的幫助，可以精確地移動所述襯底臺WT，例如以便將不同的目標部分C定位于所述輻 射束B的路徑中。類似地，例如在從掩模庫的機械獲取之后，或在掃描期間，可以將所述第 一定位裝置PM和另一個位置傳感器IF1用于相對于所述輻射束B的路徑精確地定位掩模 MA。通常，可以借助形成所述第一定位裝置PM的一部分的長行程模塊(粗定位)和短行程 模塊(精定位)的幫助來實現(xiàn)掩模臺MT的移動。類似地，可以采用形成所述第二定位裝置 PW的一部分的長行程模塊和短行程模塊來實現(xiàn)所述襯底臺WT的移動。在步進機的情況下(與掃描器相反)，掩模臺MT可以僅與短行程致動器相連，或者可以是固定的?？梢允褂醚?模對準標記Ml、 M2和襯底對準標記Pl、 P2來對準掩模MA和襯底W。盡管所示的襯底對準 標記占據(jù)了專用目標部分，但是它們可以位于目標部分之間的空間(這些公知為劃線對齊 標記)中。類似地，在將多于一個的管芯設置在掩模MA上的情況下，所述掩模對準標記可 以位于所述管芯之間。 所示的設備可以用于以下模式中的至少一種中 1.在步進模式中，在將掩模臺MT和襯底臺WT保持為基本靜止的同時，將賦予所 述輻射束的整個圖案一次投影到目標部分C上(即，單一的靜態(tài)曝光)。然后，將所述襯底 臺WT沿X和/或Y方向移動，使得可以對不同目標部分C曝光。在步進模式中，曝光場的 最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標部分C的尺寸。 2.在掃描模式中，在對掩模臺MT和襯底臺WT同步地進行掃描的同時，將賦予所述 輻射束的圖案投影到目標部分C上(g卩，單一的動態(tài)曝光)。襯底臺WT相對于掩模臺MT的 速度和方向可以通過所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特性來確定。在掃描 模式中，曝光場的最大尺寸限制了單一動態(tài)曝光中所述目標部分的寬度(沿非掃描方向)， 而所述掃描運動的長度確定了所述目標部分的高度(沿所述掃描方向)。
3.在另一個模式中，將保持可編程圖案形成裝置的掩模臺MT保持為基本靜止，并 且在對所述襯底臺WT進行移動或掃描的同時，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標部分C 上。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺WT的每一次移動之后、或在掃 描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易 于應用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列)的無掩模 光刻術中。 也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。 圖2示意性顯示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的源S0。圖2a顯示出從一側(cè)所看到的源
S0的橫截面，和圖2b顯示出從上方觀看的源的橫截面。 源S0包括腔1。腔l由壁2和收集反射鏡3來限定。收集反射鏡3具有對于極紫 外輻射波長呈反射性的反射表面。 供給裝置4被布置以將材料(例如錫)的液滴供給到腔1中。收集器5位于在腔 1的底部的供給裝置4的下方，且被布置以收集穿過腔1的材料。 收集反射鏡3被布置以將輻射聚焦到焦點FP上，輻射從該焦點FP可以通入光刻 設備的照射器IL中(參見圖l)。激光器6用于產(chǎn)生經(jīng)由孔8被引導到腔1中的輻射束7。 孔8可以例如包括對于激光束7的波長呈透射性的窗口 。束流收集器(beam dump) 9位于 腔1中，并且被定位使得不與由材料供給裝置4提供的材料相互作用的激光束7的任何一 部分入射到束流收集器上(且被其吸收)。氣體冷卻器10從腔的側(cè)壁延伸到腔1中。
緩沖氣體供給裝置包括從腔的側(cè)壁延伸到腔1中的導管11并具有出口 12，該出 口 12將緩沖氣體傳遞至鄰近相互作用點13處，在相互作用點13處，激光束7入射到從材 料供給裝置4供給的材料上。 在使用中，腔l填充有適合的緩沖氣體(例如氫氣)。激光器6產(chǎn)生穿過收集反射 鏡3的孔8且進入到腔1中的激光束7。材料供給裝置4產(chǎn)生材料的液滴，該液滴朝向收 集器5下落穿過腔1。在材料的液滴穿過相互作用點13時，激光束7與材料的液滴的相互作用導致至少一些材料被轉(zhuǎn)換成等離子體。等離子體發(fā)射被收集反射鏡3收集和聚焦到焦 點FP上的極紫外輻射。極紫外輻射穿過焦點FP，進入到光刻設備的照射器IL中(參見圖 1)。 材料的液滴不與激光束7相互作用的一部分繼續(xù)通過腔1下落，且被收集器5收 集。 由激光束7與材料的液滴的相互作用產(chǎn)生的等離子體可能包括將會對收集反射 鏡3產(chǎn)生損壞的顆粒。出現(xiàn)在腔l中的緩沖氣體用于放慢顆粒，使得它們不到達收集反射 鏡3。然而，激光束7和在錫顆粒在相互作用點13處的相互作用的猛烈度使得當激光束與 材料的液滴相互作用時緩沖氣體被加熱且被推動遠離相互作用點。這將導致處于相互作用 點周圍的區(qū)域中的緩沖氣體具有較高的溫度和較低的密度。 在傳統(tǒng)的極紫外輻射源(其中緩沖氣體從腔的側(cè)壁引入)中，在被加熱的緩沖氣 體移動遠離相互作用點13周圍的區(qū)域(該被加熱的緩沖氣體例如可以朝氣體冷卻器10移 動)之前，將經(jīng)歷一些時間。該被加熱的緩沖氣體移動遠離相互作用點13周圍的區(qū)域所花 費的時間例如可以是數(shù)十毫秒的量級。連續(xù)的材料的液滴到相互作用點13的傳遞之間的 時間可能顯著地比上述時間短，例如為10-20微秒。這意味著該被加熱的緩沖氣體可以在 產(chǎn)生EUV輻射的連續(xù)脈沖的過程中保持出現(xiàn)在相互作用點13周圍的區(qū)域中。
由該被加熱的緩沖氣體所占據(jù)的相互作用點13周圍的區(qū)域可以包括相互作用點 13和收集反射鏡3之間的體積的很大比例的部分。在這一區(qū)域中的被加熱的緩沖氣體具 有比沒有被加熱的氣體更低的密度，且結果使等離子體顆粒和緩沖氣體之間的相互作用更 小。因此，顆?？梢愿子诘竭_收集反射鏡3。在這出現(xiàn)時，可能造成對收集反射鏡3的損 壞。 存在可能對上文所描述的問題有幫助的額外的作用。在相互作用點13處產(chǎn)生的 許多快速的離子正在沿收集反射鏡3的方向移動。在這些快速的離子被緩沖氣體阻止時， 它們將它們的動量轉(zhuǎn)移給緩沖氣體，從而導致緩沖氣體在收集反射鏡3的方向上流動。這 進一步降低了在相互作用點13周圍的區(qū)域中的緩沖氣體的密度。 上述的問題通過圖2中顯示的導管11被解決或在幅度上被緩解。導管11具有位 于鄰近相互作用點13處的出口 12，從而將未被加熱的緩沖氣體傳遞至鄰近相互作用點13 處。因此，并非僅在被加熱的緩沖氣體移動遠離開所述區(qū)域之后未被加熱的緩沖氣體才流 入到相互作用點13周圍的區(qū)域中，而是導管11的出口 12立即和直接將未被加熱的緩沖氣 體傳遞到相互作用點13周圍的區(qū)域中。因此，在材料的下一液滴到達相互作用點13的時 刻，新傳遞的緩沖氣體將出現(xiàn)在相互作用點13周圍的區(qū)域中。 該新傳遞的緩沖氣體是未被加熱的并且因此比被加熱的緩沖氣體更加稠密。因 此，緩沖氣體因此更加有效。因此本發(fā)明的實施例提供了對收集反射鏡3的改善的保護，使 其免受在等離子體形成期間產(chǎn)生的顆粒的影響。因此，它允許收集反射鏡3在清洗和/或 更換之前具有比其它的情形更長的壽命。 可以以高的速度(例如100-2000m/s)傳遞緩沖氣體。這提供這樣的優(yōu)點，即它快 速地推動被加熱的緩沖氣體遠離相互作用點13周圍的區(qū)域。緩沖氣體可以在朝向或鄰近 相互作用點13處的超聲波氣體噴嘴中傳遞。超聲波氣體噴嘴具有這樣的優(yōu)點，即在噴嘴內(nèi) 的緩沖氣體的密度可以大致大于腔中的緩沖氣體的平均密度，從而使快速離子與鄰近相互作用點13處的緩沖氣體的相互作用增加。 因為導管11將緩沖氣體弓I入到腔1中， 一個或更多個通風口 (未顯示)可以用于 從腔1運送緩沖氣體，并且因此調(diào)節(jié)腔中的緩沖氣體的壓力。氣體冷卻器io調(diào)節(jié)緩沖氣體 的溫度。 導管11設置在被選擇的位置處，使得如果沒有導管11則被導管11遮蔽的極紫外 輻射將被設備的其它元件遮蔽。因此，導管11位于氣體冷卻器10的前面，該氣體冷卻器10 將遮蔽EUV輻射，而不管是否有導管11存在。導管11相對于激光束7垂直地平移，使得激 光束不通入導管11，但相反靠近其行進，且入射到束流收集器9上。 如之前提及的，導管11的出口靠近相互作用點13。導管11的出口可以設置在這 樣的區(qū)域的外邊界內(nèi)，如果緩沖氣體未通過導管11進行供給，被加熱的緩沖氣體在EUV源 的操作期間將連續(xù)出現(xiàn)在該區(qū)域內(nèi)。 導管11的出口 12和相互作用點13之間的距離可以通過考慮以下因素來進行選 擇出口 12越靠近相互作用點13，未被加熱的緩沖氣體到相互作用點13周圍的區(qū)域的傳 遞越有效。然而，出口 12越靠近相互作用點13，導管11越有可能遭受離子對導管的濺射。 在一個例子中，出口 12可以距離相互作用點15cm或更小，和可以距離相互作用點10cm或 更小。出口可以距離相互作用點3cm或更大。相互作用點13和收集反射鏡3之間的距離 可以是20cm。 被穿過出口 12提供的緩沖氣體的流量可以足以基本上從相互作用點13周圍的區(qū) 域移除被加熱的緩沖氣體。在下一激光和材料液滴相互作用之前，所述流量可以是足以實 現(xiàn)這一目的。為了實現(xiàn)這一目的，緩沖氣體應當被穿過出口 12提供的流量可以基于由激光 和材料液滴相互作用而被加熱的緩沖氣體的體積以及激光和材料液滴相互作用發(fā)生的頻 率(即，EUV源的頻率)來計算。 在圖3中示意性顯示出本發(fā)明的一個可替代實施例。圖3顯示出從一側(cè)觀看的源 S0。在圖3中顯示出的源SO的大多數(shù)元件對應于在圖2中顯示的元件，且不在此處再次進 行描述。然而，圖2的導管11未出現(xiàn)在圖3中。替代地，導管21穿過收集反射鏡3中的孔 8，且平行于激光束7行進。導管21設置有鄰近相互作用點13的出口22。導管21被用于 以與關于圖2在上文描述的等同的方式將緩沖氣體引入到鄰近相互作用點13處。導管21 被定位使得，雖然它可以遮蔽由腔1中的等離子體產(chǎn)生的一些EUV輻射，但是被遮蔽的EUV 輻射的量相對小(例如，僅有導管的橫截面遮蔽EUV輻射，而不是其長度)?？梢酝ㄟ^使用 關于圖2在上文進一步地描述的準則，來選擇出口 22和相互作用點13之間的距離。
圖3中顯示的實施例的優(yōu)點是由導管提供的緩沖氣體流遠離收集反射鏡3，而不 是朝向它(從而幫助推動被加熱的緩沖氣體遠離收集反射鏡3)。 在圖3顯示的實施例的修改形式中，導管可以由兩個管子構成，其中的一個在另 一個的內(nèi)部。可以布置激光束，以沿兩個管子的內(nèi)部穿過，且緩沖氣體可以被布置以沿在兩 個管子之間形成的通道穿過。在這樣的情形下，在兩個管子的內(nèi)部可以不設置圖3所顯示 的拐角，以便允許激光束不受阻礙地從激光器行進到相互作用點。 雖然具有不同的位置和配置的導管11、21已經(jīng)在圖2和3中顯示出，但是可以使 用其它的導管位置和配置。優(yōu)選導管位置和配置使得它不遮蔽任何EUV能優(yōu)選地將導管設置在一些位置上，在這些位置上，導管確實遮蔽一些EUV輻射。在這種情 形下，期望最小化在可能的情況下的被導管遮蔽的EUV輻射的量。用于導管的適合的位置 和配置將依賴于導管設置所在的源的特定的布置?？梢蕴峁┒嘤谝粋€導管(例如圖2和3 中顯示的導管可以都設置在單個EUV源中)。 雖然上文的描述已經(jīng)提到將氫氣用作緩沖氣體，但是可以使用其它的適合的氣 體。 雖然上文的描述已經(jīng)提到材料的液滴是錫，但是可以使用其它的適合的材料。
本發(fā)明不限于使用材料的液滴的輻射源。本發(fā)明的實施例可以例如由氣體產(chǎn)生等 離子體，而不是由材料的液滴產(chǎn)生等離子體。適合的氣體包括Sn蒸汽、Sn4或Sn蒸汽與具 有小的核電荷的任何氣體(例如從4至Ar)的混合物。材料的液滴或氣體可以被考慮成 用于產(chǎn)生等離子體的物質(zhì)的例子。 在上文的描述中提及的EUV輻射的波長可以例如在10-20nm范圍內(nèi)，例如在 13-14nm范圍內(nèi)。 雖然本發(fā)明的實施例的上文的描述涉及產(chǎn)生EUV輻射的輻射源，但是本發(fā)明還可 以體現(xiàn)在產(chǎn)生"超EUV"輻射的輻射源中，"超EUV"輻射是具有小于10nm的波長的輻射。超 EUV輻射可以例如具有6. 7nm或6. 8nm的波長。產(chǎn)生超EUV輻射的輻射源可以以與上文描 述的輻射源相同的方式操作。 在上文的描述中，術語"未被加熱的緩沖氣體"是指平均的緩沖氣體，其在激光束 和用于產(chǎn)生等離子體的物質(zhì)之間的相互作用之后(和在激光束和用于產(chǎn)生等離子體的物 質(zhì)之間的下一相互作用之前)被從出口 12、22傳遞。 以上描述旨在進行解釋，而不是限制性的。因而，本領域普通技術人員可以理解， 在不偏離所附權利要求的保護范圍的前提下可以對所描述的發(fā)明進行修改。
權利要求
一種輻射源，所述輻射源包括腔和用于產(chǎn)生等離子體的物質(zhì)的供給裝置，所述源具有相互作用點，在所述相互作用點處，被引入到所述腔中的用于產(chǎn)生等離子體的所述物質(zhì)可以與激光束相互作用，并且因此產(chǎn)生輻射發(fā)射等離子體，其中所述源進一步包括被布置以將緩沖氣體傳遞到所述腔中的導管，所述導管具有鄰近所述相互作用點處的出口。
2. 根據(jù)權利要求l所述的源，其中所述出口設置在一區(qū)域的所述外邊界中，如果緩沖氣體未被通過所述導管進行供給，則被加熱的緩沖氣體在所述源的操作期間將在所述區(qū)域中持續(xù)存在。
3. 根據(jù)權利要求1或權利要求2所述的源，其中所述導管的所述出口距離所述相互作用點15cm或更近。
4. 根據(jù)權利要求3所述的源，其中所述導管的所述出口距離所述相互作用點10cm或更近。
5. 根據(jù)前述的權利要求中任一項所述的源，其中所述導管的所述出口距離所述相互作用點3cm或更遠。
6. 根據(jù)前述的權利要求中任一項所述的源，其中所述導管被設置成使得它不遮蔽將不另外地被所述源的一些其它部件所遮蔽的輻射。
7. 根據(jù)前述的權利要求中任一項所述的源，其中所述導管的至少一部分在所述源的氣體冷卻器的旁邊行進。
8. 根據(jù)權利要求1至6中任一項所述的源，其中所述導管的至少一部分穿過在所述源的收集反射鏡中的孔。
9. 根據(jù)權利要求8所述的源，其中所述導管的至少一部分包括兩個管子和在所述兩個管子之間的通道，其中的一個管子設置在另外一個管子的內(nèi)部，所述內(nèi)部的管子被布置使得所述激光束可以沿著其穿過，且所述通道被布置以允許所述緩沖氣體沿著它穿過。
10. —種產(chǎn)生輻射的方法，所述方法包括步驟將用于產(chǎn)生等離子體的物質(zhì)引入到腔中，并將激光束引導到所述腔，以便產(chǎn)生輻射發(fā)射等離子體，其中所述方法還包括步驟將緩沖氣體引導到鄰近所述激光束和用于產(chǎn)生等離子體的所述物質(zhì)進行相互作用的點的位置處的腔中。
11. 根據(jù)權利要求io所述的方法，其中所述緩沖氣體被引入至的位置在一區(qū)域的外邊界內(nèi)，如果所述緩沖氣體未通過所述導管進行供給，則在所述源的操作期間被加熱的緩沖氣體將在所述區(qū)域內(nèi)持續(xù)存在。
12. 根據(jù)權利要求10或11所述的方法，其中所述緩沖氣體被以100m/s或更大的速度引入。
13. 根據(jù)權利要求10-12中任一項所述的方法，其中所述緩沖氣體被以2000m/s或更小的速度引入。
14. 根據(jù)權利要求10-13中任一項所述的方法，其中緩沖氣體被引入的流量足以在所述激光束和用于產(chǎn)生等離子體的所述物質(zhì)之間的隨后的相互作用之前基本上從所述相互作用點周圍的區(qū)域移除被加熱的緩沖氣體。
15. —種光刻設備，其包括輻射源；用于調(diào)節(jié)所述輻射的照射系統(tǒng)；支撐結構，其用于支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予所述輻射束；用于保持襯底的襯底臺，禾口投影系統(tǒng)，用于將圖案化的輻射束投影到所述襯底的目標部分上；其中，所述輻射源包括腔和用于產(chǎn)生等離子體的物質(zhì)的供給裝置，所述源具有相互作用點，在所述相互作用點處，被引入到所述腔中的用于產(chǎn)生等離子體的所述物質(zhì)可以與激光束相互作用，并且因此產(chǎn)生輻射發(fā)射等離子體，所述源進一步包括被布置以將緩沖氣體傳遞到所述腔中的導管，且所述導管具有鄰近所述相互作用點處的出口。
全文摘要
一種輻射源，包括腔和用于產(chǎn)生等離子體的物質(zhì)的供給裝置，所述源具有相互作用點，在該相互作用點處，被引入到所述腔中的所述用于產(chǎn)生等離子體的物質(zhì)可以與激光束相互作用，并且因此產(chǎn)生輻射發(fā)射等離子體，其中所述源進一步包括被布置以將緩沖氣體傳遞到所述腔中的導管，所述導管具有鄰近所述相互作用點處的出口。
文檔編號H05G2/00GK101785368SQ200880103732
公開日2010年7月21日 申請日期2008年8月20日 優(yōu)先權日2007年8月23日
發(fā)明者V·V·伊萬諾夫, V·Y·班寧 申請人:Asml荷蘭有限公司