基于rfid技術(shù)的td-lte單雙流室分監(jiān)控系統(tǒng)及方法
【專利摘要】一種基于RFID技術(shù)的TD－LTE單雙流室分監(jiān)控系統(tǒng)，包括主機及終端覆蓋天線；主機包括讀卡器芯片、數(shù)控衰減器、發(fā)射鏈路、環(huán)形器、主集端口、分集端口、兩級放大器、二級電子開關(guān)及接收鏈路。本發(fā)明提供的TD-LTE單雙流室分監(jiān)控系統(tǒng)及方法，在原有RFID天饋線監(jiān)控系統(tǒng)基礎(chǔ)上，通過針對性的電路改進以及控制設(shè)計，在TD-LTE單雙流室內(nèi)分布覆蓋網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)上，通過一臺RFID天饋線監(jiān)控系統(tǒng)主機即可實現(xiàn)對TD-LTE單雙流室內(nèi)分布覆蓋網(wǎng)絡(luò)的有效監(jiān)控，監(jiān)控系統(tǒng)主機數(shù)量僅為原來的一半。
【專利說明】基于RFID技術(shù)的TD-LTE單雙流室分監(jiān)控系統(tǒng)及方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于TD - LTE室內(nèi)分布網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種基于RFID技術(shù)的TD - LTE單雙流室分監(jiān)控系統(tǒng)及方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著國內(nèi)數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)需求日益增加，中國移動TD — LTE室內(nèi)覆蓋網(wǎng)絡(luò)建設(shè)投入力度越來越大。作為中國自主知識產(chǎn)權(quán)的TD-LTE技術(shù)，室內(nèi)覆蓋網(wǎng)絡(luò)建設(shè)中，覆蓋天線端雙流功率平衡才能保證覆蓋區(qū)域最高數(shù)據(jù)速率。在網(wǎng)絡(luò)建設(shè)初期，對網(wǎng)絡(luò)覆蓋效果的有效監(jiān)控能夠有力推動網(wǎng)絡(luò)建設(shè)的速度。
[0003]現(xiàn)階段實現(xiàn)室內(nèi)分布覆蓋網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控大致有以下幾種形式:
[0004]1、通過有源監(jiān)控終端實現(xiàn)覆蓋區(qū)域信號質(zhì)量檢測，該方式每個監(jiān)控終端需要一張SM卡，通過SM卡與覆蓋網(wǎng)絡(luò)的實時通信對網(wǎng)絡(luò)質(zhì)量進行實時監(jiān)控。由于每個有源監(jiān)控終端都需要SIM卡，占用了大量運營商的SIM卡資源，同時占用了大量的運營商數(shù)據(jù)流量，同時由于需要電源供電，使得該種檢測方式應(yīng)用場合局限性比較大。
[0005]2,RFID天饋線監(jiān)控系統(tǒng)，利用RFID技術(shù)實現(xiàn)對天線端口功率及駐波的檢測，監(jiān)控主機需要SM卡，無源檢測端子不需要SM卡，雖然節(jié)省了 SM資源，但是在對TD-LTE雙流室內(nèi)分布覆蓋網(wǎng)絡(luò)進行監(jiān)控時需要兩臺主機，增加了運營商的成本，參見圖1。
[0006]由上可知，在大規(guī)模的TD-LTE網(wǎng)絡(luò)建設(shè)中，實現(xiàn)室內(nèi)分布覆蓋網(wǎng)絡(luò)的有效監(jiān)控時，以上兩種實現(xiàn)方式都存在一定的局限性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的在于提供一種簡單、低成本的TD-LTE單雙流室內(nèi)分布覆蓋網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控方法。本發(fā)明的目的由以下技術(shù)方案實現(xiàn):
[0008]一種基于RFID技術(shù)的TD — LTE單雙流室分監(jiān)控系統(tǒng)，包括主機及終端覆蓋天線；其特征在于:所述主機包括讀卡器芯片、數(shù)控衰減器、發(fā)射鏈路、環(huán)形器、主集端口、分集端口、兩級放大器、二級電子開關(guān)及接收鏈路；讀卡器芯片的輸出連接數(shù)控衰減器，數(shù)控衰減器經(jīng)發(fā)射鏈路連接環(huán)形器的輸入，環(huán)形器的輸出接主集端口，主集端口通過多頻合路器與TD-LTE主集信號合路進入TD-LTE主集覆蓋網(wǎng)絡(luò)，分集端口通過多頻合路器與TD-LTE分集信號合路后進入TD-LTE分集覆蓋網(wǎng)絡(luò)；二級電子開關(guān)用于將環(huán)形器的隔離端連接接收鏈路，或者用于將分集端口通過兩級放大器連接讀卡器芯片的輸入；終端覆蓋天線包括TD-LTE主集信號覆蓋天線、TD-LTE分集信號覆蓋天線及集成于雙極化天線之間的窄帶RFID射頻標(biāo)簽，TD-LTE主集信號覆蓋天線感應(yīng)接收TD-LTE主集覆蓋網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)腞FID信號，窄帶RFID射頻標(biāo)簽反射RFID信號，TD-LTE分集信號覆蓋天線將反射的RFID信號傳給TD-LTE分集覆蓋網(wǎng)絡(luò)。
[0009]一種基于上述監(jiān)控系統(tǒng)的單流室分監(jiān)控方法，其特征在于，包括以下步驟:
[0010](I)將二級電子開關(guān)切換為將環(huán)形器的隔離端連接接收鏈路，監(jiān)控系統(tǒng)主機進入單流工作模式；
[0011](2)監(jiān)控系統(tǒng)主機步進逐漸增加RFID信號發(fā)射功率，當(dāng)查詢到滿足系統(tǒng)協(xié)議的窄帶RFID射頻標(biāo)簽時，記錄監(jiān)控系統(tǒng)主機發(fā)射功率Pkfid ；
[0012](3)監(jiān)控系統(tǒng)主機發(fā)射功率Pkfid到達(dá)窄帶RFID射頻標(biāo)簽的路徑損耗包含以下幾部分=TD-LTE主集覆蓋網(wǎng)絡(luò)的傳輸損耗Lmain、終端覆蓋天線內(nèi)部TD-LTE主集信號覆蓋天線(垂直極化天線)到窄帶RFID射頻標(biāo)簽之間的傳出損耗Lv (天線設(shè)計完成后此參數(shù)為已知確定)，綜合考慮窄帶RFID射頻標(biāo)簽靈敏度S，可以得出以下結(jié)果:
[0013]Pefid — Lmain — Lv = S
[0014]因此:
[0015]通過公示Lmain = Pefid -S-Lv,計算得到TD-LTE主集覆蓋網(wǎng)絡(luò)的傳輸損耗Lmain,其中，S為窄帶RFID射頻標(biāo)簽靈敏度、Lv為RFID信號從TD-LTE主集信號覆蓋天線到窄帶RFID射頻標(biāo)簽之間的傳輸損耗；進而根據(jù)監(jiān)控系統(tǒng)主機檢測得到的TD-LTE主集下行信號強度Pmain及TD-LTE主集覆蓋網(wǎng)絡(luò)的傳輸損耗Lmain,得到TD-LTE主集信號覆蓋天線端口的下行信號強度；
[0016]一種基于上述監(jiān)控系統(tǒng)的雙流室分監(jiān)控方法，其特征在于，包括以下步驟:
[0017](I)、RFID天饋線監(jiān)控系統(tǒng)主機切換為將分集端口通過兩級放大器連接讀卡器芯片的輸入，進入雙流工作模式；
[0018](2)、監(jiān)控系統(tǒng)主機通過主集室內(nèi)分布覆蓋網(wǎng)絡(luò)步進逐漸增加RFID信號發(fā)射功率；通過分集室內(nèi)分布覆蓋網(wǎng)絡(luò)接收窄帶RFID射頻標(biāo)簽反射回來的RFID信號；當(dāng)查詢到滿足系統(tǒng)協(xié)議窄帶RFID射頻標(biāo)簽時，記錄此時監(jiān)控系統(tǒng)主機發(fā)射功率Pkfid ；
[0019](3)、根據(jù)公式Lmain = Pefid -S-Lv,計算得到TD-LTE主集覆蓋網(wǎng)絡(luò)的傳輸損耗Lmain，其中，S為窄帶RFID射頻標(biāo)簽靈敏度、Lv為RFID信號從TD-LTE主集信號覆蓋天線到窄帶RFID射頻標(biāo)簽之間的傳輸損耗；進而根據(jù)監(jiān)控系統(tǒng)主機檢測得到的TD-LTE主集下行信號強度Pmain及TD-LTE主集覆蓋網(wǎng)絡(luò)的傳輸損耗Lmain,得到TD-LTE主集信號覆蓋天線端口的下行信號強度；
[0020]同時，根據(jù)公式Lmim。= Pefid — Lmain — Lv — Lloss — Lh — Smimo,計算得到 TD-LTE 分集覆蓋網(wǎng)絡(luò)的傳輸損耗Lmim。，其中，Lltjss為窄帶RFID射頻標(biāo)簽芯片吸收部分能量導(dǎo)致的信號衰減，Lh為TD-LTE分集信號覆蓋天線到窄帶RFID射頻標(biāo)簽之間的傳輸損耗，Smimo為分集端口的靈敏度；進而根據(jù)監(jiān)控系統(tǒng)主機檢測得到的TD-LTE分集下行信號強度Pminro及TD-LTE分集覆蓋網(wǎng)絡(luò)的傳輸損耗Lmim。，得到TD-LTE分集信號覆蓋天線端口的下行信號強度；
[0021](4)、通過比較TD-LTE主集信號覆蓋天線端口的下行信號強度與TD-LTE分集信號覆蓋天線端口的下行信號強度，得到終端覆蓋天線功率的不平衡性。
[0022]本發(fā)明提供的TD-LTE單雙流室分監(jiān)控系統(tǒng)及方法，在原有RFID天饋線監(jiān)控系統(tǒng)基礎(chǔ)上，通過針對性的電路改進以及控制設(shè)計，在TD-LTE單雙流室內(nèi)分布覆蓋網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)上，通過一臺RFID天饋線監(jiān)控系統(tǒng)主機即可實現(xiàn)對TD-LTE單雙流室內(nèi)分布覆蓋網(wǎng)絡(luò)的有效監(jiān)控，監(jiān)控系統(tǒng)主機數(shù)量僅為原來的一半。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1為現(xiàn)有常規(guī)RFID天饋線監(jiān)控系統(tǒng)主機的構(gòu)成示意圖。[0024]圖2為本發(fā)明實施例提供的基于RFID技術(shù)實現(xiàn)TD — LTE單雙流室分監(jiān)控系統(tǒng)主機的構(gòu)成示意圖。
[0025]圖3為本發(fā)明實施例提供的基于RFID技術(shù)實現(xiàn)TD — LTE單雙流室分監(jiān)控系統(tǒng)主機的網(wǎng)絡(luò)連接示意圖。
[0026]圖4為本發(fā)明實施例提供的基于RFID技術(shù)實現(xiàn)TD — LTE單雙流室分監(jiān)控系統(tǒng)中終端覆蓋天線的示意圖。
【具體實施方式】
[0027]結(jié)合圖2及圖4所示，本實施例提供的TD — LTE單雙流室分監(jiān)控系統(tǒng)包括主機及終端覆蓋天線。
[0028]如圖2所示，上述測試系統(tǒng)的主機包括讀卡器芯片、數(shù)控衰減器、發(fā)射鏈路、隔離器、主集端口、分集端口、兩級放大器、二級電子開關(guān)及接收鏈路。讀卡器芯片的輸出連接數(shù)控衰減器，數(shù)控衰減器經(jīng)發(fā)射鏈路連接隔離器的輸入，隔離器的輸出接主集端口，分集端口接兩級放大器的輸入。二級電子開關(guān)受控下可以切換，用于將環(huán)形器的隔離端連接接收鏈路，或者用于將分集端口通過兩級放大器連接讀卡器芯片的輸入。其中，分集端口設(shè)置的一級低噪聲放大和一級射頻放大(兩級放大器增益為G)，用于接收TD-LTE分集覆蓋網(wǎng)絡(luò)返回的RFID信號以及提高此信號的強度。
[0029]結(jié)合圖3所示，上述主機的主集端口通過多頻合路器與TD-LTE主集信號合路進入TD-LTE主集覆蓋網(wǎng)絡(luò)；上述主機的分集端口通過多頻合路器與TD-LTE分集信號合路后進入TD-LTE分集覆蓋網(wǎng)絡(luò)。
[0030]結(jié)合圖4所示，終端覆蓋天線設(shè)置在遠(yuǎn)端，包括TD-LTE主集信號覆蓋天線(垂直極化天線)、TD-LTE分集信號覆蓋天線(水平極化天線)及集成于雙極化天線之間的窄帶RFID射頻標(biāo)簽，TD-LTE主集信號覆蓋天線感應(yīng)接收TD-LTE主集覆蓋網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)腞FID信號，窄帶RFID射頻標(biāo)簽反射RFID信號，TD-LTE分集信號覆蓋天線將反射的RFID信號傳給TD-LTE分集覆蓋網(wǎng)絡(luò)。本雙極化天線中，窄帶RFID射頻標(biāo)簽與垂直極化天線(TD-LTE主集信號覆蓋天線)之間的傳輸損耗Lh (單位:dB)、窄帶RFID射頻標(biāo)簽與水平極化天線(TD-LTE分集信號覆蓋天線)之間的傳輸損耗Lv (單位:dB)基本保持一致。窄帶RFID射頻標(biāo)簽全部自動化印刷、貼片完成，靈敏度S (單位:dBm)。
[0031]上述監(jiān)控系統(tǒng)主機可以工作于單流工作模式，也可以工作于雙流工作模式，下面分別詳述其監(jiān)控原理及工作過程:
[0032]單流工作模式:
[0033](I)將二級電子開關(guān)切換為將環(huán)形器的隔離端連接接收鏈路，監(jiān)控系統(tǒng)主機進入單流工作模式；
[0034](2)監(jiān)控系統(tǒng)主機以IdB為步進逐漸增加RFID信號發(fā)射功率，當(dāng)查詢到滿足系統(tǒng)協(xié)議的窄帶RFID射頻標(biāo)簽時，記錄監(jiān)控系統(tǒng)主機發(fā)射功率Pkfid (單位:dBm)；
[0035](3)監(jiān)控系統(tǒng)主機發(fā)射功率Pkfid到達(dá)窄帶RFID射頻標(biāo)簽的路徑損耗包含以下幾部分=TD-LTE主集覆蓋網(wǎng)絡(luò)的傳輸損耗Lmain、終端覆蓋天線內(nèi)部TD-LTE主集信號覆蓋天線(垂直極化天線)到窄帶RFID射頻標(biāo)簽之間的傳出損耗Lv (天線設(shè)計完成后此參數(shù)為已知確定)，綜合考慮窄帶RFID射頻標(biāo)簽靈敏度S，可以得出以下結(jié)果:[0036]Pefid — Lmain — Lv = S
[0037]因此:
[0038]Lmain — Pefid — S — Lv
[0039]Pefid, S、Lv，三個參數(shù)均可以確認(rèn)，因此可以明確得到TD-LTE主集覆蓋網(wǎng)絡(luò)的傳輸損耗Lmain (dB)，綜合考慮監(jiān)控系統(tǒng)主機檢測得到的主集下行信號強度Pmain及TD-LTE主集覆蓋網(wǎng)絡(luò)的傳輸損耗Lmain，可以得到TD-LTE主集信號覆蓋天線端口的下行信號強度。從而實現(xiàn)對TD - LTE單流模式室內(nèi)分布覆蓋系統(tǒng)的有效監(jiān)控。
[0040]雙流工作模式:
[0041]1、RFID天饋線監(jiān)控系統(tǒng)主機切換為將分集端口通過兩級放大器連接讀卡器芯片的輸入，進入雙流工作模式；
[0042]2、監(jiān)控系統(tǒng)主機通過TD-LTE主集覆蓋網(wǎng)絡(luò)以IdB為步進逐漸增加RFID信號發(fā)射功率；通過TD-LTE分集覆蓋網(wǎng)絡(luò)接收窄帶RFID射頻標(biāo)簽反射回來的RFID信號。由于分集端口增加了兩級放大器，因此可以確保窄帶標(biāo)簽被激活時，通過TD-LTE主集覆蓋網(wǎng)絡(luò)接收到窄帶RFID射頻標(biāo)簽反射的RFID信號。當(dāng)查詢到滿足系統(tǒng)協(xié)議的窄帶RFID射頻標(biāo)簽時，記錄此時監(jiān)控系統(tǒng)主機發(fā)射的RFID信號功率Pkfid (單位:dBm)。
[0043]3、首先，TD-LTE主集信號覆蓋天線端口的下行信號強度的計算。
[0044]監(jiān)控系統(tǒng)主機發(fā)射的功率Pkfid的RFID信號經(jīng)過TD-LTE主集覆蓋網(wǎng)絡(luò)到達(dá)窄帶RFID射頻標(biāo)簽的路徑損耗包含以下幾部分=TD-LTE主集覆蓋網(wǎng)絡(luò)的傳輸損耗Lmain、終端覆蓋天線內(nèi)部垂直極化天線到窄帶RFID射頻標(biāo)簽之間的傳輸損耗Lv (天線設(shè)計完成后此參數(shù)為已知確定)，綜合考慮窄帶RFID射頻標(biāo)簽靈敏度S，可以得出以下結(jié)果:
[0045]Pefid — Lmain — Lv = S
[0046]因此:
[0047]Lmain = Pefid -S-Lv
[0048]Pefid, S、Lv，三個參數(shù)均可以確認(rèn)，因此可以明確得到TD-LTE主集信號到達(dá)終端覆蓋天線的傳輸損耗Lmain,綜合考慮監(jiān)控系統(tǒng)主機檢測得到的TD-LTE主集下行信號強度Pmain及TD-LTE主集覆蓋網(wǎng)絡(luò)的傳輸損耗Lmain，可以得到TD-LTE主集信號覆蓋天線端口的下行信號強度。
[0049]其次，TD-LTE分集信號覆蓋天線端口的下行信號強度的計算。
[0050]當(dāng)窄帶RFID射頻標(biāo)簽被激活時，標(biāo)簽芯片會吸收部分能量導(dǎo)致信號衰減，此衰減標(biāo)簽芯片設(shè)計完成出廠時為確定值Lltjss (單位dB)。
[0051]RFID天饋線監(jiān)控系統(tǒng)主機發(fā)射的RFID信號經(jīng)過主集室內(nèi)分布覆蓋網(wǎng)絡(luò)傳輸損耗Lfflain (由2計算后已知)、垂直極化天線到窄帶RFID射頻標(biāo)簽之間傳輸損耗Lv、標(biāo)簽芯片吸收Lltjss、水平極化天線到窄帶RFID射頻標(biāo)簽之間傳輸損耗Lh、TD-LTE分集覆蓋網(wǎng)絡(luò)傳輸損耗Lmim。，到達(dá)RFID天饋線監(jiān)控系統(tǒng)主機分集接收端口，分集接收端口靈敏度Sminro可以通過測試得到。
[0052]因此:
[0053]Prfid — Lmain — Lv — Lloss — Lh — Lmimo 一 Smimo
[0054]Pefid, Lmain, Lv、Lloss> Lh、Smimo均為已知或者可測試得到，因此:
[0055]L1Jimo — Prfid — Lmain — Lv — Lloss — Lh — Smimo[0056]由此得到TD-LTE分集覆蓋網(wǎng)絡(luò)的傳輸損耗Lmim。，結(jié)合監(jiān)控系統(tǒng)主機檢測得到的TD-LTE分集下行信號強度Pminro及TD-LTE分集覆蓋網(wǎng)絡(luò)的傳輸損耗Lmim。，可以得到TD-LTE分集信號覆蓋天線端口的下行信號強度；
[0057]4、通過比較TD-LTE主集信號覆蓋天線端口的下行信號強度與TD-LTE分集信號覆蓋天線端口的下行信號強度，可以獲得TD-LTE室內(nèi)分布覆蓋網(wǎng)絡(luò)終端天線功率的不平衡性，從而有效的指導(dǎo)TD-LTE室分建設(shè)。
【權(quán)利要求】
1.一種基于RFID技術(shù)的TD - LTE單雙流室分監(jiān)控系統(tǒng)，包括主機及終端覆蓋天線；其特征在于:所述主機包括讀卡器芯片、數(shù)控衰減器、發(fā)射鏈路、環(huán)形器、主集端口、分集端口、兩級放大器、二級電子開關(guān)及接收鏈路；讀卡器芯片的輸出連接數(shù)控衰減器，數(shù)控衰減器經(jīng)發(fā)射鏈路連接環(huán)形器的輸入，環(huán)形器的輸出接主集端口，主集端口通過多頻合路器與TD-LTE主集信號合路進入TD-LTE主集覆蓋網(wǎng)絡(luò)，分集端口通過多頻合路器與TD-LTE分集信號合路后進入TD-LTE分集覆蓋網(wǎng)絡(luò)；二級電子開關(guān)用于將環(huán)形器的隔離端連接接收鏈路，或者用于將分集端口通過兩級放大器連接讀卡器芯片的輸入；終端覆蓋天線包括TD-LTE主集信號覆蓋天線、TD-LTE分集信號覆蓋天線及集成于雙極化天線之間的窄帶RFID射頻標(biāo)簽，TD-LTE主集信號覆蓋天線感應(yīng)接收TD-LTE主集覆蓋網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)腞FID信號，窄帶RFID射頻標(biāo)簽反射RFID信號，TD-LTE分集信號覆蓋天線將反射的RFID信號傳給TD-LTE分集覆蓋網(wǎng)絡(luò)。
2.一種基于權(quán)利要求1所述監(jiān)控系統(tǒng)的單流室分監(jiān)控方法，其特征在于，包括以下步驟: (1)將二級電子開關(guān)切換為將環(huán)形器的隔離端連接接收鏈路，監(jiān)控系統(tǒng)主機進入單流工作模式； (2)監(jiān)控系統(tǒng)主機步進逐漸增加RFID信號發(fā)射功率，當(dāng)查詢到滿足系統(tǒng)協(xié)議的窄帶RFID射頻標(biāo)簽時，記錄監(jiān)控系統(tǒng)主機發(fā)射功率Pkfid ； (3)監(jiān)控系統(tǒng)主機發(fā)射功率Pkfid到達(dá)窄帶RFID射頻標(biāo)簽的路徑損耗包含以下幾部分:TD-LTE主集覆蓋網(wǎng)絡(luò)的傳輸損耗Lmain、終端覆蓋天線內(nèi)部TD-LTE主集信號覆蓋天線(垂直極化天線)到窄帶RFID射頻標(biāo)簽之間的傳出損耗Lv (天線設(shè)計完成后此參數(shù)為已知確定)，綜合考慮窄帶RFID射頻標(biāo)簽靈敏度S，可以得出以下結(jié)果: P — I —I =S rRFID Lmain Lv O` 因此: 通過公示Lmain = Pefid -S-Lv,計算得到TD-LTE主集覆蓋網(wǎng)絡(luò)的傳輸損耗Lmain，其中，S為窄帶RFID射頻標(biāo)簽靈敏度、Lv為RFID信號從TD-LTE主集信號覆蓋天線到窄帶RFID射頻標(biāo)簽之間的傳輸損耗；進而根據(jù)監(jiān)控系統(tǒng)主機檢測得到的TD-LTE主集下行信號強度Pmain及TD-LTE主集覆蓋網(wǎng)絡(luò)的傳輸損耗Lmain,得到TD-LTE主集信號覆蓋天線端口的下行信號強度。
3.一種基于權(quán)利要求1所述監(jiān)控系統(tǒng)的雙流室分監(jiān)控方法，其特征在于，包括以下步驟: (1)、RFID天饋線監(jiān)控系統(tǒng)主機切換為將分集端口通過兩級放大器連接讀卡器芯片的輸入，進入雙流工作模式； (2)、監(jiān)控系統(tǒng)主機通過主集室內(nèi)分布覆蓋網(wǎng)絡(luò)步進逐漸增加RFID信號發(fā)射功率；通過分集室內(nèi)分布覆蓋網(wǎng)絡(luò)接收窄帶RFID射頻標(biāo)簽反射回來的RFID信號；當(dāng)查詢到滿足系統(tǒng)協(xié)議窄帶RFID射頻標(biāo)簽時，記錄此時監(jiān)控系統(tǒng)主機發(fā)射功率Pkfid ； (3)、根據(jù)公式Lmain= Pefid - S - Lv，計算得到TD-LTE主集覆蓋網(wǎng)絡(luò)的傳輸損耗Lmain,其中，S為窄帶RFID射頻標(biāo)簽靈敏度、Lv為RFID信號從TD-LTE主集信號覆蓋天線到窄帶RFID射頻標(biāo)簽之間的傳輸損耗；進而根據(jù)監(jiān)控系統(tǒng)主機檢測得到的TD-LTE主集下行信號強度Pmain及TD-LTE主集覆蓋網(wǎng)絡(luò)的傳輸損耗Lmain,得到TD-LTE主集信號覆蓋天線端口的下行信號強度；
同時，根據(jù)公式 Lmimo = Pefid — Lmain — Lv — Lloss -Lh- Smimo,計算得到 TD-LTE 分集覆蓋網(wǎng)絡(luò)的傳輸損耗Lmim。，其中，Lloss為窄帶RFID射頻標(biāo)簽芯片吸收部分能量導(dǎo)致的信號衰減，Lh為TD-LTE分集信號覆蓋天線到窄帶RFID射頻標(biāo)簽之間的傳輸損耗，Smimo為分集端口的靈敏度；進而根據(jù)監(jiān)控系統(tǒng)主機檢測得到的TD-LTE分集下行信號強度Pminro及TD-LTE分集覆蓋網(wǎng)絡(luò)的傳輸損耗Lmim。，得到TD-LTE分集信號覆蓋天線端口的下行信號強度； (4)、通過比較TD-LTE主集信號覆蓋天線端口的下行信號強度與TD-LTE分集信號覆蓋天線端口的下行信號強度，得到終端覆蓋天線功率的不平衡性。
【文檔編號】H04W16/20GK103619028SQ201310395591
【公開日】2014年3月5日 申請日期:2013年9月3日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月3日
【發(fā)明者】王永剛 申請人:珠海銀郵光電技術(shù)發(fā)展股份有限公司, 珠海銀郵光電信息工程有限公司