本公開涉及固體攝像裝置。

背景技術(shù)：

1、以往提出了各種構(gòu)成的固體攝像裝置。

2、(現(xiàn)有技術(shù)文獻)

3、(專利文獻)

4、專利文獻1：日本特開2017-055248號公報

5、專利文獻2：日本專利第6694605號

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的課題

2、以往希望固體攝像裝置的連續(xù)攝像動作的高速化，在此的連續(xù)攝像動作是指對圖像進行連續(xù)拍攝。

3、于是，本公開的目的在于提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)連續(xù)攝像動作的高速化的固體攝像裝置等。

4、用于解決課題的手段

5、本公開的一個方式所涉及的固體攝像裝置具有像素陣列，在所述像素陣列中以矩陣狀配置了包括第一像素的多個像素，所述第一像素具備：第一光電轉(zhuǎn)換部，將接受的光轉(zhuǎn)換為第一信號電荷；浮動擴散部，用于蓄積所述第一信號電荷；第一電荷蓄積部，由具有第一個一方的電極和第一個另一方的電極的電容器構(gòu)成，所述電容器用于在所述第一個一方的電極蓄積所述第一信號電荷；第一傳輸晶體管，所述第一傳輸晶體管的源極以及漏極的一方與所述第一光電轉(zhuǎn)換部連接，所述第一傳輸晶體管的源極以及漏極的另一方與所述浮動擴散部連接；第二傳輸晶體管，所述第二傳輸晶體管的源極以及漏極的一方與所述第一個一方的電極連接；復(fù)位晶體管，所述復(fù)位晶體管的源極以及漏極的一方與所述第二傳輸晶體管的源極以及漏極的另一方連接，所述復(fù)位晶體管的源極以及漏極的另一方與第一電源線連接；放大晶體管，所述放大晶體管的柵極與所述浮動擴散部連接；選擇晶體管，所述選擇晶體管的漏極與所述放大晶體管的源極連接，所述選擇晶體管的源極與垂直信號線連接；以及開關(guān)晶體管，所述開關(guān)晶體管的源極以及漏極的一方與所述第一個另一方的電極連接，所述開關(guān)晶體管的源極以及漏極的另一方與所述第一電源線連接。

6、本公開的一個方式所涉及的控制方法是對固體攝像裝置進行控制的控制方法，所述控制方法具有如下步驟：第一步驟，使向所述復(fù)位晶體管的柵極施加的驅(qū)動信號rs和向所述第三傳輸晶體管的柵極施加的驅(qū)動信號gc，從邏輯低電平上升到邏輯高電平，之后使向所述第一傳輸晶體管的柵極施加的驅(qū)動信號tg，從邏輯低電平上升到邏輯高電平；第二步驟，在所述第一步驟之后，使所述驅(qū)動信號tg從邏輯高電平下降到邏輯低電平，之后使所述驅(qū)動信號rs和所述驅(qū)動信號gc從邏輯高電平下降到邏輯低電平；第三步驟，在所述第二步驟之后，使所述驅(qū)動信號rs、向所述第二傳輸晶體管的柵極施加的驅(qū)動信號tgc、以及向所述開關(guān)晶體管的柵極施加的驅(qū)動信號pvddsel，從邏輯低電平上升到邏輯高電平，使所述第一個另一方的電極從電位低于所述第一電源線的電位的規(guī)定的設(shè)定電壓變更到電位與所述第一電源線的電位相同的電源電壓；以及第四步驟，在所述第三步驟之后，使所述驅(qū)動信號rs從邏輯高電平下降到邏輯低電平，之后使所述驅(qū)動信號tgc和所述驅(qū)動信號pvddsel從邏輯高電平下降到邏輯低電平，使所述第一個另一方的電極從所述電源電壓變更到所述設(shè)定電壓。

7、發(fā)明效果

8、通過本公開的一個方式所涉及的固體攝像裝置以及控制方法，提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)連續(xù)攝像動作的高速化的固體攝像裝置等。

技術(shù)特征：

1.一種固體攝像裝置，具有像素陣列，在所述像素陣列中以矩陣狀配置了包括第一像素的多個像素，

2.如權(quán)利要求1所述的固體攝像裝置，

3.如權(quán)利要求1所述的固體攝像裝置，

4.如權(quán)利要求1所述的固體攝像裝置，

5.如權(quán)利要求1所述的固體攝像裝置，

6.如權(quán)利要求1所述的固體攝像裝置，

7.如權(quán)利要求1至6的任一項所述的固體攝像裝置，

8.如權(quán)利要求1至6的任一項所述的固體攝像裝置，

9.如權(quán)利要求3所述的固體攝像裝置，

10.一種控制方法，是對權(quán)利要求5所述的固體攝像裝置進行控制的控制方法，

技術(shù)總結(jié)
一種固體攝像裝置(1)，具備包括像素(3)的像素陣列(30)，像素(3)具備：第一光電轉(zhuǎn)換部(109)、浮動擴散部(108)、由具有一方的電極和另一方的電極的電容器構(gòu)成的第一電荷蓄積部(110)、源極以及漏極的一方與第一光電轉(zhuǎn)換部(109)連接，另一方與浮動擴散部(108)連接的第一傳輸晶體管(101)、源極以及漏極的一方與上述一方的電極連接的第二傳輸晶體管(103)、源極以及漏極的一方與第二傳輸晶體管(103)的源極以及漏極的另一方連接，另一方與電源線連接的復(fù)位晶體管(100)、以及源極以及漏極的一方與上述另一方的電極連接，另一方與電源線連接的開關(guān)晶體管(107)。

技術(shù)研發(fā)人員：樋口真浩,阿部豊,鬼頭崇泰
受保護的技術(shù)使用者：新唐科技日本株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/11/4