專利名稱：一種收發(fā)一體多功能電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及收發(fā)兩用電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種微波單片集成電路技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
高功率附加效率的收發(fā)一體多功能電路作為一個部件在微波和毫米波相控陣系統(tǒng)中廣泛應(yīng)用，圖11是一個簡化的相控陣T/R組件的示意圖，該系統(tǒng)包含了收發(fā)一體多功能電路210和幅相控制多功能電路220，兩款多功能電路實現(xiàn)一個相控陣用T/R單元，實現(xiàn)傳輸信號的收發(fā)放大功能及幅度、相位控制。收發(fā)一體多功能電路210包含了天線端通道選擇開關(guān)電路211，接收通道低噪聲放大器電路212，發(fā)射通道功率放大器電路214，驅(qū)動端通道選擇開關(guān)電路213和收發(fā)支路電源控制215等五個功能單元。隨著相控陣T/R組件高功率輸出、小型化和批量化的要求，目前該系統(tǒng)中采用的分離單功能MMIC電路不能滿足小型化及批量工程化的要求。申請?zhí)枮?00820141364的專利文件公開了一種毫米波功率級單片收/發(fā)集成電路。文獻中描述采用MMIC技術(shù)實現(xiàn)類似收發(fā)一體多功能芯片的可能性，但不包含運用了放大器的電流復(fù)用技術(shù)和開關(guān)浮地等多種新技術(shù)，滿足了接收支路的超低功耗和發(fā)射支路高功率附加效率要求等各種具體需求的技術(shù)途徑。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種收發(fā)一體多功能電路，所述電路具有超低接收功耗、高發(fā)射功率附加效率和簡便的正壓控制通道選擇開關(guān)等特點。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所采取的技術(shù)方案是:一種收發(fā)一體多功能電路，包括天線端通道選擇開關(guān)電路、接收通道低噪聲放大器電路、驅(qū)動端通道選擇開關(guān)電路、發(fā)射通道功率放大器電路和收發(fā)支路電源控制電路，其特征在于接收通道低噪聲放大器電路和發(fā)射通道功率放大器電路為電流復(fù)用電路，所述天線端通道選擇開關(guān)電路和驅(qū)動端通道選擇開關(guān)電路采用開關(guān)浮地電路。優(yōu)選的:所述天線端通道選擇開關(guān)電路包括電阻R1-R3、電阻R24-R26、電容C1-C3、電容C23-C25、微帶線M1-M3、微帶線M34-M36和場效應(yīng)管FETl和場效應(yīng)管FETlOjjf述天線端通道選擇開關(guān)電路的雙向端口的第一路經(jīng)電容Cl、微帶線Ml、微帶線M3接電容C3的一端，電容C3的另一端為所述天線端通道選擇開關(guān)電路的輸出端，場效應(yīng)管FETl的漏極接微帶線Ml與微帶線M3的結(jié)點，場效應(yīng)管FETl的源極經(jīng)微帶線M2、電容C2接地，微帶線M2與電容C2的結(jié)點經(jīng)電阻R2、電阻R3接微帶線M3與電容C3的結(jié)點，電阻R2與電阻R3的結(jié)點接電源；
所述天線端通道選擇開關(guān)電路的雙向端口的第二路經(jīng)電容C25、微帶線M36、微帶線M34接電容C23的一端，電容C23的另一端為所述天線端通道選擇開關(guān)電路的輸入端，場效應(yīng)管FETlO的漏極接微帶線M36與微帶線M34的結(jié)點，場效應(yīng)管FETl的源極經(jīng)微帶線M35、電容C24接地，微帶線M35與電容C24的結(jié)點經(jīng)電阻R25、電阻R24接微帶線M34與電容C23的結(jié)點，電阻R25與電阻R24的結(jié)點接電源。優(yōu)選的:所述接收通道低噪聲放大器電路包括電阻R4-R11、電容C4-C10、電感L1-L2、微帶線M4-M14和場效應(yīng)管FET2-FET4，所述接收通道低噪聲放大器電路的輸入端經(jīng)電容C4、微帶線M4、微帶線M5接場效應(yīng)管FET2的柵極，微帶線M4與微帶線M5的結(jié)點經(jīng)電阻R4接地，場效應(yīng)管FET2的源極經(jīng)微帶線M6、電阻R5接地，所述電容C5與電阻R5并聯(lián)，所述場效應(yīng)管FET2的漏極的第一路經(jīng)電容C6、微帶線M8、微帶線M9接場效應(yīng)管FET3的柵極，場效應(yīng)管FET2漏極的第二路經(jīng)微帶線M7接電感LI的一端，場效應(yīng)管FET3的源極經(jīng)微帶線M10、電容C7接地，電感LI的另一端接微帶線MlO與電容C7的結(jié)點，場效應(yīng)管FET3的漏極的第一路經(jīng)電容C8、微帶線Ml2、微帶線Ml3接場效應(yīng)管FET4的柵極，場效應(yīng)管FET3的漏極的第二路 經(jīng)微帶線Mll接電感L2的一端，微帶線M12與微帶線M13的結(jié)點經(jīng)電阻R9、電阻R8、電阻R6接微帶線M8與微帶線M9的結(jié)點，電阻R8與電阻R6的結(jié)點經(jīng)電阻R7接地，場效應(yīng)管FET4的源極經(jīng)微帶線M14、電容C9接地，電感L2的另一端接微帶線M14與電容C9的結(jié)點，場效應(yīng)管FET4漏極的第一路經(jīng)電阻R11-R9接微帶線M12與微帶線M13的結(jié)點，電阻RlO與電阻Rll的結(jié)點接電源，場效應(yīng)管FET4的漏極的第二路接電容ClO的一端，電容ClO的另一端為所述收通道低噪聲放大器電路的輸出端。優(yōu)選的:所述發(fā)射通道功率放大器電路包括電阻R18-R23、電容C17-C22、電感L3、微帶線M21-M33和場效應(yīng)管FET7-FET9，所述發(fā)射通道功率放大器電路的輸入端經(jīng)電容C17、微帶線M21、微帶線M22接場效應(yīng)管FET7的柵極，微帶線M21與微帶線M22的結(jié)點經(jīng)電阻R18接地，所述場效應(yīng)管FET7的源極經(jīng)微帶線M23、電阻R19接地，所述電容C18與所述電阻R19并聯(lián)，所述場效應(yīng)管FET7的漏極的一路經(jīng)電容C19、微帶線M25、微帶線M26接場效應(yīng)管FET8的柵極，所述場效應(yīng)管FET7的漏極的另一路經(jīng)微帶線M24與電感L3的一端連接，微帶線M25與微帶線M26的結(jié)點經(jīng)電阻R20、電阻R21接地，所述場效應(yīng)管FET8的源極經(jīng)微帶線M27、電容C20接地，電感L3的另一端接微帶線M27與電容C20的結(jié)點，所述場效應(yīng)管FET8的漏極的第一路經(jīng)電阻R22接電阻R20與電阻R21的結(jié)點，所述場效應(yīng)管FET8的漏極的第二路經(jīng)電容C21、微帶線M28、微帶線M30接場效應(yīng)管FET9的柵極，所述場效應(yīng)管FET8的漏極的第三路接電源，微帶線M28與微帶線M30的結(jié)點經(jīng)微帶線M29、電阻R23接電源，所述場效應(yīng)管FET9的源極經(jīng)微帶線M33接地，所述場效應(yīng)管FET9的漏極的第一路經(jīng)微帶線M31接電源，所述場效應(yīng)管FET9的漏極的第二路經(jīng)微帶線M32與電容C22的一端連接，所述電容C22的另一端為所述發(fā)射通道功率放大器電路的輸出端。采用上述技術(shù)方案所產(chǎn)生的有益效果在于:所述收發(fā)一體多功能電路具有集成功能復(fù)雜、超低功耗、高功率附加效率以及溫度穩(wěn)定性要求高等特點；結(jié)合芯片加工工藝特點，創(chuàng)新性運用了放大器的電流復(fù)用技術(shù)和開關(guān)浮地等多種新技術(shù)，滿足了接收支路的超低功耗和發(fā)射支路高功率附加效率要求等各種具體需求，優(yōu)化及創(chuàng)新不同應(yīng)用背景的整體電路拓?fù)?，實現(xiàn)了各項指標(biāo)。


下面結(jié)合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細(xì)的說明。圖1是本發(fā)明的原理框 圖2是圖1中天線端通道選擇開關(guān)電路的電路原理圖；圖3是圖1中接收通道低噪聲放大器電路的電路原理 圖4是圖1中射通道功率放大器電路的電路原理 圖5是本發(fā)明的電路原理 圖6是接收通道低噪聲測試結(jié)果 圖7是接收通道的增益測試結(jié)果 圖8是發(fā)射通道的輸出功率測試結(jié)果 圖9是發(fā)射通道的功率附加效率測試結(jié)果 圖10是發(fā)射通道的工作電流測試結(jié)果 圖11是簡化的相控陣T/R組件的示意 其中:210、收發(fā)一體多功能電路211、天線端通道選擇開關(guān)電路212、接收通道低噪聲放大器電路213、驅(qū)動端通道選擇開關(guān)電路214、發(fā)射通道功率放大器電路215、收發(fā)支路電源控制220、幅相控制多功能電路。
具體實施例方式如圖1和5所示，一種收發(fā)一體多功能電路，包括天線端通道選擇開關(guān)電路211、接收通道低噪聲放大器電路212、驅(qū)動端通道選擇開關(guān)電路213、發(fā)射通道功率放大器電路214和收發(fā)支路電源控制電路215。接收通道低噪聲放大器電路212和發(fā)射通道功率放大器電路214為電流復(fù)用 電路，所述天線端通道選擇開關(guān)電路211和驅(qū)動端通道選擇開關(guān)電路213采用開關(guān)浮地電路。如圖2所示，所述天線端通道選擇開關(guān)電路包括電阻R1-R3、電阻R24-R26、電容C1-C3、電容C23-C25、微帶線M1-M3、微帶線M34-M36和場效應(yīng)管FETl和場效應(yīng)管FET10。所述天線端通道選擇開關(guān)電路的雙向端口的第一路經(jīng)電容Cl、微帶線Ml、微帶線M3接電容C3的一端，電容C3的另一端為所述天線端通道選擇開關(guān)電路的輸出端，場效應(yīng)管FETl的漏極接微帶線Ml與微帶線M3的結(jié)點，場效應(yīng)管FETl的源極經(jīng)微帶線M2、電容C2接地，微帶線M2與電容C2的結(jié)點經(jīng)電阻R2、電阻R3接微帶線M3與電容C3的結(jié)點，電阻R2與電阻R3的結(jié)點接電源；
所述天線端通道選擇開關(guān)電路的雙向端口的第二路經(jīng)電容C25、微帶線M36、微帶線M34接電容C23的一端，電容C23的另一端為所述天線端通道選擇開關(guān)電路的輸入端，場效應(yīng)管FETlO的漏極接微帶線M36與微帶線M34的結(jié)點，場效應(yīng)管FETl的源極經(jīng)微帶線M35、電容C24接地，微帶線M35與電容C24的結(jié)點經(jīng)電阻R25、電阻R24接微帶線M34與電容C23的結(jié)點，電阻R25與電阻R24的結(jié)點接電源。在通道選擇開關(guān)的設(shè)計中，采用電壓浮地技術(shù)實現(xiàn)正電壓對場效應(yīng)晶體管的簡便控制。通過電容C1-C3對開關(guān)耗盡型場效應(yīng)晶體管FETl的漏極和源極進行隔離直流，晶體管FETl的柵極通過隔離電阻Rl接地，晶體管FETl的漏極和源極分別通過電阻R3、電阻R2進行正電壓Vc_Rx饋電，從而實現(xiàn)正電壓Vc_Rx對開關(guān)型耗盡型場效應(yīng)晶體管FETl的開關(guān)控制，微波元件微帶線M1-M3實現(xiàn)開關(guān)的微波匹配功能；通過電容C11-C13對開關(guān)耗盡型場效應(yīng)晶體管FET5的漏極和源極進行隔離直流，晶體管FET5的柵極通過隔離電阻R14接地，晶體管FET5的漏極和源極分別通過電阻R12、電阻R13進行正電壓Vc_Rx饋電，從而實現(xiàn)正電壓Vc_Rx對開關(guān)耗盡型場效應(yīng)晶體管FET5的開關(guān)控制，微波元件M15-M17實現(xiàn)開關(guān)的微波匹配功能；通過電容C14-C16對開關(guān)耗盡型場效應(yīng)晶體管FET6的漏極和源極進行隔離直流，晶體管FET6的柵極通過隔離電阻R15接地，晶體管FET6的漏極和源極分別通過電阻R17、電阻R16進行正電壓Vc_Tx饋電，從而實現(xiàn)正電壓Vc_Tx對開關(guān)耗盡型場效應(yīng)晶體管FET6的開關(guān)控制，微波元件M18-M20實現(xiàn)開關(guān)的微波匹配功能；通過電容C23-C25對開關(guān)耗盡型場效應(yīng)晶體管(FETlO)的漏極和源極進行隔離直流，晶體管(FETlO)的柵極通過隔離電阻R26接地，晶體管FETlO的漏極和源極分別通過電阻R24、電阻R25進行正電壓Vc_Tx饋電，從而實現(xiàn)正電壓Vc_Tx對開關(guān)耗盡型場效應(yīng)晶體管FETlO的開關(guān)控制，微波元件M34-M36實現(xiàn)開關(guān)的微波匹配功能。當(dāng)Vc_Tx等于O伏、Vc_Rx等于5伏時，接收通道工作；當(dāng)Vc_Tx等于5伏、Vc_Rx等于O伏時，發(fā)射通道工作。如圖3所示，所述接收通道低噪聲放大器電路212包括電阻R4-R11、電容C4-C10、電感L1-L2、微帶線M4-M14和場效應(yīng)管FET2-FET4。所述接收通道低噪聲放大器電路的輸入端經(jīng)電容C4、微帶線M4、微帶線M5接場效應(yīng)管FET2的柵極，微帶線M4與微帶線M5的結(jié)點經(jīng)電阻R4接地，場效應(yīng)管FET2的源極經(jīng)微帶線M6、電阻R5接地，所述電容C5與電阻R5并聯(lián)，所述場效應(yīng)管FET2的漏極的第一路經(jīng)電容C6、微帶線M8、微帶線M9接場效應(yīng)管FET3的柵極，場效應(yīng)管FET2漏極的第二路經(jīng)微帶線M7接電感LI的一端，場效應(yīng)管FET3的源極經(jīng)微帶線M10、電容C7接地，電感LI的另一端接微帶線MlO與電容C7的結(jié)點，場效應(yīng)管FET3的漏極的第一路經(jīng)電容C8、微帶線M12、微帶線M13接場效應(yīng)管FET4的柵極，場效應(yīng)管FET3的漏極的第二路經(jīng)微帶線Mll接電感L2的一端，微帶線M12與微帶線M13的結(jié)點經(jīng)電阻R9、電阻R8、電阻R6接微帶線M8與微帶線M9的結(jié)點，電阻R8與電阻R6的結(jié)點經(jīng)電阻R7接地，場效應(yīng)管FET4的源極經(jīng)微帶線M14、電容C9接地，電感L2的另一端接微帶線M14與電容C9的結(jié)點，場效 應(yīng)管FET4漏極的第一路經(jīng)電阻R11-R9接微帶線M12與微帶線M13的結(jié)點，電阻RlO與電阻Rll的結(jié)點接電源，場效應(yīng)管FET4的漏極的第二路接電容ClO的一端，電容ClO的另一端為所述收通道低噪聲放大器電路的輸出端。接收通道低噪聲放大器電路采用多級器件級聯(lián)共用一路電源Vd_Rx，即通過直流饋電電感LI和L2實現(xiàn)后一級源極給前一級漏極饋電，通過電感L2實現(xiàn)耗盡型場效應(yīng)晶體管FET4的源極向耗盡型場效應(yīng)晶體管FET3的漏極饋電，通過電感LI實現(xiàn)耗盡型場效應(yīng)晶體管FET3的源極向耗盡型場效應(yīng)晶體管FET2的漏極饋電，實現(xiàn)工作電流復(fù)用；電阻R4-R11提供電路中耗盡型場效應(yīng)晶體管FET2 - FET4直流偏置；電容C4、電容C6、電容C8和電容ClO實現(xiàn)隔直；電容C5、電容C7和電容C9實現(xiàn)交流接地；微帶線M4-M5、微帶線M7-M9和微帶線M11-M13實現(xiàn)微波匹配功能,降低直流饋電網(wǎng)絡(luò)對電路性能的影響；微帶線M6、微帶線MlO和微帶線M14改善電路穩(wěn)定性。在工作頻率范圍內(nèi)，實現(xiàn)50mW超低功耗、29dB的接收增益和2.3dB的接收噪聲系數(shù)，含天線端通道選擇開關(guān)插入損耗。如圖4所示，所述發(fā)射通道功率放大器電路214包括電阻R18-R23、電容C17-C22、電感L3、微帶線M21-M33和場效應(yīng)管FET7-FET9。所述發(fā)射通道功率放大器電路的輸入端經(jīng)電容C17、微帶線M21、微帶線M22接場效應(yīng)管FET7的柵極，微帶線M21與微帶線M22的結(jié)點經(jīng)電阻R18接地，所述場效應(yīng)管FET7的源極經(jīng)微帶線M23、電阻R19接地，所述電容C18與所述電阻R19并聯(lián)，所述場效應(yīng)管FET7的漏極的一路經(jīng)電容C19、微帶線M25、微帶線M26接場效應(yīng)管FET8的柵極，所述場效應(yīng)管FET7的漏極的另一路經(jīng)微帶線M24與電感L3的一端連接，微帶線M25與微帶線M26的結(jié)點經(jīng)電阻R20、電阻R21接地，所述場效應(yīng)管FET8的源極經(jīng)微帶線M27、電容C20接地，電感L3的另一端接微帶線M27與電容C20的結(jié)點，所述場效應(yīng)管FET8的漏極的第一路經(jīng)電阻R22接電阻R20與電阻R21的結(jié)點，所述場效應(yīng)管FET8的漏極的第二路經(jīng)電容C21、微帶線M28、微帶線M30接場效應(yīng)管FET9的柵極，所述場效應(yīng)管FET8的漏極的第三路接電源，微帶線M28與微帶線M30的結(jié)點經(jīng)微帶線M29、電阻R23接電源，所述場效應(yīng)管FET9的源極經(jīng)微帶線M33接地，所述場效應(yīng)管FET9的漏極的第一路經(jīng)微帶線M31接電源，所述場效應(yīng)管FET9的漏極的第二路經(jīng)微帶線M32與電容C22的一端連接，所述電容C22的另一端為所述發(fā)射通道功率放大器電路的輸出端。在發(fā)射通道功率放大器電路的設(shè)計中，除末級放大的場效應(yīng)晶體管FET9需保證輸出功率外，其它各級采用電流復(fù)用技術(shù)，即通過電感L3實現(xiàn)耗盡型場效應(yīng)晶體管FET8的源極向耗盡型場效應(yīng)晶體管FET7的漏極饋電，實現(xiàn)工作電流復(fù)用，發(fā)射功率附加效率明顯提升10% 12%。根據(jù)以上所述，按照圖5的電路圖，采用砷化鎵單片集成電路制造工藝便可實現(xiàn)本發(fā)明。如圖6-10是本發(fā)明相關(guān)參數(shù)的測試圖，所述收發(fā)一體多功能電路具有集成功能復(fù)雜、超低功耗、高功率附加效率以及溫度穩(wěn)定性要求高等特點；結(jié)合芯片加工工藝特點，創(chuàng)新性運用了放大器的電流復(fù)用技術(shù)和開關(guān)浮地等多種新技術(shù)，滿足了接收支路的超低功耗和發(fā)射支路高功率附加效率要求等各種具體需求，優(yōu)化及創(chuàng)新不同應(yīng)用背景的整體電路拓?fù)洌瑢?現(xiàn)了各項指標(biāo)。
權(quán)利要求
1.一種收發(fā)一體多功能電路，包括天線端通道選擇開關(guān)電路(211)、接收通道低噪聲放大器電路(212)、驅(qū)動端通道選擇開關(guān)電路(213)、發(fā)射通道功率放大器電路(214)和收發(fā)支路電源控制電路(215)，其特征在于接收通道低噪聲放大器電路(212)和發(fā)射通道功率放大器電路(214)為電流復(fù)用電路，所述天線端通道選擇開關(guān)電路(211)和驅(qū)動端通道選擇開關(guān)電路(213)采用開關(guān)浮地電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種收發(fā)一體多功能電路，其特征在于所述天線端通道選擇開關(guān)電路包括電阻R1-R3、電阻R24-R26、電容C1-C3、電容C23-C25、微帶線M1-M3、微帶線M34-M36和場效應(yīng)管FETl和場效應(yīng)管FET10，所述天線端通道選擇開關(guān)電路的雙向端口的第一路經(jīng)電容Cl、微帶線Ml、微帶線M3接電容C3的一 端，電容C3的另一端為所述天線端通道選擇開關(guān)電路的輸出端，場效應(yīng)管FETl的漏極接微帶線Ml與微帶線M3的結(jié)點，場效應(yīng)管FETl的源極經(jīng)微帶線M2、電容C2接地，微帶線M2與電容C2的結(jié)點經(jīng)電阻R2、電阻R3接微帶線M3與電容C3的結(jié)點，電阻R2與電阻R3的結(jié)點接電源； 所述天線端通道選擇開關(guān)電路的雙向端口的第二路經(jīng)電容C25、微帶線M36、微帶線M34接電容C23的一端，電容C23的另一端為所述天線端通道選擇開關(guān)電路的輸入端，場效應(yīng)管FETlO的漏極接微帶線M36與微帶線M34的結(jié)點，場效應(yīng)管FETl的源極經(jīng)微帶線M35、電容C24接地，微帶線M35與電容C24的結(jié)點經(jīng)電阻R25、電阻R24接微帶線M34與電容C23的結(jié)點，電阻R25與電阻R24的結(jié)點接電源。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種收發(fā)一體多功能電路，其特征在于所述接收通道低噪聲放大器電路(212)包括電阻R4-R11、電容C4-C10、電感L1-L2、微帶線M4-M14和場效應(yīng)管FET2-FET4，所述接收通道低噪聲放大器電路的輸入端經(jīng)電容C4、微帶線M4、微帶線M5接場效應(yīng)管FET2的柵極，微帶線M4與微帶線M5的結(jié)點經(jīng)電阻R4接地，場效應(yīng)管FET2的源極經(jīng)微帶線M6、電阻R5接地，所述電容C5與電阻R5并聯(lián)，所述場效應(yīng)管FET2的漏極的第一路經(jīng)電容C6、微帶線M8、微帶線M9接場效應(yīng)管FET3的柵極，場效應(yīng)管FET2漏極的第二路經(jīng)微帶線M7接電感LI的一端，場效應(yīng)管FET3的源極經(jīng)微帶線M10、電容C7接地，電感LI的另一端接微帶線MlO與電容C7的結(jié)點，場效應(yīng)管FET3的漏極的第一路經(jīng)電容C8、微帶線M12、微帶線M13接場效應(yīng)管FET4的柵極，場效應(yīng)管FET3的漏極的第二路經(jīng)微帶線Mll接電感L2的一端，微帶線M12與微帶線M13的結(jié)點經(jīng)電阻R9、電阻R8、電阻R6接微帶線M8與微帶線M9的結(jié)點，電阻R8與電阻R6的結(jié)點經(jīng)電阻R7接地，場效應(yīng)管FET4的源極經(jīng)微帶線M14、電容C9接地，電感L2的另一端接微帶線M14與電容C9的結(jié)點，場效應(yīng)管FET4漏極的第一路經(jīng)電阻R11-R9接微帶線M12與微帶線M13的結(jié)點，電阻RlO與電阻Rll的結(jié)點接電源，場效應(yīng)管FET4的漏極的第二路接電容ClO的一端，電容ClO的另一端為所述收通道低噪聲放大器電路的輸出端。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種收發(fā)一體多功能電路，其特征在于所述發(fā)射通道功率放大器電路(214)包括電阻R18-R23、電容C17-C22、電感L3、微帶線M21-M33和場效應(yīng)管FET7-FET9，所述發(fā)射通道功率放大器電路的輸入端經(jīng)電容C17、微帶線M21、微帶線M22接場效應(yīng)管FET7的柵極，微帶線M21與微帶線M22的結(jié)點經(jīng)電阻R18接地，所述場效應(yīng)管FET7的源極經(jīng)微帶線M23、電阻R19接地，所述電容C18與所述電阻R19并聯(lián)，所述場效應(yīng)管FET7的漏極的一路經(jīng)電容C19、微帶線M25、微帶線M26接場效應(yīng)管FET8的柵極，所述場效應(yīng)管FET7的漏極的另一路經(jīng)微帶線M24與電感L3的一端連接，微帶線M25與微帶線M26的結(jié)點經(jīng)電阻R20、電阻R21接地，所述場效應(yīng)管FET8的源極經(jīng)微帶線M27、電容C20接地，電感L3的另一端接微帶線M27與電容C20的結(jié)點，所述場效應(yīng)管FET8的漏極的第一路經(jīng)電阻R22接電阻R20與電阻R21的結(jié)點，所述場效應(yīng)管FET8的漏極的第二路經(jīng)電容C21、微帶線M28、微帶線M30接場效應(yīng)管FET9的柵極，所述場效應(yīng)管FET8的漏極的第三路接電源，微帶線M28與微帶線M30的結(jié)點經(jīng)微帶線M29、電阻R23接電源，所述場效應(yīng)管FET9的源極經(jīng)微帶線M33接地，所述場效應(yīng)管FET9的漏極的第一路經(jīng)微帶線M31接電源，所述場效應(yīng)管FET9的漏極的第二路經(jīng)微帶線M32與電容C22的一端連接，所述電容C22的另一端為所述發(fā)射通道功率放大器電路的 輸出端。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種收發(fā)一體多功能電路，涉及收發(fā)兩用電路技術(shù)領(lǐng)域。包括天線端通道選擇開關(guān)電路、接收通道低噪聲放大器電路、驅(qū)動端通道選擇開關(guān)電路、發(fā)射通道功率放大器電路和收發(fā)支路電源控制電路，接收通道低噪聲放大器電路和發(fā)射通道功率放大器電路為電流復(fù)用電路，所述天線端通道選擇開關(guān)電路和驅(qū)動端通道選擇開關(guān)電路采用開關(guān)浮地電路。所述電路具有集成功能復(fù)雜、超低功耗、高功率附加效率以及溫度穩(wěn)定性要求高等特點；結(jié)合芯片加工工藝特點，創(chuàng)新性運用了放大器的電流復(fù)用技術(shù)和開關(guān)浮地等多種新技術(shù)，滿足了接收支路的超低功耗和發(fā)射支路高功率附加效率要求等各種具體需求，優(yōu)化及創(chuàng)新不同應(yīng)用背景的整體電路拓?fù)?，實現(xiàn)了各項指標(biāo)。
文檔編號H04B1/40GK103236869SQ20131012517
公開日2013年8月7日 申請日期2013年4月11日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月11日
發(fā)明者方園, 吳洪江, 韓芹, 高學(xué)邦, 劉永強, 劉如青, 李富強, 曾志, 王向瑋, 崔玉興, 魏洪濤 申請人:中國電子科技集團公司第十三研究所