【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明涉及聲電領(lǐng)域，尤其涉及一種運用于便攜式電子產(chǎn)品的揚聲器箱。

背景技術(shù)：

隨著移動互聯(lián)網(wǎng)時代的到來，智能移動設(shè)備的數(shù)量不斷上升。而在眾多移動設(shè)備之中，手機無疑是最常見、最便攜的移動終端設(shè)備。目前，手機的功能極其多樣，其中之一便是高品質(zhì)的音樂功能，因此，用于播放聲音的揚聲器被大量應(yīng)用到現(xiàn)在的智能移動設(shè)備之中。

現(xiàn)有的揚聲器為了增加其聲學(xué)性能，尤其是低頻性能，通常會將所述揚聲器裝設(shè)于一個箱體內(nèi)形成揚聲器箱，所述揚聲器箱一部分用于裝設(shè)所述揚聲器并共同圍成前腔，另一部分用于形成后腔。而所述后腔則被填充吸音材料，以形成d-bass虛擬聲腔,從而提高所述揚聲器箱的低頻聲學(xué)性能。

然而，相關(guān)技術(shù)的揚聲器箱，特別是半開放式的揚聲器箱，即后腔的一部分與外界直接連通的揚聲器箱，其后腔分為全腔部和與全腔部連通的半腔部，所述揚聲器裝設(shè)于所述半腔部，當形成虛擬聲腔時，只能單獨將所述全腔部或所述半腔部的一部分填設(shè)吸音材料，而不能將連通的全腔部和半腔部同時填充顆粒物；而且在所述全腔部填充顆粒物時，還需要額外增加透氣隔離件以防止顆粒物進入半腔部而影響揚聲器發(fā)聲，因透氣隔離件占用體積，進而導(dǎo)致填充體積不能最大化，音頻性能的改善受限。

因此，實有必須提供一種新的揚聲器箱解決上述技術(shù)問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種結(jié)構(gòu)簡單且音頻性能尤其是低頻性能好的揚聲器箱。

為了達到上述目的，本發(fā)明提供了一種揚聲器箱，包括主盆架、蓋設(shè)于所述主盆架頂端并與所述主盆架共同圍成收容空間的第一上蓋和收容于所述收容空間內(nèi)的發(fā)聲單體，所述發(fā)聲單體與所述第一上蓋共同圍成前腔，所述發(fā)聲單體與所述主盆架共同圍成后腔，所述揚聲器箱還包括由所述主盆架朝向遠離所述收容空間的方向延伸的延伸部、由所述主盆架的頂端向底端方向延伸的圍壁以及透氣隔離件；所述延伸部內(nèi)設(shè)有填充有吸音材料的第一吸音腔；所述圍壁位于所述后腔內(nèi)并與所述主盆架共同圍成用于收容吸音材料的第二吸音腔；所述第一吸音腔與所述第二吸音腔連通，所述第二吸音腔與所述后腔連通；所述透氣隔離件蓋設(shè)于所述第二吸音腔的遠離所述第一上蓋的一端以防止所述吸音材料進入所述后腔。

優(yōu)選地，所述延伸部包括由所述主盆架延伸的副盆架、分別蓋設(shè)固定于所述副盆架的頂端與底端的第二上蓋和下蓋，所述副盆架、所述第二上蓋和所述下蓋共同圍成所述第一吸音腔。

優(yōu)選地，所述第二上蓋為鋼片，與所述副盆架一體注塑成型并形成密封。

優(yōu)選地，所述下蓋通過超聲波焊接工藝固定于所述副盆架的底端并形成密封。

優(yōu)選地，所述延伸部還包括貫穿所述第二上蓋的填充孔，所述吸音材料通過所述填充孔灌入所述第一吸音腔和所述第二吸音腔。

優(yōu)選地，所述主盆架和所述副盆架為一體注塑成型。

優(yōu)選地，所述主盆架靠近所述副盆架的一側(cè)設(shè)有貫穿主盆架的連通通道，所述第一吸音腔與所述第二吸音腔通過所述連通通道連通。

優(yōu)選地，所述連通通道由斜頂成型工藝形成。

優(yōu)選地，所述第二上蓋包括朝向所述主盆架水平延伸的第三上蓋，所述第三上蓋插置于所述主盆架中并覆蓋所述第二吸音腔。

優(yōu)選地，所述揚聲器箱還包括貼設(shè)于所述主盆架底端的密封泡棉。

與相關(guān)技術(shù)相比，本發(fā)明的揚聲器箱的所述主盆架的后腔直接與外界連通形成開放式結(jié)構(gòu)，由所述主盆架延伸形成的所述第一吸音腔為封閉式結(jié)構(gòu)，從而使得所述揚聲器箱為半開放式結(jié)構(gòu)，通過在后腔內(nèi)設(shè)置所述圍壁圍成所述第二吸音腔，通過所述透氣隔離件蓋設(shè)于所述第二吸音腔體，并使所述第二吸音腔與所述第一吸音腔連通，從而使得所述第一吸音腔和所述第二吸音腔共同形成一個整體的虛擬聲腔，即在同樣體積的揚聲器箱結(jié)構(gòu)中使所述虛擬聲腔的空間更大；另外，本發(fā)明的揚聲器箱結(jié)構(gòu)無需在所述第一吸音腔內(nèi)設(shè)置透氣隔離件結(jié)構(gòu)，使得所述虛擬聲腔的體積極大化，更大程度的提高了所述揚聲器箱的音頻性能，尤其是極大程度的改善了所述揚聲器箱的低頻性能，且所述揚聲器箱結(jié)構(gòu)簡單。

【附圖說明】

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖，其中：

圖1為本發(fā)明揚聲器箱的立體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1的立體結(jié)構(gòu)分解圖；

圖3為圖1另一視角的立體結(jié)構(gòu)分解圖；

圖4為沿圖1中a-a線的剖示圖。

【具體實施方式】

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

請參閱圖1-3，其中，圖1為本發(fā)明揚聲器箱的立體結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖1的立體結(jié)構(gòu)分解圖；圖3為圖1另一視角的立體結(jié)構(gòu)分解圖。本發(fā)明提供了一種揚聲器箱100，包括主盆架1、第一上蓋2、發(fā)聲單體3、延伸部4、圍壁5及透氣隔離件6。

所述第一上蓋2蓋設(shè)于所述主盆架1的頂端并與所述主盆架1共同圍成收容空間10。

主盆架1包括頂壁13和自頂壁13彎折延伸的側(cè)壁14。頂壁13中設(shè)有用于安裝第一上蓋2的安裝孔。主盆架1的底端形成開口。第一上蓋2嵌設(shè)在頂壁13中。

請同時參閱圖4，為沿圖1中a-a線的剖示圖。所述發(fā)聲單體3收容于所述收容空間10內(nèi)。所述發(fā)聲單體3與所述第一上蓋2共同圍成前腔101，所述發(fā)聲單體3與所述主盆架1共同圍成后腔102。即所述收容空間10被分隔成所述前腔101和所述后腔102。本實施方式中，所述揚聲器箱100的所述后腔102直接與外界相通，使用時將所述后腔102抵接于被運用的電子器件(圖未示)形成封閉空間。

為了保證更好的密封效果，本發(fā)明的所述揚聲器箱100還包括貼設(shè)于所述主盆架1的底端的呈環(huán)狀的密封泡棉7。當所述揚聲器箱100使用在電子器件時，所述后腔102抵接于電子器件，通過所述密封泡棉7與所述電子器件貼合，從而使所述后腔102形成密封。

所述延伸部4由所述主盆架1向遠離收容空間10的方向延伸形成，其內(nèi)部設(shè)有作為虛擬聲腔的第一吸音腔40。具體的，本實施方式中，所述延伸部包括由所述主盆架1向遠離收容空間10的方向延伸的副盆架41、分別蓋設(shè)固定于所述副盆架41的頂端與底端的第二上蓋42和下蓋43以及貫穿所述第二上蓋42的填充孔44。所述副盆架41、所述第二上蓋42和所述下蓋43共同圍成密閉的所述第一吸音腔40。

更優(yōu)的，所述主盆架1和所述副盆架41為一體注塑成型。

所述第二上蓋42為鋼片，與所述副盆架41的一體注塑成型并形成密封。

所述下蓋43通過超聲波焊接工藝固定于所述副盆架41的底端并形成密封。

所述圍壁5由所述主盆架1的頂端向底端延伸，所述圍壁5位于所述后腔102內(nèi)并與所述主盆架1共同圍成用于收容吸音材料的第二吸音腔51。所述第一吸音腔40與所述第二吸音腔51連通，所述第二吸音腔51與所述后腔102連通。在本實施例中，吸音材料為吸音顆粒，吸音顆粒優(yōu)選沸石顆粒。

本實施方式中，具體的，所述主盆架1靠近所述副盆架41的一側(cè)設(shè)有貫穿主盆架1的連通通道11，即貫穿主盆架1靠近副盆架41的側(cè)壁。該連通通道11也可以由主盆架1的頂端向底端凹陷形成。所述第一吸音腔40與所述第二吸音腔51通過所述連通通道11連通，也就是說，此時所述第二吸音腔51由所述圍壁5和所述主盆架1的靠近所述副盆架41的一側(cè)共同圍成。此時，所述第二上蓋42包括朝向主盆架1水平延伸的第三上蓋421，第三上蓋421插入主盆架1中并蓋設(shè)于第二吸音腔51上以便第二吸音腔以便吸音顆粒在連通通道11中更好的流動。更優(yōu)的，所述連通通道11為通過斜頂成型工藝形成，該工藝可以減小模具體積，使得所述連通通道11的結(jié)構(gòu)更精簡。

當然，所述第二吸音腔51也可位于非靠近所述副盆架41的一側(cè)，其與所述副盆架41間隔設(shè)置，此時若要使得所述第一吸音腔40和所述第二吸音腔51相連通，則需要在所述連通通道11處設(shè)置一封閉管道延伸至所述第二吸音腔51并與其連通，從而確保了所述吸音顆粒不會進入所述后腔102而影響所述發(fā)聲單體3的正常工作，這種連通方式也是可行的。

通過對所述第一吸音腔40與所述第二吸音腔51內(nèi)填充吸音顆粒(未圖示)，使得二者形成一個整體的聲腔，相當于增加了聲腔的體積，從而更大程度的提高所述揚聲器箱100的音頻性能，特別是改善低頻性能。

本實施方式中，所述吸音顆粒通過所述填充孔44灌入所述第一吸音腔40和所述第二吸音腔51，再將所述填充孔44封閉，完成灌粉動作。

所述透氣隔離件6蓋設(shè)于所述第二吸音腔51的遠離所述第一上蓋2的一端。用于防止所述填充于所述第一吸音腔40和所述第二吸音腔51內(nèi)的所述吸音顆粒進入所述發(fā)聲單體3而影響發(fā)聲性能。具體的，所述透氣隔離件6通過熱熔工藝固定于所述第二吸音腔51。所述透氣隔離件6可以為透氣膜、網(wǎng)布等。

需要說明的是，本實施方式中，將所述揚聲器箱100水平方向放置，所述發(fā)聲單體3的發(fā)聲側(cè)朝上，此時，定義所述主盆架1的上側(cè)為頂端，下側(cè)為底端，其它部件的方位與所述主盆架1一致。

與相關(guān)技術(shù)相比，本發(fā)明的揚聲器箱的所述主盆架的后腔直接與外界連通形成開放式結(jié)構(gòu)，由所述主盆架延伸形成的所述第一吸音腔為封閉式結(jié)構(gòu)，從而使得所述揚聲器箱為半開放式結(jié)構(gòu)，通過在后腔內(nèi)設(shè)置所述圍壁圍成所述第二吸音腔，通過所述透氣隔離件蓋設(shè)于所述第二吸音腔體，并使所述第二吸音腔與所述第一吸音腔連通，從而使得所述第一吸音腔和所述第二吸音腔共同形成一個整體的虛擬聲腔，即在同樣體積的揚聲器箱結(jié)構(gòu)中使所述虛擬聲腔的空間更大；另外，本發(fā)明的揚聲器箱結(jié)構(gòu)無需在所述第一吸音腔內(nèi)設(shè)置透氣隔離件結(jié)構(gòu)，使得所述虛擬聲腔的體積極大化，更大程度的提高了所述揚聲器箱的音頻性能，尤其是極大程度的改善了所述揚聲器箱的低頻性能，且所述揚聲器箱結(jié)構(gòu)簡單。

以上所述的僅是本發(fā)明的實施方式，在此應(yīng)當指出，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出改進，但這些均屬于本發(fā)明的保護范圍。