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一種MEMS麥克風(fēng)的制作方法

文檔序號:11198704閱讀:418來源:國知局
一種MEMS麥克風(fēng)的制造方法與工藝

本實用新型涉及一種MEMS麥克風(fēng),更準(zhǔn)確地說,涉及一種具有泄壓功能的MEMS麥克風(fēng)。



背景技術(shù):

MEMS(微型機(jī)電系統(tǒng))麥克風(fēng)是基于MEMS技術(shù)制造的麥克風(fēng),其中的振膜、背極板是MEMS麥克風(fēng)中的重要部件,振膜、背極板構(gòu)成了電容器并集成在硅晶片上,實現(xiàn)聲電的轉(zhuǎn)換。傳統(tǒng)的振膜的制作工藝是在硅基底上做一層氧化層,然后在氧化層上利用沉積的方式制作一層振膜,經(jīng)過摻雜、回火后,蝕刻出所所需的圖形,振膜通過其邊緣的鉚釘點固定在基底上。當(dāng)然,還需要從振膜上引出電極,通過振膜的振動,改變振膜與背極板之間的距離,從而將聲音信號轉(zhuǎn)換為電信號。

當(dāng)MEMS麥克風(fēng)受到機(jī)械沖擊、吹氣、跌落時,其中的MEMS芯片會受到較大的聲壓沖擊,這往往會使振膜受到過大的壓力而導(dǎo)致破裂受損,從而導(dǎo)致整個麥克風(fēng)的失效。為了解決此問題,通常會在振膜上設(shè)置泄壓裝置,通過該泄壓裝置可以緩沖振膜所受到的沖擊。這種結(jié)構(gòu)存在的弊端是:泄壓通道的數(shù)量必須滿足吹氣壓力釋放的下限才能達(dá)到預(yù)期效果,但是在薄膜上開過多的孔洞,勢必會降低薄膜的整體剛性;而且在跌落過程中,過多的孔洞與開槽設(shè)計易使振膜產(chǎn)生破裂,可靠性極差。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

本實用新型的一個目的是提供一種MEMS麥克風(fēng)的新技術(shù)方案。

根據(jù)本實用新型的第一方面,提供了一種MEMS麥克風(fēng),包括具有背腔的襯底,在所述襯底上設(shè)置有由振膜和背極、支撐部構(gòu)成的平板電容器結(jié)構(gòu);在所述振膜上設(shè)置有泄壓裝置,在所述振膜與背極之間形成了保壓通道,所述振膜上的泄壓裝置構(gòu)成了該保壓通道的入口。

可選地,在所述背極上設(shè)置有主泄壓孔,所述主泄壓孔設(shè)置在背極上相對遠(yuǎn)離泄壓裝置的位置上,所述保壓通道由振膜、背極上位于主泄壓孔、泄壓裝置之間的區(qū)域圍成。

可選地,所述主泄壓孔的孔徑在5-10μm之間。

可選地,所述泄壓裝置位于振膜的中部區(qū)域,所述主泄壓孔分布在背極邊緣的周向上。

可選地,所述泄壓裝置均勻分布在振膜的邊緣位置,所述主泄壓孔設(shè)置在背極的中部區(qū)域。

可選地,所述泄壓裝置、主泄壓孔分別設(shè)置在振膜、背極上相對的兩端。

可選地,在所述背極上除主泄壓孔的位置還設(shè)置有副泄壓孔,且所述副泄壓孔的孔徑小于主泄壓孔。

可選地,所述背極上位于保壓通道區(qū)域的副泄壓孔的孔徑在2.5-5μm之間。

可選地,所述副泄壓孔分布在距離泄壓裝置50μm的范圍內(nèi)。

可選地,所述泄壓裝置為閥瓣結(jié)構(gòu)或者孔結(jié)構(gòu)。

本實用新型的麥克風(fēng),通過進(jìn)入至保壓通道內(nèi)的氣壓與振膜外界受到的瞬間沖擊力進(jìn)行對抗,來獲得二者之間的動態(tài)平衡,可以很好地緩沖振膜所受到的沖擊力;采用這種結(jié)構(gòu)的泄壓方式,使得不用在振膜上進(jìn)行過多的泄壓設(shè)計,保證了振膜的可靠性。

本實用新型的發(fā)明人發(fā)現(xiàn),在現(xiàn)有技術(shù)中,通常會在振膜上設(shè)置泄壓裝置,通過該泄壓裝置可以緩沖振膜所受到的沖擊。這種結(jié)構(gòu)存在的弊端是:泄壓通道的數(shù)量必須滿足吹氣壓力釋放的下限才能達(dá)到預(yù)期效果,但是在薄膜上開過多的孔洞,勢必會降低薄膜的整體剛性;而且在跌落過程中,過多的孔洞與開槽設(shè)計易使振膜產(chǎn)生破裂,可靠性極差。因此,本實用新型所要實現(xiàn)的技術(shù)任務(wù)或者所要解決的技術(shù)問題是本領(lǐng)域技術(shù)人員從未想到的或者沒有預(yù)期到的,故本實用新型是一種新的技術(shù)方案。

通過以下參照附圖對本實用新型的示例性實施例的詳細(xì)描述,本實用新型的其它特征及其優(yōu)點將會變得清楚。

附圖說明

被結(jié)合在說明書中并構(gòu)成說明書的一部分的附圖示出了本實用新型的實施例,并且連同其說明一起用于解釋本實用新型的原理。

圖1是本實用新型麥克風(fēng)第一實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本實用新型麥克風(fēng)第二實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

現(xiàn)在將參照附圖來詳細(xì)描述本實用新型的各種示例性實施例。應(yīng)注意到:除非另外具體說明,否則在這些實施例中闡述的部件和步驟的相對布置、數(shù)字表達(dá)式和數(shù)值不限制本實用新型的范圍。

以下對至少一個示例性實施例的描述實際上僅僅是說明性的,決不作為對本實用新型及其應(yīng)用或使用的任何限制。

對于相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的技術(shù)、方法和設(shè)備可能不作詳細(xì)討論,但在適當(dāng)情況下,所述技術(shù)、方法和設(shè)備應(yīng)當(dāng)被視為說明書的一部分。

在這里示出和討論的所有例子中,任何具體值應(yīng)被解釋為僅僅是示例性的,而不是作為限制。因此,示例性實施例的其它例子可以具有不同的值。

應(yīng)注意到:相似的標(biāo)號和字母在下面的附圖中表示類似項,因此,一旦某一項在一個附圖中被定義,則在隨后的附圖中不需要對其進(jìn)行進(jìn)一步討論。

參考圖1,本實用新型公開了一種MEMS麥克風(fēng),包括具有背腔的襯底1,在所述襯底1上設(shè)置有振膜3以及背極5。本實用新型的振膜3、背極5可通過依次沉積的方式形成在襯底1上,所述襯底1可以采用單晶硅材料,所述振膜3、背極5可以采用單晶硅或者多晶硅材料,這種材料的選擇以及沉積的工藝屬于本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知常識,在此不再具體說明。

所述背極5與振膜3構(gòu)成了平板電容器結(jié)構(gòu),該平板電容器結(jié)構(gòu)例如可以是背極5在上、振膜3在下的方式,也可以是背極5在下、振膜3在上的方式。為了便于描述,現(xiàn)以背極5在上、振膜3在下的平板電容器結(jié)構(gòu)為例來描述本實用新型的技術(shù)方案。

為了實現(xiàn)振膜3與襯底1之間的絕緣,在所述振膜3與襯底1之間連接的位置設(shè)置有絕緣層2,該絕緣層2可以采用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的二氧化硅材料。為了保證背極5與振膜3之間可以構(gòu)成具有一定間隙的平板電容器結(jié)構(gòu),在所述背極5與振膜3之間還設(shè)置有用于支撐的支撐部4,所述支撐部4在起到支撐背極5的同時,還可以保證背極5與振膜3之間的絕緣。這種電容器的MEMS麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)屬于本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知常識,在此不再具體說明。

本實用新型的麥克風(fēng),在所述振膜3上還設(shè)置有泄壓裝置,當(dāng)受到例如機(jī)械沖擊、吹氣、跌落所帶來的較大聲壓時,該泄壓裝置形成了泄壓路徑,以達(dá)到泄壓的目的。本實用新型的泄壓裝置可以是閥瓣結(jié)構(gòu)30,參考圖1;也可以是孔結(jié)構(gòu)32,參考圖2。通過圖1示出的閥瓣結(jié)構(gòu)30或者圖2示出的孔結(jié)構(gòu)32,可以有效地在振膜3上形成泄壓通道。這種閥瓣結(jié)構(gòu)或者孔結(jié)構(gòu)的泄壓裝置屬于本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知常識。

本實用新型的麥克風(fēng),在所述振膜3與背極5之間形成了保壓通道31,所述振膜3上的泄壓裝置則構(gòu)成了該保壓通道31的入口,參考圖1、圖2。所述背極5的邊緣通過支撐部4支撐在振膜3上,當(dāng)麥克風(fēng)受到例如機(jī)械沖擊、吹氣、跌落所帶來的較大聲壓時,該較大的氣流會從泄壓裝置進(jìn)入保壓通道31內(nèi),由此可在保壓通道31內(nèi)形成一定的壓力,該壓力作用在振膜3的內(nèi)側(cè),由此可以與振膜3外側(cè)受到的沖擊力達(dá)到動態(tài)平衡,以減小振膜3外側(cè)所承受的瞬間沖擊力。本實用新型的麥克風(fēng),通過進(jìn)入至保壓通道31內(nèi)的氣壓與振膜外界受到的瞬間沖擊力進(jìn)行對抗,來獲得二者之間的動態(tài)平衡,可以很好地緩沖振膜所受到的沖擊力;采用這種結(jié)構(gòu)的泄壓方式,使得不用在振膜上進(jìn)行過多的泄壓設(shè)計,保證了振膜的可靠性。

以圖1為例,在麥克風(fēng)正常工作的時候,由于振膜3會發(fā)生朝向或者遠(yuǎn)離背極5的彎曲變形,因此,為了提高振膜3的性能,在所述背極5上設(shè)置有主泄壓孔51,該主泄壓孔的孔徑可以設(shè)置在5-10μm之間。通過該主泄壓孔51可以均衡振膜3與背極5之間的氣壓,從而降低振膜3振動時受到的空氣阻尼。

但是該主泄壓孔51構(gòu)成了保壓通道31的出口,這不利于保壓通道31發(fā)揮其本身的作用。為了解決此問題,將主泄壓孔51設(shè)置在背極5上相對遠(yuǎn)離閥瓣結(jié)構(gòu)30的位置上,此時,所述保壓通道31由振膜3、背極5上位于主泄壓孔51、閥瓣結(jié)構(gòu)30之間的區(qū)域圍成。

當(dāng)外界的氣流經(jīng)過閥瓣結(jié)構(gòu)30進(jìn)入到振膜3與背極5之間的位置后,需要經(jīng)過一段較長的路徑才能從主泄壓孔51出去。因此,在氣流沿主泄壓孔51泄露之前,位于主泄壓孔51與閥瓣結(jié)構(gòu)30之間的保壓通道31依然可以發(fā)揮其保壓的作用,使得進(jìn)入至保壓通道31的氣流依然可以與振膜3外側(cè)受到的較大沖擊力進(jìn)行抗衡。

在本實用新型一個具體的實施方式中,參考圖1,所述閥瓣結(jié)構(gòu)30可以位于振膜3的中部區(qū)域,所述主泄壓孔51可以設(shè)置有多個,均勻分布在背極5邊緣的周向上。在本實用新型另一具體的實施方式中,所述閥瓣結(jié)構(gòu)30設(shè)置有多個,均勻分布在振膜3的邊緣位置,所述主泄壓孔51則設(shè)置在背極5的中部區(qū)域。還可以是,所述閥瓣結(jié)構(gòu)30、主泄壓孔51分別設(shè)置在振膜3、背極5上相對的兩端;例如所述閥瓣結(jié)構(gòu)30分布在振膜3的左側(cè),而主泄壓孔51則設(shè)置在背極5的右側(cè)位置,使得所述保壓通道31的路徑長。

為了可以進(jìn)一步降低振膜工作時所受到的空氣阻尼,通常會在整個背極5上設(shè)置泄壓孔,但是這些泄壓孔的存在則不利于保壓通道的保壓功能,也就是說經(jīng)過閥瓣結(jié)構(gòu)的氣流會快速通過這些泄壓孔泄露出去。為了解決此問題,本實用新型的麥克風(fēng),在所述背極5上除主泄壓孔51的位置還設(shè)置有副泄壓孔50,且所述副泄壓孔50的孔徑小于主泄壓孔51。該副泄壓孔50需要被配置為即不影響跌落時保壓通道31的保壓功能,也不影響麥克風(fēng)振動工作時背極與振膜之間的均壓效果。

例如,所述背極上位于保壓通道區(qū)域的副泄壓孔的孔徑在2.5-5μm之間。所述副泄壓孔50可以設(shè)置在背極5上位于主泄壓孔51、閥瓣結(jié)構(gòu)30之間的位置上,由于副泄壓孔50的孔徑小,使得進(jìn)入到保壓通道31內(nèi)的氣壓不會很快地經(jīng)過副泄壓孔50泄露出去,因此依然可以使保壓通道31發(fā)揮其保壓的功能。

副泄壓孔50過大的孔徑不利于保壓通道31的保壓,過小的孔徑則不利于振膜與背極之間的均壓效果,影響振膜的性能。而且,副泄壓孔50分布在背極5上的面積過大、主泄壓孔分布的過小,也影響振膜正常工作時的性能。在本實用新型一個具體的實施方式中,所述副泄壓孔50分布在距離所述閥瓣結(jié)構(gòu)50μm的范圍內(nèi)。當(dāng)然,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以選擇合適孔徑、合適數(shù)量的主泄壓孔、副泄壓孔,以及選擇主泄壓孔、副泄壓孔與泄壓裝置之間的分布位置,以滿足設(shè)計的需求。

雖然已經(jīng)通過例子對本實用新型的一些特定實施例進(jìn)行了詳細(xì)說明,但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解,以上例子僅是為了進(jìn)行說明,而不是為了限制本實用新型的范圍。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解,可在不脫離本實用新型的范圍和精神的情況下,對以上實施例進(jìn)行修改。本實用新型的范圍由所附權(quán)利要求來限定。

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