專利名稱：自發(fā)光面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及自發(fā)光面板及其制造方法。
背景技術(shù)：
以有機EL(Electroluminescence電致發(fā)光)面板為代表的自發(fā)光面板對于便攜電話、薄形電視、信息終端等的顯示器就不用說了，還期待著應(yīng)用于車載用功能顯示，例如速度表等儀表盤和電氣化產(chǎn)品的功能顯示部、薄膜狀顯示器，以及應(yīng)用于室外引導(dǎo)顯示或照明，并且正積極地進(jìn)行開發(fā)/研究。
這種自發(fā)光面板是在基板上配置多個或單個自發(fā)光元件而形成的，作為自發(fā)光元件，除了有機EL元件以外，還可列舉出LED(Light Emitting Diode發(fā)光二極管)、FED(Field EmissionDisplay場致發(fā)光顯示器)等發(fā)光元件。
自發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)以有機EL元件為例，具有在陽極(空穴注入電極)和陰極(電子注入電極)之間夾入有機層(包含發(fā)光層，由低分子或高分子有機材料構(gòu)成的層)的結(jié)構(gòu)，通過向陽極和陰極的兩電極間施加電壓，使從陽極注入/輸送到有機層內(nèi)的空穴和從陰極注入/輸送到有機層內(nèi)的電子再結(jié)合，通過在該有機層(發(fā)光層)內(nèi)的再結(jié)合獲得所期望的發(fā)光。
在這種自發(fā)光面板中，為了維持自發(fā)光元件的發(fā)光特性，一般采用將自發(fā)光元件與外部氣體遮斷的密封結(jié)構(gòu)。特別是在有機EL面板中，由于將有機層和電極暴露在外部氣體中的水分和氧氣中時，有機EL元件的發(fā)光特性劣化，因而設(shè)置將有機EL元件與外部氣體遮斷的密封手段在當(dāng)前的開發(fā)階段是不可缺少的。
作為有機EL面板的密封結(jié)構(gòu)，一般采用使金屬制或玻璃制的密封構(gòu)件和形成有有機EL元件的基板貼合，并在有機EL元件的周圍形成可配備干燥劑的密封空間的結(jié)構(gòu)，然而如所研究的那樣，對于面板的進(jìn)一步薄形化和基板上的有機EL元件，采用從與基板相反側(cè)取出光的頂部發(fā)光方式，開發(fā)出直接使用密封材料覆蓋基板上的有機EL元件的結(jié)構(gòu)。
在下述專利文獻(xiàn)1中，如圖1(a)所示，示出了使用阻擋層J12和其上所層疊的聚合物層J13一重或多重覆蓋基體J10上的顯示裝置J11的密封結(jié)構(gòu)。這里，作為阻擋層J12，假定包含有金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物、金屬氮氧化物、金屬硼氧化物及其組合。并且，作為聚合物層J13，假定由含丙烯酸酯單體、低聚物或者樹脂構(gòu)成。
而且，在下述專利文獻(xiàn)2中，如圖1(b)所示，描述了在玻璃基板J20上形成由透明電極、空穴輸送層、發(fā)光層以及金屬陰極構(gòu)成的有機EL元件J21，并使用保護層J22覆蓋該有機EL元件J21的密封結(jié)構(gòu)。這里，示出了保護層J22為絕緣層J22a和金屬層J22b的多層結(jié)構(gòu)。
專利文獻(xiàn)1日本特表2003-532260號公報專利文獻(xiàn)2日本特開平10-275680號公報在前述專利文獻(xiàn)1所述的現(xiàn)有技術(shù)中，由于在形成于基板上的元件上直接形成阻擋層，因而阻擋層形成時的應(yīng)力被施加給元件表面，產(chǎn)生的問題是，元件發(fā)生變形而導(dǎo)致功能下降，或者為了減緩應(yīng)力而使形成手段、形成工序等受到制約。并且，通常，由于在元件表面上因TFT元件和絕緣膜、絕緣間隔壁等的影響而形成凹凸，因而當(dāng)在該表面上直接形成阻擋層時，會形成膜厚薄的部分，或者根據(jù)情況形成針孔，從而產(chǎn)生不能獲得充分的阻擋性能的問題。
并且，如前述專利文獻(xiàn)2所示，即使在元件表面形成絕緣膜并在其上形成金屬膜的情況下，對于該現(xiàn)有技術(shù)所示的絕緣膜，也不能確保充分的膜厚，因而元件表面的凹凸導(dǎo)致的影響使金屬膜的膜厚變得不均勻，與前述專利文獻(xiàn)1所述一樣具有不能獲得充分的阻擋性能的問題。
并且，在形成金屬膜的情況下，由于必須考慮使金屬膜不與形成在基板上的電極配線接觸，因而在絕緣膜的端緣a1、a2(參照圖1(b))處形成沒有被金屬膜覆蓋的非阻擋區(qū)域，具有不能避免從該區(qū)域進(jìn)入水分的問題。
特別是，在如專利文獻(xiàn)2所示形成了絕緣膜和金屬膜的多重結(jié)構(gòu)的情況下，在各絕緣膜的端部側(cè)面a1、a2處分別形成有前述的非阻擋區(qū)域，假設(shè)在第1層的金屬膜內(nèi)存在針孔的情況下，形成箭頭所示的從側(cè)方的水分進(jìn)入路徑，產(chǎn)生即使特意采用多重結(jié)構(gòu)，也不能有效提高阻擋性能的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明把應(yīng)對這種問題作為課題的一例。即，本發(fā)明的目的是在可以通過沒有形成密封空間的密封結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)面板的進(jìn)一步薄形化的自發(fā)光面板中，使阻擋層形成時的應(yīng)力不被施加給元件，可避免由應(yīng)力變形引起的功能下降，并且可消除元件表面的凹凸影響以確保充分的阻擋性能，可通過阻擋層的多重結(jié)構(gòu)化可靠地提高阻擋性能等。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的自發(fā)光面板及其制造方法至少具有以下各獨立權(quán)利要求所述的結(jié)構(gòu)。
一種自發(fā)光面板，形成在基板上排列了單個或多個自發(fā)光元件的自發(fā)光元件部，并具有密封該自發(fā)光元件部的密封結(jié)構(gòu)，其特征在于，前述密封結(jié)構(gòu)至少具有覆蓋前述自發(fā)光元件部的上部和側(cè)部的第1緩沖層，形成在該第1緩沖層上的第1阻擋層，覆蓋該第1阻擋層并覆蓋前述第1緩沖層的端緣的第2緩沖層，以及形成在該第2緩沖層上以覆蓋前述第1阻擋層和該第1阻擋層的端緣的第2阻擋層。
一種自發(fā)光面板的制造方法，形成在基板上排列了單個或多個自發(fā)光元件的自發(fā)光元件部，并具有密封該自發(fā)光元件部的密封工序，其特征在于，前述密封工序?qū)⒕哂姓辰庸δ艿木彌_層和具有水分遮斷功能的阻擋層層疊而形成的薄膜貼附在前述基板上，以便覆蓋前述自發(fā)光元件部，由此形成密封結(jié)構(gòu)，該密封結(jié)構(gòu)至少具有覆蓋前述自發(fā)光元件部的上部和側(cè)部的第1緩沖層，形成在該第1緩沖層上的第1阻擋層，覆蓋該第1阻擋層并覆蓋前述第1緩沖層的端緣的第2緩沖層，以及形成在該第2緩沖層上以覆蓋前述第1阻擋層和該第1阻擋層的端緣的第2阻擋層。
一種自發(fā)光面板的制造方法，形成在基板上排列了單個或多個自發(fā)光元件的自發(fā)光元件部，并具有密封該自發(fā)光元件部的密封工序，其特征在于，前述密封工序在前述基板上形成具有粘接功能的緩沖層和具有水分遮斷功能的阻擋層，以便覆蓋前述自發(fā)光元件部，由此形成密封結(jié)構(gòu)，該密封結(jié)構(gòu)至少具有覆蓋前述自發(fā)光元件部的上部和側(cè)部的第1緩沖層，形成在該第1緩沖層上的第1阻擋層，覆蓋該第1阻擋層并覆蓋前述第1緩沖層的端緣的第2緩沖層，以及形成在該第2緩沖層上以覆蓋前述第1阻擋層和該第1阻擋層的端緣的第2阻擋層。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)的說明圖。
圖2是表示本發(fā)明的一個實施方式的自發(fā)光面板的說明圖。
圖3是表示本發(fā)明的實施方式的自發(fā)光面板的端部結(jié)構(gòu)的說明圖。
圖4是對本發(fā)明的實施方式的自發(fā)光面板的制造方法進(jìn)行說明的說明圖。
圖5是對本發(fā)明的實施方式的自發(fā)光面板的制造方法進(jìn)行說明的說明圖。
圖6是對本發(fā)明的實施方式的自發(fā)光面板的制造方法進(jìn)行說明的說明圖。
符號說明1自發(fā)光面板；2自發(fā)光元件部；3密封結(jié)構(gòu)；10基板；20自發(fā)光元件21TFT元件；22平坦化膜；23下部電極；24絕緣膜；25發(fā)光功能層 26上部電極；27引出電極；30、32緩沖層；31、33阻擋層；30a、31a端緣；T錐形端部；N非阻擋區(qū)域；3F1、3F2、3F薄膜具體實施方式
以下，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進(jìn)行說明。圖2是表示本發(fā)明的一個實施方式的自發(fā)光面板的說明圖。對于自發(fā)光面板1，形成在基板10上排列了單個或多個自發(fā)光元件的自發(fā)光元件部2，并具有密封該自發(fā)光元件部2的密封結(jié)構(gòu)3。
然后，該密封結(jié)構(gòu)3至少具有覆蓋自發(fā)光元件部2的上部和側(cè)部的第1緩沖層30，形成在該第1緩沖層30上的第1阻擋層31，覆蓋該第1阻擋層31并覆蓋第1緩沖層的端緣的第2緩沖層32，以及形成在第2緩沖層32上以覆蓋第1阻擋層31和第1阻擋層31的端緣的第2阻擋層33。
這里，示出了緩沖層30/阻擋層31和緩沖層32/阻擋層33的二重結(jié)構(gòu)的示例，然而也能進(jìn)行更多重結(jié)構(gòu)化。即，在該情況下，采用具有覆蓋下層的阻擋層31并覆蓋下層的緩沖層30的端緣的上層的緩沖層32、以及形成在上層的緩沖層32上以覆蓋下層的阻擋層31和該下層的阻擋層31的端緣的上層的阻擋層33的結(jié)構(gòu)，可采用3重結(jié)構(gòu)或4重結(jié)構(gòu)、甚至更多重結(jié)構(gòu)。在任何一種情況下，上層側(cè)的阻擋層形成為覆蓋下層側(cè)的阻擋層的端緣部，采用上層側(cè)的阻擋層的覆蓋區(qū)域比下層側(cè)的阻擋層的覆蓋區(qū)域廣的結(jié)構(gòu)。
作為本發(fā)明的實施方式中的緩沖層30、32，可采用主要具有粘接功能的緩沖層，并且具有使底層的凹凸平坦化的功能的緩沖層，具體地說，可采用由高分子材料構(gòu)成的粘接材料層。如果列舉材料例，可示例出環(huán)氧樹脂、丙烯酸類樹脂、硅樹脂等光固型、熱固型、二液固化型、熱可塑性樹脂；聚酰亞胺；聚脲；含丙烯酸酯的聚合物等。但對此不作特別限定。
并且，本發(fā)明的實施方式中的阻擋層31、33例如是由金屬或金屬化合物或者非金屬材料構(gòu)成的水分遮斷層，對材料進(jìn)行示例，可列舉出鋁、不銹鋼等金屬；氧化鋁、氧化鈦、氧化錫等氧化金屬；氮化鋁、氮化硅等氮化金屬；或者玻璃、陶瓷材料等非金屬化合物。
本發(fā)明的實施方式中的密封結(jié)構(gòu)的一個特征是，沒有直接在自發(fā)光元件部2上形成用于確保密封性的阻擋層31、33。這樣，可避免由阻擋層形成時的應(yīng)力附加而產(chǎn)生的自發(fā)光元件的功能下降。并且，通過夾入緩沖層30、32，可使自發(fā)光元件部2上存在的凹凸平坦化，因而可使在其上形成的阻擋層31、33形成為均勻的膜厚。這樣，由于可避免因局部的薄厚部或針孔而使阻擋功能下降，因而可確保高密封性。
并且，本發(fā)明的實施方式中的密封結(jié)構(gòu)的特征在于進(jìn)行了多重結(jié)構(gòu)化時的端部結(jié)構(gòu)。圖3是示出了本發(fā)明的實施方式的自發(fā)光面板的端部結(jié)構(gòu)的說明圖。這里，示出了針對形成有作為自發(fā)光元件部2的一個構(gòu)成要素的自發(fā)光元件20的端部，形成第1緩沖層30、第1阻擋層31、第2緩沖層32以及第2阻擋層33的狀態(tài)。
作為自發(fā)光元件20，例如，在形成于基板10上的TFT元件21上形成具有連接孔22A的平坦化膜22，在其上，對每一個自發(fā)光元件20進(jìn)行圖形化來形成下部電極23以便通過連接孔22A與TFT元件21連接，然后使用絕緣膜24對該下部電極23的周圍進(jìn)行限定，在由該絕緣膜24所限定的開口內(nèi)的下部電極23上形成發(fā)光功能層25，并在其上形成上部電極26，并且形成引出電極27，以便與上部電極連接。
當(dāng)由這種自發(fā)光元件20構(gòu)成的自發(fā)光元件部2的端部被緩沖層30和阻擋層31覆蓋時，在阻擋層31為具有導(dǎo)電性的膜(金屬膜等)的情況下，由于必須避免與形成在基板10上的引出電極27接觸，因而阻擋層31的端緣31a與基板10非接觸，在緩沖層30的端緣30a處形成非阻擋區(qū)域N。然后，在多重層疊這種緩沖層30和阻擋層31的情況下，當(dāng)這種非阻擋區(qū)域N采用單獨地與外部氣體接觸的結(jié)構(gòu)時，像現(xiàn)有技術(shù)那樣不能有效發(fā)揮因多重結(jié)構(gòu)化而使阻擋性提高的效果。
因此，在本發(fā)明的實施方式中，形成第2緩沖層32，以便覆蓋第1阻擋層31并覆蓋第1緩沖層的端緣30a，另外，使形成在第2緩沖層32上的第2阻擋層33形成在稍廣的覆蓋區(qū)域內(nèi)，以便覆蓋第1阻擋層31和第1阻擋層31的端緣31a。即，如圖3所示，當(dāng)?shù)?阻擋層31覆蓋S1的區(qū)域時，第2阻擋層33覆蓋比其更廣的S2的區(qū)域。
這樣，由于在形成第1阻擋層31時所產(chǎn)生的非阻擋區(qū)域N被其上所形成的緩沖層32和阻擋層33覆蓋，因而在進(jìn)行了多重結(jié)構(gòu)化的情況下所產(chǎn)生的非阻擋區(qū)域僅限于基于最上層的阻擋層33的區(qū)域，可有效提高基于多重結(jié)構(gòu)化的阻擋性。此時，如果把阻擋層的最上層設(shè)定為由絕緣材料構(gòu)成的水分遮斷層，并使該層的端緣與基板10緊密接合，則可消除接觸外部氣體的非阻擋區(qū)域，因而可通過多重結(jié)構(gòu)化構(gòu)筑阻擋性更高的密封結(jié)構(gòu)。
然后，本發(fā)明的實施方式中的密封結(jié)構(gòu)的另一特征是，前述的緩沖層30、32，特別是第1緩沖層30具有朝向基板10的端部使厚度逐漸變薄的錐形端部T。當(dāng)這樣在緩沖層30的端部形成錐形端部T時，可使其上所形成的阻擋層31以均勻厚度形成到緩沖層30的端緣30a的附近。如果將端部豎直切斷而不在緩沖層30的端部形成錐形端部T，則在端部側(cè)面形成阻擋層31是極其困難的，因而會形成與緩沖層30的厚度相當(dāng)?shù)拇蟮姆亲钃鯀^(qū)域，從而不能確保對水分從側(cè)面進(jìn)入的充分阻擋性。在本發(fā)明的實施方式中，由于存在錐形端部T，因而可把非阻擋區(qū)域抑制到最小限度。
下面，對根據(jù)本發(fā)明的實施方式的自發(fā)光面板的制造方法進(jìn)行說明。圖4是示出該制造方法的一例的說明圖。本發(fā)明的實施方式的自發(fā)光面板的制造方法具有形成在基板10上排列了單個或多個自發(fā)光元件20的自發(fā)光元件部2的元件形成工序S1，以及密封自發(fā)光元件部2的密封工序S2。而且，在該密封工序S2中，作為一例，將具有粘接功能的緩沖層30、32和具有水分遮斷功能的阻擋層31、33層疊而形成的薄膜3F、3F1、3F2貼附在基板10上，以便覆蓋自發(fā)光元件部2，由此形成前述的密封結(jié)構(gòu)。即，此時的密封工序S2具有薄膜貼附工序S11和貼附后的加熱固化工序S12。
根據(jù)圖5對該薄膜貼附工序S11進(jìn)行具體說明。這里，為了形成前述的密封結(jié)構(gòu)，考慮2種方法。一種方法如該圖(a)所示，首先，在基板10上貼附第一張薄膜3F1，以便覆蓋自發(fā)光元件部2。該薄膜3F1是成為粘接層的緩沖層30和經(jīng)薄膜化的金屬箔等構(gòu)成的阻擋層31層疊而形成的。然后，在該貼附后，把第二張薄膜3F2貼附在第一張薄膜3F1上。該薄膜3F2是成為粘接層的緩沖層32和經(jīng)薄膜化的金屬箔等構(gòu)成的阻擋層33層疊而形成的。這里，為了形成前述的端部結(jié)構(gòu)，與第一張薄膜3F1中的阻擋層31的面積相比，增大第二張薄膜3F2中的阻擋層33的面積。
另一種方法如該圖(b)所示，依次層疊第1緩沖層30/第1阻擋層31/第2緩沖層32/第2阻擋層33來預(yù)先形成進(jìn)行了多重結(jié)構(gòu)化的薄膜3F，并將該薄膜3F一次貼附在基板10上，以便覆蓋自發(fā)光元件部2。此時，為了形成前述的端部結(jié)構(gòu)，與下層的阻擋層31的面積相比，增大上層的阻擋層33的面積。
根據(jù)具有這種密封工序S2的制造方法，由于可使用比較簡易的設(shè)備迅速結(jié)束密封工序S2，因而可縮短制造時間，可提高自發(fā)光面板的生產(chǎn)性。而且，可把非阻擋區(qū)域抑制到最小限度來形成進(jìn)行了多重結(jié)構(gòu)化的密封結(jié)構(gòu)。
圖6是示出自發(fā)光面板的制造方法的另一例的說明圖。本發(fā)明的實施方式的自發(fā)光面板的制造方法也與前述一樣，具有形成在基板10上排列了單個或多個自發(fā)光元件20的自發(fā)光元件部2的元件形成工序S1，以及密封自發(fā)光元件部2的密封工序S2。然后，在該密封工序S2中，在基板10上形成緩沖層30、32和阻擋層31、33，以便覆蓋自發(fā)光元件部2，由此形成前述的密封結(jié)構(gòu)。即，此時的密封工序S2重復(fù)緩沖層圖形形成工序S21和阻擋層成膜工序S22，之后實施加熱固化工序S23。
緩沖層圖形形成工序S21例如對涂敷區(qū)域進(jìn)行限定，采用滾涂、旋涂、噴涂等涂敷法，或者采用絲網(wǎng)印刷等印刷法，在自發(fā)光元件部2上的規(guī)定區(qū)域內(nèi)形成由粘接劑層構(gòu)成的緩沖層30。
阻擋層成膜工序S22采用蒸鍍、濺鍍法、CVD法等成膜法，通過使用掩模等限制成膜范圍，形成具有規(guī)定的覆蓋區(qū)域的緩沖層31、33。
根據(jù)具有這種密封工序S2的制造方法，由于在形成緩沖層30之后進(jìn)行阻擋層31的成膜，因而無論采用哪種成膜法形成阻擋層31，都能抑制在自發(fā)光元件部2上的應(yīng)力變形等不良影響。而且，可把非阻擋區(qū)域抑制到最小限度來形成進(jìn)行了多重結(jié)構(gòu)化的密封結(jié)構(gòu)。
另外，在前述說明中，列舉把第1阻擋層31設(shè)定為金屬膜等具有導(dǎo)電性的膜的情況為例，對形成非阻擋層區(qū)域進(jìn)行了說明，然而在使用絕緣膜形成第1阻擋層31的情況下，當(dāng)在形成第1緩沖層30之后形成第1阻擋層31時，難以使第1阻擋層31的端緣31a與基板10緊密接合，與前述情況一樣產(chǎn)生形成非阻擋區(qū)域N(或者水分容易進(jìn)入的非緊密接合部)的問題。因此，前述說明同樣可適用于使用絕緣性的膜形成第1阻擋層31的情況。
以下，示出作為自發(fā)光元件20采用有機EL元件的情況的結(jié)構(gòu)和材料例。
首先，對有機EL元件進(jìn)行說明，有機EL元件一般采用在陽極(空穴注入電極)和陰極(電子注入電極)之間夾入有機EL功能層的結(jié)構(gòu)。通過向兩電極施加電壓，使從陽極注入/輸送到有機EL功能層內(nèi)的空穴和從陰極注入/輸送到有機EL功能層內(nèi)的電子在該層內(nèi)(發(fā)光層)再結(jié)合來獲得發(fā)光。如圖3所示，以下示出在基板10上層疊下部電極23、由有機EL功能層構(gòu)成的發(fā)光功能層25以及上部電極26而形成的有機EL元件(自發(fā)光元件20)的具體結(jié)構(gòu)和材料例。
對于基板10，特別是當(dāng)采用在基板10側(cè)取出光的底部發(fā)光結(jié)構(gòu)的情況下，采用具有透明性的平板狀、薄膜狀的基板，作為材質(zhì)可使用玻璃或塑料。并且，當(dāng)采用在與基板10的相反側(cè)取出光的頂部發(fā)光結(jié)構(gòu)的情況下，對基板10的透明性不作特別要求。
對于下部或上部電極23、26，一個被設(shè)定為陰極，另一個被設(shè)定為陽極。在該情況下，陽極可以使用功函數(shù)高的材料構(gòu)成，可使用鉻(Cr)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鉑(Pt)等金屬膜，或者ITO、IZO等氧化金屬膜等的透明導(dǎo)電膜。而且，陰極可以使用功函數(shù)低的材料構(gòu)成，特別是，可使用堿金屬(Li，Na，K，Rb，Cs)、堿土金屬(Be，Mg，Ca，Sr，Ba)、稀土金屬這樣的功函數(shù)低的金屬、其化合物或者包含它們的合金。并且，在下部電極23和上部電極26全都使用透明材料構(gòu)成的情況下，也能采用在與光放出側(cè)相反的電極側(cè)設(shè)置反射膜的結(jié)構(gòu)。
并且，從上部電極26(或下部電極23)所引出的引出電極27是為了使自發(fā)光面板1和對其進(jìn)行驅(qū)動的IC、驅(qū)動器等驅(qū)動單元連接而設(shè)置的配線電極，優(yōu)選使用Ag、Cr、Al等低電阻金屬材料或它們的合金。
一般情況下，使用ITO、IZO等形成下部電極23和引出電極27，并且采用蒸鍍或濺鍍等方法形成下部電極23和引出電極27用的薄膜，采用光刻法等形成圖形。關(guān)于下部電極23和引出電極27(特別是低電阻化所需要的引出電極)，可采用在前述ITO、IZO等的底層層疊Ag、Ag合金、Al、Cr等低電阻金屬而得到的2層結(jié)構(gòu)，或者進(jìn)一步層疊作為Ag等的保護層的Cu、Cr、Ta等抗氧化性高的材料而得到的3層結(jié)構(gòu)。
作為在下部電極23和上部電極26之間所形成的有機EL功能層(發(fā)光功能層25)，在把下部電極23作為陽極，并把上部電極26作為陰極的情況下，一般是空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層的層疊結(jié)構(gòu)(在把下部電極23作為陰極，并把上部電極26作為陽極的情況下，該層疊順序相反)，然而發(fā)光層、空穴輸送層、電子輸送層的各個層不僅可以通過層疊單層，而且可以通過層疊多層來進(jìn)行設(shè)置，空穴輸送層和電子輸送層可以省略其中任意一層，也可以省略雙層而僅采用發(fā)光層。并且，作為有機EL功能層，可根據(jù)用途插入空穴注入層、電子注入層、空穴阻擋層、電子阻擋層等有機功能層。
有機EL功能層的材料可按照有機EL元件的用途來適當(dāng)選擇。以下進(jìn)行例示，然而不限于此。
作為空穴輸送層，只要具有空穴移動度高的功能即可，作為其材料可從現(xiàn)有的公知化合物中選擇使用任意的化合物。作為具體例，可使用銅酞菁等卟啉化合物、4，4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]-聯(lián)苯(NPB)等芳香族叔胺、4-(二-對甲苯基氨基)-4’-[4-(二-對甲苯基氨基)苯乙烯基]二苯乙烯等茋化合物、三唑衍生物、苯乙烯胺化合物等有機材料。并且，也能使用使低分子的空穴輸送用有機材料分散到聚碳酸酯等高分子中的高分子分散類材料。優(yōu)選的是玻璃化轉(zhuǎn)變溫度比使密封用樹脂加熱固化的溫度高的材料，例如可列舉4，4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]-聯(lián)苯(NPB)。
發(fā)光層可使用公知的發(fā)光材料，作為具體例，可使用4，4’-雙(2，2’-二苯基乙烯基)-聯(lián)苯(DPVBi)等芳香族二次甲基化合物、1，4-雙(2-甲基苯乙烯基)苯等苯乙烯基苯化合物、3-(4-二苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1，2，4-三唑(TAZ)等三唑衍生物、蒽醌衍生物、芴酮衍生物等熒光性有機材料、(8-羥基喹啉)鋁絡(luò)合物(Alq3)等熒光性有機金屬化合物、聚對苯乙烯(PPV)類、聚芴類、聚乙烯咔唑(PVK)類等高分子材料、可利用來自鉑絡(luò)合物和銥絡(luò)合物等三重態(tài)激子的磷光發(fā)光的有機材料(特表2001-520450)?？梢詢H由上述發(fā)光材料構(gòu)成，也可以含有空穴輸送材料、電子輸送材料、添加劑(施體、受體等)或者發(fā)光性摻雜劑等。并且，可以將它們分散到高分子材料或無機材料中。
電子輸送層只要具有把從陰極所注入的電子傳遞到發(fā)光層的功能即可，作為其材料可從現(xiàn)有的公知化合物中選擇使用任意的化合物。作為具體例，可使用硝基取代的芴酮衍生物、蒽醌二甲烷衍生物等有機材料、8-羥基喹啉衍生物的金屬絡(luò)合物、金屬酞菁等。
上述的空穴輸送層、發(fā)光層、電子輸送層可使用旋涂法、浸漬法等涂布法，噴墨法、絲網(wǎng)印刷法等印刷法等的濕制法，或者蒸鍍法、后述的激光轉(zhuǎn)印法等的干制法形成。
而且，由自發(fā)光元件20構(gòu)成的自發(fā)光元件部2可以形成單一有機EL元件，也可以具有期望的圖形結(jié)構(gòu)來構(gòu)成多個像素。在后一情況下，該顯示方式可以是單色發(fā)光，也可以是2色以上的多色發(fā)光，特別是為了實現(xiàn)多色發(fā)光的有機EL面板，可使用以下方式進(jìn)行，即包含形成與RGB對應(yīng)的3種發(fā)光功能層的方式在內(nèi)的形成2色以上的發(fā)光功能層的方式(分涂方式)；使濾色器或基于熒光材料的色變換層與白色或藍(lán)色等的單色發(fā)光功能層組合的方式(CF方式，CCM方式)；把電磁波照射到單色發(fā)光功能層的發(fā)光區(qū)域上等來實現(xiàn)多個發(fā)光的方式(光漂白方式)；以及使不同發(fā)光色的低分子有機材料預(yù)先在不同薄膜上成膜，通過激光的熱轉(zhuǎn)印來轉(zhuǎn)印到一個基板上的激光轉(zhuǎn)印方式等。
并且，關(guān)于本發(fā)明的實施方式的自發(fā)光面板1，有機EL元件的光取出方式可以是從基板10側(cè)取出光的底部發(fā)光方式，也可以是從與基板10側(cè)的相反側(cè)(上部電極4側(cè))取出光的頂部發(fā)光方式。并且，自發(fā)光元件20(有機EL元件)的驅(qū)動方式可以是由前述的TFT元件21所驅(qū)動的有源驅(qū)動方式，或者也可以是無源驅(qū)動方式。
根據(jù)本發(fā)明的上述實施方式，通過采用沒有像以往那樣形成密封空間的密封結(jié)構(gòu)，可實現(xiàn)面板的進(jìn)一步薄形化。并且，由于在自發(fā)光元件部2上不直接形成阻擋層31、33，因而阻擋層形成時的應(yīng)力不施加給自發(fā)光元件20，可避免由應(yīng)力變形引起的自發(fā)光元件20的功能下降。
并且，由于隔著緩沖層30、32形成阻擋層31、33，因而可消除自發(fā)光元件部2表面的凹凸的影響，使阻擋層31、33的膜厚均勻化，可確保充分的阻擋性能。并且，由于可把非阻擋區(qū)域抑制到最小限度，對阻擋層31、33進(jìn)行多重結(jié)構(gòu)化，因而可通過多重結(jié)構(gòu)化可靠地提高阻擋性能。
并且，由于對緩沖層30、32一并進(jìn)行多重結(jié)構(gòu)化，因而即使在自發(fā)光元件部2上施加機械壓力，或者受到銳利的針等的接觸的情況下，也能可靠地保護自發(fā)光元件部2。
權(quán)利要求
1.一種自發(fā)光面板，形成在基板上排列了單個或多個自發(fā)光元件的自發(fā)光元件部，并具有密封該自發(fā)光元件部的密封結(jié)構(gòu)，其特征在于，前述密封結(jié)構(gòu)至少具有覆蓋前述自發(fā)光元件部的上部和側(cè)部的第1緩沖層，形成在該第1緩沖層上的第1阻擋層，覆蓋該第1阻擋層并覆蓋前述第1緩沖層的端緣的第2緩沖層，以及形成在該第2緩沖層上以覆蓋前述第1阻擋層和該第1阻擋層的端緣的第2阻擋層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自發(fā)光面板，其特征在于，具有覆蓋下層的前述阻擋層并覆蓋下層的前述緩沖層的端緣的上層的前述緩沖層，以及形成在該上層的前述緩沖層上以覆蓋下層的前述阻擋層和該下層的前述阻擋層的端緣的上層的前述阻擋層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的自發(fā)光面板，其特征在于，前述第1阻擋層的端緣與前述基板非接觸，在前述第1緩沖層的端緣形成有非阻擋區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中的任意一項所述的自發(fā)光面板，其特征在于，前述緩沖層由使前述自發(fā)光元件部的表面凹凸平坦化的高分子粘接材料層構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中的任意一項所述的自發(fā)光面板，其特征在于，前述緩沖層具有朝向前述基板的端部使厚度逐漸變薄的錐形端部。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中的任意一項所述的自發(fā)光面板，其特征在于，前述阻擋層的至少一層是由金屬或金屬化合物構(gòu)成的水分遮斷層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中的任意一項所述的自發(fā)光面板，其特征在于，前述阻擋層的最上層是由絕緣材料構(gòu)成的水分遮斷層，使該阻擋層的端緣與前述基板緊密接合。
8.一種自發(fā)光面板的制造方法，形成在基板上排列了單個或多個自發(fā)光元件的自發(fā)光元件部，并且實行密封工序從而密封該自發(fā)光元件部，其特征在于，前述密封工序?qū)⒕哂姓辰庸δ艿木彌_層和具有水分遮斷功能的阻擋層層疊而形成的薄膜貼附在前述基板上，以便覆蓋前述自發(fā)光元件部，由此形成密封結(jié)構(gòu)，該密封結(jié)構(gòu)至少具有覆蓋前述自發(fā)光元件部的上部和側(cè)部的第1緩沖層，形成在該第1緩沖層上的第1阻擋層，覆蓋該第1阻擋層并覆蓋前述第1緩沖層的端緣的第2緩沖層，以及形成在該第2緩沖層上以覆蓋前述第1阻擋層和該第1阻擋層的端緣的第2阻擋層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的自發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，在將具有前述第1緩沖層和前述第1阻擋層的第1薄膜貼附在前述自發(fā)光元件部上之后，將具有前述第2緩沖層和前述第2阻擋層的第2薄膜貼附在前述第1薄膜上，從而執(zhí)行前述密封工序。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的自發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，通過將依次層疊前述第1緩沖層、前述第1阻擋層、前述第2緩沖層以及前述第2阻擋層而得到的薄膜貼附在前述自發(fā)光元件部上，執(zhí)行前述密封工序。
11.一種自發(fā)光面板的制造方法，形成在基板上排列了單個或多個自發(fā)光元件的自發(fā)光元件部，并具有密封該自發(fā)光元件部的密封工序，其特征在于，前述密封工序在前述基板上形成具有粘接功能的緩沖層和具有水分遮斷功能的阻擋層，以便覆蓋前述自發(fā)光元件部，由此形成密封結(jié)構(gòu)，該密封結(jié)構(gòu)至少具有覆蓋前述自發(fā)光元件部的上部和側(cè)部的第1緩沖層，形成在該第1緩沖層上的第1阻擋層，覆蓋該第1阻擋層并覆蓋前述第1緩沖層的端緣的第2緩沖層，以及形成在該第2緩沖層上以覆蓋前述第1阻擋層和該第1阻擋層的端緣的第2阻擋層。
全文摘要
自發(fā)光面板及其制造方法。在可以通過沒有形成密封空間的密封結(jié)構(gòu)而實現(xiàn)面板的進(jìn)一步薄形化的自發(fā)光面板中，通過阻擋層的多重結(jié)構(gòu)化可靠地提高阻擋性能。本發(fā)明的自發(fā)光面板(1)形成在基板(10)上排列了單個或多個自發(fā)光元件的自發(fā)光元件部(2)，并具有密封自發(fā)光元件部(2)的密封結(jié)構(gòu)(3)，密封結(jié)構(gòu)(3)具有覆蓋自發(fā)光元件部(2)的上部和側(cè)部的緩沖層(30)，形成在緩沖層(30)上的阻擋層(31)，覆蓋阻擋層(31)并覆蓋緩沖層(30)的端緣的緩沖層(32)，以及形成在緩沖層(32)上以覆蓋阻擋層(31)和阻擋層(31)的端緣的阻擋層(33)。
文檔編號H05B33/10GK1841811SQ20061005706
公開日2006年10月4日 申請日期2006年3月17日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月29日
發(fā)明者免田芳生 申請人:日本東北先鋒公司