明第一實(shí)施例的基礎(chǔ)上，進(jìn)行進(jìn)一步的舉例說(shuō)明。本發(fā)明第二實(shí)施例中，直流電源為移動(dòng)終端內(nèi)存儲(chǔ)器的直流電源，負(fù)載為移動(dòng)終端內(nèi)的存儲(chǔ)器。
[0096]如圖3所示，本發(fā)明第二實(shí)施例的直流電源噪聲抑制裝置包括直流電源噪聲抑制電路300，該直流電源噪聲抑制電路位于直流電源301和負(fù)載302之間，用于實(shí)現(xiàn)對(duì)直流電源的噪聲抑制。
[0097]圖5為本發(fā)明第二實(shí)施例直流電源噪聲抑制裝置的電路元件的排列示意圖，如圖5所示，直流電源噪聲抑制電路300包括相互并聯(lián)的第一電容C501至第七電容C507，這里，這七個(gè)電容至少包括兩個(gè)具有不同電容值的電容，各個(gè)電容的電容值可以根據(jù)電容完整性分析理論進(jìn)行設(shè)置，電容完整性分析理論可以參考Eric Bogtain著作〈Signal and PowerIntegrity:simplified> 第十三章。
[0098]如圖5所示，這七個(gè)電容中，第一電容C501至第四電容C504位于第一電源層Pl上，第五電容C505至第七電容507位于第二電源層P2上；第一電源層Pl和第二電源層P2之間的電氣連接通過(guò)過(guò)孔方式實(shí)現(xiàn)。這里，直流電源噪聲抑制電路300的電氣元件之間的走線的參數(shù)可以根據(jù)Richards變換與Kuroda規(guī)則來(lái)進(jìn)行設(shè)置。
[0099]如圖5所示，直流電源的輸出端通過(guò)走線并接第一電容C501，在第一電容C501和第二電容C502之間構(gòu)成一段電源走線，該電源走線的方向?yàn)闄M向方向；該電源走線的長(zhǎng)度相對(duì)第一電源層Pl來(lái)說(shuō)較短較細(xì)，該走線的寬度能夠適應(yīng)負(fù)載對(duì)于電流需求的快速變化，這里，第一電容C501和第二電容C502之間的電源走線的寬度可以根據(jù)電源完整性分析理論中的目標(biāo)阻抗(target impedance)來(lái)設(shè)置。
[0100]第二電容C502和第三電容C503之間的走線為較寬較長(zhǎng)的第一平板結(jié)構(gòu)線，第三電容C503位于第一平板結(jié)構(gòu)線的下端左側(cè)。這里，第一平板結(jié)構(gòu)線為矩形結(jié)構(gòu)的覆銅層，第一平板結(jié)構(gòu)線的寬度和長(zhǎng)度可以根據(jù)Richards變換與Kuroda規(guī)則來(lái)確定。
[0101]第三電容C503還接有五段走線，其中第一段走線的起始端連接第三電容C503，走線方向?yàn)闄M向方向；第二段走線的起始端為第一段走線的終止端，走線方向與第一端走線的走線方向垂直，第二段走線的走線相對(duì)第一電源層Pl來(lái)說(shuō)較短較細(xì)，第二段走線的寬度可以根據(jù)電源完整性分析理論中的目標(biāo)阻抗來(lái)設(shè)置，第二段走線的終止端靠近第一電容C501 ;這里，第二段走線的終止端與第一電容C501的距離可以根據(jù)電容完整性分析理論來(lái)確定，一般根據(jù)需要改善的頻率來(lái)確定第二段走線的終止端與第一電容C501的距離。第三段走線的起始端為第二段走線的終止端，走線方向與第二段走線的走線方向垂直；第四段走線的起始端為第三段走線的終止端，第四段走線的走線方向與第三段走線的走線方向垂直，第四段走線的終止端與第三電容C503的位置關(guān)系滿(mǎn)足電源完整性分析理論的相關(guān)要求。第五段走線的起始端為第四段走線的終止端，第五段走線的走線方向與第四段走線的走線方向垂直，第五段走線的終止端靠近第一平板結(jié)構(gòu)線的右下端；這里，第五段走線的終止端與第一平板結(jié)構(gòu)線的位置關(guān)系滿(mǎn)足電源完整性分析理論的相關(guān)要求；第四電容C504并接于第五段走線上，且靠近第五段走線的終止端。
[0102]第五段走線的終止端通過(guò)過(guò)孔方式與第二電源層P2形成電氣連接；在第二電源層上，第二電源層與第一電源層的電氣連接處開(kāi)始設(shè)有兩個(gè)支路:第一支路和第二支路。
[0103]具體地，在第一支路中，從第二電源層與第一電源層的電氣連接處依次引出第六段走線和第七段走線，第六段走線的走線方向?yàn)榭v向方向；第七段走線的起始端為第六段走線的終止端，走線方向與第六段走線的走線方向垂直，第五電容C505并接在第七段走線上，第七段走線的終止端接有第二平板結(jié)構(gòu)線，這里，第二平板結(jié)構(gòu)線為矩形結(jié)構(gòu)的覆銅層，第二平板結(jié)構(gòu)線呈開(kāi)路結(jié)構(gòu)，也就是說(shuō)，第二平板結(jié)構(gòu)線只在一端與第七段走線形成電氣連接；這樣，根據(jù)電源完整性分析理論，開(kāi)路結(jié)構(gòu)的第二平板結(jié)構(gòu)線可以降低直流電源產(chǎn)生的電壓紋波，從而降低直流電源的噪聲。
[0104]在第二支路中，從第二電源層與第一電源層的電氣連接處依次引出第八段走線、第九段走線和第十段走線，第八段走線的走線方向與第六段走線的走線方向垂直，第八段走線的終止端與第二平板結(jié)構(gòu)線的位置關(guān)系滿(mǎn)足電源完整性分析理論的相關(guān)要求，第六電容C506并接于第八段走線的終止端處。第九段走線的起始端為第八段走線的終止端，走線方向與第八段走線的走線方向垂直，走線長(zhǎng)度與第六段走線的走線長(zhǎng)度相同；第十段走線的起始端為第九段走線的終止端，第十段走線的走線方向與第九段走線的走線方向垂直，第七電容C507并接于第十段走線上，第十段走線上的終止端與移動(dòng)終端的存儲(chǔ)器的供電引腳形成電氣連接。
[0105]這里，每段走線的參數(shù)均可以根據(jù)Richards變換與Kuroda規(guī)則來(lái)進(jìn)行設(shè)置。
[0106]圖6為本發(fā)明第二實(shí)施例直流電源噪聲抑制裝置的多層結(jié)構(gòu)示意圖，如圖6所示，第一電源層Pl位于第二電源層P2的上方，第一電源層Pl和第二電源層P2之間設(shè)置有第一地層G1，第二電源層的下方設(shè)置有第二地層G2。這里，第一地層Gl和第二地層G2通過(guò)過(guò)孔方式形成電氣連接，第二地層G2可以是單獨(dú)的一個(gè)地層結(jié)構(gòu)，也可以包括多個(gè)高度齊平的地層結(jié)構(gòu)。
[0107]進(jìn)一步地，第一電源層Pl和第二電源層P2在豎直方向上相互重疊，也就是說(shuō)，第一電源層Pl在水平面的投影與第二電源層P2在水平面的投影具有重疊部分。另外，第一電源層Pl和第一地層Gl在豎直方向上相互重疊，第二電源層P2和第二地層G2在豎直方向上相互重疊。
[0108]進(jìn)一步地，對(duì)于第一電源層P1、第二電源層P2、第一地層Gl和第二地層G2組合而成的四層結(jié)構(gòu)，相鄰兩層結(jié)構(gòu)之間的距離可以根據(jù)電源完整性分析理論進(jìn)行設(shè)置。這里，上述四層結(jié)構(gòu)中的每層結(jié)構(gòu)均為PCB板，制備多層PCB板有多種現(xiàn)有的實(shí)現(xiàn)方式，這里不再進(jìn)一步描述。
[0109]這里，第一電源層Pl和第二電源層P2在豎直方向上具有相互重疊的部分，可以有效地降低PCB板水平方向的空間資源消耗。具體地，上述四層結(jié)構(gòu)中，每層結(jié)構(gòu)的位置關(guān)系以及面積大小均可以根據(jù)電源完整性分析理論進(jìn)行設(shè)置。
[0110]圖7為本發(fā)明第二實(shí)施例直流電源噪聲抑制裝置的等效電路示意圖，如圖7所示，根據(jù)Richards變換與Kuroda規(guī)則，圖6中第一電源層Pl的走線可等效為電容、電阻和電感形成的第一串聯(lián)支路，第一串聯(lián)支路接在直流電源301的兩端，第一串聯(lián)支路與直流電源301組成第一回路Hl。
[0111]圖6中的第一電源層Pl中的每個(gè)電容可以等效為一個(gè)RLC串聯(lián)支路，第一電源層Pl中的每個(gè)電容對(duì)應(yīng)的等效的RLC串聯(lián)支路與第一回路Hl中的電容并聯(lián)，第一電源層Pl中的各個(gè)電容對(duì)應(yīng)的等效的RLC串聯(lián)支路組成第二回路H2，第二回路H2接在第一回路Hl中的電容的遠(yuǎn)離直流電源301的一側(cè)。
[0112]根據(jù)Richards變換與Kuroda規(guī)則，圖6中的第三層結(jié)構(gòu)的走線可等效為電容、電阻和電感形成的第二串聯(lián)支路H3，第二串聯(lián)支路H3與第二回路H2的每個(gè)并聯(lián)支路形成并聯(lián)連接，第二串聯(lián)支路H3接在第二回路H2的每個(gè)并聯(lián)支路的遠(yuǎn)離第一回路Hl中的電容的一側(cè)。
[0113]圖6中的第二電源層P2中的每個(gè)電容可以等效為一個(gè)RLC串聯(lián)支路，第二電源層P2中的每個(gè)電容對(duì)應(yīng)的等效的RLC串聯(lián)支路與第二串聯(lián)支路H3中的電容并聯(lián)，并且接在負(fù)載302的兩端；第二電源層P2中的各個(gè)電容對(duì)應(yīng)的等效的RLC串聯(lián)支路和負(fù)載302組成第四回路H4，第二回路H4接在第二串聯(lián)支路H3的電容的遠(yuǎn)離第二串聯(lián)支路H3的電感的一側(cè)。
[0114]下面對(duì)本發(fā)明第二實(shí)施例直流電源噪聲抑制裝置的噪聲抑制過(guò)程進(jìn)行舉例說(shuō)明。第一電源層中每個(gè)電容的電容值大于第二電源層中每個(gè)電容的電容值，第一電源層的面積大于第二電源層的面積。在這種情況下，第一電源層中每個(gè)電容的等效電容的電容值偏大，第一電源層中走線的等效電容的電容值也偏大，根據(jù)電源完整性分析理論可知，第一電源層的走線和電容的設(shè)置有利于抑制低頻段噪聲；同理，根據(jù)電源完整性分析理論可知，第二電源層的走線和電容的設(shè)置有利于抑制高頻段噪聲；另外，由于每個(gè)電源層的下方均設(shè)置有地層，電源層和地層之間形成的板級(jí)電容可以有效第抑制高頻段噪聲。
[0115]圖8為本發(fā)明第二實(shí)施例中直流電源未進(jìn)行噪聲抑制前的噪聲幅度示意圖，圖9為現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)直流電源采用傳統(tǒng)的去耦電容和儲(chǔ)能電容進(jìn)行噪聲抑制后的噪聲幅度示意圖，圖10為本發(fā)明第二實(shí)施例中對(duì)直流電源進(jìn)行噪聲抑制后的噪聲幅度示意圖；對(duì)比圖8、圖9和圖10，可以看出，與現(xiàn)有技術(shù)相比，使用本發(fā)明的直流電源噪聲抑制裝置能夠進(jìn)一步較低噪聲幅度。
[0116]第三實(shí)施例
[0117]本發(fā)明實(shí)施例還提出了一種終端，該終端包括上述任意一種直流電源噪聲抑制裝置。
[0118]第四實(shí)施例
[011