專利名稱：全彩有機電致發(fā)光顯示面板及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種全彩有機電致發(fā)光顯示面板及其制造方法，且特別是涉及一種可降低制造成本、提高面板品質(zhì)的全彩有機電致發(fā)光顯示面板的像素結構及其制造方法。
背景技術：
有機電致發(fā)光顯示面板(organic electroluminescence panel)，相較于其它平面顯示技術，擁有自發(fā)光、高亮度、廣視角、高對比、低耗電、高速應答、操作溫度范圍廣、發(fā)光效率高、工藝簡易等優(yōu)異特性，使得其產(chǎn)品技術發(fā)展廣受全世界注目。
傳統(tǒng)的有機電致發(fā)光元件具有多層結構，主要是在陽極層和陰極層之間置入有機發(fā)光層，以產(chǎn)生電激發(fā)光(electroluminescence)。在有機發(fā)光層和陽極之間，形成空穴注入層和空穴傳輸層，在有機發(fā)光層和陰極之間則形成電子傳輸層。對于全彩有機電致發(fā)光顯示面板而言，一般是由紅光、綠光和藍光(RGB)等次像素元件所組成。而一個像素至少包括各一個RGB次像素元件。目前的全彩有機電致發(fā)光顯示面板的RGB次像素排列沿用液晶顯示面板的架構，常見的RGB次像素排列方式有條狀(stripe)排列、馬賽克(mosaic)排列和三角形(delta)排列(或是稱為triangle排列)，其中又以條狀排列最為常見。而由于RGB次像素在制作上是采用屏蔽(shadow mask)蒸鍍，導致在量產(chǎn)制作上會產(chǎn)生許多缺點，包括1.制造成本較高包括屏蔽制作、精密對位系統(tǒng)、屏蔽腔體、屏蔽清洗系統(tǒng)、屏蔽檢測設備等等各種設備成本，使制造成本增加。
2.生產(chǎn)成品率較低屏蔽對位時常常因為對位不夠精準(misalignment)、或是塵粒(particle)沾附以及壓傷等原故而影響了面板的生產(chǎn)成品率。
3.面板分辨率較低每個屏蔽的開口對應一個次像素的蒸鍍面積，因此，屏蔽的開口大小將決定全彩有機電致發(fā)光顯示面板面板的分辨率，導致現(xiàn)有技術的全彩面板分辨率受限于屏蔽的工藝能力。目前采用屏蔽工藝的面板分辨率一般約在120到150ppi(pixel per inch)之間，通常不超過180ppi。
4.生產(chǎn)彈性較差屏蔽制作時間一般需要6個星期，且通常一張屏蔽上為了避免張力不平均，僅允許形成一種形式的圖案，導致在制造生產(chǎn)上的彈性不高。
目前已有許多制造廠商提出不需使用屏蔽，而制作出全彩有機電致發(fā)光顯示面板(如美國專利案No.5294869、No.6517996等)。然而這些現(xiàn)有技術都至少具有一個共同的嚴重缺點需要改變有機發(fā)光元件的RGB的原先元件結構(device structure)來配合，且所制成的元件結構會有不同色彩層相重疊(例如美國專利案No.5294869中，藍色發(fā)光層疊在紅色發(fā)光層的上方)、或是單一色彩層中混和了其它光色的材料(例如美國專利案No.6517996中，紅色發(fā)光層中混和了藍色發(fā)光材料)的情形，而容易產(chǎn)生混光的現(xiàn)象。
因此，如何在不需使用屏蔽(mask free)與不改變RGB的原先形成方法，在控制制造成本的情形下，制作出沒有混光缺點、光色純度高的全彩有機電致發(fā)光顯示面板，實為研發(fā)者一個重要的課題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的就是在提供一種低制造成本、高品質(zhì)成品的全彩有機電致發(fā)光顯示面板的像素結構及其制造方法。
根據(jù)本發(fā)明的目的，提出一種像素結構，適用于全彩有機電致發(fā)光顯示面板，此像素結構具有多個子像素，該多個子像素包含至少一個第一電極，形成于基板上；至少一個第一共同層，形成于第一電極上；至少一個屏蔽墻，形成于第一電極的周圍；多個發(fā)光層，分別形成于對應的各該子像素的第一共同層上；其中，各該發(fā)光層于各該第一電極之上不會互相覆蓋；至少一個第二共同層，形成于該多個發(fā)光層上；以及至少一個第二電極，形成于第二共同層上。
根據(jù)本發(fā)明的目的，再提出一種全彩有機電致發(fā)光顯示面板的制造方法，包括步驟如下形成第一電極于基板上；形成多個屏蔽墻于第一電極的周圍；
形成至少一個第一共同層于第一電極上；形成多個第一色彩次像素、多個第二色彩次像素和多個第三色彩次像素，于第一共同層上，包括提供至少一個第一色彩蒸鍍源、至少一個第二色彩蒸鍍源和至少一個第三色彩蒸鍍源，通過第一色彩蒸鍍源、第二色彩蒸鍍源和第三色彩蒸鍍源獨立的蒸鍍傾斜方向和蒸鍍角度與該多個屏蔽墻相配合，將至少一個第一色彩發(fā)光層、至少一個第二色彩發(fā)光層、至少一個第三色彩發(fā)光層個別地蒸鍍于對應相同光色的第一電極的上方；形成至少一個第二共同層，覆蓋該多個第一色彩次像素、該多個第二色彩次像素和該多個第三色彩次像素；以及形成第二電極于第二共同層上。
為讓本發(fā)明的上述目的、特征、和優(yōu)點能更明顯易懂，以下配合附圖以及優(yōu)選實施例，以更詳細地說明本發(fā)明。


圖1A～1C繪示依照本發(fā)明優(yōu)選實施例的全彩有機電致發(fā)光顯示面板的制造方法。
圖2為依照圖1A～1C所制作的單一像素結構的上視圖。
圖3為依照本發(fā)明優(yōu)選實施例的全彩有機電致發(fā)光顯示面板的單一像素的剖面示意圖。
圖4為本發(fā)明第一應用例的像素結構與屏蔽墻設計的示意圖。
圖5A～5C分別為本發(fā)明第一應用例的第一、二、三種全彩面板像素排列與屏蔽墻設計的示意圖。
圖6為本發(fā)明的應用例二A的像素結構與屏蔽墻設計的示意圖。
圖7A、7B分別為本發(fā)明的應用例二A的兩種全彩面板像素排列與屏蔽墻設計的示意圖。
圖8為本發(fā)明的應用例二B的像素結構與屏蔽墻設計的示意圖。
圖9A、9B分別為本發(fā)明的應用例二B的兩種全彩面板像素排列與屏蔽墻設計的示意圖。
圖10為本發(fā)明的應用例二C的像素結構與屏蔽墻設計的示意圖。
圖11為本發(fā)明的應用例二C的全彩面板像素排列與屏蔽墻設計的示意圖。
圖12為本發(fā)明的應用例二D的像素結構與屏蔽墻設計的示意圖。
圖13為本發(fā)明的應用例二D的全彩面板像素排列與屏蔽墻設計的示意圖。
圖14A、14B為本發(fā)明第三應用例的兩種像素結構與屏蔽墻設計的示意圖。
圖15A、15B分別為依照本發(fā)明應用例三的圖14A、14B所完成的全彩面板像素排列與屏蔽墻設計的示意圖。
圖16為本發(fā)明第四應用例的像素結構與屏蔽墻設計的示意圖。
圖17為依照本發(fā)明第四應用例的全彩面板像素排列與屏蔽墻設計的示意圖。
圖18為依照本發(fā)明第五應用例的全彩面板像素排列與屏蔽墻設計的示意圖。
簡單符號說明10基板12第一電極13第一共同層15第二共同層16第二電極11A、11B、41A、41B、51A、81A、96A屏蔽墻的第一部份11c、51B、81B、96B屏蔽墻的第二部分51C、96C屏蔽墻的第三部分21、22、98屏蔽墻101紅色次像素區(qū)域102綠色次像素區(qū)域103藍色次像素區(qū)域141紅色發(fā)光層142綠色發(fā)光層143藍色發(fā)光層161A、161B相鄰子像素的第一區(qū)域162相鄰子像素的第二區(qū)域
171第一蒸鍍方向172第二蒸鍍方向173第三蒸鍍方向θ1第一傾斜角θ2第二傾斜角θ3第三傾斜角具體實施方式
本發(fā)明提出一種全彩有機電致發(fā)光顯示面板及其制造方法，主要是在像素結構中形成屏蔽墻(shadow wall)圖案，并利用三個具有獨立蒸鍍方向和蒸鍍角度的色彩蒸鍍源(如RGB蒸鍍源)，與該屏蔽墻圖案相配合，使三個色彩發(fā)光層(如RGB發(fā)光層)可分別且單一地蒸鍍于三個色彩發(fā)光區(qū)域之上，而不會有不同色互相覆蓋(包括不同色彩層上下重疊、或是單一發(fā)光層中具有兩種光色材料)的情形產(chǎn)生。
圖1A～1C，其繪示依照本發(fā)明優(yōu)選實施例的全彩有機電致發(fā)光顯示面板的制造方法。圖1A～1C的圖標重點在于RGB三發(fā)光層的獨立蒸鍍，對第一電極、第一共同層、第二共同層與第二電極，皆省略未明確標示。圖2為依照圖1A～1C所制作的單一像素結構的上視圖。圖3為依照本發(fā)明優(yōu)選實施例的全彩有機電致發(fā)光顯示面板的單一像素的剖面示意圖。
在此實施例中，三個相鄰的子像素組成一個像素，且具有至少一個第一區(qū)域(例如紅色次像素區(qū)域101)、至少一個第二區(qū)域(例如綠色次像素區(qū)域102)及至少一個第三區(qū)域(例如藍色次像素區(qū)域103)。而屏蔽墻，環(huán)繞于三相鄰的子像素的周圍，包括呈L型的第一部份11A、11B和線型的第二部分11C。其中，呈L型的第一部份11A、11B分別設置于紅色次像素區(qū)域101和藍色次像素區(qū)域103的一側(cè)。第二部份11C，分別設置于紅色次像素區(qū)域101及藍色次像素區(qū)域103的另一側(cè)，且分別對應于呈L型的第一部份11A、11B的短邊。
請同時參照圖1A～1C、圖2和圖3。首先，提供基板10，并形成第一電極12于基板10上。接著，形成多個屏蔽墻，例如呈L型的第一部份11A、11B和線型的第二部分11C于第一電極12上，并形成至少一個第一共同層(first common layer)13于第一電極12上。然后，參照圖1A～1C(僅標示出RGB發(fā)光層于第一電極上的形成)，形成多個第一色彩次像素(如紅色次像素)、多個第二色彩次像素(如綠色次像素)和多個第三色彩次像素(如藍色次像素)，于第一共同層13上。
形成色彩次像素的方法包括提供至少一個第一色彩蒸鍍源(evaporationsource)、至少一個第二色彩蒸鍍源和至少一個第三色彩蒸鍍源，通過第一色彩蒸鍍源、第二色彩蒸鍍源和第三色彩蒸鍍源獨立的蒸鍍傾斜方向和蒸鍍角度與屏蔽墻相配合，將至少一個第一色彩發(fā)光層、至少一個第二色彩發(fā)光層、至少一個第三色彩發(fā)光層個別地蒸鍍于對應相同光色的第一電極12的上方。
如圖1A所示，提供具有第一蒸鍍方向171的至少一個第一色彩蒸鍍源(未顯示)，例如紅色蒸鍍源，且第一蒸鍍方向171與第一共同層13的表面呈第一傾斜角θ1，且第一蒸鍍方向171可到達紅色次像素區(qū)域101，以形成第一色彩發(fā)光層，例如紅色發(fā)光層141。其中，屏蔽墻L型的第一部份11B的高度則與第一傾斜角θ1相對應。而之后的藍色發(fā)光層和綠色發(fā)光層則預定形成于圖1A中的區(qū)域19、20內(nèi)。
接著，如圖1B所示，提供具有第三蒸鍍方向173的至少一個第三色彩蒸鍍源(未顯示)，例如藍色蒸鍍源，且第三蒸鍍方向173與第一共同層13的表面呈第三傾斜角θ3，且第三蒸鍍方向173可到達藍色次像素區(qū)域103，以形成第三色彩發(fā)光層，例如藍色發(fā)光層143。其中，屏蔽墻L型的第一部份11A的高度則與第三傾斜角θ3相對應。
之后，如圖1C所示，提供具有第二蒸鍍方向172的至少一個第二色彩蒸鍍源(未顯示)，例如綠色蒸鍍源，且第二蒸鍍方向172與第一共同層13的表面呈第二傾斜角θ2，且第二蒸鍍方向172可到達綠色次像素區(qū)域102，以形成第二色彩發(fā)光層，例如綠色發(fā)光層142。對于綠色次像素區(qū)域102來說，兩側(cè)有屏蔽墻，因此可形成綠色發(fā)光層142；而對于藍色次像素區(qū)域103來說，屏蔽墻的第一部份11B可防止綠色蒸鍍源在藍色發(fā)光層143上方再次地形成綠色發(fā)光層，而是在接近屏蔽墻的第二部份11C處才會形成部分綠色發(fā)光層142’，由于此區(qū)域為非發(fā)光區(qū)，故不會造成影響。
值得注意的是，屏蔽墻(包括11A、11B、11C)的位置與第一色彩蒸鍍源、第二色彩蒸鍍源和第三色彩蒸鍍源的位置對應，屏蔽墻的高度與第一傾斜角θ1、第二傾斜角θ2和第三傾斜角θ3對應，以在各像素區(qū)域內(nèi)定義出至少一個第一色彩次像素區(qū)域(如紅色次像素區(qū)域101)、至少一個第二色彩次像素區(qū)域(如綠色次像素區(qū)域102)和至少一個第三色彩次像素區(qū)域(如藍色次像素區(qū)域103)，務必使RGB的蒸鍍區(qū)域僅覆蓋住所對應發(fā)相同光色的第一電極，而不會覆蓋到其它光色的第一電極。第一傾斜角θ1、該第二傾斜角θ2和該第三傾斜角θ3的角度例如是約20度至80度，優(yōu)選的角度約為30度至70度。屏蔽墻的高度大致上為10微米(μm)至500微米(μm)，優(yōu)選的高度約為20微米(μm)至100微米(μm)，視面板的像素密度大小而定。屏蔽墻的優(yōu)選的寬度大致上約為高度的30％至100％。
另外，第一蒸鍍方向171、第二蒸鍍方向172和第三蒸鍍方向173兩兩之間于基板10上的投影分別具有第一夾角θ12、第二夾角θ23及第三夾角θ31(未顯示)，且大致上約為大于或等于90度。
在形成各色彩發(fā)光層之后，接著形成至少一個第二共同層15，以覆蓋該多個第一色彩發(fā)光層(如紅色發(fā)光層141)、該多個第二色彩發(fā)光層(如綠色發(fā)光層142)和該多個第三色彩發(fā)光層(如藍色發(fā)光層143)。最后，形成第二電極16于第二共同層15上，如圖3所示。
綜上，本發(fā)明的屏蔽墻設計可在不需使用屏蔽(mask free)與不改變OELD的RGB的原先元件結構的情形下，確保各色彩發(fā)光層在各子像素區(qū)域中不會相互覆蓋，制作出沒有混光缺點、光色純度高的全彩有機電致發(fā)光顯示面板。再者，由于屏蔽墻的特殊設計，可使第一色彩發(fā)光層(如紅色發(fā)光層141)、第二色彩發(fā)光層(如綠色發(fā)光層142)和第三色彩發(fā)光層(如藍色發(fā)光層143)在第一共同層13上依次形成。
在實際應用時，屏蔽墻可隨全彩有機電致發(fā)光顯示面板(簡稱全彩面板)的像素結構與排列的不同，而設置在適當?shù)奈恢?。以下第一～第五應用例，根?jù)全彩面板各種不同的像素排列與屏蔽墻設計，提出詳細說明。然而，這些應用例并不會限縮本發(fā)明欲保護的范圍。本發(fā)明的技術并不限于應用例中所敘述的模式。另外，在繪制圖標時省略不必要的元件，以清楚顯示本發(fā)明的應用例。
第一應用例圖4為本發(fā)明第一應用例的像素結構與屏蔽墻設計的示意圖。在此應用例中，三個相鄰的子像素組成一個像素，且具有至少一個第一區(qū)域(例如紅色次像素區(qū)域101)、至少一個第二區(qū)域(例如綠色次像素區(qū)域102)及至少一個第三區(qū)域(例如藍色次像素區(qū)域103)。而屏蔽墻包括L型部份41A和41B，分別設置在紅色次像素區(qū)域101和藍色次像素區(qū)域103的一側(cè)。接著，依次提供第一色彩蒸鍍源(如紅色蒸鍍源)、第二色彩蒸鍍源(如綠色蒸鍍源)和第三色彩蒸鍍源(如藍色蒸鍍源)。
第一色彩蒸鍍源(如紅色蒸鍍源)、第二色彩蒸鍍源(如綠色蒸鍍源)和第三色彩蒸鍍源(如藍色蒸鍍源)的第一蒸鍍方向171、第二蒸鍍方向172和第三蒸鍍方向173分別與基板表面呈第一傾斜角θ1、第二傾斜角θ2和第三傾斜角θ3(請參考實施例中圖1A～1C和圖3及相關說明)。
屏蔽墻41A和41B的位置與第一色彩蒸鍍源(如紅色蒸鍍源)、第二色彩蒸鍍源(如綠色蒸鍍源)和第三色彩蒸鍍源(如藍色蒸鍍源)的位置對應，且屏蔽墻41A和41B的高度與該第一傾斜角θ1、該第二傾斜角θ2和第三傾斜角θ3對應，以在各該像素區(qū)域內(nèi)定義出至少一個第一色彩次像素區(qū)域(如紅色次像素區(qū)域101)、至少一個第二色彩次像素區(qū)域(如綠色次像素區(qū)域102)和至少一個第三色彩次像素區(qū)域(如藍色次像素區(qū)域103)。而第一蒸鍍方向171、第二蒸鍍方向172和第三蒸鍍方向173分別到達各該像素區(qū)域內(nèi)的第一色彩次像素區(qū)域(如紅色次像素區(qū)域101)、第二色彩次像素區(qū)域(如綠色次像素區(qū)域102)和第三色彩次像素區(qū)域(如藍色次像素區(qū)域103)內(nèi)，以分別形成第一色彩發(fā)光層(如紅色發(fā)光層141)、第二色彩發(fā)光層(如綠色發(fā)光層142)和第三色彩發(fā)光層(如藍色發(fā)光層143)。
圖5A～5C分別為本發(fā)明第一應用例的第一、二、三種全彩面板像素排列與屏蔽墻設計的示意圖。圖5A～5C亦分別為條狀(stripe)、馬賽克(mosaic)和三角形(delta)(或是稱為triangle)的RGB次像素排列方式。
值得注意的是，當圖4的像素結構與屏蔽墻重復地形成條狀像素排列時(如圖5A所示)，原先圖4中屏蔽墻的L型部份41A、41B的短邊，亦等同于圖2中線型的第二部分11C。
應用第一應用例的像素結構與屏蔽墻設計，可在不需使用屏蔽(mask free)與不改變RGB的原先形成方法的情形下，使各色彩發(fā)光層在各子像素區(qū)域中可單一且獨立地形成，不會有相互覆蓋和混光的缺點。
第二應用例在第二應用例中，主要是將屏蔽墻設計和兩個相鄰的子像素相配合。以下應用例二A～二D分別揭露四個可應用的屏蔽墻設計。
應用例二A
圖6為本發(fā)明的應用例二A的像素結構與屏蔽墻設計的示意圖。每一個像素具有至少二個第一區(qū)域(first portion)161A、161B及至少一個第二區(qū)域162。屏蔽墻具有至少一個第一部份(呈U字形)51A及至少二第二部份(呈直線形)51B，其中第一部份51A分別對應設置于第一區(qū)域161A、161B的一側(cè)，而第二部份51B分別對應設置于第二區(qū)域162的二側(cè)。接著，依次提供第一色彩蒸鍍源(如紅色蒸鍍源)、第二色彩蒸鍍源(如綠色蒸鍍源)和第三色彩蒸鍍源(如藍色蒸鍍源)。
同樣地，第一色彩蒸鍍源(如紅色蒸鍍源)、第二色彩蒸鍍源(如綠色蒸鍍源)和第三色彩蒸鍍源(如藍色蒸鍍源)的第一蒸鍍方向171、第二蒸鍍方向172和第三蒸鍍方向173亦分別與基板表面呈適當?shù)膬A斜角，以在第一區(qū)域161A中形成第一色彩發(fā)光層(如紅色發(fā)光層141)，在第二區(qū)域162中形成第二色彩發(fā)光層(如綠色發(fā)光層142)，在第一區(qū)域161B中形成第三色彩發(fā)光層(如藍色發(fā)光層143)。
圖7A、7B則分別為本發(fā)明的應用例二A的兩種全彩面板像素排列與屏蔽墻設計的示意圖。依照應用例二A的像素結構與屏蔽墻設計，可在不需使用屏蔽(mask free)與不改變OELD的RGB的原先元件結構的情形下，使各色彩發(fā)光層在各子像素區(qū)域中可單一且獨立地形成，不會有相互覆蓋和混光的缺點。
應用例二R圖8為本發(fā)明的應用例二B的像素結構與屏蔽墻設計的示意圖。每一個像素亦具有至少二個第一區(qū)域(first portion)161A、161B及至少一個第二區(qū)域162。與應用例二A不同的是應用例二B中屏蔽墻具有呈U字形的第一部份81A及呈直線形的二個第二部份81B。其中第一部份81A分別對應設置于第一區(qū)域161A、161B的一側(cè)，而第二部份81B分別對應設置于第二區(qū)域162的二側(cè)。接著，依次或同時提供第一色彩蒸鍍源(如紅色蒸鍍源)、第二色彩蒸鍍源(如綠色蒸鍍源)和第三色彩蒸鍍源(如藍色蒸鍍源)。
同樣地，第一色彩蒸鍍源(如紅色蒸鍍源)、第二色彩蒸鍍源(如綠色蒸鍍源)和第三色彩蒸鍍源(如藍色蒸鍍源)的第一蒸鍍方向171、第二蒸鍍方向172和第三蒸鍍方向173亦分別與基板表面呈適當?shù)膬A斜角，以在第一區(qū)域161A中形成第一色彩發(fā)光層(如紅色發(fā)光層141)，在第二區(qū)域162中形成第二色彩發(fā)光層(如綠色發(fā)光層142)，在第一區(qū)域161B中形成第三色彩發(fā)光層(如藍色發(fā)光層143)。另外，因配合屏蔽墻的位置，應用例二A和應用例二B的第二蒸鍍方向172亦不相同。
圖9A、9B則分別為本發(fā)明的應用例二B的兩種全彩面板像素排列與屏蔽墻設計的示意圖。依照應用例二B的像素結構與屏蔽墻設計，同樣地可在不需使用屏蔽(mask free)與不改變OELD的RGB的原先元件結構的情形下，使各色彩發(fā)光層在各子像素區(qū)域中可單一且獨立地形成，不會有相互覆蓋和混光的缺點。
應用例二C圖10為本發(fā)明的應用例二C的像素結構與屏蔽墻設計的示意圖。在應用例二C中，采用應用例二A和二B的像素結構與屏蔽墻設計，因此，圖10中的左上圖案即為圖6，右上圖案則為圖8上下顛倒后的圖形。
圖11則為本發(fā)明的應用例二C的全彩面板像素排列與屏蔽墻設計的示意圖。將圖10中兩個圖形左右并排后，形成一單元，在重復排列后即為圖11的圖形。
依照應用例二C的像素結構與屏蔽墻設計，同樣地可在不需使用屏蔽與不改變0ELD的RGB的原先元件結構的情形下，使各色彩發(fā)光層在各子像素區(qū)域中可單一且獨立地形成，不會有相互覆蓋和混光的缺點。
應用例二D圖12為本發(fā)明的應用例二D的像素結構與屏蔽墻設計的示意圖。圖12中包含RGB發(fā)光區(qū)域近乎上下對稱的兩個像素。在應用例二D中，變化應用例二A的像素結構與屏蔽墻設計，因此，圖12中的上方圖案即為圖6的變化(屏蔽墻之間沒有連接)，下方圖案則為圖6上下顛倒后的圖形。因此，圖12的屏蔽墻包括呈U字形的第一部份51A、呈直線形的二第二部份51B及第三部份51C。其中，第一部份51A分別對應設置于第一區(qū)域161A、161B的一側(cè)；第二部份51B分別對應設置于第二區(qū)域162的二側(cè)；第三部份51C則設置于第一區(qū)域161A、161B的另一側(cè)，并在重復排列后與第一部分51A相連接(如圖13所示)。
圖13為本發(fā)明的應用例二D的全彩面板像素排列與屏蔽墻設計的示意圖。其中，將圖12重復排列后即為圖13的圖形。依照應用例二D的像素結構與屏蔽墻設計，同樣地可在不需使用屏蔽與不改變OELD的RGB的原先元件結構的情形下，使各色彩發(fā)光層在各子像素區(qū)域中可單一且獨立地形成，不會有相互覆蓋和混光的缺點。
第三應用例圖14A、14B為本發(fā)明第三應用例的兩種像素結構與屏蔽墻設計的示意圖。在此應用例中，三個相鄰的子像素組成一個像素，包括第一區(qū)域(例如紅色次像素區(qū)域101)、第二區(qū)域(例如綠色次像素區(qū)域102)及第三區(qū)域(例如藍色次像素區(qū)域103)。
在圖14A中，屏蔽墻21環(huán)繞于三個相鄰的子像素的周圍。在圖14B中，屏蔽墻22設置于三相鄰的子像素的兩兩之間。之后，依次提供第一色彩蒸鍍源(如紅色蒸鍍源)、第二色彩蒸鍍源(如綠色蒸鍍源)和第三色彩蒸鍍源(如藍色蒸鍍源)。
同樣地，第一色彩蒸鍍源(如紅色蒸鍍源)、第二色彩蒸鍍源(如綠色蒸鍍源)和第三色彩蒸鍍源(如藍色蒸鍍源)的第一蒸鍍方向171、第二蒸鍍方向172和第三蒸鍍方向173亦分別與基板表面呈適當?shù)膬A斜角，以在第一區(qū)域(例如紅色次像素區(qū)域101)中形成第一色彩發(fā)光層(如紅色發(fā)光層141)，在第二區(qū)域(例如綠色次像素區(qū)域102)中形成第二色彩發(fā)光層(如綠色發(fā)光層142)，在第三區(qū)域(例如藍色次像素區(qū)域103)中形成第三色彩發(fā)光層(如藍色發(fā)光層143)。
圖15A、15B則分別為依照本發(fā)明應用例三的圖14A、14B所完成的全彩面板像素排列與屏蔽墻設計的示意圖。依照應用例三的像素結構與屏蔽墻設計，同樣地可在不需使用屏蔽(mask free)與不改變OELD的RGB的原先元件結構的情形下，使各色彩發(fā)光層在各子像素區(qū)域中可單一且獨立地形成，不會有相互覆蓋和混光的缺點。
第四應用例圖16為本發(fā)明第四應用例的像素結構與屏蔽墻設計的示意圖。虛線部分代表一個像素，而發(fā)出相同光色的四個發(fā)光層則形成同一色彩的次像素區(qū)域，包括第一區(qū)域(例如紅色次像素區(qū)域101)、第二區(qū)域(例如綠色次像素區(qū)域102)及第三區(qū)域(例如藍色次像素區(qū)域103)。第四應用例的屏蔽墻包括第一部份(呈U字形)96A、第二部份(呈直線形)96B和第三部分96C。其中，第一部份96A分別對應設置于紅色次像素區(qū)域101和綠色次像素區(qū)域102的一側(cè)；第二部份96B對應設置于藍色次像素區(qū)域103的兩側(cè)；第三部分96C則設置在紅色次像素區(qū)域101和綠色次像素區(qū)域102的另一側(cè)，并連接第一部份96A與第二部份96B。接著，依次提供第一色彩蒸鍍源(如紅色蒸鍍源)、第二色彩蒸鍍源(如綠色蒸鍍源)和第三色彩蒸鍍源(如藍色蒸鍍源)。
同樣地，第一色彩蒸鍍源(如紅色蒸鍍源)、第二色彩蒸鍍源(如綠色蒸鍍源)和第三色彩蒸鍍源(如藍色蒸鍍源)的第一蒸鍍方向171、第二蒸鍍方向172和第三蒸鍍方向173亦分別與基板表面呈適當?shù)膬A斜角，以在第一區(qū)域(例如紅色次像素區(qū)域101)中形成第一色彩發(fā)光層(如紅色發(fā)光層141)，在第二區(qū)域(例如綠色次像素區(qū)域102)中形成第二色彩發(fā)光層(如綠色發(fā)光層142)，在第三區(qū)域(例如藍色次像素區(qū)域103)中形成第三色彩發(fā)光層(如藍色發(fā)光層143)。
圖17為依照本發(fā)明第四應用例的全彩面板像素排列與屏蔽墻設計的示意圖。依照第四應用例的像素結構與屏蔽墻設計，同樣可在不需使用屏蔽(mask free)與不改變OELD的RGB的原先元件結構的情形下，使各色彩發(fā)光層在各子像素區(qū)域中可單一且獨立地形成，不會有相互覆蓋和混光的缺點。
第五應用例圖18為依照本發(fā)明第五應用例的全彩面板像素排列與屏蔽墻設計的示意圖。在此應用例中，三個相鄰的子像素組成一個像素，包括第一區(qū)域(例如紅色次像素區(qū)域101)、第二區(qū)域(例如綠色次像素區(qū)域102)及第三區(qū)域(例如藍色次像素區(qū)域103)。而屏蔽墻98環(huán)繞于三相鄰的子像素的其中二子像素的周圍；如圖18所示，屏蔽墻98環(huán)繞紅色次像素區(qū)域101和綠色次像素區(qū)域102。接著，依次提供第一色彩蒸鍍源(如紅色蒸鍍源)、第二色彩蒸鍍源(如綠色蒸鍍源)和第三色彩蒸鍍源(如藍色蒸鍍源)，以分別形成第一色彩發(fā)光層(如紅色發(fā)光層141)、第二色彩發(fā)光層(如綠色發(fā)光層142)、和第三色彩發(fā)光層(如藍色發(fā)光層143)。
依照第五應用例的像素結構與屏蔽墻設計，同樣可在不需使用屏蔽與不改變OELD的RGB的原先元件結構的情形下，使各色彩發(fā)光層在各子像素區(qū)域中可單一且獨立地形成，不會有相互覆蓋和混光的缺點。
綜上所述，雖然本發(fā)明以優(yōu)選實施例揭露如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，本領域的技術人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍應當以權利要求所界定者為準。
權利要求
1.一種像素結構，適用于全彩有機電致發(fā)光顯示面板，該像素結構具有多個子像素，該多個子像素包含至少一個第一電極，形成于基板上；至少一個第一共同層，形成于該第一電極上；至少一個屏蔽墻，形成于該第一電極的周圍；多個發(fā)光層，分別形成于對應的各該子像素的該第一共同層上；其中，各該發(fā)光層于各該第一電極之上不會互相覆蓋；至少一個第二共同層，形成于該多個發(fā)光層上；以及至少一個第二電極，形成于該第二共同層上。
2.如權利要求1所述的像素結構，其中各像素具有至少二個第一區(qū)域及至少一個第二區(qū)域。
3.如權利要求2所述的像素結構，其中該屏蔽墻具有至少一個第一部份及至少二個第二部份，該第一部份分別對應設置于該多個第一區(qū)域的一側(cè)，該多個第二部份分別對應設置于該第二區(qū)域的二側(cè)。
4.如權利要求2所述的像素結構，其中該屏蔽墻，還包括至少一個第三部份，設置于該多個第一區(qū)域的另一側(cè)，且與該第一部份相連。
5.如權利要求2所述的像素結構，其中該屏蔽墻，還包括至少一個第三部份，設置于該多個第一區(qū)域的另一側(cè)，且與該第一部份及該多個第二部份相連。
6.如權利要求1所述的像素結構，其中各該三個相鄰的子像素組成像素。
7.如權利要求6所述的像素結構，其中該屏蔽墻環(huán)繞于各該三個相鄰的子像素的周圍。
8.如權利要求6所述的像素結構，其中該屏蔽墻設置于各該三個相鄰的子像素的兩兩之間。
9.如權利要求1所述的像素結構，其中該三個相鄰的子像素具有至少一個第一區(qū)域、至少一個第二區(qū)域及至少一個第三區(qū)域。
10.如權利要求9所述的像素結構，其中該屏蔽墻具有至少二個L型的第一部份、至少二個第二部份，該多個L型的第一部份，分別設置于該第一區(qū)域及該第三區(qū)域的一側(cè)，該多個第二部份，分別設置于該第一區(qū)域及該第三區(qū)域的另一側(cè)，且分別對應于該多個L型的第一部份的短邊。
11.如權利要求9所述的像素結構，其中該屏蔽墻環(huán)繞于各該三個相鄰的子像素的其中二個子像素的周圍。
12.如權利要求1所述的像素結構，其中該屏蔽墻的高度大致上約為10微米至500微米。
13.如權利要求12所述的像素結構，其中該屏蔽墻的寬度大致上約為高度的30％至100％。
14.一種全彩有機電致發(fā)光顯示面板的制造方法，該方法包括形成第一電極于基板上；形成多個屏蔽墻于該第一電極上；形成至少一個第一共同層于該第一電極上；形成多個第一色彩次像素、多個第二色彩次像素和多個第三色彩次像素，于該第一共同層上，包括提供至少一個第一色彩蒸鍍源、至少一個第二色彩蒸鍍源和至少一個第三色彩蒸鍍源，通過該第一色彩蒸鍍源、該第二色彩蒸鍍源和該第三色彩蒸鍍源獨立的蒸鍍傾斜方向和蒸鍍角度與該多個屏蔽墻相配合，將至少一個第一色彩發(fā)光層、至少一個第二色彩發(fā)光層、至少一個第三色彩發(fā)光層個別地蒸鍍于對應相同光色的該第一電極的上方；形成至少一個第二共同層，覆蓋該多個第一色彩次像素、該多個第二色彩次像素和該多個第三色彩次像素；以及形成第二電極于該第二共同層上。
15.如權利要求14所述的制造方法，其中該基板上具有多個像素區(qū)域，且各該像素區(qū)域由至少一個第一色彩次像素、至少一個第二色彩次像素和至少一個第三色彩次像素所組成。
16.如權利要求14所述的制造方法，其中該第一色彩蒸鍍源、該第二色彩蒸鍍源和該第三色彩蒸鍍源的該第一蒸鍍方向、該第二蒸鍍方向和該第三蒸鍍方向分別與該基板的表面呈第一傾斜角θ1、第二傾斜角θ2和第三傾斜角θ3。
17.如權利要求16所述的制造方法，其中該第一傾斜角θ1、該第二傾斜角θ2和該第三傾斜角θ3的角度范圍約為20度至80度。
18.如權利要求16所述的制造方法，其中該第一傾斜角θ1、該第二傾斜角θ2和該第三傾斜角θ3的角度范圍約為30度至70度。
19.如權利要求16所述的制造方法，其中該多個屏蔽墻的位置與該第一色彩蒸鍍源、該第二色彩蒸鍍源和該第三色彩蒸鍍源的位置對應，該多個屏蔽墻的高度與該第一傾斜角θ1、該第一傾斜角θ2和該第三傾斜角θ3對應，以在各該像素區(qū)域內(nèi)定義出至少一個第一色彩次像素區(qū)域、至少一個第二色彩次像素區(qū)域和至少一個第三色彩次像素區(qū)域。
20.如權利要求19所述的制造方法，其中該第一蒸鍍方向、該第二蒸鍍方向和該第三蒸鍍方向分別到達各該像素區(qū)域內(nèi)的該第一色彩次像素區(qū)域、該第二色彩次像素區(qū)域和該第三色彩次像素區(qū)域內(nèi)，以分別形成多個第一色彩發(fā)光層、多個第二色彩發(fā)光層和多個第三色彩發(fā)光層。
21.如權利要求14所述的制造方法，其中該第一蒸鍍方向、該第二蒸鍍方向和該第三蒸鍍方向兩兩之間于該基板上的投影分別具有第一夾角θ12、第二夾角θ23及第三夾角θ31。
22.如權利要求21所述的制造方法，其中該第一夾角θ12、該第二夾角θ23及該第三夾角θ31大致上大于或等于90度。
23.如權利要求14所述的制造方法，其中形成該屏蔽墻的高度大致上約為10微米至500微米。
24.如權利要求14所述的制造方法，其中形成該屏蔽墻的寬度大致上約為高度的30％至100％。
全文摘要
一種全彩有機電致發(fā)光顯示面板的像素結構，具有多個子像素，該多個子像素包含至少一個第一電極，形成于基板上；至少一個第一共同層，形成于第一電極上；至少一個屏蔽墻，形成于第一電極的周圍；多個發(fā)光層，分別形成于對應的各該子像素的第一共同層上；其中，各該發(fā)光層于各該第一電極之上不會互相覆蓋；至少一個第二共同層，形成于該多個發(fā)光層上；以及至少一個第二電極，形成于第二共同層上。制作時，提供第一、二、三色彩蒸鍍源，其獨立的蒸鍍傾斜方向和蒸鍍角度與屏蔽墻的高度和位置相配合，以將第一、二、三色彩發(fā)光層個別地蒸鍍于第一電極的上方。
文檔編號H05B33/10GK1874000SQ20061009085
公開日2006年12月6日 申請日期2006年6月26日 優(yōu)先權日2006年6月26日
發(fā)明者趙清煙, 陳哲仁 申請人:友達光電股份有限公司