專(zhuān)利名稱(chēng)：濾波電路裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有濾波元件的濾波電路裝置及其制造方法。
本申請(qǐng)要求2001年12月27日提交的日本專(zhuān)利申請(qǐng)第2001-397677號(hào)的優(yōu)先權(quán)，其整體在此參考引用。
背景技術(shù)：
近來(lái)，在例如無(wú)線LAN或各種通訊終端中采用的微波波段或毫米波波段作為載體的高頻應(yīng)用中，已經(jīng)有了減小設(shè)備的尺寸和厚度的要求。在用于這種高頻應(yīng)用的電路板中，取代采用使用諸如電感和電容的片式元件的集總參數(shù)設(shè)計(jì)(lumped constant design)，而利用能較大地節(jié)約空間的微帶線或帶狀線，來(lái)將諸如低通濾波器(LPF)、高通濾波器(HPF)和帶通濾波器(BPF)的濾波器元件設(shè)計(jì)為具有一分布常數(shù)。
例如，圖1所示的電路板100具有作為濾波元件的平坦結(jié)構(gòu)的BPF 101，該元件被設(shè)計(jì)得具有一分布常數(shù)。在此電路板100中，由鍍有金的銅或鎳制成的導(dǎo)體圖案103在諸如印刷電路板或陶瓷板的介電板102上形成微帶線，由此構(gòu)成BPF 101。在介電板102的整個(gè)背面上形成接地部分(未示出)。
利用這種BPF 101，可以通過(guò)優(yōu)化導(dǎo)體圖案103的形狀來(lái)選擇性傳輸所需頻帶的信號(hào)。由于，此BPF 101為形成在介電板102上的整個(gè)圖案引線的一部分，且具有平坦結(jié)構(gòu)，所以BPF 101可以在將圖案引線形成在介電板102上時(shí)例如通過(guò)印刷工藝、光刻工藝等共同地形成。
在圖1所示電路板100中，由于BPF 101具有平坦結(jié)構(gòu)，且導(dǎo)體圖案103排列成基本為通過(guò)波長(zhǎng)(passing wavelength)λ的1/4的交疊，所以導(dǎo)體圖案103的長(zhǎng)度由通過(guò)波長(zhǎng)λ確定。在電路板100中，導(dǎo)體圖案103需要具有特定的長(zhǎng)度，且難以減小導(dǎo)體圖案103所占的面積。因此，面積的節(jié)約是有限的。
于是，在圖2A至2D所示的電路板100中，提出通過(guò)將BPF 111用作需要更小的占用面積的濾波元件來(lái)節(jié)約面積。此BPF 111具有所謂的三板結(jié)構(gòu)，其為三層結(jié)構(gòu)，其中彼此大致平行布置的諧振器導(dǎo)體圖案114形成在諸如多層印刷電路板的多層板113的內(nèi)部層中。
特別地，在BPF 111中，一對(duì)諧振器線路(resonator line)114具有阻抗梯級(jí)結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，分別地，低阻抗線路(粗線路)115和高阻抗線路(細(xì)線路)116沿縱向在大致中間部分附近彼此相連，饋入引線117與高阻抗線路116的大致中間部分附近的部分相連，如圖2C所示。在此BPF 111中，該對(duì)諧振器線路114夾持在上下兩個(gè)作為接地導(dǎo)體的接地部件118a、118b之間，在諧振器線路114與接地部件118a、118b之間提供有絕緣層112。在此BPF 111中，兩個(gè)接地部件118a、118b通過(guò)環(huán)繞該對(duì)諧振器線路114的通孔119以層間連接的形式彼此相連，且該層中的諧振器線路114通過(guò)接地部件118a、118b和通孔119屏蔽。
在此濾波電路110中，該對(duì)諧振器線路114這樣的構(gòu)造成，即具有大致為通過(guò)波長(zhǎng)λ的1/4的長(zhǎng)度的線路平行布置，然后電容耦合(capacitive-coupled)。由于該對(duì)諧振器線路114具有阻抗梯級(jí)結(jié)構(gòu)，所以平行布置的線路的長(zhǎng)度可以等于或小于通過(guò)波長(zhǎng)λ，且BPF 111的所占面積可以減小以實(shí)現(xiàn)小型化。
在此濾波電路110中，當(dāng)BPF 111以等效電路的形式顯示時(shí)，平行諧振電路是電容耦合的，如圖3所示。具體地，并聯(lián)諧振電路PR1包括連接在兩個(gè)諧振器線路114中的一個(gè)與接地部件118a、118b之間的電容C1和電感L1，并聯(lián)諧振電路PR2包括連接在兩個(gè)諧振器線路114中的另一個(gè)與接地部件118a、118b之間的電容C2和電感L2，PR1和PR2通過(guò)該對(duì)諧振器線路114之間形成的電容C3電容耦合。
在上述濾波電路110中，隨著該對(duì)諧振器線路114的低阻抗線路115與高阻抗線路116之間的阻抗比增加，平行布置的線路可以減少。因此，濾波元件的占用面積可以減小以實(shí)現(xiàn)小型化。具體地，通過(guò)形成遠(yuǎn)比低阻抗線路115細(xì)的高阻抗線路116，可以進(jìn)一步使濾波電路110小型化。
在濾波電路110中，由于通過(guò)諸如電鍍方法的厚膜形成技術(shù)形成的上述諧振器線路114的金屬層用蝕刻工藝等構(gòu)圖，所以難以將高阻抗線路116的厚度減小至0.075mm或更小，于是限制了小型化。
在此濾波電路110中，當(dāng)該對(duì)諧振器線路114的高阻抗線路116的厚度減小至可能的最小水平時(shí)，難以高精度地形成高阻抗線路116，且會(huì)發(fā)生產(chǎn)量的下降和濾波性能的劣化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種新濾波電路裝置及其制造方法，其能解決了如上所述的傳統(tǒng)濾波電路裝置的問(wèn)題。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種濾波性能的下降得以防止且濾波元件所占面積被減少以實(shí)現(xiàn)小型化的濾波電路裝置、及其制造方法。
根據(jù)本發(fā)明的濾波電路裝置包括其中疊置有多個(gè)電路層的電路部分，每個(gè)電路層包括由電介質(zhì)絕緣材料制成的絕緣層和由圖案導(dǎo)體制成的引線層(wiring layer)；以及濾波元件，其中，每一個(gè)均包括設(shè)置在電路層的引線層的一部分中的彼此平行的線路對(duì)的第一濾波線路和第二濾波電路形成在不同的電路層上，使得每一對(duì)的線路在其縱向方向上彼此大致平行，第一濾波線路和第二濾波線路在一端電連接，在該端處，其在電路層的疊置方向上彼此面對(duì)；其中，在該濾波元件中，第一濾波線路通過(guò)薄膜形成技術(shù)形成為具有比第二濾波線路更小的厚度和更小的寬度的高阻抗線路，且第二濾波線路通過(guò)厚膜形成技術(shù)形成為低阻抗線路。
在根據(jù)本發(fā)明的濾波電路裝置中，由于作為濾波元件的高阻抗線路的第一濾波線路通過(guò)薄膜形成技術(shù)形成，以致比通過(guò)厚膜形成技術(shù)形成的作為低阻抗線路的第二濾波線路具有顯著更小的厚度和顯著更小的寬度，所以高阻抗線路和低阻抗線路之間的阻抗比可以增加，且形成在電路層的引線層中的每對(duì)線路的長(zhǎng)度可以顯著減小。
在此濾波電路裝置中，由于濾波元件的高阻抗線路通過(guò)薄膜形成技術(shù)形成，所以高精度地形成比通過(guò)厚膜形成技術(shù)形成高阻抗線路時(shí)具有更小的厚度和更小的尺寸非均勻度的薄線路。
根據(jù)本發(fā)明的制造濾波電路裝置的方法包括形成多個(gè)電路層的電路層形成步驟，每個(gè)電路層包括由電介質(zhì)絕緣材料形成的絕緣層和由圖案導(dǎo)體形成的引線層；形成第一濾波線路的第一線路形成步驟，該第一濾波線路包括設(shè)置在多個(gè)電路層中的一層中的引線層的一部分中的彼此平行的一對(duì)線路；形成第二濾波線路的第二線路形成步驟，該第二濾波線路包括設(shè)置在多個(gè)電路層中的與其中形成有第一濾波線路的電路層不同的另一層中的引線層的一部分中的彼此平行的一對(duì)線路；通過(guò)疊置多個(gè)電路層形成電路部分的電路部分形成步驟；以及疊置電路層時(shí)的元件形成步驟，該步驟疊置第一濾波線路和第二濾波線路，以使其以每一對(duì)的線路在其縱向方向上彼此大致平行的方式彼此面對(duì)，并且該步驟在第一濾波線路和第二濾波線路在電路層的疊置方向上彼此面對(duì)的一端將其電連接，于是形成濾波元件。在根據(jù)本發(fā)明的制造濾波電路裝置的方法中，在第一線路形成步驟中，通過(guò)薄膜形成技術(shù)將第一濾波線路形成為與第二濾波線路相比具有更小的厚度和更小的寬度的高阻抗線路，且在第二線路形成步驟中，第二濾波線路通過(guò)厚膜形成技術(shù)形成為低阻抗線路。
在根據(jù)本發(fā)明制造濾波電路裝置的方法中，由于作為濾波元件的高阻抗線路的第一濾波線路通過(guò)薄膜形成技術(shù)形成，以致于與通過(guò)厚膜形成技術(shù)形成的作為低阻抗線路的第二濾波線路相比具有顯著更小的厚度和顯著更小的寬度，所以高阻抗線路和低阻抗線路之間的阻抗比可以增加，且構(gòu)成濾波元件的每對(duì)線路的長(zhǎng)度可以顯著減小。于是，可以制得進(jìn)一步小型化的濾波電路裝置。
在制造濾波電路裝置的此方法中，由于濾波元件的高阻抗線路通過(guò)薄膜形成技術(shù)形成，所以可以高精度地形成與通過(guò)厚膜形成技術(shù)形成高阻抗線路時(shí)相比具有更小的厚度和更小的尺寸非均勻度的高阻抗線路。因此，高產(chǎn)量地制造具有濾波元件的濾波電路裝置，在該濾波電路裝置中，濾波性能的劣化得以防止。
本發(fā)明的其它目的、以及通過(guò)本發(fā)明獲得的特殊優(yōu)點(diǎn)將通過(guò)以下參照附圖所作的對(duì)實(shí)施例的描述而得以進(jìn)一步闡明。


圖1為示意平面圖，示出具有平坦結(jié)構(gòu)的帶通濾波器的電路板；圖2A至2D示出了具有三板結(jié)構(gòu)的帶通濾波器，圖2A為局部透視縱向截面圖，圖2B為顯示上層的接地部分的平面圖，圖2C為顯示諧振器線路的平面圖，圖2D為顯示下層的接地部分的平面圖；圖3為電路圖，示出三板結(jié)構(gòu)帶通濾波器的等效電路圖；圖4為縱向截面圖，示出根據(jù)本發(fā)明的濾波電路裝置安裝在底板上的狀態(tài)；圖5為局部透視圖，示出構(gòu)成濾波電路裝置的濾波元件；
圖6A至6E顯示了濾波電路裝置中設(shè)置的濾波元件，圖6A為顯示第三接地部分的平面圖，圖6B為顯示第二諧振器線路的平面圖，圖6C為顯示第一接地部分的平面圖，圖6D為顯示第一諧振器線路的平面視圖，圖6E為顯示第二接地部分的平面視圖；圖7為工藝圖，示出制造構(gòu)成濾波電路裝置的第一電路部分的制造工藝；圖8至15順序顯示了制造構(gòu)成濾波電路裝置的第一電路部分的工藝，圖8為顯示芯板的縱向截面圖，圖9為顯示形成第一引線層和第二引線層的狀態(tài)的縱向截面圖，圖10為顯示將第一樹(shù)脂貼附金屬膜和第二樹(shù)脂貼附金屬膜接合到芯板上的狀態(tài)的縱向截面圖，圖11為顯示通孔形成在第一樹(shù)脂貼附金屬膜和第二樹(shù)脂貼附金屬膜中的狀態(tài)的縱向截面圖，圖12為顯示電路部分中間體的縱向截面圖，圖13為顯示將第三樹(shù)脂貼附金屬膜和第四樹(shù)脂貼附金屬膜接合到電路部分中間體上的狀態(tài)的縱向截面圖，圖14為顯示第三樹(shù)脂貼附金屬膜和第四樹(shù)脂貼附金屬膜接合到電路部分中間體上的狀態(tài)的縱向截面圖，圖15為顯示第一電路部分的縱向截面圖；圖16為工藝圖，示出了制造構(gòu)成濾波電路裝置的第二電路部分的工藝；圖17至23順序顯示了制造構(gòu)成濾波電路裝置的第二電路部分的工藝，圖17為顯示第一絕緣層形成在形成表面上的狀態(tài)的縱向截面圖，圖18為顯示金屬膜形成在第一絕緣層上的狀態(tài)的縱向截面圖，圖19為顯示形成第一導(dǎo)體層的狀態(tài)的縱向截面圖，圖20為顯示在第一單元引線層中形成通孔的狀態(tài)的縱向截面圖，圖21為顯示在第一單元引線層上形成第二單元引線層的狀態(tài)的縱向截面圖，圖22為顯示在第二單元引線層上形成第三單元引線層的狀態(tài)的縱向截面圖，圖23為顯示在第一電路部分上形成電路部分的狀態(tài)的縱向截面圖；圖24為縱向截面圖，顯示根據(jù)本發(fā)明的制造濾波電路裝置的工藝，并顯示了形成抗蝕劑層的狀態(tài)；圖25為縱向截面圖，顯示了通過(guò)根據(jù)本發(fā)明的制造方法制造的濾波電路裝置；以及圖26為縱向截面圖，顯示了根據(jù)本發(fā)明的濾波電路裝置安裝在底板上的狀態(tài)。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。
本發(fā)明所應(yīng)用的濾波電路裝置構(gòu)成了用于設(shè)置在便攜式通訊終端裝置等中的發(fā)送/接收單元中、并適于處理高頻信號(hào)的高頻電路。濾波電路裝置1具有第一電路部分2、形成在第一電路部分2的主表面(以下稱(chēng)為形成表面)2a上的第二電路部分3、以及形成為延伸至第一電路部分2和第二電路部分3上的濾波元件4，如圖4和5所示。
在濾波電路裝置1中，第一電路部分2相對(duì)于形成表面2a上形成的第二電路部分3具有電源系統(tǒng)和控制系統(tǒng)的引線部分，并相對(duì)于底板90具有安裝表面2b。在濾波電路裝置1中，諸如半導(dǎo)體芯片、IC(集成電路)芯片或LSI(大規(guī)模集成電路)芯片的半導(dǎo)體元件91安裝在作為第二電路部分3的表面的安裝表面3a上，并且配置屏蔽蓋92來(lái)密封整個(gè)安裝表面3a。
第一電路部分2將芯板5作為其核心，該板為雙面板。芯板5具有多個(gè)樹(shù)脂層和引線層疊置在其兩個(gè)主表面上的結(jié)構(gòu)。在第一電路部分2中，芯板5包括樹(shù)脂層5a和形成在樹(shù)脂層5a的兩個(gè)主表面上的金屬層5b，如圖8所示，其將在以下說(shuō)明。由于這些金屬層5b例如通過(guò)蝕刻工藝構(gòu)圖，所以金屬層中的一層成為第一引線層6，另一層成為第二引線層7。
構(gòu)成芯板5的樹(shù)脂層5a由在低介電常數(shù)下具有低Tanδ，即具有優(yōu)異的高頻特性的電介質(zhì)絕緣材料形成。特別地，樹(shù)脂層5a由聚苯醚(PPE)、雙馬來(lái)酰亞胺三嗪(bismaleidetriazine)(BT-樹(shù)脂)、聚四氟乙烯、聚酰亞胺、液晶聚合物(LCP)、聚降冰片烯(PNB)、陶瓷、或陶瓷與有機(jī)材料的混合物制成。芯板5具有機(jī)械剛性、耐熱性和耐化學(xué)性。例如，可以使用環(huán)氧樹(shù)脂基覆銅板(epoxy-based copper-clad board)FR-5等，其比由上述材料制成的板材更便宜。
設(shè)置在芯板5中的金屬層5b，即第一引線層6和第二引線層7由高電導(dǎo)金屬層制成，諸如Cu。這些引線層通過(guò)厚膜形成技術(shù)，例如電鍍法，形成在樹(shù)脂層的兩個(gè)主表面上，并通過(guò)蝕刻工藝等構(gòu)圖。
在第一電路部分2中，第一樹(shù)脂貼附金屬膜8接合到芯板5的第一引線層6上，第二樹(shù)脂貼附金屬膜9接合到第二引線層7上。第一樹(shù)脂貼附金屬膜8包括樹(shù)脂層8a和金屬膜8b。樹(shù)脂層8a接合為面對(duì)芯板5的第一引線層6，金屬膜8b通過(guò)蝕刻工藝等構(gòu)圖，于是形成第三引線層10，即圖案導(dǎo)體。第二樹(shù)脂貼附金屬膜9包括樹(shù)脂層9a和金屬膜9b。樹(shù)脂層9a接合為面對(duì)芯板5的第二引線層7，且金屬膜9b通過(guò)蝕刻工藝等構(gòu)圖，于是形成第四引線層11，即圖案導(dǎo)體。
第一樹(shù)脂貼附金屬膜8和第二樹(shù)脂貼附金屬膜9的樹(shù)脂層8a、9a由在低介電常數(shù)下具有低Tanδ和優(yōu)異高頻性能的、類(lèi)似芯板的樹(shù)脂層5a的材料制成。構(gòu)成第一樹(shù)脂貼附金屬膜8和第二樹(shù)脂貼附金屬膜9的金屬層8b、9b，即第三引線層10和第四引線層11，由高電導(dǎo)Cu層制成。這些引線層通過(guò)諸如電鍍法的厚膜形成技術(shù)形成在樹(shù)脂層8a和9b的主表面上，并通過(guò)蝕刻工藝等構(gòu)圖。
在第一電路部分2中，樹(shù)脂貼附金屬膜(此處未示出)接合到第一樹(shù)脂貼附金屬膜8的第三引線層10和第二樹(shù)脂貼附金屬膜9的第四引線層11上，使得這些樹(shù)脂貼附金屬膜的樹(shù)脂層一側(cè)面對(duì)引線層。拋光這些樹(shù)脂貼附金屬膜，直到露出第三引線層10和第四引線層11。于是，在第一電路部分2中，樹(shù)脂層掩埋在第三引線層10與第四引線層11的圖案導(dǎo)體之間，且暴露出第三引線層10和第四引線層11的表面得以高精度地平坦化。
第一電路部分2如上所述地構(gòu)造。在此描述中，由于第二電路部分3形成在第三引線層10被高精度平坦化的一側(cè)上，所以暴露出第三引線層10的表面被稱(chēng)為形成表面2a?？蛇x地，第二電路部分3可以形成在第一線路部分2露出第四引線層11的一側(cè)的主表面上。與形成表面2a相對(duì)的主表面，即暴露第四引線層11的一側(cè)的主表面被稱(chēng)為面對(duì)并安裝在底板90上的安裝表面2b。
第二電路部分3具有多個(gè)樹(shù)脂層和引線層疊置在第一電路部分2的形成表面2a上的結(jié)構(gòu)，該表面得以高精度地平坦化。特別地，第二電路部分3具有第一絕緣層12、第一導(dǎo)體層13、第二絕緣層14、第二導(dǎo)體層15、第三絕緣層16和第三導(dǎo)體層17順序疊置在第一電路部分2的形成表面2a上的結(jié)構(gòu)。
在第二電路部分3中，該多個(gè)絕緣層由在低介電常數(shù)下具有低Tanδ和優(yōu)異高頻性能的、類(lèi)似芯板的樹(shù)脂層5a的材料制成。在第二電路部分3中，由諸如Cu的高導(dǎo)電金屬層制成的該多個(gè)導(dǎo)體層通過(guò)諸如濺射法或化學(xué)氣相沉積(CVD)法的薄膜形成技術(shù)分別形成在絕緣層之間，并通過(guò)蝕刻工藝等構(gòu)圖。在第二電路部分3中，用于電連接多個(gè)導(dǎo)體層的多個(gè)通孔18設(shè)置在這些多個(gè)導(dǎo)體層之間，且這些通孔18通過(guò)層間連接來(lái)連接該多個(gè)導(dǎo)體層。
取代采用諸如電感或電容的片式元件的集總參數(shù)設(shè)計(jì)(lumped constantdesign)，濾波元件4在利用微帶線或帶狀線的分布常數(shù)設(shè)計(jì)(distributedconstant design)的基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)。在此濾波元件4中，設(shè)置在第一電路部分2的第三引線層10的一部分中的一對(duì)第一諧振器線路(以下稱(chēng)為第一線路)19a、19b，以及設(shè)置在第二線路部分3中離開(kāi)形成表面2a的第二個(gè)導(dǎo)體層的一部分，即在第二導(dǎo)體層15的一部分中的一對(duì)第二諧振器線路(以下稱(chēng)為第二線路)20a、20b得以疊置，且這些對(duì)線路通過(guò)包括通孔或貫穿孔的連接部分21選擇性連接，如圖5和圖6A至6E所示。
在濾波元件4中，設(shè)置在從電路部分2中的形成表面2a起的第一個(gè)導(dǎo)體層的一部分，即在第一導(dǎo)體層13的一部分中的第一接地部分22設(shè)置在疊置的第一線路19a、19b與第二線路20a、20b之間。此第一接地部分22用作第二線路20a、20b的接地導(dǎo)體。
在濾波元件4中，第一線路19a、19b直線地形成，并布置為彼此基本上平行，使得其在其寬度方向上彼此面對(duì)，如圖6D所示。在濾波元件4中，與第一線路19a、19b相似，第二線路20a、20b直線地形成，并彼此基本平行地布置，使得其在其寬度方向上彼此面對(duì)，如圖6B所示。在濾波元件4中，第二線路20a形成在第一線路19a的正上方，第二線路20b形成在第一線路19b的正上方。在濾波電路裝置1的厚度方向上彼此面對(duì)的線路通過(guò)連接部分21在一端彼此電連接。特別地，如圖6B、6C和6D所示，通過(guò)連接部分21，第一線路19a和第二線路20a在一端連接，第一線路19b和第二線路20b在一端連接。
在濾波元件4中，在該對(duì)第二線路20a、20b上，自第二線路20a、20b的縱向方向上的大致中心部分設(shè)置在與第二線路20a、20b的面對(duì)方向相反的方向上凸出的饋入部分23，如圖6B所示。在第二線路20a、20b上，在第二線路20a、20b與連接部分21相連的一端的相對(duì)的另一端設(shè)置用于連接第一接地部分22的短路通孔24，如圖5所示。
在濾波元件4中，第二接地部分25a形成在第一線路19a、19b的正下方，即在第一電路部分2的第一引線層6的一部分中，第三接地部分25b形成在第二線路20a、20b的正上方，即在第三導(dǎo)體層17的一部分中，該第三導(dǎo)體層是從第二電路部分3中的形成表面2a起的第三個(gè)導(dǎo)體層。在濾波元件4中，包括通孔或貫穿孔的多個(gè)屏蔽部分26形成在第一線路19a、19b以及第二線路20a和20b周?chē)?，該些孔用于在第一接地部?2、第二接地部分25a和第三接地部分25b之間形成電層間連接。于是，在濾波元件4中，第二接地部分25a、第三接地部分25b以及屏蔽部分26屏蔽了第一線路19a、19b和第二線路20a、20b。
特別地，在濾波元件4中，第一線路19a、19b在第三引線層10的一部分中形成為低阻抗線路，使得第一線路19a、19b具有約7mm的長(zhǎng)度、約1mm的寬度、以及大于100μm的厚度，并自第一電路部分2的形成表面2a露出，第一電路部分具有相對(duì)介電常數(shù)約為3.8的電介質(zhì)絕緣材料，并具有約0.7mm的厚度。在此濾波元件4中，第二線路20a、20b在第二絕緣層14上的第二導(dǎo)體層15的一部分中形成為高阻抗線路，使得第二線路20a、20b具有約7mm的長(zhǎng)度、約50μm的寬度、以及小于50μm的厚度，第二絕緣層通過(guò)將具有約2.65的相對(duì)介電常數(shù)的電介質(zhì)絕緣材料沉積至約20μm的厚度而形成。
在上述結(jié)構(gòu)的濾波電路裝置1中，作為濾波元件的高阻抗線路的該對(duì)第二線路20a、20b形成在第二電路部分3的第二導(dǎo)體層15的一部分中，且此第二導(dǎo)體層15通過(guò)諸如濺射法或CVD法的薄膜形成技術(shù)形成。因此，在此濾波電路裝置1中，該對(duì)第二線路20a、20b可以精確地形成為具有比通過(guò)諸如電鍍法的厚膜形成技術(shù)形成的作為低阻抗線路的該對(duì)第一線路19a、19b的厚度小得多的厚度。
在此濾波電路裝置1中，由于濾波元件4中，通過(guò)薄膜形成技術(shù)準(zhǔn)確地形成為具有顯著更小的厚度的該對(duì)第二線路20a、20b與通過(guò)厚膜形成技術(shù)形成的該對(duì)第一線路19a、19b之間的阻抗比可以增加，所以這些對(duì)諧振器線路的長(zhǎng)度可以顯著減小，并實(shí)現(xiàn)小型化。
在此濾波電路裝置1中，由于濾波元件4中該對(duì)薄的第二線路20a、20b通過(guò)薄膜形成技術(shù)形成，所以可以準(zhǔn)確地形成該對(duì)第二線路20a、20b，該對(duì)第二線路與通過(guò)諸如電鍍方法的厚膜形成技術(shù)形成諧振器線路的情形相比，具有明顯更小的厚度和更小的厚度非均勻性。于是，濾波性能的劣化得以防止。
在此濾波電路裝置1中，濾波元件4具有一種結(jié)構(gòu)，其中該對(duì)第一線路19a、19b和該對(duì)第二線路20a、20b經(jīng)由電介質(zhì)絕緣材料疊置起來(lái)，且該些成對(duì)線路在其縱向方向上通過(guò)連接部分21在其一端彼此相連，也就是具有這樣一種結(jié)構(gòu)，其中，一對(duì)諧振器線路在連接部分21處彎曲成將電介質(zhì)絕緣材料夾在其間。
因此，在濾波電路裝置1中，濾波元件4中的第一線路19a、19b以及第二線路20a、20b的長(zhǎng)度可以減小到用于與濾波元件4相同的頻帶的諧振器線路以平面形式形成的情形下一對(duì)諧振器線路的長(zhǎng)度的一半。因此，可以減小濾波元件4所占據(jù)的面積，并實(shí)現(xiàn)小型化。
在此濾波電路裝置1中，由于作為濾波元件4的高阻抗線路的該對(duì)第二線路20a、20b設(shè)置在由電介質(zhì)絕緣材料制成的第二絕緣層14上，該電介質(zhì)絕緣材料具有比形成作為低阻抗線路的第一線路19a、19b的第一電路部分2的更低的相對(duì)介電常數(shù)，所以該些成對(duì)諧振器線路的長(zhǎng)度可以進(jìn)一步減小。
在此濾波電路裝置1中，第一接地部分22設(shè)置在濾波元件4中形成有該對(duì)第一線路19a、19b與該對(duì)第二線路20a、20b的層之間，且第一接地部分22用作該對(duì)第一線路19a、19b與該對(duì)第二線路20a、20b之間的屏蔽。因此，由于成對(duì)諧振導(dǎo)體之間的干擾導(dǎo)致的濾波性能的劣化得以防止。
現(xiàn)在將說(shuō)明制造上述濾波電路裝置的方法。
為了制造濾波電路裝置1，首先形成第一電路部分2。制備第一電路部分2的工藝將參照?qǐng)D7至15闡述。
在第一電路部分制備工藝中，如圖7所示，電路部分中間體32通過(guò)以下步驟制備第一線路層形成步驟s-1，其在芯板5的前后主表面上形成多個(gè)通孔30，穿透第一引線層6、第二引線層7和芯板5；第一樹(shù)脂貼附金屬膜接合步驟s-2，其將第一樹(shù)脂貼附金屬膜8和第二樹(shù)脂貼附金屬膜9接合到芯板5的前和后主表面上；通孔形成步驟s-3，其在樹(shù)脂貼附金屬膜8和9中形成通孔31；以及，第二引線層形成步驟s-4，其在第一樹(shù)脂貼附金屬膜8的金屬層8b中形成第三引線層10，并在第二樹(shù)脂貼附金屬膜9的金屬層9b中形成第四引線層11。
在第一電路部分制備工藝中，第一電路部分2通過(guò)以下步驟制備第二樹(shù)脂貼附金屬膜接合步驟s-5，其將覆蓋第三引線層10的第三樹(shù)脂貼附金屬膜33和覆蓋第四引線層11的第四樹(shù)脂貼附金屬膜34接合到電路部分中間體32上；以及，拋光步驟s-6，其將第三樹(shù)脂貼附金屬膜33和第四樹(shù)脂貼附金屬膜34拋光，形成露出第三引線層10的形成表面2a。
當(dāng)通過(guò)上述工藝制備第一電路部分2時(shí)，制備芯板5，其中由諸如Cu的高電導(dǎo)金屬層制成的金屬層5b通過(guò)電鍍方法等形成在樹(shù)脂層5a的前和后主表面上，如圖8所示。芯板5的樹(shù)脂層5a由具有優(yōu)異高頻特性的電介質(zhì)絕緣材料制成。
接著，在芯板5上進(jìn)行第一引線層形成步驟s-1，如圖9所示。在芯板5中，執(zhí)行利用鉆孔機(jī)、激光等的成孔工藝，以形成多個(gè)通孔30a。在這些通孔30a的內(nèi)壁例如被電鍍，且導(dǎo)電漿料30埋在其中之后，進(jìn)行基于電鍍等的覆蓋層形成。于是用于電連接形成在樹(shù)脂層5a的前后主表面上的金屬層5b的通孔30得以形成。由于通孔30a的孔洞在導(dǎo)電漿料30b埋入通孔30a后通過(guò)電鍍等覆蓋，所以通孔等可以在通孔30上方直接形成。
隨著在形成于芯板5的樹(shù)脂層5a的前后主表面上的金屬層5b上進(jìn)行光刻工藝等，金屬層5b得以構(gòu)圖，以在樹(shù)脂層5a的前后主表面上形成作為圖案導(dǎo)體(pattern conductor)的第一引線層6和第二引線層7。在第一引線層形成步驟s-1中，濾波元件4中的第二接地部分25a與第一引線層6中的其它圖案導(dǎo)體一起形成。
接著，在芯板5上進(jìn)行第一樹(shù)脂貼附金屬膜接合步驟s-2，如圖10所示。向芯板5上接合第一樹(shù)脂貼附金屬膜8，以覆蓋第一引線層6，接合第二樹(shù)脂貼附金屬膜9，以覆蓋第二引線層7。在第一樹(shù)脂貼附金屬膜8和第二樹(shù)脂貼附金屬膜9中，由諸如Cu的高電導(dǎo)金屬制成的金屬膜8b、9b通過(guò)電鍍等形成在樹(shù)脂層8a、9a的整個(gè)一側(cè)主表面上，該樹(shù)脂層由具有優(yōu)異高頻特性的電介質(zhì)絕緣材料制成。第一樹(shù)脂貼附金屬膜8和第二樹(shù)脂貼附金屬膜9例如通過(guò)粘合樹(shù)脂或所謂的預(yù)浸漬樹(shù)脂(prepreg resin)接合到芯板5的第一引線層6和第二引線層7上。如果樹(shù)脂層8a、9a由熱塑性樹(shù)脂制成，則不用預(yù)浸漬樹(shù)脂即可接合第一樹(shù)脂貼附金屬膜8和第二樹(shù)脂貼附金屬膜9。
接著，在第一樹(shù)脂貼附金屬膜8和第二樹(shù)脂貼附金屬膜9上進(jìn)行通孔形成步驟s-3，如圖11所示。在第一樹(shù)脂貼附金屬膜8和第二樹(shù)脂貼附金屬膜9中，與穿透芯板5的通孔30相似地，形成通孔31。特別地，用于電連接第一引線層6與第一樹(shù)脂貼附金屬膜8的金屬膜8b的通孔31a形成在第一樹(shù)脂貼附金屬膜8中，用于電連接第二引線層7與第二樹(shù)脂貼附金屬膜9的金屬膜9b的通孔31b形成在第二樹(shù)脂貼附金屬膜9中。在通孔形成步驟s-3中，與通孔31a相似地，屏蔽通孔26a作為屏蔽部分26的一部分形成在第一樹(shù)脂貼附金屬膜8中，環(huán)繞其中形成有濾波元件4的區(qū)域。
接著，在第一樹(shù)脂貼附金屬膜8和第二樹(shù)脂貼附金屬膜9上進(jìn)行第二引線層形成步驟s-4，如圖12所示。在第一樹(shù)脂貼附金屬膜8和第二樹(shù)脂貼附金屬膜9中，通過(guò)與形成第一引線層6和第二引線層7的工藝相似的工藝形成第三引線層10和第四引線層11。特別地，隨著在金屬膜8b、9b上進(jìn)行光刻工藝等，金屬膜8b、9b得以構(gòu)圖，于是在第一樹(shù)脂貼附金屬膜8的樹(shù)脂層8a上形成作為圖案導(dǎo)體的第三引線層10，在第二樹(shù)脂貼附金屬膜9的樹(shù)脂層9a上形成作為圖案導(dǎo)體的第四引線層11。
在第二引線層形成步驟s-4中，在第三引線層10中，該對(duì)第一線路19a、19b直接在設(shè)置于第一引線層6的一部分中的第二接地部分25a上方與其它圖案導(dǎo)體一同形成。由于該對(duì)第一線路19a、19b設(shè)置在通過(guò)諸如電鍍方法的厚膜形成技術(shù)形成的第三引線層10的一部分中，所以該對(duì)第一線路19a、19b具有超過(guò)100μm的厚度。當(dāng)濾波電路裝置1安裝在底板90上時(shí)，第四引線層11成為從主板供電的電源部分，或成為用作電信號(hào)的輸入/輸出部分的輸入/輸出端子部分35。
接著，在電路部分中間體32上進(jìn)行第二樹(shù)脂貼附金屬膜接合步驟s-5，如圖13和14所示。向電路部分中間體32上，接合第三樹(shù)脂貼附金屬膜33以覆蓋第三引線層10，并接合第四樹(shù)脂貼附金屬膜34以覆蓋第四引線層11。在第三樹(shù)脂貼附金屬膜33和第四樹(shù)脂貼附金屬膜34中，與上述樹(shù)脂貼附金屬膜相似地，由諸如Cu的高電導(dǎo)金屬制成的金屬膜33a、34a通過(guò)電鍍等形成在樹(shù)脂層33b、34b的整個(gè)一側(cè)主表面上，該樹(shù)脂層由具有優(yōu)異高頻特性的電介質(zhì)絕緣材料制成。
第三樹(shù)脂貼附金屬膜33和第四樹(shù)脂貼附金屬膜34通過(guò)第三引線層10和第四引線層11上的預(yù)浸漬樹(shù)脂接合到電路部分中間體32的兩個(gè)主表面上。如果樹(shù)脂層33b、34b由熱塑性樹(shù)脂制成，則不用預(yù)浸漬樹(shù)脂即可接合第三樹(shù)脂貼附金屬膜33和第四樹(shù)脂貼附金屬膜34。
接著，在第三樹(shù)脂貼附金屬膜33和第四樹(shù)脂貼附金屬膜34上進(jìn)行拋光步驟s-6，如圖15所示。第三樹(shù)脂貼附金屬膜33和第四樹(shù)脂貼附金屬膜34的具有金屬膜33a、34a的整個(gè)主表面通過(guò)例如由氧化鋁和氧化硅的混合物制成的拋光劑(polisher)拋光。
特別地，在第三樹(shù)脂貼附金屬膜33上進(jìn)行拋光，直到露出第三引線層10為止。在第四樹(shù)脂貼附金屬膜34上進(jìn)行拋光以將樹(shù)脂層34b留至預(yù)定厚度Δx，而不露出第四引線層11。于是，在露出第三引線層10的表面上，樹(shù)脂層33b埋在圖案導(dǎo)體之間，形成高精度平坦化的形成表面2a。在上述方式中，制備第一電路部分2，其中濾波元件4的第一線路19a、19b形成在形成表面2a上。在此第一電路部分2中，具有約3.8的較高相對(duì)介電常數(shù)的電介質(zhì)絕緣材料用于每個(gè)樹(shù)脂層。
在此第一電路部分2中，將在第二電路部分制備工藝中在第三引線層10上形成第二電路部分3，這將在以下描述。由于第二電路部分3防止了第三引線層10受到化學(xué)、機(jī)械和熱負(fù)載，所以樹(shù)脂層33b被拋光直到露出第三引線層10為止。在上述結(jié)構(gòu)的第一電路部分2中，第三引線層10在第二電路部分制備工藝中構(gòu)成了用于電源系統(tǒng)的引線部分、用于控制系統(tǒng)的引線部分或相對(duì)于第二電路部分3的接地部分，這將在以下說(shuō)明。
在上述結(jié)構(gòu)的第一電路部分2中，通過(guò)剩下的樹(shù)脂層34b防止了第四引線層11在第二電路部分制備工藝中受到化學(xué)、機(jī)械和熱負(fù)載，這將在以下說(shuō)明。在第一電路部分2中，隨著上述樹(shù)脂層34b在形成第二電路部分3后被切割和去除，露出了第四引線層11以構(gòu)成輸入/輸出端子部分35。
在上述第一電路部分制備工藝中，由于與制備多層板的傳統(tǒng)工藝相似的工藝被用作制備電路部分中間體32的工藝，所以可以如原來(lái)那樣使用多層板制備工藝，并實(shí)現(xiàn)高的產(chǎn)率。第一電路部分制備工藝不限于上述工藝，可以采用各種傳統(tǒng)多層板制備工藝。
現(xiàn)在將參照?qǐng)D16至22詳細(xì)說(shuō)明制備第二電路部分3的工藝。如圖16所示，第二電路制備工藝包括以下步驟第一絕緣層形成步驟s-7，其在第一電路部分2的形成表面2a上形成第一絕緣層12；第一導(dǎo)體層形成步驟s-8，其在第一絕緣層12的表面上形成第一導(dǎo)體層13；以及，通孔形成步驟s-9，其在包括第一絕緣層12和第一導(dǎo)體層1 3的第一單元引線層36中形成通孔18。
在第二電路部分制備工藝中，第二電路部分3通過(guò)以下步驟制備第二單元引線層形成步驟s-10，其在第一單元引線層36上形成包括第二絕緣層14和第二導(dǎo)體層15的第二單元引線層37；以及，第三單元引線層形成步驟s-11，其在第二單元引線層37上形成包括第三絕緣層16和第三導(dǎo)體層17的第三單元引線層38。
在通過(guò)上述工藝制備第二電路部分3的過(guò)程中，首先在第一電路部分2的形成表面2a上進(jìn)行第一絕緣層形成步驟s-7，如圖17所示。在第一電路部分2的整個(gè)形成表面2a上，形成由電介質(zhì)絕緣材料制成的第一絕緣層12，該電介質(zhì)絕緣材料具有低介電常數(shù)下的低Tanδ，并具有優(yōu)異的高頻特性。形成第一絕緣層12的電介質(zhì)絕緣材料例如可以是苯并環(huán)丁烯(BCB)、聚酰亞胺、聚降冰片烯(PNB)、液晶聚合物(LCP)、環(huán)氧樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂等。在此說(shuō)明中，第一絕緣層12由具有約2.65的低相對(duì)介電常數(shù)的電介質(zhì)絕緣材料制成。形成第一絕緣層12的方法例如可以是旋涂法(spin coat method)、幕涂法(curtain coat method)、輥涂法(roll coat method)、蘸涂法(dip coat method)等，其中，要形成的層厚可較容易地控制。
接著，在第一絕緣層12上進(jìn)行第一導(dǎo)體層形成步驟s-8，如圖18所示。在第一絕緣層12的整個(gè)表面上，通過(guò)諸如濺射法或CVD法的薄膜形成技術(shù)形成金屬膜39。此金屬膜39由諸如Cu的高電導(dǎo)金屬制成，且厚度小于50μm。
接著，構(gòu)圖金屬膜39，如圖19所示。金屬膜39于是成為第一導(dǎo)體層13。特別地，隨著在金屬膜39上進(jìn)行光刻工藝等，構(gòu)圖金屬膜39，以在第一絕緣層12上形成作為圖案導(dǎo)體的第一導(dǎo)體層13。此時(shí)，在第一導(dǎo)體層13的一部分中，濾波元件4的第一接地部分22與其它圖案導(dǎo)體一起形成。如此，形成包括第一絕緣層12和第一導(dǎo)體層13的第一單元引線層36。
接著，在第一單元引線層36上進(jìn)行通孔形成步驟s-9，如圖20所示。在第一單元引線層36上，進(jìn)行采用鉆孔機(jī)、激光等的成孔工序，形成多個(gè)通孔18a。在例如電鍍這些通孔18a的內(nèi)壁，并將導(dǎo)電漿料18b埋入其中之后，通過(guò)濺射法、CVD法等執(zhí)行利用金屬膜的覆蓋層形成。于是形成用于電連接第三引線層10的通孔18。由于通孔18a的孔洞在導(dǎo)電漿料18b埋入通孔18a內(nèi)后用金屬膜等覆蓋，所以可以直接在通孔18上方形成通孔等。
在此通孔形成步驟s-9中，與通孔18相似地，在第一單元引線層36中形成了作為濾波元件4的連接部分21的一部分的連接通孔21a，以與該對(duì)第一線路19a、19b的一端連接。在第一單元引線層36中，與通孔18相似地，直接在屏蔽通孔26a的上方形成了作為濾波元件4的屏蔽部分26的一部分的多個(gè)屏蔽通孔26b。
接著，在第一單元引線層36上進(jìn)行第二單元引線層形成步驟s-10，如圖21所示。在第一單元引線層36上，利用與第一絕緣層12和第一導(dǎo)體層13的材料和工藝相似的材料和工藝形成包括第二絕緣14和第二導(dǎo)體層15的第二單元引線層37。還通過(guò)與通孔形成步驟s-9相似的工藝在第二單元引線層37中形成通孔18。
在第二單元引線層形成步驟s-10中，在第二導(dǎo)體層15中，該對(duì)第二線路20a、20b與其它圖案導(dǎo)體一起形成，其面對(duì)設(shè)置在第三引線層10的一部分中的該對(duì)第一線路19a、19b。由于該對(duì)第二線路20a、20b設(shè)置在通過(guò)諸如濺射方法或CVD方法的薄膜形成技術(shù)形成的第二導(dǎo)體層15的一部分中，所以第二線路20a、20b具有小于50μm的厚度。
在第二單元引線層形成步驟s-10中，在第二導(dǎo)體層15中，饋入部分23(圖21中未示出)與其它圖案導(dǎo)體一起形成，其自該對(duì)第二線路20a、20b的縱向方向上的大致中心部分處在與該對(duì)第二線路20a、20b的面對(duì)的方向的相反方向上凸出。
在第二單元引線層形成步驟s-10中，在第二單元引線層37中，直接在形成于第一單元引線層36中的下部連接通孔21a的上方，作為濾波元件4的連接部分21的一部分的上部連接通孔21b類(lèi)似通孔18地形成，并連接該對(duì)第二線路20a、20b的一端。在第二單元引線層37中，類(lèi)似通孔18地形成濾波元件4的短路通孔24(圖21中未示出)，以形成該對(duì)第二線路20a、20b的另一端與第一接地部分22之間的短路(short circuit)。
在第二單元引線層37中，直接在屏蔽通孔26b上方，與通孔18相似地形成作為濾波元件4的屏蔽部分26的一部分的多個(gè)屏蔽通孔26c。于是，連接部分21包括下部連接通孔21a和上部連接通孔21b。
接著，在第二單元引線層37上進(jìn)行第三單元引線層形成步驟s-11，如圖22所示。在第二單元引線層37上，利用與第一絕緣層12和第一導(dǎo)體層13的材料和工藝相似的材料和工藝，形成包括第三絕緣層16和第三導(dǎo)體層17的第三單元引線層38。通過(guò)與通孔形成步驟s-9相似的工藝，還在第三單元引線層38中形成通孔18。在第三單元引線層形成步驟s-11中，在第三導(dǎo)體層17中與其它圖案導(dǎo)體一起形成濾波元件4的第三接地部分25b。
在第三單元引線層形成步驟s-11中，在第三單元引線層38中，直接在屏蔽通孔26c的上方，與通孔18相似地形成作為濾波元件4的屏蔽部分26的一部分的多個(gè)屏蔽通孔26d。屏蔽部分26于是包括屏蔽通孔26a至26d。
通過(guò)上述工藝，形成濾波元件4，其中經(jīng)由電介質(zhì)絕緣材料疊置設(shè)置在第一電路部分2的第三引線層10的一部分中的該對(duì)第一線路19a、19b和設(shè)置在第二電路部分3的第二導(dǎo)體層15的一部分中的該對(duì)第二線路20a、20b。于是制成了第二電路部分3，其中通過(guò)薄膜形成技術(shù)形成了作為圖案導(dǎo)體的導(dǎo)體層。
接著，利用諸如氧化鋁和氧化硅的混合溶液的拋光劑拋光在第一電路部分2的與形成表面2a相對(duì)的主表面，即安裝表面2b上露出的樹(shù)脂層34b。在第一電路部分2中，第四引線層11于是在安裝表面2b上露出。
接著，在第一電路部分2的整個(gè)安裝表面2b以及第二電路部分3的第三單元引線層一側(cè)上的整個(gè)主表面上形成抗蝕劑層40a，40b，如圖24所示。在抗蝕劑層40a、40b的預(yù)定位置上，通過(guò)光刻方法等制備用于露出第四引線層11和第三導(dǎo)體層17的孔洞41a、41b。在孔洞41a、41b中，通過(guò)電鍍法等形成由Au、Ni等制成的電極端子42a、42b，如圖22所示。照上述方式，制成了濾波電路裝置1，其具有在第一電路部分2和第二電路部分3上延伸的濾波元件4。
在上述制造濾波電路裝置1的方法中，作為濾波元件4的高阻抗線路的該對(duì)第二線路20a、20b形成在第二電路部分3的第二導(dǎo)體層15的一部分中，第二導(dǎo)體層15通過(guò)諸如濺射法或CVD法的薄膜形成技術(shù)形成。因此，在此制造濾波電路裝置1的方法中，與通過(guò)諸如電鍍法的厚膜形成技術(shù)形成的作為低阻抗線路的該對(duì)第一線路19a、19b的厚度相比，該對(duì)第二線路20a、20b可以精確地形成為具有小得多的厚度。
在根據(jù)本發(fā)明的制造濾波電路裝置1的方法中，由于在濾波元件4中，可以增加通過(guò)薄膜形成技術(shù)精確地形成為具有小得多的厚度的該對(duì)第二線路20a、20b與通過(guò)厚膜形成技術(shù)形成的該對(duì)第一線路19a、19b之間的阻抗比，所以可以制備通過(guò)顯著減小這些成對(duì)諧振器線路的長(zhǎng)度而得以小型化的濾波電路裝置1。
在制造濾波電路裝置1的方法中，由于濾波元件4中的該對(duì)第二線路20a、20b通過(guò)薄膜形成技術(shù)形成得具有顯著減小的厚度，所以與通過(guò)諸如電鍍法的厚膜形成技術(shù)形成諧振器線路的情形相比，可以精確地形成具有顯著減小的厚度和厚度的非均勻性受到抑制的該對(duì)第二線路20a、20b。于是，可以高產(chǎn)率地制造具有濾波元件4的濾波電路裝置1，該裝置中濾波性能的劣化得以防止。
制造濾波電路裝置1的該方法制備了具有呈這樣一種結(jié)構(gòu)的濾波元件4的濾波電路裝置1，在該結(jié)構(gòu)中，該對(duì)第一線路19a、19b和該對(duì)第二線路20a、20b經(jīng)由電介質(zhì)絕緣材料疊置起來(lái)，且該些成對(duì)線路在其縱向方向上的一端通過(guò)連接部分21連接起來(lái)，也即這樣一種結(jié)構(gòu)，其中一對(duì)諧振器線路在連接部分21處彎曲以將電介質(zhì)絕緣材料夾在其中。
因此，在根據(jù)本發(fā)明的制造濾波電路裝置1的方法中，由于濾波元件4中的第一線路19a、19b和第二線路20a、20b的長(zhǎng)度可以減小至不超過(guò)以平面形式形成用于與濾波元件4相同的頻段的一對(duì)諧振器線路的情形中的諧振器線路長(zhǎng)度的一半，所以制備了濾波電路裝置1，其通過(guò)減小濾波元件4的所占面積而得以小型化。
在制造濾波電路裝置1的方法中，由于作為濾波元件4的高阻抗線路的該對(duì)第二線路20a、20b形成在由具有低相對(duì)介電常數(shù)的電介質(zhì)絕緣材料制成的第二絕緣層14上，該介電常數(shù)比其中形成有作為低阻抗線路的該對(duì)第一線路19a、19b的第一電路部分2中的低，所以這些成對(duì)諧振器線路可以進(jìn)一步減小。
在制造濾波電路裝置1的方法中，濾波元件4的第一接地部分22形成在該對(duì)線路19a、19b與該對(duì)線路20a、20b的層之間，且第一接地部分22用作該對(duì)第一線路19a、19b與該對(duì)第二線路20a、20b之間的屏蔽。因此，提供了具有濾波元件4的濾波電路裝置1，其中由這些成對(duì)諧振導(dǎo)體線路之間的干擾導(dǎo)致的濾波性能的下降得以防止。
上述濾波電路裝置1安裝在底板90上，且半導(dǎo)體元件91通過(guò)例如倒裝芯片(flip-chip)的方法安裝在第二電路部分3上，如圖26所示。這些半導(dǎo)體元件91覆蓋并保護(hù)了屏蔽蓋92。當(dāng)濾波電路裝置1安裝在底板90上時(shí)，形成在第二電路部分3的一側(cè)上的電極端子42a構(gòu)成了與半導(dǎo)體元件91連接的連接端子。當(dāng)濾波電路裝置1安裝在底板90上時(shí)，電連接第一電路部分2的安裝表面2b上露出的第四引線層11的電極端子42b用作底板90的連接端子。
雖然本發(fā)明已經(jīng)參照附圖所示的且在以上說(shuō)明中描述的具體優(yōu)選實(shí)施例而得以詳細(xì)說(shuō)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)了解，本發(fā)明不限于該實(shí)施例，相反，在不脫離如所附權(quán)利要求所述和限定的本發(fā)明的范圍和宗旨的情況下，可以有各種更改、替換結(jié)構(gòu)或等效結(jié)構(gòu)。
工業(yè)應(yīng)用如上所述，根據(jù)本發(fā)明，作為濾波元件的高阻抗線路的第一濾波線路由薄膜形成技術(shù)形成，且第一濾波線路的厚度和寬度可以制成顯著小于通過(guò)厚膜形成技術(shù)形成的低阻抗線路。因此，高阻抗線路和低阻抗線路之間的阻抗比增加，且構(gòu)成濾波元件的成對(duì)線路的長(zhǎng)度可顯著減小，于是實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步小型化。
根據(jù)本發(fā)明，由于濾波元件的高阻抗線路通過(guò)薄膜形成技術(shù)形成，所以與其中通過(guò)厚膜形成技術(shù)形成高阻抗線路的情形相比，厚度和厚度非均勻性可以減小，且具有帶優(yōu)異濾波性能的濾波元件的濾波電路裝置可以高產(chǎn)量制造。
根據(jù)本發(fā)明，制造了具有這樣一種結(jié)構(gòu)的濾波元件，在該結(jié)構(gòu)中，高阻抗線路和低阻抗線路被形成得在電路層的疊置方向上，通過(guò)絕緣層彼此基本上平行地彼此面對(duì)，且其中，在電路層的疊置方向上彼此面對(duì)的高阻抗線路和低阻抗線路在一端電連接，即濾波元件具有這樣一種結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)中一對(duì)線路經(jīng)由電介質(zhì)絕緣材料在一端彎曲。
根據(jù)本發(fā)明，具有成對(duì)線路在一端彎曲的結(jié)構(gòu)的濾波元件中的該對(duì)線路的長(zhǎng)度可以減小至不超過(guò)以平面形式形成構(gòu)成濾波元件的成對(duì)線路的情形中線路長(zhǎng)度的一半。因此，濾波元件所占據(jù)的面積可以減小，且濾波電路裝置可以小型化。
根據(jù)本發(fā)明，濾波元件的高阻抗線路形成在包括由低介電絕緣材料制成的低介電絕緣層和引線層的低介電電路層中，該低介電絕緣材料具有比構(gòu)成具有低阻抗線路的電路層的絕緣層低的介電常數(shù)。因此，濾波元件中的該對(duì)線路的長(zhǎng)度可以進(jìn)一步減小。
權(quán)利要求
1.一種濾波電路裝置包括其中疊置有多個(gè)電路層的電路部分，每個(gè)電路層包括由電介質(zhì)絕緣材料制成的絕緣層和由圖案導(dǎo)體制成的引線層；以及濾波元件，其中，每一個(gè)均包括設(shè)置在電路層的引線層的一部分中的彼此平行的一對(duì)線路的第一濾波線路和第二濾波電路形成在該些電路層的不同電路層中，使得每一對(duì)的線路在其縱向方向上彼此大致平行，第一濾波線路和第二濾波線路在一端電連接，在該端處，其在電路層的疊置方向上彼此面對(duì)；其中，在該濾波元件中，第一濾波線路通過(guò)薄膜形成技術(shù)形成為具有比第二濾波線路更小的厚度和更小的寬度的高阻抗線路，且第二濾波線路通過(guò)厚膜形成技術(shù)形成為低阻抗線路。
2.如權(quán)利要求1所述的濾波電路裝置，其中，在該濾波元件中，第一濾波線路形成在包括由低介電絕緣材料制成的低介電絕緣層和引線層的低介電電路層中，該低介電絕緣材料具有比形成有第二濾波線路的電路層的絕緣層低的介電常數(shù)。
3.一種制造濾波電路裝置的方法，包括電路層形成步驟，其形成多個(gè)電路層，每個(gè)電路層包括由電介質(zhì)絕緣材料形成的絕緣層和由圖案導(dǎo)體形成的引線層；第一線路形成步驟，其形成第一濾波線路，該第一濾波線路包括設(shè)置在多個(gè)電路層中的一層中的引線層的一部分中的彼此平行的一對(duì)線路；第二線路形成步驟，其形成第二濾波線路，該第二濾波線路包括設(shè)置在該些電路層中的與其中形成有第一濾波線路的電路層不同的另一層中的引線層的一部分中的彼此平行的一對(duì)線路；電路部分形成步驟，其通過(guò)疊置多個(gè)電路層形成電路部分；以及元件形成步驟，在疊置電路層時(shí)，該步驟疊置第一濾波線路和第二濾波線路，以使其以每一對(duì)的線路在其縱向方向上彼此大致平行的方式彼此面對(duì)，并且該步驟在第一濾波線路和第二濾波線路在電路層的疊置方向上彼此面對(duì)的一端將其電連接，于是形成濾波元件；其中，在第一線路形成步驟中，通過(guò)薄膜形成技術(shù)將第一濾波線路形成為與第二濾波線路相比具有更小的厚度和更小的寬度的高阻抗線路，且在第二線路形成步驟中，第二濾波線路通過(guò)厚膜形成技術(shù)形成為低阻抗線路。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造濾波電路裝置的方法，其中，在第一線路形成步驟中，第一濾波線路形成在包括由低介電絕緣材料制成的低介電絕緣層和引線層的低介電電路層中，該低介電絕緣材料具有比形成有第二濾波線路的電路層的絕緣層低的介電常數(shù)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種濾波電路，包括濾波元件(4)，該濾波元件為具有通過(guò)厚膜形成工藝形成的一對(duì)第一諧振器線路(19a，19b)和通過(guò)薄膜形成工藝形成的一對(duì)第二諧振器線路(20a，20b)的并行諧振電路。通過(guò)顯著降低該對(duì)第二諧振器線路(20a，20b)的厚度，可以增加該對(duì)第二諧振器線路(20a，20b)與該對(duì)第一諧振器線路(19a，19b)的阻抗比，從而減小諧振器線路(19a，19b，20a，20b)的長(zhǎng)度，并減小濾波元件的尺寸。
文檔編號(hào)H05K3/46GK1498443SQ0280673
公開(kāi)日2004年5月19日 申請(qǐng)日期2002年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2001年12月27日
發(fā)明者平林崇之 申請(qǐng)人:索尼公司