本技術(shù)涉及通信，尤其涉及一種基于sim卡的射頻刷卡增強(qiáng)電路。

背景技術(shù)：

1、nfc(nearfield?communication)也叫近距離無(wú)線通信，是一項(xiàng)無(wú)線技術(shù)。nfc由非接觸式射頻識(shí)別(rfid)及互聯(lián)互通技術(shù)整合演變而來(lái),在單一芯片上結(jié)合感應(yīng)式讀卡器、感應(yīng)式卡片和點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的功能，利用移動(dòng)終端能在短距離內(nèi)與兼容設(shè)備進(jìn)行識(shí)別和數(shù)據(jù)交換。

2、nfc具有距離近、帶寬高、能耗低等特點(diǎn)。適用于一些敏感信息或個(gè)人數(shù)據(jù)的傳輸?shù)?，在安全性上具有?yōu)勢(shì)，nfc與現(xiàn)有非接觸智能卡技術(shù)兼容，已經(jīng)成為得到越來(lái)越多主要廠商支持的正式標(biāo)準(zhǔn)。利用nfc功能，可以實(shí)現(xiàn)消費(fèi)、門禁等多種應(yīng)用，代替卡包里的多種卡片，如移動(dòng)支付、電子票務(wù)、門禁、移動(dòng)身份識(shí)別、防偽等應(yīng)用。

3、目前市場(chǎng)上有一部分通信設(shè)備不支持nfc刷卡，但面臨門禁、身份證刷卡等場(chǎng)景時(shí)不得不使用刷卡這一技術(shù)，于是出現(xiàn)了將nfc芯片集成于sim的裝置，但由于sim卡的大小限制，導(dǎo)致nfc的磁通量只有有限大小，并且由于手機(jī)殼大多為金屬，sim卡座的材質(zhì)不同，信號(hào)從手機(jī)內(nèi)部的sim卡座出來(lái)的更小，如果卡座更加深入手機(jī)內(nèi)部，則會(huì)形成幾乎無(wú)法刷卡的局面。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種基于sim卡的射頻刷卡增強(qiáng)電路，有效增強(qiáng)nfc的刷卡信號(hào)強(qiáng)度。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N基于sim卡的射頻刷卡增強(qiáng)電路，包括nfc芯片、射頻功率放大器、雙工器、天線、低噪聲放大器、基帶芯片以及sim卡外圍電路，其中：

3、所述雙工器的公共端連接所述天線，以進(jìn)行信號(hào)的發(fā)射和接收；所述基帶芯片分別與所述nfc芯片、所述射頻功率放大器和所述低噪聲放大器連接；所述nfc芯片的第一信號(hào)端與所述射頻功率放大器的輸入端連接，所述射頻功率放大器的輸出端與所述雙工器的第一信號(hào)端連接，所述雙工器的第二信號(hào)端與所述低噪聲放大器的輸入端連接，所述低噪聲放大器的輸出端與所述nfc芯片的第二信號(hào)端連接；所述sim卡外圍電路與所述基帶芯片連接；

4、所述基帶芯片，用于控制所述nfc芯片、所述射頻功率放大器和所述低噪聲放大器工作；

5、所述nfc芯片，用于進(jìn)行nfc信號(hào)的發(fā)射和接收；

6、所述射頻功率放大器，用于對(duì)所述nfc芯片的發(fā)射信號(hào)進(jìn)行信號(hào)放大處理，輸出到所述雙工器；

7、所述低噪聲放大器，用于放大接收信號(hào)，輸出到所述nfc芯片；

8、所述雙工器，用于隔離所述接收信號(hào)和所述發(fā)射信號(hào)，避免信號(hào)干擾。

9、在一種可選的實(shí)施方式中，所述nfc芯片、所述射頻功率放大器、所述雙工器、所述天線、所述低噪聲放大器以及所述基帶芯片均集成于sim卡內(nèi)部。

10、在一種可選的實(shí)施方式中，所述sim卡外圍電路對(duì)應(yīng)的i/o觸點(diǎn)均在所述sim卡的背面，且與終端設(shè)備的sim卡槽匹配；所述終端設(shè)備通過(guò)所述sim卡槽對(duì)所述sim卡外圍電路進(jìn)行供電。

11、在一種可選的實(shí)施方式中，所述射頻功率放大器的增益為5dbm，其中心頻率為13.56mhz，工作頻率為13.553mhz～13.567mhz。

12、在一種可選的實(shí)施方式中，所述雙工器由兩個(gè)濾波器組成，其中發(fā)射部分濾波器的頻帶范圍為13.55mhz～13.57mhz，接收部分濾波器的頻帶范圍寬于所述發(fā)射部分濾波器的頻帶范圍。

13、在一種可選的實(shí)施方式中，所述低噪聲放大器的增益為3dbm。

14、在一種可選的實(shí)施方式中，所述基于sim卡的射頻刷卡增強(qiáng)電路，還包括開關(guān)。

15、本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N基于sim卡的射頻刷卡增強(qiáng)電路，包括nfc芯片、射頻功率放大器、雙工器、天線、低噪聲放大器、基帶芯片以及sim卡外圍電路，其中：

16、所述雙工器的公共端連接所述天線，以進(jìn)行信號(hào)的發(fā)射和接收；所述基帶芯片分別與所述nfc芯片、所述射頻功率放大器和所述低噪聲放大器連接；所述nfc芯片的第一信號(hào)端與所述射頻功率放大器的輸入端連接，所述射頻功率放大器的輸出端與所述雙工器的第一信號(hào)端連接，所述雙工器的第二信號(hào)端與所述低噪聲放大器的輸入端連接，所述低噪聲放大器的輸出端與所述nfc芯片的第二信號(hào)端連接；所述sim卡外圍電路與所述基帶芯片連接；所述基帶芯片，用于控制所述nfc芯片、所述射頻功率放大器和所述低噪聲放大器工作；所述nfc芯片，用于進(jìn)行nfc信號(hào)的發(fā)射和接收；所述射頻功率放大器，用于對(duì)所述nfc芯片的發(fā)射信號(hào)進(jìn)行信號(hào)放大處理，輸出到所述雙工器；所述低噪聲放大器，用于放大接收信號(hào)，輸出到所述nfc芯片；所述雙工器，用于隔離所述接收信號(hào)和所述發(fā)射信號(hào)，避免信號(hào)干擾；該裝置在nfc發(fā)射信號(hào)時(shí)通過(guò)射頻放大器將信號(hào)放大，以達(dá)到刷卡距離的提升，在接收nfc信號(hào)時(shí)通過(guò)低噪聲放大器增加接收信號(hào)的距離，通過(guò)該裝置能夠有效增強(qiáng)nfc的刷卡信號(hào)強(qiáng)度。

技術(shù)特征：

1.一種基于sim卡的射頻刷卡增強(qiáng)電路，其特征在于，包括nfc芯片、射頻功率放大器、雙工器、天線、低噪聲放大器、基帶芯片以及sim卡外圍電路，其中：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于sim卡的射頻刷卡增強(qiáng)電路，其特征在于，所述nfc芯片、所述射頻功率放大器、所述雙工器、所述天線、所述低噪聲放大器以及所述基帶芯片均集成于sim卡內(nèi)部。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述基于sim卡的射頻刷卡增強(qiáng)電路，其特征在于，所述sim卡外圍電路對(duì)應(yīng)的i/o觸點(diǎn)均在所述sim卡的背面，且與終端設(shè)備的sim卡槽匹配；所述終端設(shè)備通過(guò)所述sim卡槽對(duì)所述sim卡外圍電路進(jìn)行供電。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于sim卡的射頻刷卡增強(qiáng)電路，其特征在于，所述射頻功率放大器的增益為5dbm，其中心頻率為13.56mhz，工作頻率為13.553mhz～13.567mhz。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于sim卡的射頻刷卡增強(qiáng)電路，其特征在于，所述雙工器由兩個(gè)濾波器組成，其中發(fā)射部分濾波器的頻帶范圍為13.55mhz～13.57mhz，接收部分濾波器的頻帶范圍寬于所述發(fā)射部分濾波器的頻帶范圍。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于sim卡的射頻刷卡增強(qiáng)電路，其特征在于，所述低噪聲放大器的增益為3dbm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于sim卡的射頻刷卡增強(qiáng)電路，其特征在于，所述基于sim卡的射頻刷卡增強(qiáng)電路，還包括開關(guān)。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種基于SIM卡的射頻刷卡增強(qiáng)電路，包括NFC芯片、射頻功率放大器、雙工器、天線、低噪聲放大器、基帶芯片以及SIM卡外圍電路，其中：所述雙工器的公共端連接所述天線，以進(jìn)行信號(hào)的發(fā)射和接收；所述基帶芯片分別與所述NFC芯片、所述射頻功率放大器和所述低噪聲放大器連接；所述NFC芯片的第一信號(hào)端與所述射頻功率放大器的輸入端連接，所述射頻功率放大器的輸出端與所述雙工器的第一信號(hào)端連接，所述雙工器的第二信號(hào)端與所述低噪聲放大器的輸入端連接，所述低噪聲放大器的輸出端與所述NFC芯片的第二信號(hào)端連接；所述SIM卡外圍電路與所述基帶芯片連接，可以有效增強(qiáng)NFC的刷卡信號(hào)強(qiáng)度。

技術(shù)研發(fā)人員：朱琳琳,朱超凡,張俊周,潘起明
受保護(hù)的技術(shù)使用者：四川科道芯國(guó)智能技術(shù)股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240402
技術(shù)公布日：2024/12/23