專(zhuān)利名稱(chēng)：自動(dòng)化制程中卷帶式薄狀體的圖案化方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種自動(dòng)化制程中巻帶式薄狀體的圖案化方法，尤指不會(huì)掉 落碳渣和/或碎片的圖案化方法。
背景技術(shù)：
軟式電路板是一種用來(lái)裝構(gòu)電子組件的載板，在其所屬樹(shù)脂基板的雙面 或單面上可壓合銅箔層，并透過(guò)影像轉(zhuǎn)移手段將銅箔層圖案化，進(jìn)而形成相 對(duì)的線(xiàn)路，然后借著這些線(xiàn)路可供芯片或其它電子組件作電性連接。
在上述圖案化的手段中，在形成盲孔、通孔或?qū)ξ豢椎目锥磿r(shí)，可采用 機(jī)械鉆孔式、感光成孔、激光鉆孔、電漿蝕孔及化學(xué)蝕孔等方法。
激光鉆孔是利用C02及摻雜其它如N2、 He、 CO等氣體，在增加功率及 維持放電時(shí)間下，產(chǎn)生波長(zhǎng)在9,300nm 10,600nm之間可實(shí)用的脈沖式(Pulse) 紅外激光光。只是，在激光鉆孔形成孔洞的過(guò)程中，很容易因?yàn)槠渌鶐?lái)的 高溫碳化了樹(shù)脂基板，而在軟板的表面殘留碳化的殘?jiān)蛩槠蚴菑乃?成的通孔落下碳化的殘?jiān)蛩槠?br> 雖然，碳化的殘?jiān)蛩槠稍谥瞥踢M(jìn)行某一段時(shí)間后，借著清掃程序?qū)?之清除，但對(duì)軟板自動(dòng)化制程而言，連續(xù)化的制造程序根本很難這樣做。此 外，為了處理清除殘?jiān)蛩槠?，可利用例如中?guó)臺(tái)灣公開(kāi)號(hào)第407530號(hào)「具 改良構(gòu)造之軟板清潔機(jī)」所揭露的方法，但是再怎么考慮清除也不可能完全 清除碳化的殘?jiān)蛩槠?br> 為了徹底解決碳化的殘?jiān)蛩槠?，中?guó)臺(tái)灣公開(kāi)號(hào)第200522816號(hào)專(zhuān)利 「高密度軟式電路板制法」利用一般蝕刻、電漿蝕刻形成孔洞，因在形成孔 洞的過(guò)程中不會(huì)伴隨著高熱，而不會(huì)在蝕刻過(guò)程中產(chǎn)生出碳化的殘?jiān)蛩槠?當(dāng)然不再有清除殘?jiān)蛩槠膯?wèn)題。
但是電漿蝕刻只能吃樹(shù)脂基板的部分而不能蝕刻銅箔，因此這種孔洞形 成方法中，除了電漿蝕刻外還需搭配一般蝕刻方法(例如化學(xué)蝕刻)，而使得整 個(gè)制程較為復(fù)雜，不像激光鉆孔可直接貫穿銅箔、樹(shù)脂基板，直接形成預(yù)定 整個(gè)制程較為復(fù)雜，不像雷射鉆孔可直接貫穿銅箔、樹(shù)脂基板，直接形成預(yù)
定的孔洞。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在提供一種自動(dòng)化制程中巻帶式薄狀體的圖案化方 法，借著黏住雷射鉆孔所產(chǎn)生的碳化的殘?jiān)蛩槠?，進(jìn)而避免殘?jiān)蛩槠?下至其它巻帶式薄狀體，污染了其它巻帶式薄狀體。
基于上述目的，本發(fā)明自動(dòng)化制程中巻帶式薄狀體的圖案化方法，主要 將巻帶式薄狀體黏貼至具微黏性膠的支撐板，使得激光束圖案化巻帶式薄狀 體所產(chǎn)生的碳渣和/或碎片，會(huì)被粘著在具微黏性膠的支撐板之上，因此在自 動(dòng)化制程中碳渣和/或碎片不會(huì)掉落至其它巻帶式薄狀體的部分上，當(dāng)然也無(wú) 需考慮清除碳渣和/或碎片。
關(guān)于本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)與精神可以藉由以下的發(fā)明詳述及所附圖式得到進(jìn)一 步的了解。


圖1A 1B為依據(jù)本發(fā)明自動(dòng)化制程中巻帶式薄狀體的圖案化方法的薄 狀體結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2A 2B為依據(jù)本發(fā)明自動(dòng)化制程中巻帶式薄狀體的圖案化方法的第 一實(shí)施例示意圖。
圖3為依據(jù)本發(fā)明自動(dòng)化制程中巻帶式薄狀體的圖案化方法的第二實(shí)施 例示意圖。 其中-
10巻帶式薄狀體 10a樹(shù)脂基板
10b、 10c銅箔層 12支撐板
12a微黏性膠 14孔洞
16碳渣 18切型碎片
18a線(xiàn)條
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)參閱圖1A 1B，圖1A 1B為依據(jù)本發(fā)明自動(dòng)化制程中巻帶式薄狀體 的圖案化方法的薄狀體結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1A所示，先分別提供巻帶式薄狀
薄狀體IO可為軟式電路板，也可為覆蓋膜(coverky)、補(bǔ)強(qiáng)板或其它巻帶式薄 狀體。若巻帶式薄狀體10為軟式電路板時(shí)，在其所屬樹(shù)脂基板10a(可采用 PI)的雙面上壓合銅箔層10b、 10c。不過(guò)，此軟式電路板也可僅在其所屬樹(shù)脂 基板10a的單面上壓合銅箔層10b或10c。
準(zhǔn)備如上述的巻帶式薄狀體10、和具微黏性膠12a的支撐板12后，便可 如圖1B所示將巻帶式薄狀體10黏貼至具微黏性膠12a的支撐板12上。
在完成粘合后，便仍可以激光束圖案化巻帶式薄狀體IO，但因激光束圖 案化巻帶式薄狀體10所產(chǎn)生的碳渣和/或碎片，會(huì)因被粘著在具微黏性膠12a 的支撐板12之上，而不再?gòu)目锥?、切型或其它可用激光束形成的圖案落下， 迸而避免污染其它產(chǎn)品或半成品。為了更清楚圖標(biāo)如何黏住碳渣和/或碎片， 底下分別以孔洞和切型作說(shuō)明。
請(qǐng)參閱圖2A 2B，圖2A 2B為依據(jù)本發(fā)明自動(dòng)化制程中巻帶式薄狀體的 圖案化方法的第一實(shí)施例示意圖。圖2B為圖2A所示的AB線(xiàn)段的剖面圖。 如圖2A所示，當(dāng)以激光束在如圖1B所示的結(jié)構(gòu)體的預(yù)定位置上鉆出孔洞14 時(shí)，將可如圖2B所示借著具微黏性膠12a的支撐板12粘著住碳渣16。這里 的孔洞14除了為通孔外，也可為盲孔、對(duì)位孔或其它足以形成的孔洞。
除此之外，若孔洞14為對(duì)位孔時(shí)，將因?yàn)樘荚?6為黑色，使得對(duì)位孔 的顏色和其它部分相比色差較大，而有更好的對(duì)位準(zhǔn)確度。
請(qǐng)參閱圖3，圖3為依據(jù)本發(fā)明自動(dòng)化制程中巻帶式薄狀體的圖案化方 法的第二實(shí)施例示意圖。如圖3所示，當(dāng)以激光束在如圖1B所示的結(jié)構(gòu)體的 預(yù)定位置上連續(xù)地鉆出線(xiàn)條18a時(shí)，除了借著具微黏性膠12a的支撐板12粘 著住在形成線(xiàn)條18a的過(guò)程中所產(chǎn)生的碳渣外，也可粘著住切型碎片18。
若圖3所示的巻帶式薄狀體10為薄形的補(bǔ)強(qiáng)板或其它板狀體時(shí)，利用此 種方法制作切型，將因?yàn)闊o(wú)須設(shè)計(jì)、制作模具，可快速交貨。雖然此種方法 制作切型在成本上可能高過(guò)利用模具，但因?yàn)榭煽焖佟⒑?jiǎn)單地先制作出樣品， 作為測(cè)試市場(chǎng)之用，進(jìn)而避免不被市場(chǎng)接受時(shí)，整批模具必須報(bào)廢，也不像 模具難以修改成市場(chǎng)所需的樣式。
藉由以上較佳具體實(shí)施例的詳述，是希望能更加清楚描述本發(fā)明的特征 與精神，而并非以上述所揭露的較佳具體實(shí)施例來(lái)對(duì)本發(fā)明的范疇加以限制。
相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排于本發(fā)明所欲申請(qǐng) 的專(zhuān)利范圍的范疇內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種自動(dòng)化制程中卷帶式薄狀體的圖案化方法，該圖案化方法包含提供一卷帶式薄狀體；提供具有一微黏性膠的一支撐板；將該卷帶式薄狀體黏貼至具該微黏性膠的該支撐板；以及以一激光束圖案化該卷帶式薄狀體；其特征在于該激光束圖案化該卷帶式薄狀體所產(chǎn)生的一碳渣和/或一碎片會(huì)被粘著在具該微黏性膠的該支撐板之上。
2. 如權(quán)利要求1所述的自動(dòng)化制程中巻帶式薄狀體的圖案化方法，其特 征在于該巻帶式薄狀體可為一軟式電路板、 一覆蓋膜、 一補(bǔ)強(qiáng)板或其它巻 帶式薄狀體，該軟式電路板是于其所屬一樹(shù)脂基板的雙面或單面上壓合一銅 箔層。
3. 如權(quán)利要求1所述的自動(dòng)化制程中巻帶式薄狀體的圖案化方法，其特 征在于以該激光束圖案化該巻帶式薄狀體時(shí)，可在該巻帶式薄狀體形成一 孔洞、 一切型或其它可用激光束形成的圖案。
4. 如權(quán)利要求1所述的自動(dòng)化制程中巻帶式薄狀體的圖案化方法，其特 征在于該孔洞可為通孔、盲孔、對(duì)位孔或其它足以形成的孔洞。
全文摘要
本發(fā)明自動(dòng)化制程中卷帶式薄狀體的圖案化方法，主要將卷帶式薄狀體黏貼至具微黏性膠的支撐板，使得激光束圖案化卷帶式薄狀體所產(chǎn)生的碳渣和/或碎片，會(huì)被粘著在具微黏性膠的支撐板之上，因此在自動(dòng)化制程中碳渣和/或碎片不會(huì)掉落至其它卷帶式薄狀體的部分上，當(dāng)然也無(wú)需考慮清除碳渣和/或碎片。
文檔編號(hào)H05K3/06GK101098591SQ20061009354
公開(kāi)日2008年1月2日 申請(qǐng)日期2006年6月26日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月26日
發(fā)明者鐘金福, 陳玖瑭 申請(qǐng)人:景碩科技股份有限公司