專(zhuān)利名稱(chēng)：放電燈點(diǎn)亮裝置和投影儀的制作方法
放電燈點(diǎn)亮裝置和投影儀技術(shù)領(lǐng)域[OOOl]本發(fā)明涉及一種使放電燈點(diǎn)亮的放電燈點(diǎn)亮裝置，特別涉及降 低在放電燈的點(diǎn)亮啟動(dòng)時(shí)的沖流(rush current)的放電燈點(diǎn)亮裝置以及具 有該放電燈點(diǎn)亮裝置的投影儀。
背景技術(shù)：
在液晶投影儀、高架式投影儀或一般照明等中使用短弧型金屬 鹵化物燈或高壓水銀燈，為了使該金屬鹵化物燈點(diǎn)亮而使用放電燈點(diǎn)亮裝 置。在投影儀等中使用的放電燈點(diǎn)亮裝置在啟動(dòng)時(shí)通過(guò)點(diǎn)火器產(chǎn)生幾十kV的高電壓，由于施加給放電燈而引起絕緣破壞。在該情況下，在絕緣破壞 了的瞬間在放電燈中流過(guò)大電流的沖流，產(chǎn)生了給放電燈的電極造成損壞 的問(wèn)題。沖流的電荷源是為了抑制在燈中流過(guò)的開(kāi)關(guān)波紋(switching ripple)電流而與燈并聯(lián)插入的電容器。沖流的路徑是從電容器到燈，再返 回到電容器。由于近些年來(lái)放電燈點(diǎn)亮裝置的小型化，有時(shí)變成在該路徑 中不插入軛流圈(choke coil)等的結(jié)構(gòu)，在該情況下，路徑的阻抗變低， 沖流變大。
為了消除這個(gè)問(wèn)題，過(guò)去提案了設(shè)置靜電容量不同的多個(gè)電感 器，在點(diǎn)亮開(kāi)始時(shí)和電弧放電(arc discharge)轉(zhuǎn)變后，用FET (Field— Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管)切換電容器的點(diǎn)亮裝置(例如參照專(zhuān)利文 獻(xiàn)1或2)。此外，還已知將用來(lái)限制電流的電阻與放電燈串聯(lián)連接，在點(diǎn) 亮開(kāi)始時(shí)使開(kāi)關(guān)導(dǎo)通從而與電阻連接，在穩(wěn)定后使開(kāi)關(guān)截止從而遮斷與電 阻的連接的供電裝置(例如參照專(zhuān)利文獻(xiàn)3)。此外，電容器、電阻或開(kāi)關(guān) 等的切換除了通過(guò)定時(shí)器等進(jìn)行切換外，還己知檢測(cè)燈電流或燈電壓，根 據(jù)檢測(cè)的燈電流或燈電壓進(jìn)行切換的方式(例如參照專(zhuān)利文獻(xiàn)4)。專(zhuān)利文獻(xiàn)l: JP特開(kāi)2003 — 100487號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2: JP特開(kāi)2005—203197號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)3: JP特開(kāi)2006—49061號(hào)公報(bào) 專(zhuān)利文獻(xiàn)4: JP特開(kāi)2000—182796號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容發(fā)明要解決的問(wèn)題
但是，如專(zhuān)利文獻(xiàn)1或2，切換電容器的方式存在FET發(fā)熱的 問(wèn)題。此外，專(zhuān)利文獻(xiàn)1至4中記載的任何一個(gè)點(diǎn)亮裝置都使用定時(shí)器等， 而且不能實(shí)現(xiàn)用來(lái)進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制的數(shù)us單位的控制，存在著在產(chǎn)生了不 希望的燈滅掉的情況下等，所希望的動(dòng)作跟不上燈的動(dòng)作的問(wèn)題。
本發(fā)明是鑒于這樣的事實(shí)完成的，其目的是提供一種能夠通過(guò) 使用與放電燈串聯(lián)連接的電阻、并聯(lián)連接的可控硅和輔助電阻，降低沖流， 同時(shí)降低消耗功率，并且響應(yīng)速度快，能夠緊跟燈的變化的放電燈點(diǎn)亮裝 置、以及包括該放電燈點(diǎn)亮裝置的投影儀。
此外，本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種通過(guò)在可控硅穿通 (breakover)以后使并聯(lián)連接的開(kāi)關(guān)元件導(dǎo)通，從而不降低響應(yīng)速度，還 可降低消耗功率的放電燈點(diǎn)亮裝置以及包括該放電燈點(diǎn)亮裝置的投影儀。解決問(wèn)題的手段
根據(jù)本發(fā)明的放電燈點(diǎn)亮裝置是使放電燈點(diǎn)亮的放電燈點(diǎn)亮裝 置，其特征在于包括與所述放電燈串聯(lián)連接的電阻、與該電阻并聯(lián)連接 的可控硅、在所述可控硅的陽(yáng)極-柵極間連接的輔助電阻。
根據(jù)本發(fā)明的放電燈點(diǎn)亮裝置的特征在于，所述輔助電阻通過(guò) 以在所述電阻中產(chǎn)生的兩端電壓為電源而在所述可控硅中流過(guò)柵極電流， 控制所述可控硅從截止到導(dǎo)通。
根據(jù)本發(fā)明的放電燈點(diǎn)亮裝置的特征在于，處于導(dǎo)通狀態(tài)的所 述可控硅根據(jù)流過(guò)所述放電燈的電流的狀態(tài)從導(dǎo)通轉(zhuǎn)變到截止。[OOIO]根據(jù)本發(fā)明的放電燈點(diǎn)亮裝置的特征在于，所述電阻、所述可 控硅和所述輔助電阻對(duì)地處于浮置狀態(tài)。[OOll]根據(jù)本發(fā)明的放電燈點(diǎn)亮裝置的特征在于，還包括與所述電阻、 所述可控硅和所述輔助電阻并聯(lián)連接的開(kāi)關(guān)元件、和在所述可控硅穿通以 后將所述開(kāi)關(guān)元件從截止切換到導(dǎo)通的開(kāi)關(guān)控制部。
根據(jù)本發(fā)明的放電燈點(diǎn)亮裝置的特征在于，所述可控硅處于導(dǎo)
通狀態(tài)的陽(yáng)極-陰極間的內(nèi)部等效電阻的電阻值比所述電阻的電阻值小。根據(jù)本發(fā)明的放電燈點(diǎn)亮裝置的特征在于，所述開(kāi)關(guān)元件處于 導(dǎo)通狀態(tài)的導(dǎo)通電阻的電阻值比所述可控硅處于導(dǎo)通狀態(tài)的陽(yáng)極-陰極間 的內(nèi)部等效電阻的電阻值小。根據(jù)本發(fā)明的投影儀的特征在于，包括上述任何一種放電燈點(diǎn) 焭裝置。本發(fā)明由與放電燈串聯(lián)連接的電阻、可控硅、以及在可控硅的 陽(yáng)極-陰極之間連接的輔助電阻構(gòu)成?？煽毓杼幱趯?dǎo)通狀態(tài)的陽(yáng)極-陰極之間的內(nèi)部等效電阻的電阻 值比電阻的電阻值小。絕緣破壞后的沖流由于可控硅截止而流向電阻。然 后，由于電阻的電壓值上升，所以電流通過(guò)輔助電阻流入可控硅的柵極。 由于柵極電流上升，可控硅穿通，電流從可控硅的陽(yáng)極流向陰極，電阻值 高的電阻和輔助電阻中不流過(guò)電流。在本發(fā)明中，開(kāi)關(guān)元件與電阻、可控硅并聯(lián)連接。并且開(kāi)關(guān)元 件在可控硅穿通以后經(jīng)過(guò)規(guī)定的時(shí)間之后，將開(kāi)關(guān)元件從截止切換到導(dǎo) 通。在該情況下，開(kāi)關(guān)元件處于導(dǎo)通狀態(tài)的導(dǎo)通電阻的電阻值比可控硅處 于導(dǎo)通狀態(tài)的陽(yáng)極-陰極之間的內(nèi)部等效電阻的電阻值小。由此，在放電燈 穩(wěn)定運(yùn)行之后，流過(guò)可控硅的電流經(jīng)由并聯(lián)連接的開(kāi)關(guān)元件而流過(guò)。
發(fā)明效果在本發(fā)明中，由于在與放電燈串聯(lián)連接的電阻上并聯(lián)連接可控 硅，因此絕緣破壞后的沖流由于可控硅截止而流向電阻。由此，能夠由電 阻有效地吸收沖流，能夠?qū)崿F(xiàn)放電燈的長(zhǎng)壽命化。此外，之后，由于電阻 兩端的電壓值上升，電流通過(guò)輔助電阻流到可控硅的柵極。然后，由于柵 極電流的上升，可控硅穿通，電流從可控硅的陽(yáng)極流向陰極，電阻值高的 電阻和輔助電阻中不流過(guò)電流。其結(jié)果是，不用需要外部控制的開(kāi)關(guān)元件 和定時(shí)器等，通過(guò)簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)就能夠按照電阻、可控硅的順序切換電流的 流動(dòng)，可以構(gòu)成更小型的響應(yīng)速度快的放電燈點(diǎn)亮裝置。而且，由于可控 硅處于導(dǎo)通狀態(tài)的內(nèi)部等效電阻的電阻值比電阻的電阻值足夠小，所以還 可以實(shí)現(xiàn)耗電的減少。
5
在本發(fā)明中，開(kāi)關(guān)元件在可控硅穿通以后經(jīng)過(guò)了規(guī)定的時(shí)間之 后，將開(kāi)關(guān)元件從截止切換到導(dǎo)通。在該情況下，開(kāi)關(guān)元件的導(dǎo)通電阻的 電阻值比可控硅處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)的內(nèi)部等效電阻的電阻值小。由此，在放 電燈穩(wěn)定運(yùn)行了之后，流過(guò)可控硅的電流流過(guò)并聯(lián)連接的開(kāi)關(guān)元件。由此， 可以不犧牲響應(yīng)速度，在穩(wěn)定運(yùn)行后降低消耗功率等，本發(fā)明取得了優(yōu)異 的效果。


圖1是示出放電燈點(diǎn)亮裝置的電路結(jié)構(gòu)的電路圖。 圖2是示出各個(gè)部分的電壓和電流隨時(shí)間變化的曲線圖。 圖3是示出根據(jù)實(shí)施方式2的點(diǎn)亮裝置的電路結(jié)構(gòu)的電路圖。 圖4是示出投影儀的硬件結(jié)構(gòu)的方框圖。
圖5是示出根據(jù)實(shí)施方式4的放電燈點(diǎn)亮裝置的電路結(jié)構(gòu)的電路圖。 符號(hào)說(shuō)明 1點(diǎn)亮裝置
11直流電源
12DC—DC轉(zhuǎn)換器
13電容器
14點(diǎn)火器
15燈
16電阻
17可控硅
21輔助電阻
22保護(hù)電阻
30投影儀
32色輪
36DMD
37圖像形成元件控制電路
38投影透鏡
39主控制部391圖像信號(hào)處理部 321反射鏡
具體實(shí)施例方式實(shí)施方式1
下面參照

本發(fā)明的實(shí)施方式。圖1是示出放電燈點(diǎn)亮裝置1 的電路結(jié)構(gòu)的電路圖。在圖中，1是放電燈點(diǎn)亮裝置(下面稱(chēng)為點(diǎn)亮裝置 1)，包括直流電源ll、 DC—DC轉(zhuǎn)換器12、電容器13、點(diǎn)火器14、放 電燈(下面稱(chēng)為燈)15、電阻16、可控硅17、輔助電阻21和保護(hù)電阻22。 DC—DC轉(zhuǎn)換器12與直流電源11連接。其后段并聯(lián)連接電容器13，其后 段還連接點(diǎn)火器14。DC—DC轉(zhuǎn)換器12將來(lái)自直流電源11的電壓升壓或 降壓，通過(guò)內(nèi)部的未圖示的開(kāi)關(guān)元件的導(dǎo)通/截止，使提供給燈15的功率 成為燈15的額定值，這樣進(jìn)行點(diǎn)亮控制。電容器13用來(lái)對(duì)流入燈15的 開(kāi)關(guān)波紋電流進(jìn)行平滑、降低，其電容例如為luF (微法拉)到10uF。再 有，由于DC—DC轉(zhuǎn)換器12和點(diǎn)火器14的電路結(jié)構(gòu)是公知的，所以省略 詳細(xì)的說(shuō)明。此外，直流電源ll的負(fù)極接地。在啟動(dòng)燈15的情況下，由DC—DC轉(zhuǎn)換器12在電容器13的 兩端產(chǎn)生轉(zhuǎn)換后的電壓，點(diǎn)火器14接收該電壓而運(yùn)行，向燈15施加數(shù)kV 數(shù)十kV的高壓電壓。燈15由于高壓電壓而發(fā)生絕緣破壞，開(kāi)始流過(guò)電流。 在該絕緣破壞發(fā)生的瞬間，沖流瞬時(shí)(數(shù)u秒)流過(guò)燈15。該沖流的電荷 源是電容器13，該電荷與電容器13的電容、絕緣破壞前向電容器13的兩 端施加的電壓成比例。沖流從電容器13經(jīng)過(guò)點(diǎn)火器14、燈15返回到電容 器13的低電位一側(cè)。在該路徑的阻抗低的情況下，沖流變大。例如，電 容器13為3uF，施加的電壓為IOOV，在沖流流過(guò)的路徑中沒(méi)有事先插入 軛流圈等而阻抗低的情況下，在6u (微)秒的期間內(nèi)流過(guò)峰值100A的電 流。向3uF施加100V時(shí)，積蓄的電荷是300uq(微庫(kù)侖)(二300uFxl00V)， 將6u秒內(nèi)流過(guò)的100A的電流看作三角波然后對(duì)電流波形進(jìn)行積分時(shí)，恰 好成為300uq (二6u秒xl00A/2)，兩者一致。絕緣破壞后，燈15的點(diǎn)亮 初始狀態(tài)以稱(chēng)為輝光放電(glow discharge)的模式點(diǎn)亮。向燈15供給足 夠的功率時(shí)，從輝光放電轉(zhuǎn)變到初始電弧放電。在初始電弧放電期間內(nèi)燈15發(fā)熱，燈電壓上升。然后，燈15最終轉(zhuǎn)變到通常電弧放電，在穩(wěn)定的 狀態(tài)下點(diǎn)亮。在燈15的后段、即燈15的電極的陰極側(cè)串聯(lián)連接電阻16。還 與電阻16并聯(lián)連接可控硅17、以及輔助電阻21和保護(hù)電阻22。輔助電 阻21和保護(hù)電阻22串聯(lián)連接，輔助電阻21的一端與可控硅17的柵極連 接，另一端與可控硅17的陽(yáng)極連接。此外，保護(hù)電阻22的一端與可控硅 17的柵極連接，另一端與可控硅17的陰極連接。作為本實(shí)施方式的一個(gè)例子，說(shuō)明電阻16的電阻值為IOQ、輔 助電阻21的電阻值為820Q、保護(hù)電阻22的電阻值為lkQ的情況，但不 限于此，可以根據(jù)額定電壓、燈15的規(guī)格等采用適當(dāng)?shù)闹怠４送?，可?硅17處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)陽(yáng)極-陰極之間的內(nèi)部等效電阻的電阻值是比電阻16 的電阻值足夠小的值，例如在0.8V的電壓降下流過(guò)2A電流的情況下為 0.4Q。再有，下面設(shè)電阻16的兩端電壓為Vr，可控硅17的柵極電流為Ig。在圖1的電路中，由于點(diǎn)火器14產(chǎn)生的高壓電壓，在燈15中 發(fā)生絕緣破壞的時(shí)刻，柵極電流Ig是零，可控硅17的陽(yáng)極-陰極之間的電 流也是零，所以可控硅17處于截止?fàn)顟B(tài)。此時(shí)的陽(yáng)極-陰極之間的電阻值 與百萬(wàn)Q等效。在絕緣破壞發(fā)生前后的時(shí)間內(nèi)，燈15中流過(guò)的電流通過(guò) 電阻16返回到點(diǎn)火器14、 DC—DC轉(zhuǎn)換器12。電阻16的電阻值對(duì)于沖 流路徑的阻抗成為支配性的，沖流被電阻16吸收。在電阻16的電阻值為 Ofi時(shí)的沖流的峰值為100A的情況下，通過(guò)將電阻16的電阻值設(shè)為IOQ， 可以將其峰值抑制到10A以下。然后燈15輝光放電，遷移到初始電弧放 電狀態(tài)。隨著該遷移，沖流也變化。例如在輝光放電期間為0.5A。在初始 電弧放電中，燈15的等效電阻與負(fù)性電阻(電阻值為負(fù))等效，就那樣 成為沒(méi)有限制地流過(guò)沖流的狀態(tài)，所以DC—DC轉(zhuǎn)換器12的電流限制功 能起作用，例如限制到2A。從而，將可控硅17預(yù)設(shè)到原來(lái)的截止?fàn)顟B(tài)時(shí)， 前述的0.5A、 2A的電流一起流過(guò)電阻16。其結(jié)果是，在電阻16中產(chǎn)生 兩端電壓Vr的電壓下降。如果電阻值為10Q，則輝光放電中為5V，在初 始電弧放電中為20V。由于該從5V到20V的電位差的變化，輔助電阻21 中流過(guò)的電流變化。電流值由兩端電壓Vr和輔助電阻21的電阻值確定。 也就是說(shuō)燈電流增大時(shí)兩端電壓Vr也增大，柵極電流Ig也增大。并且，在那樣的柵極電流Ig、陽(yáng)極-陰極間的兩端電壓Vak逐漸增大的過(guò)程中，可控硅17穿通的條件得到了滿(mǎn)足，可控硅17成為導(dǎo)通狀態(tài)。在由陽(yáng)極-陰極間的兩端電壓Vak和柵極電流Ig確定的動(dòng)作點(diǎn)中，決定可控硅17的穿通條件。穿通后，可控硅17導(dǎo)通時(shí)的內(nèi)部等效電阻比電阻16的電阻值足夠小，所以電流幾乎不流過(guò)電阻16，可以降低消耗功率。接下來(lái)說(shuō)明從點(diǎn)亮裝置1開(kāi)始啟動(dòng)到穩(wěn)定運(yùn)行狀態(tài)的詳細(xì)的電路運(yùn)行。再有，下面以從燈15的初始電弧放電轉(zhuǎn)變到額定電弧放電時(shí)，主要由于封入水銀量的多少而引起的不穩(wěn)定運(yùn)行使燈15中斷一次為例進(jìn)行說(shuō)明。圖2是示出各個(gè)部分的電壓和電流隨時(shí)間變化的曲線圖。圖2A表示向燈15施加的燈電壓VL隨時(shí)間的變化，縱軸是電壓(單位V)，橫軸是時(shí)間。圖2B表示流過(guò)燈15的燈電流IL隨時(shí)間的變化，縱軸是電流(單位A)，橫軸是時(shí)間。圖2C表示電阻16的兩端電壓Vr隨時(shí)間的變化，縱軸是電壓(單位V)，橫軸是時(shí)間。圖2D表示可控硅17的柵極電流Ig隨時(shí)間的變化，縱軸是電流(單位uA)，橫軸是時(shí)間。圖2A到D的橫軸按時(shí)刻a 1分割，a是點(diǎn)亮裝置1的啟動(dòng)時(shí)、b是點(diǎn)火器14的啟動(dòng)時(shí)、c是燈15的絕緣破壞發(fā)生時(shí)、c d是輝光放電期間、d e是從輝光放電轉(zhuǎn)變到初始電弧放電(在本例中是特殊電弧放電)的期間、e f是初始電弧放電期間、f是燈15發(fā)生中斷的瞬間、f g是由于燈15滅了而使DC—DC轉(zhuǎn)換器12再次輸出開(kāi)路電壓(open-circuitvoltage)的期間、g是點(diǎn)火器14的再啟動(dòng)時(shí)、h是燈15的再絕緣破壞時(shí)、h i是輝光放電期間、i j是從輝光放電轉(zhuǎn)變到初始電弧放電的期間、j k是初始電弧放電期間、k l是電弧成長(zhǎng)期間、i以后是穩(wěn)定額定運(yùn)行期間。再有，圖2的橫軸的刻度為了說(shuō)明而局部加以強(qiáng)調(diào)，該圖的橫軸方向的長(zhǎng)度并不表示實(shí)際燈點(diǎn)亮?xí)r所經(jīng)過(guò)的時(shí)間特性。首先，點(diǎn)亮裝置1的未圖示的系統(tǒng)電源的開(kāi)關(guān)被導(dǎo)通，DC—DC轉(zhuǎn)換器12運(yùn)行，在電容器13中產(chǎn)生電壓(時(shí)刻a)。該電壓例如是400V。由于該電壓，點(diǎn)火器14啟動(dòng)，向燈15施加高壓電壓。a b的期間是從DC—DC轉(zhuǎn)換器12輸出電壓開(kāi)始到點(diǎn)火器14輸出高壓電壓的時(shí)間。該時(shí)間因點(diǎn)火器14的電路結(jié)構(gòu)而異，大概數(shù)毫秒。后述的f g的時(shí)間也同樣。b c的時(shí)間是從點(diǎn)火器14開(kāi)始運(yùn)行到燈15絕緣破壞的時(shí)間。該時(shí)間根據(jù)燈15的狀態(tài)而變化，大概從數(shù)十毫秒到數(shù)百毫秒，因施加的高壓電壓而
發(fā)生絕緣破壞。在發(fā)生絕緣破壞的瞬間，圖2A的電壓降低，同時(shí)產(chǎn)生用圖2B的虛線表示的沖流。在電阻16不存在的情況或是的情況下，該電流在數(shù)微秒的期間內(nèi)流過(guò)約100A的沖流(峰值)，但是如圖2B的實(shí)線所示，沖流被電阻16的阻抗吸收。時(shí)刻c以后開(kāi)始輝光放電，經(jīng)過(guò)時(shí)刻d燈電壓VL例如從200V慢慢降低到100V。 c d期間燈電流IL幾乎不變化，例如為0.5A。該時(shí)間也因燈15的狀態(tài)和種類(lèi)等而異，大概為數(shù)十微秒。此外，在該期間，電阻16的兩端電壓Vr和可控硅17的柵極電流Ig也慢慢增加。在時(shí)刻d，燈電壓VL降低到IOOV左右的情況下，燈15從輝光放電轉(zhuǎn)變到電弧放電，在時(shí)刻e電壓迅速降低到10V左右，燈電流IL沒(méi)有限制地流動(dòng)。其中，由DC—DC轉(zhuǎn)換器12的電流限制器(current limiter)的動(dòng)作，在本例中將燈電流IL的上限控制為2A。該d e的時(shí)間例如是100微秒這樣的瞬間。此外，在d e的期間內(nèi)，隨著電阻16的兩端電壓Vr的上升，可控硅17的柵極電流Ig上升。然后，在由可控硅17的陽(yáng)極-陰極間的兩端電壓Vak和柵極電流Ig所確定的動(dòng)作點(diǎn)中，可控硅17穿通。其中，輔助電阻21假定為820Q。在時(shí)刻d，柵極電流Ig為6mA (=10Qx0.5A/820Q)，在時(shí)刻e為24 mA ( 二 10Qx2A/820Q)。如果是20mA穿通的可控硅，則沖流大概為1.6A時(shí)穿通。也就是說(shuō)，在d e的期間的中途可控硅17因穿通而成為導(dǎo)通狀態(tài)，在可控硅17的陽(yáng)極-陰極之間開(kāi)始流過(guò)電流。如上所述，電阻16抑制沖流，并且通過(guò)燈電流使可控硅17自動(dòng)導(dǎo)通。不需要從外部進(jìn)行復(fù)雜的控制。在圖1中在燈15的電位低的一側(cè)(電位離地近的一側(cè))插入了電阻16和可控硅17，但是也可以連接在燈15的電位高的一側(cè)(DC—DC轉(zhuǎn)換器12的產(chǎn)生400V開(kāi)路電壓的一側(cè)、或者在點(diǎn)火器14的啟動(dòng)時(shí)產(chǎn)生2kV的一側(cè))上。如果是需要從外部進(jìn)行控制的電路，就需要高耐壓的部件選定、將控制信號(hào)移位到高壓側(cè)的電平轉(zhuǎn)換器(level shifter)等，但是在本實(shí)施例中，由于不需要從外部進(jìn)行的控制，所以可以采用浮置的結(jié)構(gòu)。在圖1中，燈15假定為DC (直流)驅(qū)動(dòng)型。圖1中的燈15的上側(cè)為陽(yáng)極，下側(cè)為陰極，陽(yáng)極比陰極的電位高。假定為AC型燈時(shí)，在點(diǎn)火器14的后段插入由4個(gè)FET構(gòu)成的轉(zhuǎn)換器。
10通過(guò)使2個(gè)為一對(duì)交替導(dǎo)通、截止，轉(zhuǎn)換器就將DC電壓轉(zhuǎn)換為AC電壓。在這樣的情況下，燈15的兩端電極對(duì)地成為浮置的狀態(tài)。假定連接帶外部控制的電路時(shí)，由于向浮置的位置施加控制脈沖，所以存在需要使用絕緣變壓器等而使電路規(guī)模增大的傾向。與此相對(duì)，本實(shí)施方式由于不需要從外部進(jìn)行的控制，所以可以在逆變器(inverter)電路內(nèi)部的任意位置插入，設(shè)計(jì)的自由度大?？煽毓?7成為導(dǎo)通狀態(tài)以后，可控硅17的陽(yáng)極-陰極間的兩端電壓Vak例如是0.8V。如圖2C和D所示，可控硅17的內(nèi)部電阻的電阻值比電阻16的電阻值10Q足夠小，所以電阻16中幾乎沒(méi)有電流流過(guò)，可以降低消耗功率。例如假定燈15額定點(diǎn)亮?xí)r以80V2A、 160W運(yùn)行。在沒(méi)有被可控硅17旁通(bypass)的結(jié)構(gòu)中，燈電流通常經(jīng)過(guò)電阻16。其消耗功率為40W (二2Ax2AxlOQ)。 一般的DC—DC轉(zhuǎn)換器12的效率為80%左右。發(fā)生160W的情況下，DC—DC轉(zhuǎn)換器12的損失為40W (=160W/0.8)。從而在電阻16中的損失與DC—DC轉(zhuǎn)換器12的損失為相同的量，不能容許。此外，可能損失40W的電阻器是大型電阻器。如果可控硅17使沖流旁通，其損失就變?yōu)?W (二0.8Vx2A)，可以降低到1/20。此時(shí)，可控硅17的等效電阻值成為0.4Q (=0.8V/2A)。比電阻16和輔助電阻21足夠小。如上所述，燈點(diǎn)亮遷移到初始電弧放電以后，額定點(diǎn)亮中可控硅17處于導(dǎo)通狀態(tài)。啟動(dòng)時(shí)抑制沖流，可以使損失低。在e f期間，維持初始電弧放電，沖流處于受DC—DC轉(zhuǎn)換器12的電流限制被控制到2A的狀態(tài)，通常如后述的k l期間，燈電壓慢慢上升，DC—DC轉(zhuǎn)換器12開(kāi)始恒功率運(yùn)行，燈電流逐漸減少。但是，該情況會(huì)發(fā)生初始電弧時(shí)放電中斷的情況。在圖2中假定在時(shí)刻f發(fā)生了中斷。在時(shí)刻f，因特殊電弧的發(fā)生而產(chǎn)生中斷，所以點(diǎn)亮裝置1再次產(chǎn)生開(kāi)路電壓(期間f g)，因該電壓點(diǎn)火器14產(chǎn)生高壓電壓(期間g h)，燈15在時(shí)刻h再次點(diǎn)亮。在該一連串的動(dòng)作中，在期間d e內(nèi)導(dǎo)通了的可控硅17如果還處于導(dǎo)通的狀態(tài)，則在時(shí)刻h的第2次絕緣破壞時(shí)，通過(guò)低電阻的可控硅17沖流流入燈15，給燈15造成損壞。但是，在時(shí)刻f，沖流為零的時(shí)間點(diǎn)上，可控硅17的陽(yáng)極-陰極之間流過(guò)的電流為零，所以可控硅17處于截止?fàn)顟B(tài)。從而，時(shí)刻h與時(shí)刻c同樣，可控硅17處于截
ii止?fàn)顟B(tài)，因此沖流流過(guò)電阻16，如圖2B所示，將虛線的電流抑制為如實(shí) 線所示。也就是說(shuō)，本實(shí)施方式可以在因中斷引起的第2次以后的燈的再 點(diǎn)亮中也自治地最恰當(dāng)?shù)乜刂瓶煽毓?7。然后，與前述同樣，期間h i 與期間c d同樣地是輝光放電期間，可控硅17處于截止?fàn)顟B(tài)，電流流過(guò) 電阻16。期間i j與期間d e同樣，是從輝光放電轉(zhuǎn)變到電弧放電的期 間，例如在燈電流從0.5A變化到2A的過(guò)程中的1.6A的時(shí)間點(diǎn)上，陽(yáng)極-陰極間的兩端電壓Vak為16V( = 10Qxl.6A)，此外柵極電流Ig為20mA， 在這些條件下可控硅17穿通。然后如果沒(méi)有發(fā)生中斷，經(jīng)過(guò)期間j k的 時(shí)間燈15慢慢變暖，在期間k 1，燈電壓上升，變?yōu)楹愎β蔬\(yùn)行，時(shí)刻l 以后成為額定點(diǎn)亮運(yùn)行。例如，如果是穿通需要的柵極電流Ig為40mA的可控硅17，可 以將輔助電阻21的電阻值設(shè)定為3卯Q (40mA=10Qxl.6A/390Q)。也就 是說(shuō)，穿通的定時(shí)(timing)可以通過(guò)輔助電阻21的電阻值來(lái)調(diào)整，參數(shù) 不會(huì)復(fù)雜地連動(dòng)。
在上述運(yùn)行中，輝光放電期間(期間c d、 h i)沖流流過(guò)電阻16。 其損失在10Q、 0.5A下為5W。由于該期間是數(shù)十毫秒，所以可以選擇具 有瞬時(shí)5W的損失的額定值的電阻器。此外，在上述結(jié)構(gòu)中，說(shuō)明了將可控硅17在期間d e內(nèi)導(dǎo)通 的定時(shí)，但是也可以設(shè)計(jì)為在c d期間導(dǎo)通。例如，假定陽(yáng)極-陰極間的 兩端電壓Vak為15V,柵極電流Ig為20mA是輝光放電時(shí)的沖流為0.5A、 可控硅17從截止遷移到導(dǎo)通的條件。電阻16選定30Q。在時(shí)刻c電阻16 對(duì)沖流進(jìn)行抑制，然后0.5A的沖流在電阻16的兩端產(chǎn)生15V (二 0.5Ax30Q)的電壓下降。選擇輔助電阻21為750Q時(shí)，由于該電壓，柵 極電流Ig為20mA ( = 15V/750Q)。從而陽(yáng)極-陰極間的兩端電壓Vak為 15V，柵極電流Ig為20mA，可控硅17在時(shí)刻c d的期間內(nèi)導(dǎo)通。在電 阻16中流過(guò)0.5A電流的情況下的損失為7.5W (=0.5Ax0.5Ax30Q)。如 上所述，也可以設(shè)計(jì)為在輝光放電期間內(nèi)使可控硅17導(dǎo)通。初始電弧放 電的2A電流流過(guò)電阻16時(shí)，電阻16的損失變大，從容許損失的方面上 說(shuō)，電阻16大型化。為了避免這種狀況，也可以選定電阻16、輔助電阻 21的電阻值，以使可控硅17在c e期間導(dǎo)通。此外，由于電阻16、輔助電阻21對(duì)點(diǎn)亮?xí)r的暫時(shí)熄滅沒(méi)有作用，所以也可以按照使其導(dǎo)通的條
件來(lái)進(jìn)行設(shè)計(jì)。保護(hù)電阻22的主要目的是對(duì)可控硅17的柵極的過(guò)電壓進(jìn) 行保護(hù)，對(duì)本實(shí)施方式的運(yùn)行沒(méi)有作用。與可控硅17的規(guī)格相匹配，例 如可以為lkQ 10kQ。如果不必保護(hù)柵極，可以刪除保護(hù)電阻22。在時(shí)刻j以后，可控硅17的陽(yáng)極-陰極間的兩端電壓Vak例如為 0.8V。在流過(guò)2A的電流的情況下，導(dǎo)通時(shí)的可控硅17的陽(yáng)極-陰極間的 內(nèi)部等效電阻為0.4Q (二0.8V/2A)。如圖2C和D所示，由于可控硅17 的內(nèi)部電阻的電阻值比電阻16的電阻值IOQ足夠小，因此在電阻16中幾 乎不流過(guò)電流，可以降低消耗功率?？煽毓?7的導(dǎo)通、截止的控制不必 從外部進(jìn)行控制。例如檢測(cè)沖流，對(duì)FET進(jìn)行開(kāi)關(guān)操作，從而使沖流減少 或旁通的結(jié)構(gòu)可能容易設(shè)計(jì)。但是，沖流在6微秒的期間內(nèi)產(chǎn)生收束。在 檢測(cè)該脈沖狀的電流，由控制系統(tǒng)控制有無(wú)產(chǎn)生電壓的情況下，系統(tǒng)的響 應(yīng)速度至少需要6微秒的一半3微秒。為了得到足夠充裕的某種響應(yīng)特性， 需要非控制對(duì)象的10倍的速度，因此該響應(yīng)時(shí)間為600納秒，用時(shí)鐘頻 率表示為lMHz以上的頻率。由具有這樣的速度的響應(yīng)的控制系統(tǒng)檢測(cè)沖 流進(jìn)行控制是不現(xiàn)實(shí)的。相對(duì)于此，由于本實(shí)施方式自治地進(jìn)行導(dǎo)通、截 止運(yùn)行，所以等效地得到上述百萬(wàn)Hz量級(jí)的響應(yīng)速度，可以用較少的部 件件數(shù)理想地運(yùn)行。在本實(shí)施方式中，舉例說(shuō)明了燈15為直流驅(qū)動(dòng)型的 例子。但是，不限于此，可以采用使燈15的兩端電壓的極性周期交替地 進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的交流驅(qū)動(dòng)型。在使該燈15點(diǎn)亮的情況下，在電容器13和燈15 之間追加逆變器電路(未圖示)，將直流轉(zhuǎn)換為交流。在這樣的結(jié)構(gòu)的情 況下，在電容器13和逆變器電路之間，也可以在電流僅在一個(gè)方向上流 動(dòng)的部分內(nèi)插入上述的電阻16和可控硅17等。該情況也可以得到抑制沖 流的效果。實(shí)施方式2
實(shí)施方式2涉及另外并聯(lián)連接開(kāi)關(guān)元件，經(jīng)過(guò)規(guī)定時(shí)間后導(dǎo)通開(kāi)關(guān)元 件，從而進(jìn)一步降低消耗功率的方式。圖3是根據(jù)實(shí)施方式2的點(diǎn)亮裝置 1的電路結(jié)構(gòu)的電路圖。除了實(shí)施方式1的結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)還包括開(kāi)關(guān)元 件18、開(kāi)關(guān)控制部181、定時(shí)器182、電流檢測(cè)電路183和電流檢測(cè)電阻 184。開(kāi)關(guān)元件18例如采用FET (下面稱(chēng)為FET18)。 FET18與電阻16、可控硅17、以及輔助電阻21和保護(hù)電阻22并聯(lián)連接。FET18的漏極與燈15連接，源極連接在點(diǎn)火器14和電阻16之 間，柵極與開(kāi)關(guān)控制部181連接。開(kāi)關(guān)控制部181例如將0V的低信號(hào)或 5V的高信號(hào)擇一地輸出給FET18。在輸出低信號(hào)的情況下，F(xiàn)ET18截止， 在輸出高信號(hào)的情況下，F(xiàn)ET18導(dǎo)通。電流檢測(cè)電路183是檢測(cè)燈電流的 電路，將檢測(cè)的電流信號(hào)輸出給定時(shí)器182。再有，在本實(shí)施方式中，電 流檢測(cè)電路183不限于由電流檢測(cè)電阻184檢測(cè)流過(guò)可控硅17的電流的 方式，也可以將施加給可控硅17的電壓、施加給電阻16的電壓、或者流 過(guò)電阻16的電流相關(guān)的信號(hào)輸出給定時(shí)器182。此外，不使定時(shí)器182 與這些部分的電壓、電流的檢測(cè)結(jié)果連動(dòng)，可以與系統(tǒng)電源的開(kāi)關(guān)連動(dòng)。 由于DC—DC轉(zhuǎn)換器12對(duì)燈15進(jìn)行功率控制，所以?xún)?nèi)置檢測(cè)燈電流的電 路。圖3的電流檢測(cè)電路183也可以具有與該DC—DC轉(zhuǎn)換器12內(nèi)置的 燈電流檢測(cè)電路共用的結(jié)構(gòu)。定時(shí)器182的內(nèi)部存儲(chǔ)器(未圖示)中存儲(chǔ)閾值，在電流檢測(cè) 電路183輸出的電流相關(guān)的信號(hào)比閾值小時(shí)，開(kāi)始計(jì)時(shí)。該閾值是超過(guò)在 圖2的例子中可控硅17穿通以后流過(guò)的電流(例如2A)的5A。通過(guò)定 時(shí)器182計(jì)時(shí)，經(jīng)過(guò)規(guī)定的時(shí)間(例如20秒)后，將控制信號(hào)輸出給開(kāi) 關(guān)控制部181。開(kāi)關(guān)控制部181接收來(lái)自定時(shí)器182的控制信號(hào)，將高信 號(hào)輸出給FET18。高信號(hào)的輸出使FET18導(dǎo)通。定時(shí)器182計(jì)時(shí)的20秒 是預(yù)想燈15的啟動(dòng)足夠成功的時(shí)間。也就是說(shuō)，包括中斷等啟動(dòng)時(shí)的燈 15處于熄滅、輝光放電、初始電弧放電、額定電弧放電的狀態(tài)中的任何一 種。在這樣的不確定的運(yùn)行時(shí)，F(xiàn)ET18預(yù)先截止，由電阻16對(duì)沖流進(jìn)行 抑制、吸收，同時(shí)自治地對(duì)可控硅17進(jìn)行導(dǎo)通、截止控制，從而減少了 損耗。經(jīng)過(guò)了預(yù)想為到了充分額定運(yùn)行的時(shí)刻后，使FET18導(dǎo)通，從而使 與燈15串聯(lián)插入的電阻成分減少，從而降低額定運(yùn)行時(shí)的裝置損耗。FET18的內(nèi)部電阻的電阻值約為0.2Q，比可控硅17的內(nèi)部電 阻的電阻值0.8Q小。在該情況下，流過(guò)可控硅17的電流幾乎全部流向 FET18，可控硅17截止，在流過(guò)1A的燈電流IL的情況下，消耗功率可 以降低到0.2W。此夕卜，電阻16的兩端電壓Vr由于FET18的導(dǎo)通，從0.8V 變?yōu)?.2V。在使點(diǎn)亮裝置1的未圖示的系統(tǒng)電源關(guān)斷的情況下，定時(shí)器182的計(jì)時(shí)被重置為0，開(kāi)關(guān)控制部181輸出的信號(hào)也被重置為低信號(hào)， FET18截止。再有，在本實(shí)施方式中，具有可控硅17穿通以后經(jīng)過(guò)規(guī)定 的時(shí)間后FET18導(dǎo)通的結(jié)構(gòu)，但是關(guān)鍵是也可以燈15穩(wěn)定額定運(yùn)行，然 后經(jīng)過(guò)足夠的時(shí)間后FET18導(dǎo)通。在該情況下，使未圖示的系統(tǒng)電源導(dǎo)通 后，例如30秒后FET18導(dǎo)通。電流檢測(cè)電阻184例如具有50毫Q的電 阻值，對(duì)可控硅17的導(dǎo)通、截止操作不會(huì)產(chǎn)生影響。本實(shí)施方式2具有如上結(jié)構(gòu)，其他結(jié)構(gòu)和作用與實(shí)施方式1相 同，所以對(duì)對(duì)應(yīng)的部分賦予相同的參考序號(hào)并省略其詳細(xì)說(shuō)明。實(shí)施方式3
適用上述的點(diǎn)亮裝置1的投影儀。圖4是表示投影儀的硬件結(jié)構(gòu)的方 框圖。投影儀30的結(jié)構(gòu)包括實(shí)施方式1或2的點(diǎn)亮裝置1、燈15、反 射鏡321、色輪32、圖像形成元件(下面稱(chēng)為DMD (Digital Micromirror Device (注冊(cè)商標(biāo))))36、圖像形成元件控制電路37、投影透鏡38、風(fēng)扇 33、主控制部39和圖像信號(hào)處理部391。主控制部39根據(jù)在未圖示的存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的程序控制上述硬 件的各個(gè)部分。圖像信號(hào)被輸入到圖像信號(hào)處理部391。圖像信號(hào)處理部 391進(jìn)行同步分離和縮放比例(scaling)等圖像信號(hào)的處理，將處理后的 圖像信號(hào)輸出給圖像形成元件控制電路37。在投影儀30中，燈15發(fā)出的 白色光被聚光，照射到色輪32上。色輪32的結(jié)構(gòu)為紅、藍(lán)、綠色的光學(xué) 濾光器沿圓周方向排列形成的圓盤(pán)，未圖示的驅(qū)動(dòng)馬達(dá)使其高速旋轉(zhuǎn)。隨著色輪32的旋轉(zhuǎn)，燈15發(fā)出的光的光路中依次插入各種顏 色的濾光器，照射到色輪32上的白色光按時(shí)間分割被色分離為紅色光、 綠色光、藍(lán)色光的各種單色光。然后，被分離的各種單色光被送到反射鏡 321，照射到DMD36上。再有，也可以用液晶面板代替DMD。 DMD36 受圖像形成元件控制電路37的驅(qū)動(dòng)控制。圖像形成元件控制電路37根據(jù) 輸入的圖像信號(hào)驅(qū)動(dòng)DMD36。具體地說(shuō)，根據(jù)輸入的圖像信號(hào)打開(kāi)或關(guān) 閉DMD36的各個(gè)單元和微小反射鏡，從而使照射的單色光按像素單位反 射，進(jìn)行光調(diào)制，形成圖像光。形成的圖像光入射到投影透鏡38，由投影 透鏡38放大投射到未圖示的屏幕等上。點(diǎn)亮裝置1控制燈15的點(diǎn)亮和熄滅。風(fēng)扇33用來(lái)冷卻燈15或投影儀30內(nèi)部，由未圖示的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)。再有，在本實(shí)施方式中說(shuō)明了將
點(diǎn)亮裝置1應(yīng)用到投影儀30中，但是不限于此，也可以應(yīng)用到一般照明、 汽車(chē)的前燈等中。本實(shí)施方式3具有如上的結(jié)構(gòu)，其他結(jié)構(gòu)和作用與實(shí)施方式1 和2相同，對(duì)于對(duì)應(yīng)的部分給予相同的參考序號(hào)省略其詳細(xì)說(shuō)明。
實(shí)施方式4
圖5是示出根據(jù)實(shí)施方式4的放電燈點(diǎn)亮裝置的電路結(jié)構(gòu)的電路圖。 如本實(shí)施方式所示，由實(shí)施方式1中述及的電阻16、可控硅17、輔助電 阻21和保護(hù)電阻22構(gòu)成的電路也可以設(shè)置在DC—DC轉(zhuǎn)換器12以及電 容器13和點(diǎn)火器14之間，下面進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。電容器13與DC—DC轉(zhuǎn) 換器12的后段并聯(lián)連接。在DC—DC轉(zhuǎn)換器12以及電容器13和點(diǎn)火器 14之間設(shè)置由實(shí)施方式1中述及的電阻16、可控硅17、輔助電阻21和保 護(hù)電阻22構(gòu)成的電路。電阻16通過(guò)點(diǎn)火器14的輸入與燈15的電極陽(yáng)極 側(cè)串聯(lián)連接。而且，可控硅17、輔助電阻21和保護(hù)電阻22與電阻16并 聯(lián)連接。輔助電阻21和保護(hù)電阻22串聯(lián)連接，輔助電阻21的一端與可 控硅17的柵極連接，另一端與可控硅17的陽(yáng)極連接。此外，保護(hù)電阻22 的一端與可控硅17的柵極連接，另一端與可控硅17的陰極連接。再有， 虛線包圍的部位是高壓產(chǎn)生部。在如現(xiàn)有技術(shù)那樣的從外部進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制 的方式中，在具有高側(cè)開(kāi)關(guān)(high side switch)結(jié)構(gòu)(在電位高的線路中 插入開(kāi)關(guān)電路的方式)的情況下，為了將切換脈沖的電壓電平轉(zhuǎn)換為高壓， 需要追加電路。也就是說(shuō)，開(kāi)關(guān)電路的接地電位基準(zhǔn)是基本。在本實(shí)施方 式中，開(kāi)關(guān)電路自治地關(guān)閉，不需要接地基準(zhǔn)。例如，因?yàn)辄c(diǎn)火器14的 輸出側(cè)瞬時(shí)產(chǎn)生了數(shù)kV的高壓，所以需要確保部件間的空間距離或考慮 安全性。因此，在點(diǎn)火器14的輸出側(cè)新追加部件對(duì)于點(diǎn)亮裝置1或投影 儀30的配置不利。此外，需要將點(diǎn)火器14與DC—DC轉(zhuǎn)換器12分離， 設(shè)置在燈15的附近，出現(xiàn)了電阻16或可控硅17等的配置變困難的情況。 在本實(shí)施方式中，通過(guò)將可控硅17等配置在圖5中示出的位置上，具有 可以提高配置的自由度以及投影儀的小型化設(shè)計(jì)的效果。本實(shí)施方式4具有如上的結(jié)構(gòu)，其他結(jié)構(gòu)和作用與實(shí)施方式1 和3相同，對(duì)于對(duì)應(yīng)的部分給予相同的參考序號(hào)省略其詳細(xì)說(shuō)明。
權(quán)利要求
1.一種放電燈點(diǎn)亮裝置，使放電燈點(diǎn)亮，該放電燈點(diǎn)亮裝置包括與所述放電燈串聯(lián)連接的電阻；與該電阻并聯(lián)連接的可控硅；和在所述可控硅的陽(yáng)極-柵極間連接的輔助電阻。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的放電燈點(diǎn)亮裝置，其特征在于， 所述輔助電阻通過(guò)以在所述電阻中產(chǎn)生的兩端電壓為電源而在所述可控硅中流過(guò)柵極電流，從而控制所述可控硅從截止到導(dǎo)通。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的放電燈點(diǎn)亮裝置，其特征在于， 處于導(dǎo)通狀態(tài)的所述可控硅根據(jù)流過(guò)所述放電燈的電流的狀態(tài)從導(dǎo)通轉(zhuǎn)變?yōu)榻刂埂?br> 4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的放電燈點(diǎn)亮裝置，其特征在于，所述電阻、所述可控硅、和所述輔助電阻對(duì)地處于浮置狀態(tài)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的放電燈點(diǎn)亮裝置，其特征在于，還包括與所述電阻、所述可控硅、和所述輔助電阻并聯(lián)連接的開(kāi)關(guān)元件；和 在所述可控硅穿通以后將所述開(kāi)關(guān)元件從截止切換到導(dǎo)通的開(kāi)關(guān)控 制部。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的放電燈點(diǎn)亮裝置，其特征在于，所述可控硅處于導(dǎo)通狀態(tài)的陽(yáng)極-陰極間的內(nèi)部等效電阻的電阻值比 所述電阻的電阻值小。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的放電燈點(diǎn)亮裝置，其特征在于， 所述開(kāi)關(guān)元件處于導(dǎo)通狀態(tài)的導(dǎo)通電阻的電阻值比所述可控硅處于導(dǎo)通狀態(tài)的陽(yáng)極-陰極間的內(nèi)部等效電阻的電阻值小。
8. —種投影儀，包括權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的放電燈點(diǎn)亮裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠減少?zèng)_流和耗電，并且響應(yīng)速度快的放電燈點(diǎn)亮裝置、和具有該放電燈點(diǎn)亮裝置的投影儀。電阻(16)與燈(15)串聯(lián)連接，可控硅(17)和一端與可控硅(17)的柵極連接的輔助電阻(21)與電阻(16)并聯(lián)連接?？煽毓?17)處于導(dǎo)通狀態(tài)的內(nèi)部等效電阻的電阻值比電阻(16)的電阻值小。電阻(16)吸收點(diǎn)亮?xí)r的沖流。然后，電流在可控硅(17)的陽(yáng)極和陰極之間流過(guò)。
文檔編號(hào)H05B41/282GK101637066SQ20078004397
公開(kāi)日2010年1月27日 申請(qǐng)日期2007年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月29日
發(fā)明者伊藤寬 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社