用于提升光接收器靈敏度的檢光裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種用于光接收器的檢光裝置，包含：PIN二極管，用以接收光信號(hào)，產(chǎn)生對(duì)應(yīng)該光信號(hào)的第一電流信號(hào)；一低噪聲電流放大器，耦接該P(yáng)IN二極管，用以放大第一電流信號(hào)以產(chǎn)生低噪聲的第二電流信號(hào)；以及一轉(zhuǎn)阻放大模塊，耦接該低噪聲電流放大器，該轉(zhuǎn)阻放大模塊包含一轉(zhuǎn)阻放大器，轉(zhuǎn)阻放大該第二電流信號(hào)，以產(chǎn)生一單端電壓信號(hào)，該轉(zhuǎn)阻放大模塊并包含自動(dòng)增益控制放大電路以及單端轉(zhuǎn)差動(dòng)放大器，以放大該單端電壓信號(hào)，以產(chǎn)生一振幅受到控制的差動(dòng)電壓信號(hào)。本發(fā)明系藉由增加一低噪聲電流放大器以提升光接收器整體的靈敏度。
【專利說明】用于提升光接收器靈敏度的檢光裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明系關(guān)于檢光裝置；特別是一種用于光接收器的檢光裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來隨著網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用蓬勃發(fā)展，人們對(duì)頻寬的需求也愈來愈大，因而光纖到家的布建也愈來愈普及，其中又以被動(dòng)式光纖網(wǎng)絡(luò)(PON)最受青睞。和點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的光纖網(wǎng)絡(luò)相t匕，點(diǎn)對(duì)多點(diǎn)的被動(dòng)式光纖網(wǎng)絡(luò)需要更多的連結(jié)預(yù)算(Link Budget)來滿足系統(tǒng)的需求。例如，I對(duì)32用戶的被動(dòng)式光纖網(wǎng)絡(luò)與點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的光纖網(wǎng)絡(luò)相比，至少需要額外的15dB連結(jié)預(yù)算。一般，為了增加連結(jié)預(yù)算，主要有兩種方式，一是增加發(fā)射端的輸出功率；另一種則為增加光接收器的靈敏度；增加發(fā)射端雷射的發(fā)射功率，除了會(huì)增加雷射的成本，也會(huì)耗費(fèi)較多的能源，并且造成安全上的疑慮(eye safty)，所以改善光接收器的靈敏度會(huì)是系統(tǒng)設(shè)計(jì)的優(yōu)先選擇。
[0003]關(guān)于增加光接收器靈敏度方面，目前在最新一代寬頻被動(dòng)式光纖網(wǎng)絡(luò)標(biāo)準(zhǔn)GPON(Gigabit-Capable PON)中，最普遍的類別Class B+光接收器的靈敏度規(guī)格是_28dBm,而Class C更需要-30dBm靈敏度的光接收器。為了達(dá)此規(guī)格，只有使用復(fù)雜、脆弱且昂貴的雪崩式檢光二極管(Avalanche Photo Diode, APD)來提高光接收器靈敏度。然而雪崩式檢光二極管需要在30?50V的高壓下操作，其操作電壓需要隨溫度變化而設(shè)定，且雪崩式檢光二極管較容易受靜電或較高的操作電流(>3mA)而損壞，均增加其使用難度及提高其使用成本。
[0004]另一方面，使用P型-本質(zhì)-N型二極管(PIN 二極管)的光接收器，具有低成本和容易操作的優(yōu)點(diǎn)，此類光接收器在應(yīng)用上的限制，主要來自于較低的靈敏度。近年來為了改善使用PIN 二極管光接收器靈敏度的研究，多集中在改良接收器后端硅材質(zhì)轉(zhuǎn)阻放大模塊低噪聲的特性，雖近年來已有長足的進(jìn)步，但目前此類接收器，尚未能應(yīng)用在GPON ClassB+或更高規(guī)格的標(biāo)準(zhǔn)，因此對(duì)于進(jìn)一步改良此類接收器靈敏度，目前市場仍持續(xù)有其需求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為改良使用PIN 二極管的光接收器，本發(fā)明提供一種檢光裝置，藉由一低噪聲放大器以壓抑光接收器中，低噪聲放大器之后所有電路所產(chǎn)生的噪聲，以提升光接收器整體的靈敏度。
[0006]本發(fā)明提供一種用于光接收器的檢光裝置，檢光裝置包含:
[0007]— PIN 二極管,用以接收光信號(hào),產(chǎn)生對(duì)應(yīng)光信號(hào)的一第一電流信號(hào)；
[0008]—低噪聲電流放大器，I禹接PIN 二極管,用以放大第一電流信號(hào)以產(chǎn)生一第二電流信號(hào)，以提升光接收器整體的靈敏度；以及
[0009]一轉(zhuǎn)阻放大模塊，耦接低噪聲電流放大器，轉(zhuǎn)阻放大模塊包含一轉(zhuǎn)阻放大器，轉(zhuǎn)阻放大第二電流信號(hào)，以產(chǎn)生一單端電壓信號(hào)，轉(zhuǎn)阻放大模塊并包含自動(dòng)增益控制放大電路以及單端轉(zhuǎn)差動(dòng)放大器，以放大單端電壓信號(hào)，以產(chǎn)生一振幅受到控制的差動(dòng)電壓信號(hào)。[0010]圖1所示,為一習(xí)知使用PIN 二極管的檢光裝置100,該檢光裝置系為整個(gè)光接收器的前級(jí)。該檢光裝置包含一 PIN 二極管101以及一轉(zhuǎn)阻放大模塊102，該P(yáng)IN 二極管為檢光元件，接收一光信號(hào)并將其轉(zhuǎn)換為一電流信號(hào)；該轉(zhuǎn)阻放大模塊包含一轉(zhuǎn)阻放大器103，該轉(zhuǎn)阻放大器將該電流信號(hào)放大轉(zhuǎn)換成一電壓信號(hào)；該轉(zhuǎn)阻放大模塊，尚包含自動(dòng)增益控制電路104、放大器105、以及單端轉(zhuǎn)差動(dòng)放大器106等電路，以處理該電壓信號(hào)，產(chǎn)生一信號(hào)強(qiáng)度受到監(jiān)控的差動(dòng)電壓信號(hào)，以供光接收器后級(jí)的其他電路所使用。
[0011]為標(biāo)定一系統(tǒng)中，噪聲劣化的程度，我們使用噪聲指數(shù)(NF, Noise Factor),其定義如下:
[0012]NF=SNRin/SNR0Ut
[0013]其中SNRin為該系統(tǒng)輸入信號(hào)的訊噪比(信號(hào)功率與噪聲功率的比值)，而SNRwt為該系統(tǒng)輸出信號(hào)的訊噪比。以上述使用PIN 二極管的檢光裝置為例，將PIN 二極管的信號(hào)電流定義為系統(tǒng)的輸入，則該檢光裝置的整體噪聲指數(shù)定義如下:
[0014]NFtotal=SNRpin/SNRdiff
[0015]其中SNRpin為PIN 二極管輸出的訊噪比，而SNRdiff為輸出差動(dòng)信號(hào)的訊噪比，由圖1可知，在此定義下，該檢光裝置的整體噪聲指數(shù)NFtrtal即為該轉(zhuǎn)阻放大模塊的噪聲指數(shù)
NFtia:
[0016]NFtotal=NFm[I]
[0017]根據(jù)習(xí)知技術(shù)，為降低制造成本，該轉(zhuǎn)阻放大模塊通常為硅半導(dǎo)體所制成，而由硅半導(dǎo)體所制成的電路，通常較三五族化合物(II1-V compound)所制成的電路,引入更多的噪聲，因而有著較高的噪聲指數(shù)。此外如圖1所示，該轉(zhuǎn)阻放大模塊包含多級(jí)放大器，每一級(jí)放大器，都將貢獻(xiàn)額外的噪聲，因而增加整體的噪聲指數(shù)。綜合上述兩個(gè)因素，由硅半導(dǎo)體所制成的轉(zhuǎn)阻放大模塊，具有相當(dāng)大的噪聲指數(shù)NFtia,因而劣化光接收器的靈敏度。
[0018]本發(fā)明首先提出一種檢光裝置的新架構(gòu)，請(qǐng)參照?qǐng)D2?？剂颗c現(xiàn)有技術(shù)的相容性，在不更動(dòng)既有轉(zhuǎn)阻放大模塊的前提下，在PIN 二極管201與轉(zhuǎn)阻放大模塊202間，加入一低噪聲電流放大器 208 (Current-to-current Low Noise Amplifier, LNA),其功率增益為GMA，則根據(jù)Friss Equation,整體噪聲指數(shù)將成為:
[0019]NFtotal=NFLNA+ (NFtia-1)/Glna[2]
[0020]其中，NFm為該低噪聲電流放大器的噪聲指數(shù)、NFtia為該轉(zhuǎn)阻放大模塊的噪聲指數(shù)，由第[2]式中可明顯看出，在本發(fā)明所提出的架構(gòu)下，為了與APD的輸出電流相仿，該低噪聲電流放大器的電流增益設(shè)計(jì)在10~20倍左右，將大幅壓抑轉(zhuǎn)阻放大模塊噪聲指數(shù)NFtia對(duì)整體噪聲指數(shù)NFtotal的影響，因此，使用此架構(gòu)檢光裝置的噪聲指數(shù)NFtotal將低于習(xí)知架構(gòu)的NFtrtal，整體光接受器的靈敏度因而得到提升。在靈敏度要求更高的光接收器中，更可考慮使用三五族化合物來制作該低噪聲放大器，以得到一較小的NFm值，以進(jìn)一步降低整體檢光裝置的噪聲指數(shù)，提升光接收器的靈敏度。
[0021]本發(fā)明復(fù)提出另一種檢光裝置的架構(gòu)，其不受既有轉(zhuǎn)阻放大器的限制，使得低噪聲放大器以及檢光裝置中其他放大器的設(shè)計(jì)具有更高彈性，各級(jí)放大器的增益可重新分配，做到檢光裝置整體噪聲指數(shù)最佳化的設(shè)計(jì)；該架構(gòu)如圖3所示，系將圖1中的轉(zhuǎn)阻放大器，由轉(zhuǎn)阻放大模塊中獨(dú)立出來，設(shè)計(jì)為一低噪聲轉(zhuǎn)阻放大器，并可進(jìn)一步利用三五族化合物，設(shè)計(jì)制造此一低噪聲轉(zhuǎn)阻放大器，以更進(jìn)一步降低整體檢光裝置的噪聲指數(shù)。本架構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)不但在于制程上所帶來的低噪聲優(yōu)勢，另一方面，在電路設(shè)計(jì)方面，也具有更高的彈性；本發(fā)明可以針對(duì)低噪聲轉(zhuǎn)阻放大器的噪聲指數(shù)做最佳化設(shè)計(jì)，使其不受增益值大小的限制；且該低噪聲轉(zhuǎn)阻放大器的電壓輸出，也可設(shè)計(jì)成適合硅材質(zhì)的CMOS制程，此架構(gòu)的缺點(diǎn)在于不能重復(fù)利用既有的轉(zhuǎn)阻放大模塊。此外在該低噪聲轉(zhuǎn)阻放大器的架構(gòu)上，該低噪聲轉(zhuǎn)阻放大器可以為一單級(jí)轉(zhuǎn)阻放大器，亦可以為一電流放大器耦接一轉(zhuǎn)阻放大器的兩級(jí)架構(gòu)；電路架構(gòu)的選擇，或是電流放大器的增益，均可視所欲達(dá)成的噪聲指數(shù)、使用的制程、以及制造成本(半導(dǎo)體晶片的面積)，作一全面性的考量。
[0022]本發(fā)明在光接收器的檢光裝置中，使用低噪聲放大器，以達(dá)到降低檢光裝置噪聲指數(shù)的效果，整體光接收器的靈敏度因而得到提升，且隨著低噪聲放大器的技術(shù)演進(jìn)，本發(fā)明的架構(gòu)可以低成本的方式，持續(xù)改善光接收器的靈敏度；由于此改良，可擴(kuò)大PIN 二極管于光接收器的應(yīng)用，因而可避免使用需要高壓且脆弱的APD元件，降低檢光裝置的制造成本。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1系一習(xí)知使用PIN 二極管的檢光裝置。
[0024]圖2系本發(fā)明所提出使用PIN 二極管的檢光裝置的一架構(gòu)。
[0025]圖3系本發(fā)明所提出使用PIN 二極管的檢光裝置的另一架構(gòu)。
[0026]圖4為一電流放大器，用以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明第一實(shí)施例中的低噪聲電流放大器。
[0027]圖5例示將本發(fā)明檢光放大裝置的PIN 二極管晶片、低噪聲電流放大器晶片以及轉(zhuǎn)阻放大模塊以常用的TO-CAN方式封裝。
[0028]圖6例示將本發(fā)明檢光放大裝置的PIN 二極管與低噪聲電流放大器整合單晶片以及轉(zhuǎn)阻放大模塊以常用的TO-CAN方式封裝。
[0029]主要元件符號(hào)說明:
[0030]100檢光裝置

101PIN 二極管
102轉(zhuǎn)阻放大模塊
103轉(zhuǎn)阻放大器
104自動(dòng)增益控制電路
105放大器
106單端轉(zhuǎn)差動(dòng)放大器
200檢光裝置
201PIN 二極管
202轉(zhuǎn)阻放大模塊
203轉(zhuǎn)阻放大器
204自動(dòng)增益控制電路
205放大器
206單端轉(zhuǎn)差動(dòng)放大器
207檢光模塊
208低噪聲電流放大器
209第一電流信號(hào)
210第二電流信號(hào)
[0031]300檢光裝置

301PIN 二極管
302放大模塊
303低噪聲轉(zhuǎn)阻放大器
304自動(dòng)增益控制電路
305放大器
306單端轉(zhuǎn)差動(dòng)放大器
309 電流信號(hào)
400電流放大器
401輸入電流
500電晶體外框罐

501PIN 二極管晶片
502低噪聲電流放大器晶片
503轉(zhuǎn)阻放大模塊
600電晶體外框罐
601整合晶片
602轉(zhuǎn)阻放大模塊
【具體實(shí)施方式】
[0032]以下將配合圖示詳細(xì)敘述例示實(shí)施例。然而，這些實(shí)施例可以包含于不同的形式中，且不應(yīng)被解釋為用以限制本發(fā)明。這些實(shí)施例的提供使得本發(fā)明的揭露完整與完全，熟知此技術(shù)的人將能經(jīng)由該些實(shí)施例了解本發(fā)明的范疇。
[0033]本發(fā)明第一實(shí)施例請(qǐng)參閱圖2，在本實(shí)施例中，用于被動(dòng)式光纖網(wǎng)絡(luò)的檢光裝置200,包含一 PIN 二極管201,用以接收光信號(hào)，產(chǎn)生對(duì)應(yīng)該光信號(hào)的一第一電流信號(hào)209 ；一低噪聲電流放大器208，耦接該P(yáng)IN 二極管，用以放大該第一電流信號(hào)以產(chǎn)生一低噪聲的第二電流信號(hào)210，以提升光接收器整體的靈敏度，該P(yáng)IN 二極管及該低噪聲電流放大器，組成一檢光模塊207 ;該檢光裝置尚包含一轉(zhuǎn)阻放大模塊202,稱接該低噪聲電流放大器，該轉(zhuǎn)阻放大模塊的第一級(jí)為一轉(zhuǎn)阻放大器203，用以轉(zhuǎn)阻放大該第二電流信號(hào)，以產(chǎn)生一單端電壓信號(hào)，該轉(zhuǎn)阻放大模塊并包含自動(dòng)增益控制放大電路204、放大器205以及單端轉(zhuǎn)差動(dòng)放大器206,以放大該單端電壓信號(hào)，以產(chǎn)生一振幅受到控制的差動(dòng)電壓信號(hào)，基于成本的考量，該轉(zhuǎn)阻放大模塊202系以硅半導(dǎo)體所制成；在本實(shí)施例中，該自動(dòng)增益控制放大電路、該放大器以及該單端轉(zhuǎn)差動(dòng)放大器等電路，僅用以例示說明該轉(zhuǎn)阻放大模塊產(chǎn)生一振幅受到控制差動(dòng)電壓信號(hào)的功能，并非將本發(fā)明中的轉(zhuǎn)阻放大模塊，限制如圖2的架構(gòu)，而本實(shí)施例中的低噪聲電流放大器，除上述放大信號(hào)電流，以提升光接收器靈敏度的主要功能外，尚可提供監(jiān)測PIN 二極管信號(hào)電流強(qiáng)度的功能，避免該檢光裝置200中的電路飽和。
[0034]在本實(shí)施例中，該低噪聲電流放大器，可在電路噪聲、偏壓方式、頻寬以及制程等考量下，選擇適當(dāng)?shù)募軜?gòu)來實(shí)現(xiàn)該低噪聲電流放大器。在一較具體的實(shí)施態(tài)樣中，為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明檢光裝置在被動(dòng)式光纖網(wǎng)絡(luò)(PON)的應(yīng)用，該低噪聲電流放大器的電流增益設(shè)計(jì)在10~20倍，頻寬為30kHz~1.8GHz。在靈敏度需求較高的系統(tǒng)中，可使用三五族化合物來制作該低噪聲電流放大器，一方面是基于三五族化合物較佳的噪聲特性，另一方面，三五族化合物的電路元件，具有較高的頻寬，可以增加電路設(shè)計(jì)時(shí)的彈性，又因?yàn)楫愘|(zhì)接面雙極電晶體(Heterojunction Bipolar Transistor, HBT)具有電流介面直接放大的特性以及元件低閃變?cè)肼?flicker noise)的優(yōu)點(diǎn)，特別適合用以制作本實(shí)施例中的低噪聲電流放大器。在本發(fā)明所提供的檢光裝置中，使用三五族化合物來制作該低噪聲電流放大器，提供了將檢光裝置中的PIN 二極管與該低噪聲電流放大器整合于一單晶片的可能性，上述HBT制程，即可提供此種整合能力(Kyounghoon Yang, AugustoL.Gutierrez-Aitken, Xiangkun Zhang, George 1.Haddad, Pallab Bhattacharya, “Design,modeling, and characterization of monolithically integrated InP-based(1.55 μ m)high-speed(24Gb/s)p-1-n/HBT front-end photoreceivers, ^Journal of lightwave technology, Vol.14, N0.8, pp.1831—1839，1996.)。
[0035]本實(shí)施例中 ，低噪聲電流放大器的設(shè)計(jì)可參考文獻(xiàn)而有多種可能性，不同的電路架構(gòu)分別有其優(yōu)缺點(diǎn)，而應(yīng)以寬頻以及低噪聲為優(yōu)先考量，圖4即例示一種可用以實(shí)現(xiàn)本實(shí)施例中低噪聲電流放大器的電路架構(gòu)；其中輸入電流401系由PIN 二極管所產(chǎn)生。
[0036]承上所述，本發(fā)明檢光裝置中的PIN 二極管與低噪聲電流放大器，可由兩獨(dú)立的晶片分別實(shí)現(xiàn)，亦可整合于一單晶片之中。圖5則例示將一 PIN 二極管晶片501、一低噪聲電流放大器晶片502以及一轉(zhuǎn)阻放大模塊503以常用的電晶體外框封裝(TransistorOutline Package, TO Package)封裝于一電晶體外框罐(T0-CAN) 500 ;圖6則例不將一包含PIN 二極管與低噪聲電流放大器的整合晶片601以及一轉(zhuǎn)阻放大模塊602以常用的電晶體外框封裝(Transistor Outline Package, TO Package)封裝于一電晶體外框罐(TO-CAN)600 ο
[0037]本發(fā)明第二實(shí)施例請(qǐng)參閱圖3，在本實(shí)施例中，用于被動(dòng)式光纖網(wǎng)絡(luò)的檢光裝置300，包含一 PIN 二極管301，用以接收光信號(hào)，產(chǎn)生對(duì)應(yīng)該光信號(hào)的一電流信號(hào)309 ;—低噪聲轉(zhuǎn)阻放大器303，耦接該P(yáng)IN 二極管，用以轉(zhuǎn)阻放大該電流信號(hào)以產(chǎn)生一單端電壓信號(hào)，該單端電壓信號(hào)再通過一放大模塊302，以產(chǎn)生一振幅受到控制的差動(dòng)電壓信號(hào)，基于成本的考量，該放大模塊302系以硅半導(dǎo)體所制成，本實(shí)施例系藉由該低噪聲轉(zhuǎn)阻放大器較佳的噪聲指數(shù)，以降低整體檢光裝置的噪聲指數(shù)。在圖3中，該放大模塊包含自動(dòng)增益控制放大電路304、放大器305以及單端轉(zhuǎn)差動(dòng)放大器306，該等電路，系用以例示說明該放大模塊產(chǎn)生一振幅受到控制差動(dòng)電壓信號(hào)的功能，并非將本發(fā)明中的放大模塊，限制如圖3的架構(gòu)。在本實(shí)施例中，該低噪聲轉(zhuǎn)阻放大器，可由三五族化合物所制成，以透過三五族化合物元件低噪聲的特性，降低光接受器檢光裝置中，轉(zhuǎn)阻放大器的噪聲，藉以提升光接受器整體的靈敏度。該低噪聲轉(zhuǎn)阻放大器，可為一低噪聲電流放大器耦接一轉(zhuǎn)阻放大器所構(gòu)成，亦可單純?yōu)橐粚?duì)噪聲特性最佳化的轉(zhuǎn)阻放大器。本實(shí)施例檢光裝置中的PIN 二極管與低噪聲轉(zhuǎn)阻放大器，可為兩獨(dú)立的晶片，亦可整合為單一晶片；本發(fā)明第一實(shí)施例中的HBT元件制程，亦可應(yīng)用在本實(shí)施例中，其中，若使用單一晶片的架構(gòu)，PIN與低噪聲轉(zhuǎn)阻放大器的連接，可使用直流耦合(DC coupling)的方式，透過轉(zhuǎn)阻放大器電路輸入端偏壓調(diào)整方式來給予PIN 二極管適當(dāng)?shù)钠珘?而無需使用需要多余的直流阻隔電容(dc decouplingcapacitor)的交流I禹合(AC coupling)方式。本實(shí)施例中的檢光裝置,通常系以常用的TOpackage方式封裝于T0-CAN。
【權(quán)利要求】
1.一種用于光接收器的檢光裝置，其特征在于，所述的檢光裝置包含: 一 PIN 二極管，用以接收光信號(hào)，產(chǎn)生對(duì)應(yīng)所述的光信號(hào)的一第一電流信號(hào)； 一低噪聲電流放大器，耦接所述的PIN 二極管，用以放大所述的第一電流信號(hào)以產(chǎn)生一第二電流信號(hào)，以提升光接收器整體的靈敏度；以及 一轉(zhuǎn)阻放大模塊，耦接所述的低噪聲電流放大器，所述的轉(zhuǎn)阻放大模塊包含一轉(zhuǎn)阻放大器，轉(zhuǎn)阻放大所述的第二電流信號(hào)，以產(chǎn)生一單端電壓信號(hào)，所述的轉(zhuǎn)阻放大模塊并包含自動(dòng)增益控制放大電路以及單端轉(zhuǎn)差動(dòng)放大器，以放大所述的單端電壓信號(hào)，以產(chǎn)生一振幅受到控制的差動(dòng)電壓信號(hào)。
2.如權(quán)利要求1所述的檢光裝置，其特征在于，所述的轉(zhuǎn)阻放大器為所述的轉(zhuǎn)阻放大模塊的第一級(jí)。
3.如權(quán)利要求1所述的檢光裝置，其特征在于，所述的檢光裝置系封裝于電晶體外框罐，主要用于被動(dòng)式光纖網(wǎng)絡(luò)的光接收器。
4.如權(quán)利要求1所述的檢光裝置，其特征在于，所述的轉(zhuǎn)阻放大模塊系由硅半導(dǎo)體所制成。
5.如權(quán)利要求1、2、3、4任一權(quán)利要求所述的檢光裝置，其特征在于，所述的低噪聲電流放大器為一獨(dú)立單晶片。
6.如權(quán)利要求1、2、3、4任一權(quán)利要求所述的檢光裝置，其特征在于，所述的低噪聲電流放大器與所述的PIN 二極管集成于一單晶片。
7.一種用于光接收器的檢光裝置，其特征在于，所述的檢光裝置包含: 一 PIN 二極管，用以接收光信號(hào)，產(chǎn)生對(duì)應(yīng)所述的光信號(hào)的一第一電流信號(hào)； 一低噪聲轉(zhuǎn)阻放大器，耦接所述的PIN 二極管，用以轉(zhuǎn)阻放大所述的第一電流信號(hào)以產(chǎn)生一單端電壓信號(hào)；以及 一放大模塊，耦接所述的低噪聲轉(zhuǎn)阻放大器，所述的放大模塊包含自動(dòng)增益控制放大電路以及單端轉(zhuǎn)差動(dòng)放大器，以放大所述的單端電壓信號(hào)，以產(chǎn)生一振幅受到控制的差動(dòng)電壓信號(hào)。
8.如權(quán)利要求7所述的檢光裝置，其特征在于，所述的檢光裝置系封裝于電晶體外框罐，主要用于被動(dòng)式光纖網(wǎng)絡(luò)的光接收器。
9.如權(quán)利要求7所述的檢光裝置，其特征在于，所述的放大模塊系由硅半導(dǎo)體所制成。
10.如權(quán)利要求7、8、9任一權(quán)利要求所述的檢光裝置，其特征在于，所述的低噪聲轉(zhuǎn)阻放大器為一獨(dú)立單晶片。
11.如權(quán)利要求7、8、9任一權(quán)利要求所述的檢光裝置，其特征在于，所述的低噪聲轉(zhuǎn)阻放大器與所述的PIN 二極管集成于一單晶片。
【文檔編號(hào)】H04B10/60GK103840887SQ201210574289
【公開日】2014年6月4日 申請(qǐng)日期:2012年12月21日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月20日
【發(fā)明者】吳永順 申請(qǐng)人:吳永順