一種lnb控制保護(hù)電路及終端的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種LNB控制保護(hù)電路及終端，所述電路包括LNB開/關(guān)控制模塊，升壓模塊，H/V電壓控制模塊，過流與短路保護(hù)模塊，22K信號控制模塊，LNB電壓輸出模塊，以及LNB開/關(guān)信號端，過流與短路信號端，H/V電壓信號輸入端，22K信號輸入端，LNB電壓輸出端；LNB開/關(guān)控制模塊的輸入端連接LNB開/關(guān)信號端，輸出端連接升壓模塊的輸入端；升壓模塊的輸出端接H/V電壓控制模塊及22K信號控制模塊；H/V電壓控制模塊連接H/V電壓信號輸入端；22K信號控制模塊連接22K信號輸入端及LNB電壓輸出模塊；LNB電壓輸出模塊連接LNB電壓輸出端。本實(shí)用新型有效的對LNB反向電壓及LNB過流和短路進(jìn)行保護(hù)，且效率更高，發(fā)熱量更小，成本更低。
【專利說明】一種LNB控制保護(hù)電路及終端
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及數(shù)字衛(wèi)星接收機(jī)，尤其涉及一種LNB控制保護(hù)電路及終端。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，在數(shù)字衛(wèi)星接收機(jī)中一般采用較為傳統(tǒng)的LNB供電控制電路，通過對線性穩(wěn)壓器LM317的調(diào)節(jié)控制，使LNB供電控制電路輸出13/18V兩種恒定電壓。然而，采用LM317的LNB供電控制電路仍具有一些不足，首先，LM317本身屬于降壓型電源芯片，作為LNB供電其輸入電壓一般在22V以上，當(dāng)轉(zhuǎn)換為13V恒定輸出時具有大量的能量損失，增加了產(chǎn)品本身的功耗；其次，LM317本身器件體積較大，占用了較大的PCB面積，不利于小型化產(chǎn)品的開發(fā)；再者，LM317器件成本較高，不利于低成本產(chǎn)品的開發(fā)。
[0003]基于上述現(xiàn)有技術(shù)存在有待改善的問題，本發(fā)明提出一種LNB控制保護(hù)電路及終端，使得效率更高，發(fā)熱量更小，成本更低，可以有效的對LNB反向電壓及LNB過流和短路進(jìn)行保護(hù)。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]有鑒于此，需要提供一種LNB控制保護(hù)電路，使得效率更高，發(fā)熱量更小，成本更低，可以有效的對LNB反向電壓及LNB過流和短路進(jìn)行保護(hù)。
[0005]本實(shí)用新型提供一種LNB控制保護(hù)電路，包括:LNB開/關(guān)控制模塊，升壓模塊，H/V電壓控制模塊，過流與短路保護(hù)模塊，22K信號控制模塊，LNB電壓輸出模塊，以及LNB開/關(guān)信號端，過流與短路信號端，H/V電壓信號輸入端,22K信號輸入端，LNB電壓輸出端；
[0006]所述LNB開/關(guān)控制模塊的輸入端連接所述LNB開/關(guān)信號端，輸出端連接所述升壓模塊的輸入端；
[0007]所述升壓模塊的輸出端接所述Η/V電壓控制模塊及所述22K信號控制模塊；
[0008]所述Η/V電壓控制模塊連接所述Η/V電壓信號輸入端；
[0009]所述22K信號控制模塊連接所述22K信號輸入端及所述LNB電壓輸出模塊；
[0010]所述LNB電壓輸出模塊連接所述LNB電壓輸出端。
[0011 ] 較優(yōu)的，所述LNB開/關(guān)控制模塊包括:電阻Rl1、R12、R13、R14、R15、R16，三極管Qll, PMOS管Q12，電解電容CElI,電容Cll ；
[0012]所述電阻Rll的一端連接上拉電壓，另一端連接電阻R12的一端；所述電阻R12的一端連接至所述LNB開/關(guān)信號端，另一端連接所述電阻R13的一端及所述升壓模塊；所述電阻R13的另一端連接所述三極管Qll的基極，所述三極管Qll的發(fā)射極接地，集電極連接所述電阻R14的一端，所述電阻R14的另一端連接所述電阻R15的一端及所述PMOS管Ql2的柵極；所述電阻R15的另一端連接LNB輸入電壓及所述PMOS管Q12的源極；所述PMOS管Q12的漏極連接所述電阻R16、電解電容CEll和電容Cll的一端，所述電阻R16、電解電容CEll和電容Cll的另一端并聯(lián)接地。
[0013]較優(yōu)的，所述的升壓模塊包括:電阻R21、R22、R23、R24，二極管D21、D22，磁珠FB21，電感L21，電解電容CE21，電容C2UC22,以及升壓芯片；
[0014]所述電阻R21的一端連接所述過流與短路信號端，另一端連接所述電阻R22的一端、所述二極管D21的負(fù)極及所述LNB開/關(guān)控制模塊；所述電阻R22的另一端與所述二極管D21的正極并接接至所述電容C21及所述升壓芯片的使能端；所述電容C21的另一端接地；所述磁珠FB21的一端連接所述升壓芯片的輸入端，另一端連接所述電感L21及所述LNB開/關(guān)控制模塊的輸出；所述電感L21的另一端連接所述升壓芯片的開關(guān)信號端及所述二極管D22的正極；所述二極管D22的負(fù)極連接所述電解電容CE21的正極、所述電容C22和所述過流與短路保護(hù)模塊的輸入端；所述電解電容CE21的負(fù)極、所述電容C22的另一端并聯(lián)接地；所述電阻R23的一端連接過流與短路保護(hù)模塊的輸出端，另一端連接電阻R24、所述升壓芯片的反饋端和Η/V電壓控制模塊；所述電阻R24的另一端接地。
[0015]較優(yōu)的，所述Η/V電壓控制模塊包括:電阻R31，三極管Q31 ；
[0016]所述三極管Q31的基極連接所述Η/V電壓信號輸入端，發(fā)射極接地，集電極連接電阻R31的一端；電阻R31的另一端連接所述升壓模塊。
[0017]較優(yōu)的，所述過流與短路保護(hù)模塊包括:電阻R41、R42、R43、R44、R45，電容C41，三極管 Q4UQ42 ；
[0018]所述電阻R41的一端連接所述升壓模塊及所述電阻R42的一端，另一端連接所述三極管Q41的發(fā)射極；所述電阻R42的另一端連接所述三極管Q41的基極、升壓模塊及22K信號控制模塊；所述電阻R43的一端連接所述三極管Q41的集電極及電阻R44的一端；所述電阻R44的另一端連接所述電容C41及所述三極管Q42的基極；所述電容C41的另一端接地；所述三極管Q42的發(fā)射極接地，集電極連接所述電阻R45的一端；所述電阻R45的另一端連接所述過流與短路信號端。
[0019]較優(yōu)的，所述22K信號控制模塊包括:電阻R51、R52、R53、R54，電容C51、C52，二極管 D51，PM0S 管 Q51，三極管 Q52 ；
[0020]所述電阻R51的一端連接所述過流與短路保護(hù)模塊的輸出端、所述PMOS管Q51的源極及所述二極管D51的正極，另一端連接電阻R52的一端及所述PMOS管Q51的柵極；所述電阻R52的另一端連接三極管Q52的集電極；三極管Q52的發(fā)射極接地，基極連接電阻R53、電阻R54及電容C52的一端，所述電阻R53及電容C52的另一端并聯(lián)接地；所述電阻R54的另一端連接所述22K信號輸入端；所述PMOS管Q51的漏極連接所述二極管D51的負(fù)極、電容C51及所述LNB電壓輸出模塊；所述電容C51的另一端接地。
[0021]較優(yōu)的，所述LNB電壓輸出模塊包括:二極管D61,電阻R61,電容C61 ；
[0022]所述二極管D61的正極連接所述22K信號控制模塊，負(fù)極連接電阻R61、電容C61的一端及LNB電壓輸出端；所述電阻R61、電容C61的另一端并聯(lián)接地。
[0023]本實(shí)用新型還提供一種數(shù)字電視接收終端，包括CPU，還包括上述任意一項所述的電路。
[0024]由于該LNB控制保護(hù)電路采用分立元器件搭建，結(jié)構(gòu)簡單，可靈活利用PCB上的空間，相對采用33V電壓通過線性穩(wěn)壓器LM317轉(zhuǎn)換到13/18V，效率更高，發(fā)熱量更小，成本更低，可以有效的進(jìn)行開機(jī)、升級過程中的短路保護(hù)與應(yīng)用過程中的控制、過流與短路保護(hù)，有效的對LNB反向電壓及LNB過流和短路進(jìn)行保護(hù)?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0025]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種LNB控制保護(hù)電路的模塊圖；
[0026]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種LNB控制保護(hù)電路的示意圖；
[0027]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種數(shù)字電視終端的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0029]請參考圖1，圖1為本實(shí)用新型提供的一種LNB控制保護(hù)電路的模塊圖，如圖所示，該電路包括LNB開/關(guān)控制模塊10，升壓模塊20，H/V電壓控制模塊30，過流與短路保護(hù)模塊40，22K信號控制模塊50，LNB電壓輸出模塊60，以及LNB開/關(guān)信號端1，過流與短路信號端2, H/V電壓信號輸入端3,22K信號輸入端4, LNB電壓輸出端5 ；LNB開/關(guān)控制模塊10的輸入端連接LNB開/關(guān)信號端1，輸出端連接升壓模塊20的輸入端；升壓模塊20的輸出端接Η/V電壓控制模塊30及22K信號控制模塊50 ；H/V電壓控制模塊30連接Η/V電壓信號輸入端3 ；22K信號控制模塊50連接22Κ信號輸入端4及LNB電壓輸出模塊60 ；LNB電壓輸出模塊60連接LNB電壓輸出端5。
[0030]具體的，可參見圖2，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種LNB控制保護(hù)電路的示意圖，如圖所示，LNB開/關(guān)控 制模塊10包括:電阻R11、R12、R13、R14、R15、R16，NPN三極管 Qll,PMOS管Q12，電解電容CE11，電容Cll ;其中，電阻Rll的一端連接上拉電壓3.3V，另一端連接電阻R12的一端；電阻R12的一端連接至LNB_0N/0FF (LNB開/關(guān)信號端)，另一端連接電阻R13的一端及升壓模塊20電阻R21的另一端；電阻R13的另一端連接NPN三極管Qll的基極，NPN三極管Qll的發(fā)射極接地，集電極連接電阻R14的一端，電阻R14的另一端連接電阻R15的一端及PMOS管Q12的柵極；電阻R15的另一端連接LNB輸入電壓12V及PMOS管Q12的源極；PM0S管Q12的漏極連接電阻R16、電解電容CEll和電容Cll的一端，電阻R16、電解電容CEll和電容Cll的另一端并聯(lián)接地。
[0031]升壓模塊20 包括:電阻1?21、1?22、1?23、1?24，二極管021、022，磁珠？821，電感 L21，電解電容CE21，電容C21、C22，以及升壓芯片U21 ;其中，電阻R21的一端連接LNB_P0WER_⑶T (過流與短路信號端)，另一端連接電阻R22的一端、二極管D21的負(fù)極及LNB開/關(guān)控制模塊10電阻R12的另一端；電阻R22的另一端與二極管D21的正極并接接至電容C21及升壓芯片U21的使能端EN ;電容C21的另一端接地；磁珠FB21的一端連接升壓芯片U21的輸入端IN，另一端連接電感L21及LNB開/關(guān)控制模塊10電阻R16的一端；電感L21的另一端連接升壓芯片U21的開關(guān)信號端LX及二極管D22的正極；二極管D22的負(fù)極連接電解電容CE21的正極、電容C22和過流與短路保護(hù)模塊40的輸入端；電解電容CE21的負(fù)極、電容C22的另一端并聯(lián)接地；電阻R23的一端連接過流與短路保護(hù)模塊40的輸出端，另一端連接電阻R24、升壓芯片U21的反饋端FB和Η/V電壓控制模塊30 ；電阻R24的另一端接地。
[0032]Η/V電壓控制模塊30包括:電阻R31，三極管Q31 ;其中，NPN三極管Q31的基極連接H/V (Η/V電壓信號輸入端)，發(fā)射極接地，集電極連接電阻R31的一端，電阻R31的另一端連接升壓模塊20升壓芯片U21的反饋端FB及電阻R23、R24的一端。[0033]過流與短路保護(hù)模塊40包括:電阻R41、R42、R43、R44、R45，電容C41，PNP三極管Q41、NPN三極管Q42 ;其中，電阻R41的一端連接電阻R42的一端及升壓模塊20電容C22的一端，另一端連接PNP三極管Q41的發(fā)射極；電阻R42的另一端連接PNP三極管Q41的基極、升壓模塊20電阻R23的另一端及22K信號控制模塊50 ；電阻R43的一端連接PNP三極管Q41的集電極及電阻R44的一端；電阻R44的另一端連接電容C41及NPN三極管Q42的基極；電容C41的另一端接地；NPN三極管Q42的發(fā)射極接地，集電極連接電阻R45的一端；電阻R45的另一端連接LNB_P0WER_CUT (過流與短路信號端)。
[0034]22K信號控制模塊50包括:電阻R51、R52、R53、R54，電容C51、C52，二極管D51，PMOS管Q51，NPN三極管Q52 ;其中，電阻R51的一端連接過流與短路保護(hù)模塊40的輸出端、PMOS管Q51的源極及二極管D51的正極，另一端連接電阻R52的一端及PMOS管Q51的柵極；電阻R52的另一端連接NPN三極管Q52的集電極；NPN三極管Q52的發(fā)射極接地，基極連接電阻R53、電阻R54及電容C52的一端，電阻R53及電容C52的另一端并聯(lián)接地；電阻R54的另一端連接F22 (22K信號輸入端);PM0S管Q51的漏極連接二極管D51的負(fù)極、電容C51及LNB電壓輸出模塊60 ;電容C51的另一端接地。
[0035]LNB電壓輸出模塊60包括:二極管D61，電阻R61，電容C61 ;其中，二極管D61的正極連接22K信號控制模塊50的輸出端，負(fù)極連接電阻R61、電容C61的一端及LNB_P0WER(LNB電壓輸出端)；電阻R61、電容C61的另一端并聯(lián)接地。
[0036]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種數(shù)字電視終端的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示，該終端包括:CPU30、LNB開/關(guān)控制模塊31，升壓模塊32，Η/V電壓控制模塊33，過流與短路保護(hù)模塊34，22K信號控制模塊35，LNB電壓輸出模塊36，以及LNB開/關(guān)信號端1，過流與短路信號端2，Η/V電壓信號輸入端3，22K信號輸入端4，LNB電壓輸出端5 ;其中，LNB開/關(guān)控制模塊31的輸入端連接LNB開/關(guān)信號端1，輸出端連接升壓模塊32的輸入端；升壓模塊32的輸出端接Η/V電壓控制模塊33及22K信號控制模塊35 ；H/V電壓控制模塊33連接Η/V電壓信號輸入端3 ；22K信號控制模塊35連接22Κ信號輸入端4及LNB電壓輸出模塊36 ；LNB電壓輸出模塊36連接LNB電壓輸出端5。
[0037]進(jìn)一步的，該終端還可包括檢測模塊，用于CPU30接收到過流與短路信號端2的低電平信號時，輸出提不信息并將LNB開/關(guān)信號端I的電壓重置為低電平。
[0038]較優(yōu)的，該終端還可包括時鐘設(shè)置模塊，用于設(shè)置檢測模塊的重置時間段，及將LNB開/關(guān)信號端I電壓恢復(fù)為高電平的恢復(fù)時間段。
[0039]上述檢測模塊、時鐘設(shè)置模塊可以通過計算機(jī)程序來指令CPU完成實(shí)現(xiàn)，同時，上述模塊可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行合并、劃分和刪減。
[0040]在另一實(shí)施例中，LNB開/關(guān)控制模塊31、升壓模塊32、Η/V電壓控制模塊33、過流與短路保護(hù)模塊34、22K信號控制模塊35、LNB電壓輸出模塊36，可以具體為圖2提供的實(shí)施例中的LNB開/關(guān)控制模塊10、升壓模塊20、H/V電壓控制模塊30、過流與短路保護(hù)模塊40、22K信號控制模塊50、LNB電壓輸出模塊60。
[0041]以下將結(jié)合圖2提供的實(shí)施例，對本實(shí)用新型一種LNB控制保護(hù)電路及終端的工作原理加以具體說明。
[0042]在booter與loader過程，硬件與驅(qū)動同時配合。驅(qū)動將LNB開/關(guān)信號端LNB_0N/0FF電壓設(shè)置為低電平，則Qll，Q12截止，LNB電壓輸出端LNB_P0WER為低電平，整個電路均處于開機(jī)短路保護(hù)狀態(tài)。
[0043]在app應(yīng)用過程中，LNB開/關(guān)信號端LNB_0N/0FF電壓若被切換為低電平，則Q1，Q2截止，LNB電壓輸出端LNB_P0WER為低電平。LNB開/關(guān)信號端LNB_0N/0FF電壓若被切換為高電平，則Qll，Q12導(dǎo)通，LNB電壓輸出端LNB_P0WER為13V/18V。此時，若遇到LNB電壓輸出端LNB_P0WER短路或者過流，則R16主路上的電流增大，導(dǎo)致Q41導(dǎo)通，Q42導(dǎo)通，LNB_P0WER_CUT 為低電平。
[0044]進(jìn)一步的，CPU在接收到LNB_P0WER_CUT這個低電平信號之后，將判定LNB電壓輸出端LNB_P0WER短路或者過流,將在app應(yīng)用界面彈出短路或過流的提示信息,例如:請檢測LNB_P0WER狀況的提示，并將LNB開/關(guān)信號端LNB_0N/0FF電壓設(shè)置為低電平，即電路處于短路保護(hù)狀態(tài)。
[0045]較優(yōu)的，還可以設(shè)置將LNB開/關(guān)信號端電壓重置為低電平的重置時間段，例如5秒，及將LNB開/關(guān)信號端電壓恢復(fù)為高電平的恢復(fù)時間段，例如100毫秒，BP,CPU在接收到LNB_P0WER_CUT的低電平信號后，判定LNB電壓輸出端LNB_P0WER短路或者過流，將LNB開/關(guān)信號端LNB_0N/0FF電壓重置為低電平，持續(xù)5S后再將LNB開/關(guān)信號端LNB_0N/OFF電壓恢復(fù)設(shè)置為高電平100毫秒，進(jìn)行重新檢測。若仍處于短路或者過流保護(hù)狀態(tài)，則再彈出提示，對LNB開/關(guān)信號端進(jìn)行重置操作，如此反復(fù)檢測，直至LNB開/關(guān)信號端正
堂
巾O
[0046]本實(shí)用新型提供的一種LNB控制保護(hù)電路及終端采用分立元器件搭建，結(jié)構(gòu)簡單，可靈活利用PCB上的空間；相對采用33V電壓通過線性穩(wěn)壓器LM317轉(zhuǎn)換到13/18V，效率更高，發(fā)熱量更小，成本更低，可以有效的進(jìn)行開機(jī)、升級過程中的短路保護(hù)，同時可結(jié)合軟件在應(yīng)用過程中實(shí)現(xiàn)對過流與短路保護(hù)的可操作性，有效的對LNB過流或短路進(jìn)行保護(hù)。
[0047]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種LNB控制保護(hù)電路，其特征在于，包括LNB開/關(guān)控制模塊，升壓模塊，Η/V電壓控制模塊，過流與短路保護(hù)模塊，22K信號控制模塊，LNB電壓輸出模塊，以及LNB開/關(guān)信號端，過流與短路信號端，H/V電壓信號輸入端,22K信號輸入端，LNB電壓輸出端； 所述LNB開/關(guān)控制模塊的輸入端連接所述LNB開/關(guān)信號端，輸出端連接所述升壓模塊的輸入端； 所述升壓模塊的輸出端接所述Η/V電壓控制模塊及所述22K信號控制模塊； 所述Η/V電壓控制模塊連接所述Η/V電壓信號輸入端； 所述22K信號控制模塊連接所述22K信號輸入端及所述LNB電壓輸出模塊； 所述LNB電壓輸出模塊連接所述LNB電壓輸出端。
2.如權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述LNB開/關(guān)控制模塊包括:電阻RH、R12、R13、R14、R15、R16，三極管 Qll, PMOS 管 Q12,電解電容 CElI,電容 Cll ； 所述電阻Rll的一端連接上拉電壓，另一端連接電阻R12的一端；所述電阻R12的一端連接至所述LNB開/關(guān)信號端，另一端連接所述電阻R13的一端及所述升壓模塊；所述電阻R13的另一端連接所述三極管Qll的基極，所述三極管Qll的發(fā)射極接地，集電極連接所述電阻R14的一端，所述電阻R14的另一端連接所述電阻R15的一端及所述PMOS管Q12的柵極；所述電阻R15的另一端連接LNB輸入電壓及所述PMOS管Q12的源極；所述PMOS管Q12的漏極連接所述電阻R16、電解電容CEll和電容Cll的一端，所述電阻R16、電解電容CEll和電容Cll的另一端并 聯(lián)接地。
3.如權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述的升壓模塊包括:電阻R21、R22、R23、R24，二極管D21、D22，磁珠FB21，電感L21，電解電容CE21，電容C21、C22，以及升壓芯片； 所述電阻R21的一端連接所述過流與短路信號端，另一端連接所述電阻R22的一端、所述二極管D21的負(fù)極及所述LNB開/關(guān)控制模塊；所述電阻R22的另一端與所述二極管D21的正極并接接至所述電容C21及所述升壓芯片的使能端；所述電容C21的另一端接地；所述磁珠FB21的一端連接所述升壓芯片的輸入端，另一端連接所述電感L21及所述LNB開/關(guān)控制模塊的輸出；所述電感L21的另一端連接所述升壓芯片的開關(guān)信號端及所述二極管D22的正極；所述二極管D22的負(fù)極連接所述電解電容CE21的正極、所述電容C22和所述過流與短路保護(hù)模塊的輸入端；所述電解電容CE21的負(fù)極、所述電容C22的另一端并聯(lián)接地；所述電阻R23的一端連接過流與短路保護(hù)模塊的輸出端，另一端連接電阻R24、所述升壓芯片的反饋端和Η/V電壓控制模塊；所述電阻R24的另一端接地。
4.如權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述Η/V電壓控制模塊包括:電阻R31，三極管 Q31 ; 所述三極管Q31的基極連接所述Η/V電壓信號輸入端，發(fā)射極接地，集電極連接電阻R31的一端；電阻R31的另一端連接所述升壓模塊。
5.如權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述過流與短路保護(hù)模塊包括:電阻R41、R42、R43、R44、R45，電容 C41，三極管 Q41、Q42 ； 所述電阻R41的一端連接所述升壓模塊及所述電阻R42的一端，另一端連接所述三極管Q41的發(fā)射極；所述電阻R42的另一端連接所述三極管Q41的基極、升壓模塊及22K信號控制模塊；所述電阻R43的一端連接所述三極管Q41的集電極及電阻R44的一端；所述電阻R44的另一端連接所述電容C41及所述三極管Q42的基極；所述電容C41的另一端接地；所述三極管Q42的發(fā)射極接地，集電極連接所述電阻R45的一端；所述電阻R45的另一端連接所述過流與短路信號端。
6.如權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述22K信號控制模塊包括:電阻R51、R52、R53、R54,電容 C5UC52, 二極管 D51, PMOS 管 Q51，三極管 Q52 ； 所述電阻R51的一端連接所述過流與短路保護(hù)模塊的輸出端、所述PMOS管Q51的源極及所述二極管D51的正極，另一端連接電阻R52的一端及所述PMOS管Q51的柵極；所述電阻R52的另一端連接三極管Q52的集電極；三極管Q52的發(fā)射極接地，基極連接電阻R53、電阻R54及電容C52的一端，所述電阻R53及電容C52的另一端并聯(lián)接地；所述電阻R54的另一端連接所述22K信號輸入端；所述PMOS管Q51的漏極連接所述二極管D51的負(fù)極、電容C51及所述LNB電壓輸出模塊；所述電容C51的另一端接地。
7.如權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述LNB電壓輸出模塊包括:二極管D61，電阻R61，電容C61 ； 所述二極管D61的正極連接所述22K信號控制模塊，負(fù)極連接電阻R61、電容C61的一端及LNB電壓輸出端；所述電阻R61、電容C61的另一端并聯(lián)接地。
8.一種數(shù)字電視接收終端，包括CPU，其特征在于，還包括如權(quán)利要求1-7任意一項所述的電路。
9.如權(quán)利要求8所述的終端，其特征在于，還包括檢測模塊，用于所述CPU接收到所述過流與短路信號端的低電平信號時，輸出提示信息并將LNB開/關(guān)信號端電壓重置為低電平。
10.如權(quán)利要求9所述的終端，其特征在于，還包括時鐘設(shè)置模塊，用于設(shè)置所述檢測模塊的重置時間段，及將LNB開/關(guān)信號端電壓恢復(fù)為高電平的恢復(fù)時間段。
【文檔編號】H04N7/20GK203747626SQ201420038900
【公開日】2014年7月30日 申請日期:2014年1月22日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月22日
【發(fā)明者】譚飛, 胡海強(qiáng) 申請人:深圳市同洲電子股份有限公司