一種振膜和振膜的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電聲產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種振膜，以及用于該振膜的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]揚(yáng)聲器作為一種用于手機(jī)、電視、計(jì)算機(jī)等電子產(chǎn)品的發(fā)聲器件，被廣泛應(yīng)用于人們的日常生產(chǎn)和生活中。目前常見的揚(yáng)聲器主要有動(dòng)圈式揚(yáng)聲器、電磁式揚(yáng)聲器、電容式揚(yáng)聲器、壓電式揚(yáng)聲器等，其中的動(dòng)圈式揚(yáng)聲器因具有制作相對(duì)簡單、成本低廉、有較好的低頻發(fā)聲優(yōu)勢等特點(diǎn)。
[0003]現(xiàn)有的動(dòng)圈式揚(yáng)聲器又稱為動(dòng)圈式揚(yáng)聲器模組，其通常包括揚(yáng)聲器模組殼體和揚(yáng)聲器單體，其中揚(yáng)聲器模組殼體的典型結(jié)構(gòu)包括上殼和下殼，上殼和下殼裝配在一起形成了用于收容揚(yáng)聲器單體的腔體;揚(yáng)聲器單體的典型結(jié)構(gòu)包括振動(dòng)系統(tǒng)、磁路系統(tǒng)及輔助系統(tǒng)，上述輔助系統(tǒng)包括可收容振動(dòng)系統(tǒng)和磁路系統(tǒng)的外殼，上述振動(dòng)系統(tǒng)包括振膜和固定于振膜一側(cè)的振動(dòng)音圈，振膜又包括振膜本體及固定于振膜本體中心位置的DOME(球頂部)，振膜本體包括與外殼固定的固定部、與固定部一體設(shè)置的凹或凸結(jié)構(gòu)的折環(huán)部及位于折環(huán)部內(nèi)的平面部;上述磁路系統(tǒng)包括盆架、固定在盆架上的磁鐵和華司；上述輔助系統(tǒng)包括外殼。
[0004]隨著人們對(duì)動(dòng)圈式揚(yáng)聲器的聲學(xué)性能要求的提高，使用電容反饋揚(yáng)聲器單體的振膜的振動(dòng)位移技術(shù)得到了更加廣泛的應(yīng)用，具體地，電容反饋振膜振動(dòng)位移技術(shù)需要在揚(yáng)聲器模組殼體的上殼上注塑一鋼片作為電容器的上極板，在振膜的DOME上設(shè)置另一鋼片作為電容器的下極板，上述“上” “下”的限定僅用于區(qū)分兩極板間的相對(duì)位置關(guān)系，而不代表兩極板在揚(yáng)聲器單體中的最終位置關(guān)系；當(dāng)動(dòng)圈式揚(yáng)聲器工作時(shí)，電容器的電容發(fā)生變化，通過電容器的電容變化來反饋振膜的振動(dòng)位移，從而實(shí)現(xiàn)通過對(duì)揚(yáng)聲器單體的振膜的振動(dòng)位移的監(jiān)控來提高揚(yáng)聲器聲學(xué)性能的目的。
[0005]由于設(shè)置在DOME上的電容器的下極板需要引線引出以采集極板的電容數(shù)據(jù)，而DOME與振膜一起振動(dòng)時(shí)電容器的下極板也一起振動(dòng)，這將使得電容器的下極板上的引線容易因振動(dòng)而斷裂，導(dǎo)致電容數(shù)據(jù)無法采集而無法對(duì)振膜的振動(dòng)位移進(jìn)行監(jiān)控，采集電容數(shù)據(jù)的可靠性低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種振膜，該振膜在滿足采集電容數(shù)據(jù)的要求的前提下，可保證采集電容數(shù)據(jù)的可靠性。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種振膜，包括環(huán)狀支撐件、第一振膜層和電路層，所述環(huán)狀支撐件包括支撐主體和內(nèi)孔，所述第一振膜層與所述支撐主體固定連接，所述電路層位于所述第一振膜層鄰近振動(dòng)音圈的表面上、并與所述第一振膜層和所述支撐主體固定連接，所述電路層上設(shè)有電路區(qū)、電容區(qū)和電容焊盤，其中，所述電路區(qū)與所述電容區(qū)和所述電容焊盤相連，所述電容焊盤與所述支撐主體相對(duì)應(yīng)。
[0008]優(yōu)選地，所述支撐主體遠(yuǎn)離所述振動(dòng)音圈的端面上設(shè)有支撐主體下凹部，所述第一振膜層與所述支撐主體下凹部以及所述內(nèi)孔的內(nèi)壁固定連接。
[0009]更優(yōu)選地，所述支撐主體下凹部上設(shè)有用于增強(qiáng)所述第一振膜層與所述支撐主體之間的結(jié)合力的凹槽。
[0010]優(yōu)選地，所述電路層包括電路層連接部和電路層主體部，所述電路層連接部與所述支撐主體鄰近所述振動(dòng)音圈的端面固定連接，所述電容焊盤位于所述電路層連接部上，所述電路層主體部與所述第一振膜層固定連接。
[0011]更優(yōu)選地，所述電路層上還設(shè)有可與所述振動(dòng)音圈的音圈引線固定連接的音圈內(nèi)焊盤、和可與揚(yáng)聲器單體的電流輸入導(dǎo)線固定連接的音圈外焊盤，所述電路區(qū)與所述音圈內(nèi)焊盤和所述音圈外焊盤相連；
[0012]所述音圈內(nèi)焊盤、所述電路區(qū)和所述電容區(qū)均位于所述電路層主體部上，所述音圈外焊盤位于所述電路層連接部上。
[0013]進(jìn)一步地，所述電路層的邊緣為矩形形狀，所述電路層的邊緣的四個(gè)角均具有向內(nèi)凹的內(nèi)凹部，所述音圈外焊盤和所述電容焊盤均具有兩個(gè)，且兩個(gè)所述音圈外焊盤分別位于所述電路層的較短邊的兩個(gè)所述內(nèi)凹部上，兩個(gè)所述電容焊盤分別位于所述電路層的另外兩個(gè)所述內(nèi)凹部上。
[0014]優(yōu)選地，所述振膜還包括第二振膜層，所述第二振膜層位于所述電路層遠(yuǎn)離所述第一振膜層的表面上、并與所述電路層固定連接。
[0015]更優(yōu)選地，所述第二振膜層的形狀與所述電路層的形狀相匹配。
[0016]本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種用于本發(fā)明的振膜的制造方法，以實(shí)現(xiàn)環(huán)狀支撐件、第一振膜層和電路層之間的較佳結(jié)合。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的第二方面，本發(fā)明提供了一種振膜的制造方法，其包括如下步驟:
[0018](I)在電路層上形成電路區(qū)、電容區(qū)、電容焊盤、音圈內(nèi)焊盤和音圈外焊盤；
[0019](2)將步驟(I)的所述電路層膠粘至環(huán)狀支撐件上；
[0020](3)采用注塑成型工藝在步驟(2)的所述電路層和所述環(huán)狀支撐件上形成第一振膜層，所述第一振膜層位于所述電路層遠(yuǎn)離振動(dòng)音圈的表面上。
[0021 ]優(yōu)選地，在步驟(3)后還包括如下步驟:
[0022](4)采用注塑成型工藝在步驟(3)的所述電路層鄰近所述振動(dòng)音圈的表面上形成第二振膜層。
[0023]本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在現(xiàn)有技術(shù)中，確實(shí)存在因極板上的引線振動(dòng)斷裂，導(dǎo)致電容數(shù)據(jù)無法采集的問題。因此，本發(fā)明所要實(shí)現(xiàn)的技術(shù)任務(wù)或者所要解決的技術(shù)問題是本領(lǐng)域技術(shù)人員從未想到的或者沒有預(yù)期到的，故本發(fā)明是一種新的技術(shù)方案。
[0024]本發(fā)明的一個(gè)有益效果在于，本發(fā)明的電容區(qū)設(shè)在電路層上，即電容器的下極板直接設(shè)在電路層上，同時(shí)環(huán)狀支撐件對(duì)第一振膜層和電路層起到支撐的效果，且電容焊盤與支撐主體相對(duì)應(yīng)，這樣，與電容焊盤相連接的采集電容數(shù)據(jù)的引線不會(huì)隨著振膜一起振動(dòng)，從而采集電容數(shù)據(jù)的引線不會(huì)因振動(dòng)而斷裂，保證了電容數(shù)據(jù)采集的可靠性。
[0025]本發(fā)明的另一個(gè)有益效果在于，本發(fā)明的振膜制造方法先將電路層固定連接至環(huán)狀支撐件上，再注塑成型第一振膜層，第一振膜層和環(huán)狀支撐件、電路層之間的連接強(qiáng)度高，且第一振膜層可對(duì)電路層起到保護(hù)的作用，進(jìn)而使得電容數(shù)據(jù)采集的可靠性大幅提升。
[0026]通過以下參照附圖對(duì)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征及其優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得清楚。
【附圖說明】
[0027]被結(jié)合在說明書中并構(gòu)成說明書的一部分的附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例，并且連同其說明一起用于解釋本發(fā)明的原理。
[0028]圖1為本發(fā)明振膜實(shí)施例的一視角的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖2為圖1中A-A向剖示圖；
[0030]圖3為圖2的局部放大圖；
[0031 ]圖4為本發(fā)明振膜實(shí)施例的另一視角的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖5為本發(fā)明振膜實(shí)施例的爆炸圖；
[0033]圖6為本明振膜的制造方法的流程圖。
[0034]圖中標(biāo)示如下:
[0035]環(huán)狀支撐件-1，支撐主體-1I，支撐主體下凹部-111，凹槽-1110，內(nèi)孔_12，第一振膜層-2，電路層-3，電路層連接部-31，電容焊盤-311，音圈外焊盤-312，內(nèi)凹部-313，電路層主體部-32，音圈內(nèi)焊盤-321，第二振膜層-4。
【具體實(shí)施方式】
[0036]現(xiàn)在將參照附圖來詳細(xì)描述本發(fā)明的各種示例性實(shí)施例。應(yīng)注意到:除非另外具體說明，否則在這些實(shí)