專利名稱：有機電致發(fā)光器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光器件，更具體地，涉及上基板和下基板被相互不對稱地接合的有機電致發(fā)光器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
在平板顯示器領(lǐng)域，液晶顯示器(LCD)由于其輕質(zhì)和低功耗而被廣泛使用。但是，LCD是不發(fā)光顯示器，并在亮度、對比、視角和大顯示尺寸方面存在技術(shù)限制。因此，正在積極開發(fā)能夠克服這些缺點的新平板顯示器。
這些新平板顯示器中的一種是有機電致發(fā)光顯示器。有機電致發(fā)光器件是自發(fā)光顯示器，因此，與LCD相比具有高的對比度和寬的視角。此外，由于有機電致發(fā)光器件不需要背光組件，所以其輕質(zhì)且薄。另外，有機電致發(fā)光器件可以降低功耗。
此外，有機電致發(fā)光器件可以利用低的DC電壓來驅(qū)動并具有快速的響應速度。由于有機電致發(fā)光器件的所有元件都由固體材料制成，所以其能夠承受外部沖擊。其還可以在寬溫度范圍內(nèi)使用，并可以低成本地制造。
具體地，有機電致發(fā)光器件可通過淀積和封裝工藝而容易地制造出。因此，制造有機電致發(fā)光器件的裝置和方法比LCD或PDP的簡單。
如果有機電致發(fā)光器件是以有源矩陣形式驅(qū)動的，則即使施加低電流也能獲得均勻的亮度。因此，有機電致發(fā)光器件的優(yōu)點是功耗低、分辨率高和屏幕尺寸大。
圖1是以底部發(fā)光形式工作的現(xiàn)有技術(shù)的有源矩陣有機電致發(fā)光器件(AMOLED)的示意性剖面圖。
如圖1所示，將第一基板10和第二基板30設(shè)置為相互面對。用密封圖案40封裝第一基板10和第二基板30的邊緣部分。在各個子像素單元中的第一基板10的透明基板1上形成有TFT(T)。第一電極12連接到該TFT。在TFT和第一電極12上形成有有機電致發(fā)光層14，并且將其設(shè)置為與第一電極12相對應。有機電致發(fā)光層14包含有呈現(xiàn)紅色、綠色和藍色的發(fā)光材料。在該有機電致發(fā)光層14上形成有第二電極16。
第一電極12和第二電極16用于對有機電致發(fā)光層14施加電場。
第二電極16和第二基板30因為密封圖案40而相互分開預定距離。因此，可以在第二基板30的內(nèi)表面上進一步設(shè)置吸收劑(未示出)和半透明帶(未示出)。吸收劑吸收從外部進入的濕氣，而半透明帶將吸收劑粘附在第二基板30上。
在底部發(fā)光型結(jié)構(gòu)中，當?shù)谝浑姌O12和第二電極16分別為陽極和陰極時，第一電極12由透明導電材料形成，第二電極16由低功函(workfunction)的金屬形成。在這種情況下，有機電致發(fā)光層14包括依次形成在與第一電極12接觸的層上的空穴注入層14a、空穴傳輸層14b、發(fā)光層14c和電子傳輸層14d。
發(fā)光層14c在多個子像素中具有紅色、綠色和藍色濾光器。
類似地，在現(xiàn)有技術(shù)的有機電致發(fā)光器件中，在同一基板上層疊有陣列元件(A)和有機電致發(fā)光二極管(E)。
底部發(fā)光型有機電致發(fā)光器件是通過將形成有陣列元件和有機電致發(fā)光二極管的基板與為封裝而設(shè)置的獨立基板接合而制造出來的。在這種情況下，有機電致發(fā)光器件的合格率取決于陣列元件的合格率與有機電致發(fā)光二極管的合格率的乘積。因此，整個工藝的合格率很大程度上受限于后續(xù)工藝，即，形成有機電致發(fā)光二極管的工藝。例如，即使形成了優(yōu)良的陣列元件，但是如果在利用厚度約為1000的薄膜形成有機電致發(fā)光層時外部顆?；蚱渌蛩貙е铝巳毕荩瑒t相應有機電致發(fā)光器件也是次品級。
因此，引起了制造無缺陷陣列元件過程中所用的每一筆費用和材料成本的浪費，這導致合格率下降。
此外，底部發(fā)光型有機電致發(fā)光器件由于封裝而具有高的穩(wěn)定性和高的自由度，但孔徑比卻有限。因此，難以將底部發(fā)光型有機電致發(fā)光器件應用于高分辨率的產(chǎn)品。同時，在頂部發(fā)光型有機電致發(fā)光器件的情況下，TFT的設(shè)計是容易的，并且孔徑比較高。因此，其在產(chǎn)品使用壽命方面是有優(yōu)勢的。但是，由于將陰極設(shè)置在有機電致發(fā)光層上，所以材料選擇受到限制。結(jié)果，透光率受限且發(fā)光效率下降。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種有機電致發(fā)光器件及其制造方法，其基本上消除了由于現(xiàn)有技術(shù)的局限性和缺點而引起的一個或更多個問題。
本發(fā)明的優(yōu)點是提供了一種有機電致發(fā)光器件及其制造方法，其中第一基板和第二基板的對應像素區(qū)并未被精確對準。相反地，通過在各個基板上設(shè)計的多個導電隔體的位置來將第一基板和第二基板錯開，并將它們相互接合。通過這種方式，隨意設(shè)置導電隔體的位置，以使得可以減小下基板上的TFT的設(shè)計容限。
將在下面的描述中闡述本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點，其部分地通過該描述而明了，或者可以通過對本發(fā)明的實踐而習得。通過在書面描述及其權(quán)利要求以及附圖中所具體指出的結(jié)構(gòu)，可以實現(xiàn)并獲得本發(fā)明的這些目標和其它優(yōu)點。
為了實現(xiàn)這些目標和其它優(yōu)點，并根據(jù)本發(fā)明的目的，如本文所具體實施和廣泛描述的，提供了一種有機電致發(fā)光器件，其包括相互分開預定距離的第一基板和第二基板，在所述基板中限定有多個子像素；陣列元件，具有在各個子像素單元中的所述第一基板的內(nèi)表面上形成的至少一個薄膜晶體管(TFT)；導電隔體，與所述陣列元件的驅(qū)動TFT電連接；用于有機電致發(fā)光二極管的第一電極，布置在所述第二基板的內(nèi)表面上；以及有機電致發(fā)光層和用于所述有機電致發(fā)光二極管的第二電極，它們被依次形成在各個像素單元中的所述第一電極上，其中所述第一基板和所述第二基板錯開預定距離并相互接合，以使得所述導電隔體與設(shè)置在所述第二電極上的導電隔體接觸區(qū)相接觸。
在本發(fā)明的另一方面中，提供了一種制造有機電致發(fā)光器件的方法，該方法包括形成陣列元件，其具有形成在位于子像素單元中的第一基板內(nèi)表面上的至少一個TFT；形成與所述陣列元件的驅(qū)動TFT電連接的導電隔體；在第二基板的內(nèi)表面上形成用于有機電致發(fā)光二極管的第一電極；在位于所述子像素單元中的所述第一電極上依次形成有機電致發(fā)光層和用于所述有機電致發(fā)光二極管的第二電極；以及，使所述第一基板和第二基板錯開預定距離，并將所述第一基板和第二基板相接合，以使得所述導電隔體與設(shè)置在所述第二電極上的導電隔體接觸區(qū)相接觸。
應當理解，本發(fā)明的上述總體描述和以下詳細描述都是示例性和解釋性的，并旨在對權(quán)利要求所限定的本發(fā)明提供進一步的解釋。


附圖對本發(fā)明提供進一步的理解，將其并入并構(gòu)成本申請的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實施例并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。
在這些附圖中圖1是現(xiàn)有技術(shù)的有機電致發(fā)光器件的示意性剖視圖；圖2是雙板型有機電致發(fā)光器件的示意性剖視圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的雙板型有機電致發(fā)光器件的示意性剖視圖；圖4A和4B是示出了圖3中所示的雙板型有機電致發(fā)光器件的第一基板和第二基板的示意性平面圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的雙板型有機電致發(fā)光器件的示意性剖視圖；圖6A和6B是示出了圖5所示的雙板型有機電致發(fā)光器件的第一基板和第二基板的示意性平面圖；并且圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的有機電致發(fā)光器件的制造方法的流程圖。
具體實施例方式
下面具體參照本發(fā)明的實施例，其示例在附圖中示出。只要可能，在所有圖中使用相同的標號來表示相同或相似的部分。
圖2是雙板型有機電致發(fā)光器件的示意性剖視圖。為了便于解釋，圖中只示出了一個像素區(qū)。參照圖2，將第一基板110和第二基板130設(shè)置為相互分開預定距離。在第二基板130的透明基板101的內(nèi)表面上形成有有機電致發(fā)光二極管E。用封裝圖案140封裝第一基板110和第二基板130的邊緣。
有機電致發(fā)光二極管E包括例如用作公共電極的第一電極132、布置在第一電極132下面的子像素邊界處的電極隔離體134、布置在多個電極隔離體134之間的有機電致發(fā)光層136、以及對于各個子像素進行構(gòu)圖的第二電極138。
雖然未示出，但是形成有緩沖層以對有機電致發(fā)光層136進行分隔，并且防止第一電極132和第二電極138由于導電隔體114而短路。
有機電致發(fā)光層136包括依次層疊的第一載流子傳輸層136a、發(fā)光層136b和第二載流子傳輸層136c。第一載流子傳輸層136a和第二載流子傳輸層136c用于將電子或空穴注入發(fā)光層136b或傳輸它們。
通過正電極和負電極的排布來確定第一載流子傳輸層136a和第二載流子傳輸層136c。例如，當發(fā)光層136b由高分子化合物形成并且將第一電極132和第二電極138分別構(gòu)成為正電極和負電極時，與第一電極132相接觸的第一載流子傳輸層136a具有空穴注入層和空穴傳輸層的層疊結(jié)構(gòu)，并且與第二電極138相接觸的第二載流子傳輸層136c具有電子注入層和電子傳輸層的層疊結(jié)構(gòu)。
此外，有機電致發(fā)光層136可以由高分子化合物或低分子化合物形成。當有機電致發(fā)光層136由低分子化合物形成時，其是通過使用汽相淀積工藝形成的。當有機電致發(fā)光層136由高分子化合物形成時，其是通過使用噴墨(inkjet)工藝形成的。
陣列元件120包括TFT。為了將電流供應給有機電致發(fā)光二極管E，在各個子像素單元中的第二電極138與TFT T相連的位置處布置有柱形導電隔體114。
與用于一般LCD的隔體不同，該導電隔體114的主要目的是將兩個基板電連接，而不是保持單元間隙。隔體114位于兩個基板之間的部分具有恒定高度。
導電隔體114將設(shè)置在各個子像素單元中的第一基板上的TFT T的漏極112與設(shè)置在第二基板130上的第二電極138電連接。通過利用金屬對有機絕緣層形成的柱形隔體進行外覆，來形成導電隔體114。導電隔體114使第一基板110和第二基板130的像素以1∶1的對應關(guān)系相接合，以使得電流可以流過。
下面將更詳細地說明導電隔體114和TFT T的連接部分。在覆蓋TFTT的區(qū)域處形成鈍化層124。該鈍化層124包括用來露出一部分漏極112的漏極接觸孔122。這里，TFT T對應于與有機電致發(fā)光二極管E相連的驅(qū)動TFT。
從導電材料中選擇用于導電隔體114的金屬，優(yōu)選地，選擇具有延展性和低電阻率的金屬。
根據(jù)本發(fā)明一個實施例，有機電致發(fā)光器件是從有機電致發(fā)光層136向第二基板130發(fā)光的頂部發(fā)光型。優(yōu)選地，從具有透光性質(zhì)的導電材料中選擇第一電極132，而從不透明金屬材料中選擇第二電極138。
另外，可以由惰性氣體或絕緣液體來填充第一基板110與第二基板130之間的空間I。
雖然圖中未示出，但是陣列元件120還包括掃描線、信號線以及與掃描線交叉并相互分開預定距離的功率線(power line)；布置在掃描線與信號線的交叉處的開關(guān)TFT；以及存儲電容。
在雙板型有機電致發(fā)光器件中，將陣列元件和有機電致發(fā)光二極管設(shè)置在不同的基板上。因此，與將陣列元件和有機電致發(fā)光器件形成在同一基板上的情況不同，有機電致發(fā)光二極管并不受陣列元件的合格率的影響。因此，在各元件的生產(chǎn)管理方面，雙板型有機電致發(fā)光元件具有優(yōu)良特性。
如果在上述情況下以頂部發(fā)光形式來實現(xiàn)屏幕，則可以在不考慮孔徑比的情況下設(shè)計TFT，由此提高了陣列處理的效率。此外，可以生產(chǎn)出具有高孔徑比和高分辨率的產(chǎn)品。由于將有機電致發(fā)光二極管形成為雙板型，所以與現(xiàn)有技術(shù)的頂部發(fā)光型相比，可以更有效地阻隔外部空氣，由此提高了產(chǎn)品的穩(wěn)定性。
此外，由于是在不同基板上形成TFT和有機電致發(fā)光二極管，所以可以有效獲得關(guān)于TFT排列的自由度。由于將有機電致發(fā)光二極管的第一電極形成在透明基板上，所以與現(xiàn)有技術(shù)的將第一電極形成在陣列元件上的結(jié)構(gòu)相比，可以增加關(guān)于第一電極的自由度。
在雙板型有機電致發(fā)光器件中，當有機電致發(fā)光層136由高分子材料形成時，如果導電隔體114與第二基板130接觸的位置在發(fā)光區(qū)(即，形成有機電致發(fā)光層136的區(qū)域)內(nèi)，則會阻礙高分子墨水(high molecularink)的流動。
因此，當有機電致發(fā)光層136由高分子材料形成時，必須將導電隔體114布置在第二基板130上的像素的一個邊緣處。在這種情況下，關(guān)于設(shè)置在第一基板110上的TFT的位置和形狀的設(shè)計受到極大的限制。
參照圖2，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)陣列元件120的設(shè)計，當?shù)谝换?10和第二基板130被精確對準并相互接合時，導電隔體114通常與驅(qū)動TFT T的漏極112相連，并與第二基板130上的發(fā)光區(qū)(即，有機電致發(fā)光層136的區(qū)域)的中間位置接觸。
在圖2所示的雙板型有機電致發(fā)光器件中，很難形成高分子化合物的有機電致發(fā)光層136。
下文中，將參照附圖詳細描述可以解決這些問題的有機電致發(fā)光器件。
圖3是根據(jù)本發(fā)明一實施例的雙板型有機電致發(fā)光器件的示意性剖視圖。為了便于解釋，圖中只示出了一個像素區(qū)。
圖4A和4B是用于說明圖3所示的雙板型有機電致發(fā)光器件的第一基板和第二基板的示意性平面圖。
在根據(jù)本發(fā)明的雙板型有機電致發(fā)光器件中，第一基板和第二基板的對應像素區(qū)未被精確對準。相反地，通過在各個基板上設(shè)計的多個導電隔體的位置來將第一基板和第二基板錯開，并將它們相互接合。通過這種方式，自由設(shè)置導電隔體的位置，以使得可以減小設(shè)置在第一基板上的陣列元件的設(shè)計容限。
如圖3所示，未將具有有機電致發(fā)光二極管E的第二基板330與第一基板310精確對準，而是偏移了預定距離，然后將其不對稱地接合。其目的是使設(shè)計在各個基板上的導電隔體區(qū)域的位置相匹配。
參照圖4A和4B，與現(xiàn)有技術(shù)類似，在像素的中心部分處形成有設(shè)置在第一基板310上的導電隔體114。由于第二基板330的有機電致發(fā)光層136是由高分子材料形成的，所以在子像素的一個邊緣部分處形成有設(shè)置在第二基板330上的導電隔體接觸區(qū)420。
這樣，如果將第一基板310與第二基板330精確對準并相互接合，則形成在第一基板310上的導電隔體114的位置與形成在第二基板330上的導電隔體接觸區(qū)420的位置隨各個子像素而有所不同。
為了解決該問題，現(xiàn)有技術(shù)使用了改變設(shè)置在第一基板上的陣列元件的設(shè)計的方法。與此相反，本發(fā)明將第一基板310和第二基板330偏移預定位置，并將它們非對稱地接合，以使得第一基板310的導電隔體114與第二基板的導電隔體接觸區(qū)420相匹配。因此，可以減少形成在第一基板310上的陣列元件120(即，多個TFT)的設(shè)計容限。
參照圖4B，在各個子像素的上端部分上形成有導電隔體接觸區(qū)420。由此，當?shù)谝换?10與第二基板330相互接合時，第二基板330向左偏移預定距離，如圖3所示。但是，本發(fā)明并不限于這種情況。
圖5是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的雙板型有機電致發(fā)光器件的示意性剖視圖，圖6A和6B是示出了圖5所示的雙板型有機電致發(fā)光器件的第一基板和第二基板的示意性平面圖。為了便于解釋，只示出了一個像素區(qū)。
參照圖6B，在將導電隔體接觸區(qū)620形成于各像素的下端部分處的情況下，將第二基板330向右偏移預定距離，并將其與第一基板310接合，如圖5所示。
圖7是示出了制造根據(jù)本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件的方法的流程圖。
如圖7所示，在步驟ST1中，在第一基板上形成有陣列元件。例如，如果設(shè)置了多晶硅TFT，則陣列元件的形成包括在透明基板上形成緩沖層；在緩沖層上形成半導體層和電容電極；在半導體層上形成柵極、源極和漏極；以及形成布置在電容電極上并且連接到源極的功率電極。
然后，形成導電隔體，作為用于電連接第一基板和第二基板的圖案。導電隔體將設(shè)置在子像素單元中的第一基板上的驅(qū)動TFT的漏極與設(shè)置在第二基板上的第二電極相連。通過利用金屬對有機絕緣層形成的柱形隔體進行外覆來形成導電隔體。導電隔體使第一基板和第二基板的像素以1∶1的對應關(guān)系相接合，以使得電流可以流過。
在本實施例中，將導電隔體形成在設(shè)置于第一基板上的各個子像素的中心部分處。
在步驟ST2，在第二基板上形成第一電極。從而，在不同基板上形成了第一電極和陣列元件。由于將用于有機電致發(fā)光二極管的第一電極直接形成在透明基板上，所以可以使用多種材料，并且可以更容易地進行制造工藝。第一電極是從具有透光性質(zhì)的導電材料中選出的。
在步驟ST3，在第一電極上形成有機電致發(fā)光層。有機電致發(fā)光層包括發(fā)光層和傳輸層。發(fā)光層是由呈現(xiàn)紅色、綠色和藍色的發(fā)光材料形成的，而傳輸層注入并傳輸電子或空穴。有機電致發(fā)光層是由高分子材料形成的。
在有機電致發(fā)光層是由高分子材料形成的情況下，如果導電隔體與第二基板接觸的位置位于發(fā)光區(qū)(即，形成有機電致發(fā)光層的區(qū)域)內(nèi)，則會阻礙高分子墨水的流動。從而，必須將導電隔體接觸區(qū)布置在第二基板上的像素的一個邊緣處。
在步驟ST4中，在有機電致發(fā)光層上形成第二電極。最后，在步驟ST5中，利用導電隔體來電連接第一基板和第二基板，并將其互相接合。
即，使第一基板和第二基板錯開預定距離，以使得導電隔體可以與設(shè)置在第二電極上的導電隔體接觸區(qū)相接觸。
根據(jù)本發(fā)明，生產(chǎn)合格率和生產(chǎn)管理效率得以提高。由于有機電致發(fā)光器件是頂部發(fā)光型，所以TFT的設(shè)計變得容易，并且可以提供高的孔徑比和高的分辨率。此外，由于將用于有機電致發(fā)光二極管的電極形成在基板上，所以可以使用多種材料。另外，由于有機電致發(fā)光器件是頂部發(fā)光型并且具有封裝結(jié)構(gòu)，所以可以提供可靠的產(chǎn)品。
第一基板和第二基板的對應像素區(qū)未被精確對準。相反地，通過在各個基板上設(shè)計的導電隔體的位置使它們錯開，并互相接合。通過這種方式，隨意設(shè)置導電隔體的位置，以使得可以降低下基板上的TFT的設(shè)計容限。
對于本領(lǐng)域技術(shù)人員顯見，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以在本發(fā)明中進行各種修改和變化。因此，本發(fā)明旨在覆蓋那些落入所附權(quán)利要求及其等同物范圍之內(nèi)的本發(fā)明的修改或變型。
本申請要求于2004年4月30日提交的韓國專利申請No.30382的優(yōu)先權(quán)，在此通過引用將其并入如同在本文中進行了完全闡述。
權(quán)利要求
1.一種有機電致發(fā)光器件，包括彼此分開預定距離的第一基板和第二基板，在所述基板內(nèi)限定有多個子像素；陣列元件，具有形成在各個子像素單元中的所述第一基板的內(nèi)表面上的至少一個薄膜晶體管(TFT)；導電隔體，與所述陣列元件的驅(qū)動TFT電連接；用于有機電致發(fā)光二極管的第一電極，布置在所述第二基板的內(nèi)表面上；以及有機電致發(fā)光層和用于所述有機電致發(fā)光二極管的第二電極，被依次形成在各個像素單元中的所述第一電極上，其中所述第一基板與所述第二基板被錯開預定距離，并被相互接合，以使得所述導電隔體與設(shè)置在所述第二電極上的導電隔體接觸區(qū)相接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其中所述導電隔體將所述驅(qū)動TFT的漏極與設(shè)置在所述第二基板上的所述第二電極電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機電致發(fā)光器件，其中所述導電隔體是通過利用金屬來外覆有機絕緣層而形成的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其中所述導電隔體被形成在設(shè)置于所述第一基板上的各個子像素中的預定位置處。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其中所述有機電致發(fā)光層是由高分子材料形成的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其中所述導電隔體接觸區(qū)被形成在各個子像素的邊緣部分處。
7.一種制造有機電致發(fā)光器件的方法，所述方法包括形成陣列元件，所述陣列元件具有形成在子像素單元中的第一基板的內(nèi)表面上的至少一個TFT；形成與所述陣列元件的驅(qū)動TFT電連接的導電隔體；在第二基板的內(nèi)表面上形成用于有機電致發(fā)光二極管的第一電極；在所述子像素單元中的所述第一電極上依次形成有機電致發(fā)光層和用于所述有機電致發(fā)光二極管的第二電極；以及使所述第一基板和第二基板錯開預定距離，并將所述第一基板和第二基板相接合，以使得所述導電隔體與設(shè)置在所述第二電極上的導電隔體接觸區(qū)相接觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其中所述有機電致發(fā)光層是由高分子材料形成的。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其中在所述子像素的邊緣部分處形成所述導電隔體接觸區(qū)。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其中所述導電隔體將所述驅(qū)動TFT的漏極與設(shè)置在所述第二基板上的所述第二電極電連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造方法，其中通過利用金屬外覆有機絕緣層來提供所述導電隔體。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其中在設(shè)置于所述第一基板上的所述子像素中的預定位置處形成所述導電隔體。
全文摘要
有機電致發(fā)光器件及其制造方法。提供了一種有機電致發(fā)光器件。將第一基板和第二基板設(shè)置為相互分開預定距離，并在這些基板中限定有多個子像素。陣列元件具有形成在子像素單元中的第一基板的內(nèi)表面上的至少一個薄膜晶體管(TFT)。導電隔體與陣列元件的驅(qū)動TFT電連接。在第二基板的內(nèi)表面上布置有用于有機電致發(fā)光二極管的第一電極。在子像素單元中的第一電極上依次形成有有機電致發(fā)光層和用于該有機電致發(fā)光二極管的第二電極。使第一基板和第二基板錯開預定位置并相互接合，以使得導電隔體與設(shè)置在第二電極上的導電隔體接觸區(qū)相接觸。
文檔編號H05B33/02GK1694585SQ20051007041
公開日2005年11月9日 申請日期2005年4月30日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月30日
發(fā)明者裵晟埈, 李在允 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社