專利名稱：大功率喇叭的t鐵的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及發(fā)聲器的技術(shù)領(lǐng)域，具體講是一種大功率喇叭的T鐵。
背景技術(shù)：
一般的發(fā)聲器，如喇叭、蜂鳴器、麥克風(fēng)等，主要是利用磁石、振動膜片及音圈的組合，經(jīng)由可調(diào)變的電阻產(chǎn)生適當(dāng)?shù)淖杩?，以使電流通過后產(chǎn)生聲音。目前，公知的喇叭是由磁路系統(tǒng)、振動系統(tǒng)和支撐系統(tǒng)組成。而通常，T鐵是喇叭的磁路系統(tǒng)的主要組成部分，現(xiàn)有技術(shù)的T鐵通常為圓盤狀的平板和立柱狀的芯軸組成，而大功率喇叭的T鐵通常為雙磁路的T鐵，如用于影院里的音箱。換句話說，這種T鐵為背凸T鐵，即在T鐵的圓盤狀平板的端面上具有外凸的背凸，這樣，兩組磁鋼就可以分別放置在平板的上面和下面。這種結(jié)構(gòu)的T鐵存在以下的缺點(diǎn):由于現(xiàn)有技術(shù)的T鐵為一次擠壓成型，因此，背凸的側(cè)壁存在一個拔模斜度，拔模斜度的取值非常重要，如果斜度大了，背凸與磁鋼之間的間隙就會增大，而間隙太大會減弱磁場的強(qiáng)度；如果斜度太小，產(chǎn)品就不容易從模具中取出，從而降低生產(chǎn)效率。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是，提供一種既不會減弱磁場的強(qiáng)度，也容易拔模，從而提高生產(chǎn)效率的大功率喇叭的T鐵。為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供的大功率喇叭的T鐵，包括連為一體的圓盤狀的平板、位于平板一端的立柱狀的芯軸和位于平板另一端的背凸，所述的背凸的側(cè)壁為傾斜的側(cè)壁，側(cè)壁的上邊緣半徑小于側(cè)壁的根部半徑，并且根部半徑與上邊緣半徑的差值與側(cè)壁的高度比值為1: 20。所述的平板與背凸的內(nèi)部與芯軸之間具有第一空腔。所述的芯軸的端面具有第二空腔。采用以上結(jié)構(gòu)后，本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn):I)由于將根部半徑與上邊緣半徑的差值與側(cè)壁的高度比值設(shè)定為1: 20，此數(shù)值即為拔模斜度，這個間隙既不會太大，也就是不會減弱磁場的強(qiáng)度，也不會太小，也就是不會影響產(chǎn)品從模具中順利的脫出，大大提高生產(chǎn)效率；2)第一空腔和第二空腔的設(shè)計，一方面是為了減輕整個T鐵的重量，從而降低生產(chǎn)成本；另一方面，可以使磁場的磁力線分布更加集中，磁場強(qiáng)度更高。

附圖是本實(shí)用新型大功率喇叭的T鐵的結(jié)構(gòu)示意圖。其中:1、背凸；2、平板；3、芯軸；4、側(cè)壁；5、第一空腔；6、第二空腔；R1、側(cè)壁的上
邊緣半徑；R2、側(cè)壁的根部半徑；H、側(cè)壁的高度。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)地說明。由附圖所示的本實(shí)用新型大功率喇叭的T鐵的結(jié)構(gòu)示意圖可知，它包括連為一體的圓盤狀的平板2、位于平板2 —端的立柱狀的芯軸3和位于平板2另一端的背凸I。所述的背凸I的側(cè)壁4為傾斜的側(cè)壁，側(cè)壁4的上邊緣半徑Rl小于側(cè)壁的根部半徑R2，并且根部半徑R2與上邊緣半徑Rl的差值與側(cè)壁的高度H比值為1: 20。所述的平板2與背凸I的內(nèi)部與芯軸3之間具有第一空腔5。所述的芯軸3的端面具有第二空腔6。
權(quán)利要求1.一種大功率喇叭的T鐵，包括連為一體的圓盤狀的平板(2)、位于平板(2) —端的立柱狀的芯軸(3)和位于平板(2)另一端的背凸(1)，其特征在于:所述的背凸(I)的側(cè)壁(4)為傾斜的側(cè)壁，側(cè)壁(4)的上邊緣半徑(Rl)小于側(cè)壁的根部半徑(R2)，并且根部半徑(R2)與上邊緣半徑(Rl)的差值與側(cè)壁的高度(H)比值為1: 20。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率喇叭的T鐵，其特征在于:所述的平板(2)與背凸(I)的內(nèi)部與芯軸(3)之間具有第一空腔(5)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率喇叭的T鐵，其特征在于:所述的芯軸(3)的端面具有第二空腔(6)。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種大功率喇叭的T鐵，包括連為一體的圓盤狀的平板(2)、位于平板(2)一端的立柱狀的芯軸(3)和位于平板(2)另一端的背凸(1)，所述的背凸(1)的側(cè)壁(4)為傾斜的側(cè)壁，側(cè)壁(4)的上邊緣半徑(R1)小于側(cè)壁的根部半徑(R2)，并且根部半徑(R2)與上邊緣半徑(R1)的差值與側(cè)壁的高度(H)比值為1︰20。采用這種結(jié)構(gòu)后，由于將根部半徑與上邊緣半徑的差值與側(cè)壁的高度比值設(shè)定為1︰20，此數(shù)值即為拔模斜度，這個間隙既不會太大，也就是不會減弱磁場的強(qiáng)度，也不會太小，也就是不會影響產(chǎn)品從模具中順利的脫出，大大提高生產(chǎn)效率。
文檔編號H04R9/02GK202979269SQ20122074868
公開日2013年6月5日 申請日期2012年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月29日
發(fā)明者高建華, 王志強(qiáng) 申請人:寧波科高電聲有限公司