專利名稱：一種mems麥克風(fēng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種MEMS麥克風(fēng)。
背景技術(shù)：
目前應(yīng)用較多且性能較 好的麥克風(fēng)是微電機(jī)系統(tǒng)(Micro-Electro-Mechanical-System,簡(jiǎn)稱MEMS)麥克風(fēng)，其封裝體積比傳統(tǒng)的駐極體麥克風(fēng)小。MEMS麥克風(fēng)是一種集成麥克風(fēng)，由外殼和線路板構(gòu)成外部封裝結(jié)構(gòu)，封裝結(jié)構(gòu)上設(shè)置有聲音通道，在封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部的線路板上設(shè)置有一個(gè)MEMS芯片和一個(gè)專用集成電路(Application SpecificIntergrated Circuits,簡(jiǎn)稱ASIC)芯片。該MEMS芯片由一個(gè)MEMS聲學(xué)換能器構(gòu)成,包括一個(gè)剛性穿孔背電極和一個(gè)彈性振膜。MEMS芯片上的彈性振膜能有效感知外界聲壓的變化，并將其轉(zhuǎn)換為電容的變化，ASIC芯片檢測(cè)該電容變化并將其轉(zhuǎn)換為電信號(hào)輸出。由于現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的MEMS麥克風(fēng)僅包含一個(gè)MEMS聲學(xué)換能器，使得器件整體的靈敏度和信噪比將受到該單個(gè)MEMS聲學(xué)換能器的制約。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型提供了一種能夠提高器件整體的靈敏度和信噪比增益的MEMS麥克風(fēng)。本實(shí)用新型的MEMS麥克風(fēng)，由外殼和線路板構(gòu)成MEMS麥克風(fēng)的外部封裝結(jié)構(gòu)，在所述封裝結(jié)構(gòu)上設(shè)置有拾音孔，其中，在所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部的所述線路板上設(shè)置有偶數(shù)個(gè)MEMS聲學(xué)換能器和一個(gè)ASIC芯片所述偶數(shù)個(gè)MEMS聲學(xué)換能器對(duì)稱分組后實(shí)現(xiàn)差分連接。優(yōu)選地，所述偶數(shù)個(gè)MEMS聲學(xué)換能器之間良好匹配。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述偶數(shù)個(gè)MEMS聲學(xué)換能器在各自基底上，分別構(gòu)成獨(dú)立的MEMS芯片。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述偶數(shù)個(gè)MEMS聲學(xué)換能器在同一基底上，構(gòu)成一個(gè)整體式MEMS芯片。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述ASIC芯片集成有一個(gè)緩沖電路、一個(gè)DC-DC偏置電路和至少一個(gè)差分放大電路，所述差分放大電路集成在所述緩沖電路的前端，在差分放大電路的反相輸入端設(shè)置有一反相器；所述偶數(shù)個(gè)MEMS聲學(xué)換能器對(duì)稱分組后，其輸入端連接所述DC-DC偏置電路的輸出端，其輸出端分別連接至所述差分放大電路的正相和反相輸入端。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述拾音孔設(shè)置在所述外殼上。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述拾音孔設(shè)置在所述線路板上。其中可選地，該線路板為多層板結(jié)構(gòu)，所述拾音孔設(shè)置在所述線路板的下表面，并且在所述線路板的上表面設(shè)置有與MEMS聲學(xué)換能器個(gè)數(shù)一致數(shù)量的開孔，且每個(gè)開孔均位于其對(duì)應(yīng)的MEMS聲學(xué)換能器的下方，在所述線路板中設(shè)置有連接所述拾音孔與所述開孔的埋藏溝道。本實(shí)用新型的MEMS麥克風(fēng)，通過(guò)在線路板上設(shè)置偶數(shù)個(gè)MEMS聲學(xué)換能器和一個(gè)ASIC芯片，該偶數(shù)個(gè)MEMS聲學(xué)換能器對(duì)稱分組后實(shí)現(xiàn)差分連接，由于差分連接的偶數(shù)個(gè)MEMS聲學(xué)換能器能夠?qū)⑼瑫r(shí)感知的外界聲壓的變化轉(zhuǎn)換為整體電容變化，由ASIC芯片檢測(cè)該整體電容變化并將其轉(zhuǎn)換為電信號(hào)輸出，從而實(shí)現(xiàn)了器件整體的靈敏度和信噪比增益的提聞。

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I示出了兩個(gè)換能器元件差分連接的電路示意圖；圖2示出了四個(gè)換能器元件差分連接的一種電路示意圖；圖3示出了四個(gè)換能器元件差分連接的另一種電路示意圖；圖4示出了本實(shí)用新型的MEMS麥克風(fēng)的剖視立體圖；圖5示出了本實(shí)用新型的MEMS麥克風(fēng)在線路板上設(shè)置兩個(gè)獨(dú)立的MEMS芯片實(shí)施方式的立體示意圖；圖6示出了本實(shí)用新型的MEMS麥克風(fēng)在線路板上設(shè)置四個(gè)獨(dú)立的MEMS芯片實(shí)施方式的立體示意圖；圖7示出了本實(shí)用新型在外殼上設(shè)置拾音孔實(shí)施方式的剖面示意圖；圖8示出了本實(shí)用新型在多層線路板上設(shè)置拾音孔實(shí)施方式的剖面示意圖；圖9示出了本實(shí)用新型的MEMS麥克風(fēng)在線路板上設(shè)置的四個(gè)MEMS聲學(xué)換能器構(gòu)成一個(gè)整體式MEMS芯片實(shí)施方式的立體示意圖。
具體實(shí)施方式
為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)描述。顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。首先對(duì)本實(shí)用新型基于的原理進(jìn)行說(shuō)明。參見圖1，圖I示出了兩個(gè)換能器元件差分連接的電路示意圖。每個(gè)換能器元件被描繪成可變電容器，兩個(gè)換能器元件的輸入端都與DC-DC偏置電路的輸出端相連接，而輸出端分別與差分放大電路的正相、反相輸入端相連，在差分放大電路的反相輸入端設(shè)置有一反相器，兩個(gè)換能器元件的輸入信號(hào)差分放大后輸入緩沖電路，經(jīng)過(guò)緩沖電路后輸出。兩個(gè)換能器元件在完全匹配的情況下，即在相同工作狀態(tài)下的輸出電壓幅度(正弦波)相等，在其中一路信號(hào)經(jīng)過(guò)反相器后，形成差分輸入信號(hào)，即輸入電壓幅度相等但極性相反，Uil=-Ui2，從而最終輸出信號(hào)增大為單個(gè)換能器元件輸出信號(hào)的2倍，即靈敏度增加了 6dB。考慮換能器元件的本底熱噪聲水平，假設(shè)這兩個(gè)換能器元件的熱噪聲電壓分別為Vnoisel, Vnt5ise2，因?yàn)殡娮訜嵩肼暿欠窍嚓P(guān)信號(hào)，同時(shí)由于差分放大電路自身的熱噪聲水平遠(yuǎn)低于換能器元件，可忽略，那么總的系統(tǒng)本底噪聲為來(lái)自每個(gè)換能器元件的各自單獨(dú)噪聲功率之和vmis/ =
V noisel+Vnoise2 °
在兩個(gè)換能器元件完全匹配，即Vmisel = Vnoise2的情況下，那么本接入方式將導(dǎo)致系統(tǒng)的本底噪聲較單個(gè)換能器元件增加3dB。信噪比(Signal to Noise Ratio，SNR)可以通過(guò)系統(tǒng)輸出電壓與系統(tǒng)本底噪聲電壓之比進(jìn)行計(jì)算。綜合上述描述，兩個(gè)匹配的換能器元件在圖I所示的差分連接方式下，能夠?qū)崿F(xiàn)整體輸出的靈敏度提高6dB，而同時(shí)使得非相關(guān)的噪聲輸出增大3dB，由此得到總信噪比SNR提升3dB。圖2示出了四個(gè)換能器元件差分連接的一種電路示意圖。如圖2所示，四個(gè)換能器 元件按兩個(gè)一組的模式對(duì)稱分為兩組，每組中的兩個(gè)換能器元件串聯(lián)連接后再進(jìn)行圖I所示的差分連接。同樣每個(gè)換能器元件被描繪成可變電容器，在四個(gè)換能器元件完全匹配的情況下，最終輸出信號(hào)增大為單個(gè)換能器元件輸出信號(hào)的4倍，也就是靈敏度增加了 12dB，同時(shí)系統(tǒng)本底噪聲功率增大了 4倍，即非相關(guān)的噪聲輸出增大6dB，由此得到總信噪比SNR提升6dB。圖3示出了四個(gè)換能器元件差分連接的另一種電路示意圖。如圖3所示，有兩級(jí)共有三個(gè)差分放大電路，每個(gè)差分放大電路的反相輸入端設(shè)置有一反相器，四個(gè)換能器元件按兩個(gè)一組的模式對(duì)稱分為兩組，每組中的兩個(gè)換能器元件的輸入端都與DC-DC偏置電路的輸出端相連接，而輸出端分別與一個(gè)第一級(jí)差分放大電路的正相、反相輸入端相連；輸入信號(hào)經(jīng)第一級(jí)差分放大電路的差分放大后再經(jīng)一個(gè)第二級(jí)差分放大電路后輸入緩沖電路。在圖3所示的差分連接方式下，當(dāng)四個(gè)換能器元件完全匹配時(shí)，將得到與圖2所示差分連接方式同樣的結(jié)論，即系統(tǒng)靈敏度增加了 12dB，總信噪比SNR提升6dB。上述結(jié)論代表利用兩個(gè)或四個(gè)換能器元件在差分連接方式下，可以獲得的靈敏度和信噪比增益的理論最大值。容易得知，如果使用不太匹配的換能器元件，在上述所示的差分連接方式下，也可帶來(lái)提高靈敏度和信噪比增益的結(jié)果。另外需要說(shuō)明的是，上述推導(dǎo)是建立在每個(gè)換能器元件處于正常偏壓情況下得至|J，在上述圖I或圖3差分連接方式下，母須對(duì)DC-DC偏置電路進(jìn)行定制，但在圖2差分連接方式下，為保持每一個(gè)換能器元件工作在正常狀態(tài)，那么配套的DC-DC偏置電路的輸出 電壓應(yīng)為2*Vbias。下面是基于上述原理給出的本實(shí)用新型的實(shí)施例。圖4示出了本實(shí)用新型的MEMS麥克風(fēng)的剖視立體圖。本實(shí)施例的MEMS麥克風(fēng)，由所述外殼2和線路板I構(gòu)成MEMS麥克風(fēng)的外部封裝結(jié)構(gòu)，其中，外殼2可采用金屬或鍍金屬的材料構(gòu)成，外殼2與線路板I之間可以通過(guò)焊錫或者導(dǎo)電膠進(jìn)行粘接，使得外殼2和線路板I之間保證較好的電路連接，并且實(shí)現(xiàn)MEMS麥克風(fēng)需要的電磁屏蔽效果。在外殼2上設(shè)置有接收外界聲音信號(hào)的拾音孔21，在封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部的線路板I上設(shè)置有一個(gè)ASIC芯片4和偶數(shù)個(gè)MEMS聲學(xué)換能器3，所述偶數(shù)個(gè)MEMS聲學(xué)換能器3對(duì)稱分組后實(shí)現(xiàn)差分連接。在一個(gè)線路板上設(shè)置偶數(shù)個(gè)MEMS聲學(xué)換能器可以通過(guò)切割分離工藝，將期望數(shù)量的MEMS聲學(xué)換能器切割分離在不同基底上來(lái)實(shí)現(xiàn)。每個(gè)MEMS聲學(xué)換能器在各自基底上分別構(gòu)成獨(dú)立的MEMS芯片，MEMS芯片之間可通過(guò)外部引線實(shí)現(xiàn)互連。圖5和圖6分別示出了本實(shí)用新型MEMS麥克風(fēng)在線路板上設(shè)置兩個(gè)和四個(gè)獨(dú)立的MEMS芯片的立體圖。偶數(shù)個(gè)MEMS芯片3位于線路板I上的相臨近位置，其對(duì)稱分組后實(shí)現(xiàn)差分連接(連接線在圖中未被示出)。ASIC芯片4靠近偶數(shù)個(gè)MEMS芯片3的一端。MEMS芯片及ASIC芯片可以通過(guò)固晶、表面安裝或本領(lǐng)域其他常用技術(shù)將其定位在線路板上，MEMS芯片之間的連接以及MEMS芯片與ASIC芯片之間的連接可以通過(guò)引線接合的方式實(shí)現(xiàn)。其中，在圖5所示的線路板上設(shè)置兩個(gè)MEMS芯片3實(shí)施方式中，兩個(gè)MEMS芯片3可以按圖I的電路示意圖實(shí)現(xiàn)差分連接；在圖6所示的線路板上設(shè)置四個(gè)MEMS芯片3實(shí)施方式中，四個(gè)MEMS芯片3可以按圖2或圖3的任一種電路示意圖實(shí)現(xiàn)差分連接。通過(guò)將偶數(shù)個(gè)MEMS芯片3對(duì)稱分組后進(jìn)行差分連接，使得偶數(shù)個(gè)MEMS芯片3的彈性振膜能夠?qū)⑼瑫r(shí)感知的外界聲壓的變化轉(zhuǎn)換為整體電容變化，由ASIC芯片檢測(cè)該整體電容變化，并將其轉(zhuǎn)換為電信號(hào)傳遞給相關(guān)處理器件。根據(jù)上述理論推導(dǎo)可知，MEMS麥克風(fēng)的靈敏度和信噪比性能將隨著線路板上設(shè)置的MEMS芯片數(shù)量的增加而改善，多于圖5和圖6所示的2個(gè)或4個(gè)MEMS芯片可以達(dá)到更高的靈敏度和信噪比性能。ASIC芯片是標(biāo)準(zhǔn)的集成電路IC技術(shù)，能夠根據(jù)需求快速向ASIC芯片增添相應(yīng)的 集成在標(biāo)準(zhǔn)IC上的功能。在一個(gè)實(shí)施方式中，ASIC芯片4可以包括一個(gè)緩沖電路、一個(gè)DC-DC偏置電路和至少一個(gè)差分放大電路，差分放大電路集成在緩沖電路的前端，在差分放大電路的反相輸入端設(shè)置有一反相器；所述偶數(shù)個(gè)MEMS芯片3對(duì)稱分組后，其輸入端連接所述DC-DC偏置電路的輸出端，其輸出端分別相連所述差分放大電路的正相和反相輸入端。對(duì)于MEMS芯片3分組存在2組或更多分組的情況，將對(duì)應(yīng)地在ASIC芯片4中集成更多的差分放大電路來(lái)匹配。其中DC-DC偏置電路用于為每個(gè)MEMS芯片3提供正常工作的偏置電壓，偶數(shù)個(gè)MEMS芯片3的輸入信號(hào)差分放大后輸入緩沖電路，經(jīng)過(guò)緩沖電路緩沖后輸出，同時(shí)緩沖電路還用于為高阻抗MEMS芯片與后續(xù)應(yīng)用接口電路提供阻抗匹配，避免傳輸信號(hào)在傳遞過(guò)程中的損耗。參見圖7，圖7示出了本實(shí)用新型在外殼上設(shè)置拾音孔實(shí)施方式的剖面示意圖。當(dāng)外界聲音信號(hào)通過(guò)在外殼2上設(shè)置的拾音孔21傳入時(shí)，由于MEMS芯片尺寸很小，約為
因此可認(rèn)為在線路板上設(shè)置的偶數(shù)個(gè)MEMS芯片能同時(shí)接收到該外界聲音信號(hào)。對(duì)稱分組后實(shí)現(xiàn)差分連接的偶數(shù)個(gè)MEMS芯片3的彈性振膜將同時(shí)有效感知的外界聲壓的變化轉(zhuǎn)換為整體電容變化，由ASIC芯片4檢測(cè)該差分連接MEMS芯片3輸出的整體電容變化并將其轉(zhuǎn)換為電信號(hào)輸出至后續(xù)應(yīng)用接口電路。還可以在線路板上開設(shè)聲音通道。參見圖8，圖8示出了本實(shí)用新型在線路板上設(shè)置拾音孔實(shí)施方式的剖面示意圖。如圖8所示，線路板I為多層板結(jié)構(gòu)，在線路板I的下表面設(shè)置有拾音孔11，在線路板I的上表面設(shè)置有與MEMS芯片個(gè)數(shù)一致數(shù)量的開孔12，每個(gè)開孔12均位于其對(duì)應(yīng)的MEMS芯片的下方，拾音孔11與開孔12之間通過(guò)線路板I中的埋藏溝道13連接這樣由拾音孔11、埋藏溝道13和開孔12之間構(gòu)成一個(gè)聲音通道，從拾音孔11進(jìn)入的外界聲音信號(hào)通過(guò)埋藏溝道13后再經(jīng)由開孔12直接撞擊每個(gè)MEMS芯片的彈性振膜，從而引起在線路板I上對(duì)稱分組后實(shí)現(xiàn)差分連接的偶數(shù)個(gè)MEMS芯片3的整體電容變化。ASIC芯片4同樣將檢測(cè)到該整體電容變化并將其轉(zhuǎn)換為電信號(hào)輸出至后續(xù)應(yīng)用接口電路。需要說(shuō)明的是，本實(shí)用新型并不限定為圖8所示的多層板結(jié)構(gòu)線路板，在兩層板和單層板結(jié)構(gòu)的線路板上同樣可實(shí)現(xiàn)聲音通道。由于MEMS芯片的制造可以采用與集成電路制造類似的成熟技術(shù)或工藝，因此制造出的MEMS芯片在靈敏度、信噪比等性能方面的一致性非常高，可視為同一批次的MEMS芯片是良好匹配的。采用多個(gè)良好匹配的MEMS芯片可以使得本實(shí)用新型的MEMS麥克風(fēng)的靈敏度和信噪比性能獲得最佳提升。當(dāng)然，本實(shí)用新型MEMS麥克風(fēng)中偶數(shù)個(gè)MEMS芯片并不需要良好匹配，即便如此，仍然可以提高器件整體的靈敏度和信噪比增益。在再一個(gè)實(shí)施方式中，可以設(shè)計(jì)具有偶數(shù)個(gè)MEMS聲學(xué)換能器的整體式芯片結(jié)構(gòu)，偶數(shù)個(gè)MEMS聲學(xué)換能器對(duì)稱分組后進(jìn)行差分連接在芯片內(nèi)部實(shí)現(xiàn)。如圖9所示，圖9示出了本實(shí)用新型的MEMS麥克風(fēng)在線路板上設(shè)置的四個(gè)MEMS聲學(xué)換能器共同構(gòu)成整體式MEMS芯片實(shí)施方式的立體示意圖。四個(gè)MEMS聲學(xué)換能器在同一個(gè)基底上，構(gòu)成一個(gè)整體式MEMS芯片。該實(shí)施方式中四個(gè)MEMS換能器,或四個(gè)輸入端在芯片內(nèi)合并為一個(gè)公共輸入端,或兩兩串聯(lián)后串聯(lián)支路的輸入端再合并為一個(gè)公共輸入端，由于不需要通過(guò)外部的引線接合方式來(lái)連接，從而減少了后序引線接合的數(shù)量，保證MEMS麥克風(fēng)內(nèi)部引線的走線自如，減少了干擾信號(hào)導(dǎo)入的幾率。同時(shí)這種實(shí)施方式也減少了晶圓上預(yù)留的芯片分割道，有助于 在同樣尺寸的晶圓上制備更多聲學(xué)換能器。因此該實(shí)施方式可以提供更高效的生產(chǎn)效率及更低生產(chǎn)成本。需要說(shuō)明的是，本實(shí)用新型的MEMS麥克風(fēng)在線路板上設(shè)置的偶數(shù)個(gè)差分連接的MEMS聲學(xué)換能器,也可以是上述兩種實(shí)施方式的組合，即部分MEMS聲學(xué)換能器在同一基底上構(gòu)成整體式MEMS芯片，其余MEMS聲學(xué)換能器分別在各自基底上分別構(gòu)成獨(dú)立的MEMS
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心/T O綜上所述，本實(shí)用新型的MEMS麥克風(fēng)，通過(guò)在線路板上設(shè)置偶數(shù)個(gè)MEMS聲學(xué)換能器和一個(gè)ASIC芯片，該偶數(shù)個(gè)MEMS聲學(xué)換能器對(duì)稱分組后實(shí)現(xiàn)差分連接，由于差分連接的偶數(shù)個(gè)MEMS聲學(xué)換能器能夠?qū)⑼瑫r(shí)感知的外界聲壓的變化轉(zhuǎn)換為整體電容變化，由ASIC芯片檢測(cè)該整體電容變化并將其轉(zhuǎn)換為電信號(hào)輸出，從而實(shí)現(xiàn)了器件整體的靈敏度和信噪比增￡fL的提聞。以上所述，僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種MEMS麥克風(fēng)，由外殼和線路板構(gòu)成MEMS麥克風(fēng)的外部封裝結(jié)構(gòu)，在所述封裝結(jié)構(gòu)上設(shè)置有拾音孔，其特征在于，在所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部的所述線路板上設(shè)置有偶數(shù)個(gè)MEMS聲學(xué)換能器和一個(gè)ASIC芯片，所述偶數(shù)個(gè)MEMS聲學(xué)換能器對(duì)稱分組后實(shí)現(xiàn)差分連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，所述偶數(shù)個(gè)MEMS聲學(xué)換能器之間良好匹配。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，所述偶數(shù)個(gè)MEMS聲學(xué)換能器在各自基底上，分別構(gòu)成獨(dú)立的MEMS芯片。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，所述偶數(shù)個(gè)MEMS聲學(xué)換能器在同一基底上，構(gòu)成一個(gè)整體式MEMS芯片。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，所述ASIC芯片集成有一個(gè)緩沖電路、一個(gè)DC-DC偏置電路和至少一個(gè)差分放大電路，所述差分放大電路集成在所述緩沖電路的前端，在差分放大電路的反相輸入端設(shè)置有一反相器；所述偶數(shù)個(gè)MEMS聲學(xué)換能器對(duì) 稱分組后，其輸入端連接所述DC-DC偏置電路的輸出端，其輸出端分別連接至所述差分放大電路的正相和反相輸入端。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，所述拾音孔設(shè)置在所述夕卜殼上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，所述拾音孔設(shè)置在所述線路板上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，所述線路板為多層板結(jié)構(gòu)，所述拾音孔設(shè)置在所述線路板的下表面，并且在所述線路板的上表面設(shè)置有與MEMS聲學(xué)換能器個(gè)數(shù)一致數(shù)量的開孔，且每個(gè)開孔均位于其對(duì)應(yīng)的MEMS聲學(xué)換能器的下方，在所述線路板中設(shè)置有連接所述拾音孔與所述開孔的埋藏溝道。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種MEMS麥克風(fēng)，由外殼和線路板構(gòu)成MEMS麥克風(fēng)的外部封裝結(jié)構(gòu)，在所述封裝結(jié)構(gòu)上設(shè)置有拾音孔，在所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部的所述線路板上設(shè)置有偶數(shù)個(gè)MEMS聲學(xué)換能器和一個(gè)ASIC芯片，所述偶數(shù)個(gè)MEMS聲學(xué)換能器對(duì)稱分組后實(shí)現(xiàn)差分連接。本實(shí)用新型的MEMS麥克風(fēng)，由于差分連接的偶數(shù)個(gè)MEMS聲學(xué)換能器能夠?qū)⑼瑫r(shí)感知的外界聲壓的變化轉(zhuǎn)換為整體電容變化，由ASIC芯片檢測(cè)該整體電容變化并將其轉(zhuǎn)換為電信號(hào)輸出，從而提高了器件整體的靈敏度和信噪比增益。
文檔編號(hào)H04R19/04GK202488706SQ201220080989
公開日2012年10月10日 申請(qǐng)日期2012年3月6日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月6日
發(fā)明者宋青林, 潘昕 申請(qǐng)人:歌爾聲學(xué)股份有限公司