本實(shí)用新型涉及了入耳式耳機(jī)。

背景技術(shù)：
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目前傳統(tǒng)的半入耳式耳機(jī)面蓋磁泄露解決辦法是在面蓋里放入導(dǎo)磁鐵片,將面蓋處的磁路磁場導(dǎo)回磁路,磁場形成回流,從而達(dá)到降低面蓋磁泄露的目的，現(xiàn)有的面蓋5與導(dǎo)磁片6組合的結(jié)構(gòu)，面蓋5上具有一弧形內(nèi)腔501，而導(dǎo)磁片6為了固定在該弧形內(nèi)腔上需要在導(dǎo)磁片上多增加一導(dǎo)磁貼片601，利用導(dǎo)磁貼片601貼附在面蓋的弧形內(nèi)腔上，使導(dǎo)磁片6固定在面蓋的弧形內(nèi)腔501上。

由于追加了導(dǎo)磁貼片在面蓋里，直接導(dǎo)致了面蓋加工工藝的復(fù)雜性，特別是對(duì)于高光面的半入耳式耳機(jī)面蓋尤其突出，組裝過程由于導(dǎo)磁片需要膠水涂布后粘接，整個(gè)過程會(huì)導(dǎo)致高光面耳機(jī)面蓋表面有膠水、刮花等等不良現(xiàn)象產(chǎn)生。

本

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
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為解決現(xiàn)有技術(shù)中入耳式耳機(jī)面蓋結(jié)構(gòu)復(fù)雜的問題，本實(shí)用新型提供了低漏磁半入耳式耳機(jī)。

本實(shí)用新型是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：

低漏磁半入耳式耳機(jī)，包括具有收容腔的耳機(jī)外殼，所述收容腔上設(shè)有框架，所述框架上設(shè)有磁路組件和與所述磁路組件連接的發(fā)聲組件，所述磁路組件的表面上設(shè)有反向磁體。

如上所述的低漏磁半入耳式耳機(jī)，所述磁路組件包括華司、設(shè)于所述華司的一側(cè)上用于產(chǎn)生磁場使所述發(fā)聲組件震動(dòng)的磁體，所述反向磁體設(shè)于華司上且位于與所述磁體一側(cè)相反的另一側(cè)上。

如上所述的低漏磁半入耳式耳機(jī)，所述框架為圓盤型，所述框架的中心處開設(shè)有中心凹位，所述磁路組件設(shè)于所述中心凹位上。

如上所述的低漏磁半入耳式耳機(jī)，所述華司為圓形導(dǎo)磁板，所述反向磁體為圓柱型，所述華司的半徑要大于所述反向磁體的半徑。

如上所述的低漏磁半入耳式耳機(jī)，所述耳機(jī)外殼包括耳機(jī)后蓋和與該耳機(jī)后蓋組合的面蓋，所述磁體設(shè)于朝向耳機(jī)后蓋的一側(cè)，所述反向磁體設(shè)于朝向面蓋的一側(cè)。

如上所述的低漏磁半入耳式耳機(jī)，所述耳機(jī)后蓋的外表面?zhèn)缺谏显O(shè)有弧形缺口，所述面蓋的外表面?zhèn)缺谏弦苍O(shè)有與所述弧形缺口對(duì)應(yīng)的缺口，所述耳機(jī)后蓋與面蓋組合后其外表面?zhèn)缺谏显O(shè)有由所述弧形缺口與所述缺口組合成出聲孔，所述出聲孔與收容腔連通。

如上所述的低漏磁半入耳式耳機(jī)，所述框架上與磁路組件相對(duì)的另一側(cè)設(shè)有PCB板。

如上所述的低漏磁半入耳式耳機(jī)，所述發(fā)聲組件包括與所述磁路組件共一側(cè)的振膜和音圈。

如上所述的低漏磁半入耳式耳機(jī)，所述面蓋和耳機(jī)后蓋的外表面?zhèn)缺谏线€設(shè)有若干調(diào)音孔，所述調(diào)音孔與收容腔連通。

如上所述的低漏磁半入耳式耳機(jī)，所述出聲孔和調(diào)音孔與所述收容腔之間設(shè)有防塵網(wǎng)。

1、本實(shí)用新型將用于解決耳機(jī)磁泄露問題反向磁體放置在磁體組件上，用于產(chǎn)生導(dǎo)回磁場的反向磁體能夠降低磁泄漏，代替了傳統(tǒng)安放在耳機(jī)面蓋上的方式，不僅可以有效的降低面蓋漏磁量，而且簡化了面蓋生產(chǎn)過程工藝，避免出現(xiàn)面蓋刮花，膠水現(xiàn)象。

2、本實(shí)用新型的耳機(jī)后蓋與面蓋上設(shè)有多個(gè)調(diào)音孔，發(fā)聲組件的振膜振動(dòng)時(shí)，能保耳機(jī)外殼內(nèi)部各個(gè)方向上的聲壓比較均衡，使本產(chǎn)品保持良好的發(fā)聲性能。

附圖說明：

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實(shí)用新型低漏磁半入耳式耳機(jī)磁路組件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型低漏磁半入耳式耳機(jī)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為現(xiàn)有的一種面蓋與導(dǎo)磁片組合結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為現(xiàn)有的一種面蓋與導(dǎo)磁片的爆炸示意圖。

具體實(shí)施方式：

為了使本實(shí)用新型所解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。

如圖1、圖2所示，低漏磁半入耳式耳機(jī)，包括具有收容腔的耳機(jī)外殼，所述收容腔上設(shè)有有框架2、發(fā)聲組件和磁路組件2，所述磁路組件的表面上設(shè)有反向磁體3。由磁體產(chǎn)生的磁場，部分會(huì)漏出至耳機(jī)外殼外，形成磁泄漏，反向磁體可將漏至耳機(jī)外殼外的部分導(dǎo)回至內(nèi)部磁路中，本方案將用于解決耳機(jī)磁泄露問題反向磁體放置在磁體組件上，用于產(chǎn)生導(dǎo)回磁場的反向磁體能夠降低磁泄漏，代替了傳統(tǒng)安放在耳機(jī)面蓋上的方式，不僅可以有效的降低面蓋漏磁量，而且簡化了面蓋生產(chǎn)過程工藝，避免出現(xiàn)面蓋刮花，膠水現(xiàn)象。

進(jìn)一步地，所述磁路組件包括華司4，設(shè)于所述華司的一側(cè)上用于產(chǎn)生磁場使所述發(fā)聲組件震動(dòng)的磁體，所述反向磁體3設(shè)于與所述磁體一側(cè)相反的另一側(cè)上。所述的華司4具有導(dǎo)磁的作用，沒有華司意味著沒有均勻磁場，耳機(jī)不會(huì)有較高的靈敏度和較低的失真。華司提供音圈運(yùn)動(dòng)所需要的均勻磁場。它的厚度和音圈繞寬的配合決定了喇叭的低音失真的大小。

又進(jìn)一步地，所述框架2為圓盤型，所述框架的中心處開設(shè)有中心凹位201，所述磁路組件設(shè)于所述中心凹位201上?？蚣?安裝固定在耳機(jī)外殼內(nèi)，再以框架為基礎(chǔ)，各發(fā)聲組件、磁路組件、華司等即可分別安裝至框架上，完成本產(chǎn)品耳機(jī)的安裝，其結(jié)構(gòu)更為簡單。

再進(jìn)一步地，該框架的外圓周面上開設(shè)有安裝缺位202，方便框架固定安裝至耳機(jī)外殼的收容腔內(nèi)。

還進(jìn)一步地，所述華司4為圓形導(dǎo)磁板，所述反向磁體3為圓柱型，所述華司的半徑要大于所述反向磁體的半徑。該反向磁體為一圓柱型導(dǎo)磁片，該導(dǎo)磁片附在華司的一側(cè)上，從而可以有效的降低耳機(jī)的面蓋漏磁量，而且簡化了該導(dǎo)磁片的安裝方式。

具體地，所述耳機(jī)外殼包括耳機(jī)后蓋102和與該耳機(jī)后蓋組合的面蓋101，所述磁體設(shè)于朝向面蓋的一側(cè)，反向磁體設(shè)于朝向耳機(jī)后蓋的一側(cè)。該磁體用于產(chǎn)生磁場，該磁場帶動(dòng)振摸和音圈震動(dòng)發(fā)出聲音。而在磁體的反向設(shè)置該反向磁體就有效的降低耳機(jī)的面蓋漏磁量。

更具體地，所述耳機(jī)外殼上還設(shè)有出聲孔，所述出聲孔與收容腔連通。該出聲孔可單獨(dú)設(shè)于面蓋上，也可為由面蓋與耳機(jī)后蓋一同組合而成；

具體地，所述耳機(jī)后蓋102的外表面?zhèn)缺谏显O(shè)有弧形缺口，所述面蓋101的外表面?zhèn)缺谏弦苍O(shè)有與所述弧形缺口對(duì)應(yīng)的缺口，所述耳機(jī)后蓋與面蓋組合后其外表面?zhèn)缺谏显O(shè)有由所述弧形缺口與所述缺口組合成出聲孔103，所述出聲孔與收容腔連通。出聲孔連通外界環(huán)境與耳機(jī)外殼內(nèi)的收容腔，其內(nèi)部的發(fā)聲組件震動(dòng)后發(fā)出的聲音主要通過該出聲孔傳出。

進(jìn)一步地，所述框架上與磁路組件相對(duì)的另一側(cè)設(shè)有PCB板。PCB板用于接收耳機(jī)傳輸?shù)碾娦盘?hào)，而且可在PCB板上增加降噪元件的，提升耳機(jī)的音質(zhì)和性能。

又進(jìn)一步地，所述發(fā)聲組件還包括與所述磁體共一側(cè)的振膜和音圈。所述音圈為電流線圈，是發(fā)聲組件震動(dòng)部件的重要組成部分，音圈的性能會(huì)影響耳機(jī)的聲壓頻率特性，聲壓級(jí)，阻抗曲線、失真、瞬態(tài)特性、耳機(jī)參數(shù)、音質(zhì)等，特別是關(guān)系耳機(jī)的承受功率和壽命。

進(jìn)一步地，所述面蓋101和耳機(jī)后蓋102的外表面?zhèn)缺谏线€設(shè)有若干調(diào)音孔104，所述調(diào)音孔與收容腔連通。耳機(jī)低音部分的振膜在前后振動(dòng)的時(shí)候，除了要朝前方耳機(jī)外殼外輻射聲波之外，也會(huì)朝耳機(jī)外殼內(nèi)輻射聲波，耳機(jī)外殼內(nèi)輻射的部分聲波能量就浪費(fèi)了，耳機(jī)的電-聲轉(zhuǎn)換效率本來就低得可憐，通常只有百分之幾，這樣浪費(fèi)實(shí)在很可惜。因此想到在耳機(jī)上開設(shè)若干個(gè)調(diào)音孔，把輻射到箱內(nèi)的低頻聲波再釋放出來，使得耳機(jī)的電聲轉(zhuǎn)換效率更高，而且增強(qiáng)耳機(jī)的音質(zhì)。

還進(jìn)一步地，所述出聲孔和調(diào)音孔與所述收容腔之間設(shè)有防塵網(wǎng)。防塵網(wǎng)起到一定隔絕外部環(huán)境與耳機(jī)外殼內(nèi)收容腔的作用，有效防止灰塵等顆粒進(jìn)入到耳機(jī)外殼的收容腔內(nèi)，以保護(hù)其內(nèi)部的發(fā)聲組件和磁路組件，能增加耳機(jī)的使用壽命。

下表分別為耳機(jī)不使用反向磁體、反向磁體安裝在面蓋上、反向磁體安裝在磁路組件上三種情況對(duì)面蓋測試的漏磁量，單位為mT

本實(shí)用新型具體原理：

耳機(jī)外殼由耳機(jī)后蓋與面蓋組成，其內(nèi)部安裝有用于產(chǎn)生聲音的發(fā)聲組件和輔助發(fā)聲的磁路組件，主要通過該磁路組件產(chǎn)生磁場，使發(fā)聲組件產(chǎn)生震動(dòng)的原理發(fā)聲。而在磁體組件的框架上放置與磁體方向的反向磁體，將從面蓋處泄漏的磁路磁場導(dǎo)回磁路,從而達(dá)到降低面蓋磁泄露的目的，由上表可知，反向磁體放置在磁路組件上不僅可以有效的降低面蓋漏磁量，而且簡化了面蓋生產(chǎn)過程工藝，避免出現(xiàn)面蓋刮花，膠水現(xiàn)象。

如上所述是結(jié)合具體內(nèi)容提供的一種或多種實(shí)施方式，并不認(rèn)定本實(shí)用新型的具體實(shí)施只局限于這些說明。凡與本實(shí)用新型的方法、結(jié)構(gòu)等近似、雷同，或是對(duì)于本實(shí)用新型構(gòu)思前提下做出若干技術(shù)推演，或替換都應(yīng)當(dāng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。