兩相驅動ccd雙通道快速讀出結構的制作方法
【專利摘要】一種兩相驅動CCD雙通道快速讀出結構，包括采用片上集成技術集成于CMOS電路中的CCD單元及CCD讀出結構，所述CCD讀出結構包括像元、與像元連接的兩個讀出轉移柵、與兩個讀出轉移柵連接的兩條轉移通道、與兩條轉移通道連接的輸出節(jié)點；其創(chuàng)新在于：所述轉移通道由多個轉移單元組成，所述轉移單元采用與CMOS工藝兼容的二次多晶硅工藝制作，使轉移通道形成兩相驅動的信號轉移控制結構。本發(fā)明的有益技術效果是：減小工藝實現(xiàn)的復雜性、優(yōu)化信號讀出結構，有利于提高CCD在CMOS電路中片上集成時的工藝兼容性，提高器件的整體可靠性和信號讀出性能。
【專利說明】兩相驅動CCD雙通道快速讀出結構

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種線陣CXD讀出技術，尤其涉及一種兩相驅動CXD雙通道快速讀出結構。

【背景技術】
[0002]電荷稱合器件CCD (Charge Coupled Device)是一種微型圖像傳感器,本身兼具光電轉換功能和信號的存儲、轉移、轉換等功能，可以將空間域內分布的圖像，轉換成為按時間域離散分布的電信號，具有靈敏度高、光譜響應寬、動態(tài)范圍大、像元尺寸小、幾何精度高、成像質量好、抗震動、抗輻射等優(yōu)點。
[0003]線陣類型CXD作為CXD類型中的一個重要分支，在工業(yè)檢測和安全檢驗領域中的條形碼識別、光譜檢測、圖形掃描、非接觸式尺寸測量等系統(tǒng)中得到廣泛應用。線陣CCD具有很寬的光譜探測范圍，特種用途的線陣CCD，可以從近紫外到近紅外的光譜范圍內都有較好的響應。
[0004]傳統(tǒng)兩相驅動雙通道讀出的線陣類型CXD —般采用三次或四次多晶硅柵結構，一方面工藝實現(xiàn)較為復雜，并且其可靠性和噪聲性能有一定損失；另一方面，由于CMOS工藝一般為二次多晶硅工藝，當將三次或四次多晶硅柵結構的CXD在CMOS電路中片上集成時，存在工藝兼容性差、表面平整度低的問題。


【發(fā)明內容】

[0005]針對【背景技術】中的問題，本發(fā)明提出了一種兩相驅動C⑶雙通道快速讀出結構，包括采用片上集成技術集成于CMOS電路中的CCD單元及CCD讀出結構，所述CCD讀出結構包括像元、與像元連接的兩個讀出轉移柵、與兩個讀出轉移柵連接的兩條轉移通道、與兩條轉移通道連接的輸出節(jié)點；其創(chuàng)新在于:所述轉移通道由多個轉移單元組成，所述轉移單元采用與CMOS工藝兼容的二次多晶硅工藝制作，使轉移通道形成兩相驅動的信號轉移控制結構。
[0006]本發(fā)明的控制原理與現(xiàn)有技術相似，即按一定時序向多個轉移單元輸出兩相轉移控制電平來使像元內的電荷通過轉移通道和輸出節(jié)點向外輸出，本發(fā)明的核心在于采用與CMOS工藝兼容的二次多晶硅工藝來形成轉移通道上的轉移單元，從而使得C⑶在CMOS電路中片上集成時的工藝兼容性得到提高，改善器件表面平整度。
[0007]優(yōu)選地，所述輸出節(jié)點分別通過兩個輸出轉移柵與兩條轉移通道連接，其中，第一輸出轉移柵與第一轉移通道連接，第二輸出轉移柵與第二轉移通道連接，第一輸出轉移柵的控制部與信號端一連接，第二輸出轉移柵的控制部與信號端二連接；所述轉移通道內的多個轉移單元與信號端一和信號端二交替連接；第一轉移通道上與第一輸出轉移柵相鄰的轉移單元與信號端二連接；第二轉移通道上與第二輸出轉移柵相鄰的轉移單元與信號端一連接。
[0008]本發(fā)明的有益技術效果是:減小工藝實現(xiàn)的復雜性、優(yōu)化信號讀出結構，有利于提高CCD在CMOS電路中片上集成時的工藝兼容性，提高器件的整體可靠性和信號讀出性能。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1、本發(fā)明的結構示意圖；
圖2、現(xiàn)有的兩相驅動CCD雙通道讀出結構的示意圖；
圖中各個標記所對應的名稱分別為:像元1、讀出轉移柵2、輸出節(jié)點3、轉移單元4、勢阱相5、勢壘相6、信號端一 P0LY1、信號端二 P0LY2、信號端三P0LY3、轉移柵TG。
[0010]具體實施實施方式
一種兩相驅動CXD雙通道快速讀出結構，包括采用片上集成技術集成于CMOS電路中的CXD單元及CXD讀出結構，所述CXD讀出結構包括像元1、與像元I連接的兩個讀出轉移柵
2、與兩個讀出轉移柵2連接的兩條轉移通道、與兩條轉移通道連接的輸出節(jié)點3 ;其創(chuàng)新在于:所述轉移通道由多個轉移單元4組成，所述轉移單元4采用與CMOS工藝兼容的二次多晶硅工藝制作，使轉移通道形成兩相驅動的信號轉移控制結構。
[0011 ] 進一步地，所述輸出節(jié)點3分別通過兩個輸出轉移柵OTG與兩條轉移通道連接，其中，第一輸出轉移柵OTG與第一轉移通道連接，第二輸出轉移柵OTG與第二轉移通道連接，第一輸出轉移柵OTG的控制部與信號端一 POLYl連接，第二輸出轉移柵OTG的控制部與信號端二 P0LY2連接；所述轉移通道內的多個轉移單元4與信號端一 POLYl和信號端二 P0LY2交替連接；第一轉移通道上與第一輸出轉移柵OTG相鄰的轉移單元4與信號端二 P0LY2連接；第二轉移通道上與第二輸出轉移柵OTG相鄰的轉移單元4與信號端一 POLYl連接。
【權利要求】
1.一種兩相驅動(XD雙通道快速讀出結構，包括采用片上集成技術集成于CMOS電路中的(XD單元及(XD讀出結構，所述(XD讀出結構包括像元(1)、與像元(1)連接的兩個讀出轉移柵(2)、與兩個讀出轉移柵(2)連接的兩條轉移通道、與兩條轉移通道連接的輸出節(jié)點(3);其特征在于:所述轉移通道由多個轉移單元(4)組成，所述轉移單元(4)采用與CMOS工藝兼容的二次多晶硅工藝制作，使轉移通道形成兩相驅動的信號轉移控制結構。
2.根據(jù)權利要求1所述的兩相驅動CCD雙通道快速讀出結構，其特征在于:所述輸出節(jié)點(3)分別通過兩個輸出轉移柵(0TG)與兩條轉移通道連接，其中，第一輸出轉移柵(0TG)與第一轉移通道連接，第二輸出轉移柵(0TG)與第二轉移通道連接，第一輸出轉移柵(0TG)的控制部與信號端一(P0LY1)連接，第二輸出轉移柵(0TG)的控制部與信號端二(P0LY2)連接；所述轉移通道內的多個轉移單元(4)與信號端一(P0LY1)和信號端二(P0LY2)交替連接；第一轉移通道上與第一輸出轉移柵(0TG)相鄰的轉移單元(4)與信號端二(P0LY2)連接；第二轉移通道上與第二輸出轉移柵(0TG)相鄰的轉移單元(4)與信號端一(P0LY1)連接。
【文檔編號】H04N5/372GK104270587SQ201410568537
【公開日】2015年1月7日 申請日期:2014年10月23日 優(yōu)先權日:2014年10月23日
【發(fā)明者】王小東, 汪朝敏 申請人:中國電子科技集團公司第四十四研究所