專利名稱：一種vgf法砷化鎵單晶用脫舟器的制作方法
技術領域：
本實用新型屬半導體材料制備設備領域，特別涉及一種VGF法 砷化鎵單晶用脫舟器。
背景技術：
在VGF法砷化鎵單晶生長過程中，常使用熱解氮化硼坩堝(PBN 柑堝)做生長容器，氧化硼作液封劑，以避免砷化鎵單晶分解。通常， 氧化硼在氮化硼坩堝和砷化鎵晶體(GaAs晶體)之間形成一層厚度 幾微米 幾十微米的薄膜，如圖l所示。 一般采用甲醇、乙醇等化學 溶劑，通過浸泡的方法，慢慢溶解氧化硼薄膜。由于氧化硼薄膜處于 坩堝壁和晶體之間，厚度很小，溶解只能依靠擴散機制進行，速度慢， 所需時間很長， 一般為7 10天，才能將氧化硼薄膜完全溶解，使PBN 坩堝，GaAs晶體分離，俗稱"脫舟"。
如圖2所示，采用噴射甲醇等化學溶劑的方法，利用流動的化學 試劑不斷沖擊氧化硼薄層，可加速氧化硼的溶解，從而縮短脫舟時間。
實用新型內容
本實用新型的目的為了解決背景技術中利用流動的化學試劑不 斷沖擊氧化硼薄層，加速氧化硼的溶解，提供一種VGF法砷化鎵單 晶用脫舟器，其特征在于，所述VGF法砷化鎵單晶用脫舟器的主體 為長方形箱體，脫舟器箱體5的一個端面上焊接一排3~5個噴射管8,噴射管8呈半圓狀排列，其半圓弧向下，噴射管8穿過脫舟器箱體壁， 噴射管8在脫舟器箱體外的一端焊接在半圓弧形的進液管6上，進液 管6的一端封閉，另一端為進液口 10，和磁力泵的液體出口連接， 噴射管8在脫舟器箱體內的另一端為噴射口 9，噴射口 9在脫舟器箱 體內排列成半圓，噴射管8在脫舟器箱體5內的長度為0.8~1.2厘米， 出液管7焊接在脫舟器箱體壁的底部。
所述噴射口 9在脫舟器箱體內排列成半圓，此半圓的直徑比要脫 舟的PBN坩堝1的內徑小1~3毫米。
本實用新型的有益效果為，采用噴射甲醇等化學溶劑的方法，利 用流動的化學試劑不斷沖擊氧化硼薄層，加速氧化硼的溶解，從而縮 短脫舟時間。和浸泡方式相比，由于沖刷過程的存在，脫舟速度明顯 提高，化學溶劑也很少浪費，使用效果良好。
圖1為PBN坩堝，GaAs晶體和氧化硼薄膜位置示意圖； 圖2為本實用新型設計原理示意圖； 圖3為本實用新的主體結構俯視示意圖； 圖4為本實用新型的主體結構示意圖。
圖中，1為PBN坩堝，2為氧化硼薄膜，3為GaAs晶體，4為 噴射的化學溶劑液流，5為脫舟器箱體，6為進液管，7為出液管，8 為噴射管，9為噴射口， IO為進液口， ll為出液口。
具體實施方式
如圖3和圖4所示，VGF法砷化鎵單晶用脫舟器的主體為長方 形箱體，脫舟器箱體5的一個端面上焊接一排3~5個噴射管8，噴射 管8呈半圓狀排列，其半圓弧向下，噴射管8穿過脫舟器箱體壁，噴 射管8在脫舟器箱體外的一端焊接在以半圓弧形的進液管6上，進液 管6的一端封閉，另一端為進液口 10，和磁力泵的液體出口連接， 噴射管8在脫舟器箱體內的另一端為噴射口 9，噴射口 9在脫舟器箱 體內排列成半圓，噴射管8在脫舟器箱體5內的長度為0.8-1.2厘米， 出液管7焊接在脫舟器箱體壁的底部。
噴射口呈半圓狀排列，噴射口的最外緣輪廓線亦半圓狀，該半圓 的直徑略小于塒堝內徑1 3毫米。
要脫舟的PBN坩堝1水平放置于專用的坩堝托上，放于脫舟器 箱體5內，并使噴射口 9可以進入坩堝口內1厘米左右，且坩堝口 內壁和噴射口 9外緣間隔在0.5 lmm，化學溶劑(如甲醇)在磁力泵 的推動下，從進液口 10依次進入進液管6和噴射管8，從噴射口 9 噴出，從坩堝口的上半部分進入PBN坩堝1，噴射的化學溶劑液流4 順著坩堝壁沖擊氧化硼薄膜2，然后沿兩側的坩堝壁流出，完成氧化 硼薄膜2的溶解、沖刷過程，使GaAs晶體3和PBN坩堝1脫離， 化學溶劑從出液管7的出液口 11流回磁力泵。由于噴射的化學溶劑 沖刷氧化硼薄膜，脫舟速度明顯提高，還減少化學溶劑的消耗，脫舟 效果好。
本實用新型用于VGF法砷化鎵單晶生長工藝。
權利要求1.一種VGF法砷化鎵單晶用脫舟器，其特征在于，所述VGF法砷化鎵單晶用脫舟器的主體為長方形箱體，脫舟器箱體(5)的一個端面上焊接一排3～5個噴射管(8)，噴射管(8)呈半圓狀排列，其半圓弧向下，噴射管(8)穿過脫舟器箱體壁，噴射管(8)在脫舟器箱體外的一端焊接在以半圓弧形的進液管(6)上，進液管(6)的一端封閉，另一端為進液口(10)和磁力泵的液體出口連接，噴射管(8)在脫舟器箱體內的另一端為噴射口(9)，噴射口(9)在脫舟器箱體內排列成半圓，噴射管(8)在脫舟器箱體(5)內的長度為0.8～1.2厘米，出液管(7)焊接在脫舟器箱體壁的底部。
2. 根據權利要求1所述的一種VGF法砷化鎵單晶用脫舟器，其 特征在于，所述噴射口 (9)在脫舟器箱體內排列成半圓，此半圓的 直徑比要脫舟的PBN坩堝(1)的內徑小1 3毫米。
專利摘要本實用新型公布一種VGF法砷化鎵單晶用脫舟器，屬半導體材料制備設備領域。脫舟器主體為長方形箱體，箱體的一個端面上焊接一排呈半圓狀排列的噴射管，噴射管在脫舟器箱體內有噴射口?；瘜W溶劑在磁力泵的推動下，從進液口依次進入進液管和噴射管，從噴射口噴出，從坩堝口的上半部分進入要脫舟的PBN坩堝，噴射的化學溶劑液流順著坩堝壁沖擊氧化硼薄膜，然后沿兩側的坩堝壁流出，加速氧化硼的溶解，從而縮短脫舟時間。本實用新型用于VGF法砷化鎵單晶生長工藝。
文檔編號C30B29/10GK201317832SQ20082012399
公開日2009年9月30日 申請日期2008年12月4日 優(yōu)先權日2008年12月4日
發(fā)明者丁國強, 屠海令, 張峰燚, 海 楊, 蘇小平, 黎建明 申請人:北京有色金屬研究總院;北京國晶輝紅外光學科技有限公司