專利名稱：一種對上行信號進(jìn)行噪聲抑制的方法、設(shè)備和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及無線通信領(lǐng)域，尤其涉及一種對上行信號進(jìn)行噪聲抑制的方法、設(shè)備和系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有的通信系統(tǒng)中，移動通信基站基本上可以分為三部分移動臺、無線接入網(wǎng)和核心網(wǎng)。其中，基站的主要作用是接收和發(fā)送移動通信信號。通常，在某個區(qū)域內(nèi)，多個基站相互之間組成一個蜂窩狀的網(wǎng)絡(luò)，通過控制基站與基站之間信號的相互發(fā)送和接收來實現(xiàn)移動通信信號的傳輸，而信號傳輸范圍內(nèi)的區(qū)域就是我們常說的網(wǎng)絡(luò)覆蓋面。而基站在傳輸信號的過程中存在信號無法覆蓋的地區(qū)就是常說的移動通信的信號盲區(qū)。在實際的移動通信系統(tǒng)中，由于地理環(huán)境、天氣變化或基站覆蓋范圍調(diào)整等原因，基站信號覆蓋的目標(biāo)區(qū)域中難免會存在信號覆蓋較弱的區(qū)域，甚至還會出現(xiàn)無信號覆蓋的信號盲區(qū)。
為了解決基站在進(jìn)行信號覆蓋時出現(xiàn)的信號弱覆蓋區(qū)域以及信號覆蓋盲區(qū)的問題，目前在3GPP (The 3rd Generation Partnership Project,第三代合作伙伴計劃)協(xié)議 LTE (Long Term Evolution,長期演進(jìn))Rel_8版本中引入了一種新的延伸覆蓋技術(shù),稱為中繼Relay技術(shù),該技術(shù)中的核心設(shè)備稱為RN (Relay Node,中繼節(jié)點)。根據(jù)中繼Relay 技術(shù)在通信網(wǎng)絡(luò)中應(yīng)用類型不同，在LTE Rel-8版本定義了三種類型的Relay技術(shù)，分別是層 IRelay (LI Relay)、層 2Relay (L2 Relay)和層 3Relay (L3 Relay)。
其中，層IRelay技術(shù)對應(yīng)的設(shè)備是層IRelay設(shè)備,該設(shè)備是模擬設(shè)備,不會對信號進(jìn)行解碼，只是直接將信號進(jìn)行放大和轉(zhuǎn)發(fā)，不能區(qū)分出有用信號與底部噪聲(簡稱為底噪)，使得在對信號進(jìn)行放大的同時也會抬升底噪，因此，采用層IRelay技術(shù)的設(shè)備雖然能夠提升覆蓋范圍，且具有設(shè)備簡單、成本和引入的時延低的優(yōu)點，但會同時對信號以及干擾進(jìn)行放大和轉(zhuǎn)發(fā)，進(jìn)而嚴(yán)重影響上行覆蓋和上行吞吐率，導(dǎo)致不能大規(guī)模應(yīng)用。
層2Relay設(shè)備應(yīng)用在MAC層，對接收到數(shù)據(jù)塊進(jìn)行解碼，再進(jìn)行編碼和轉(zhuǎn)發(fā)；層 3Relay設(shè)備對接收到的IP數(shù)據(jù)包進(jìn)行轉(zhuǎn)發(fā)，具有和基站類似的空口協(xié)議結(jié)構(gòu)，不僅可以解調(diào)基站的信號，還具有相當(dāng)完整的RRM能力和權(quán)限。
也就是說，層2Relay技術(shù)與層3Relay技術(shù)雖然不會抬升施主基站底噪,但已被證明存在效率低、時延較大、設(shè)備復(fù)雜和成本較高等缺點。
在現(xiàn)有技術(shù)中，將LTE數(shù)字光纖直放站引入基站，利用LTE數(shù)字光纖直放站的工作原理將信號放大，覆蓋目標(biāo)區(qū)域，從而擴大了基站的覆蓋范圍，消除了信號覆蓋的盲區(qū)，但是，由于LTE數(shù)字光纖直放站屬于采用層IRelay技術(shù)的設(shè)備，其仍然存在基站底噪被抬升的缺點，并嚴(yán)重影響基站的上行接收靈敏度，從而降低了基站的利用率。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例提供了一種對上行信號進(jìn)行噪聲抑制的方法、設(shè)備和系統(tǒng)，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中LTE數(shù)字光纖直放站存在的基站底噪被抬升的問題。
一種對上行信號進(jìn)行噪聲抑制方法，應(yīng)用于LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)中，包括
確定上行LTE射頻信號轉(zhuǎn)換得到的各子頻帶基帶信號的載噪比，并將確定的每一個子頻帶基帶信號的載噪比與設(shè)定的載噪比門限值進(jìn)行比較；
當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比小于設(shè)定的載噪比門限值時，關(guān)斷該載噪比小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基站信號的發(fā)送時隙；當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值時，將該載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基站信號通過上行鏈路發(fā)送。
一種對上行信號進(jìn)行噪聲抑制設(shè)備，應(yīng)用于LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)中，包括
確定模塊，用于確定上行LTE射頻信號轉(zhuǎn)換得到的各子頻帶基帶信號的載噪比；
比較模塊，用于將確定的每一個子頻帶基帶信號的載噪比與設(shè)定的載噪比門限值進(jìn)行比較；
抑制模塊，用于當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比小于設(shè)定的載噪比門限值時，關(guān)斷該載噪比小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶上行信號的發(fā)送時隙；當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值時，將該載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶上行信號通過上行鏈路發(fā)送。
一種上行基帶處理設(shè)備，包括模數(shù)A/D轉(zhuǎn)換設(shè)備、數(shù)字下變頻DDC設(shè)備和數(shù)字上變頻DUC設(shè)備，該上行基帶處理設(shè)備應(yīng)用于LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)中，且該上行基帶處理設(shè)備還包括載噪比Ec/Io判決電路，其中
模數(shù)A/D轉(zhuǎn)換設(shè)備，用于對上行LTE射頻信號執(zhí)行模數(shù)A/D轉(zhuǎn)換，將得到的多個數(shù)字子頻帶信號發(fā)送給DDC;
數(shù)字下變頻DDC設(shè)備，用于分別對各數(shù)字子頻帶信號執(zhí)行數(shù)字下變頻處理后，將得到的多個子頻帶基帶信號作為所述Ec/Io判決電路的輸入信號；
載噪比Ec/Io判決電路，用于確定各子頻帶基帶信號的載噪比，并將確定的每一個子頻帶基帶信號的載噪比與設(shè)定的載噪比門限值進(jìn)行比較，當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比小于設(shè)定的載噪比門限值時，關(guān)斷該載噪比小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基站信號的發(fā)送時隙；當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值時，將該載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基站信號發(fā)送給數(shù)字上變頻DUC設(shè)備；
數(shù)字上變頻DUC設(shè)備，用于對接收到的子頻帶基帶信號執(zhí)行數(shù)字上變頻處理，得到相應(yīng)的數(shù)字射頻信號并發(fā)送給光收發(fā)設(shè)備。
一種LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)，包括近端系統(tǒng)和遠(yuǎn)端系統(tǒng)，所述遠(yuǎn)端系統(tǒng)包括上行傳輸子系統(tǒng)和下行傳輸子系統(tǒng)，其中，所述上行傳輸子系統(tǒng)包括模擬下變頻設(shè)備、上行基帶處理設(shè)備和光收發(fā)設(shè)備，其中
模擬下變頻器，用于對上行LTE射頻信號進(jìn)行放大后的上行射頻信號進(jìn)行模擬下變頻處理，將得到的模擬中頻信號發(fā)送給所述上行基帶處理 設(shè)備；
上行基帶處理設(shè)備，用于將接收到的模擬中頻信號進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換以及數(shù)字下變頻處理，得到多個子頻帶基帶信號，并確定各子頻帶基帶信號的載噪比，并將確定的每一個子頻帶基帶信號的載噪比與設(shè)定的載噪比門限值進(jìn)行比較，當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比小于設(shè)定的載噪比門限值時，關(guān)斷該載噪比小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基站信號的發(fā)送時隙；當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值時，將該載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基站信號通過上行鏈路發(fā)送至光收發(fā)設(shè)備；
光收發(fā)設(shè)備，用于將所述上行基帶處理設(shè)備發(fā)送的數(shù)字射頻信號轉(zhuǎn)換為光信號后，發(fā)送給近端系統(tǒng)。
本發(fā)明有益效果如下
本發(fā)明實施例在LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)的遠(yuǎn)端傳輸系統(tǒng)中，上行傳輸方向增加對子頻帶基帶信號載噪比與設(shè)定的載噪比門限值進(jìn)行比較的操作，對載噪比小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基站信號的發(fā)送時隙執(zhí)行關(guān)斷操作，而只對載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基帶信號執(zhí)行數(shù)字上變頻處理，使得該LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)只對上行有用信號進(jìn)行放大，而對載噪比小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基帶信號進(jìn)行抑制， 從而有效地避免了基站底噪被抬升的缺陷，極大的改善了基站的上行接收靈敏度，降低了網(wǎng)絡(luò)建設(shè)成本。


圖1為本發(fā)明實施例一提供的一種對上行信號進(jìn)行噪聲抑制方法的流程圖2為本發(fā)明實施例二提供的一種上行基帶處理設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖3為本發(fā)明實施例三提供的一種上行基帶處理設(shè)備的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖4為多臺LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)的組網(wǎng)示意圖5為頻分雙工LTE (包括LTE-FDD、LTE-FDD Advance)數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)的近端系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖6為頻分雙工LTE (包括LTE-FDD、LTE-FDD Advance)數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)的遠(yuǎn)端系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖 7 為時分雙工 LTE (包括 LTE-TDD、LTE-TDD Advance、TD-LTE, TD-LTEAdvance) 數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)的近端系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖 8 為時分雙工 LTE (包括 LTE-TDD、LTE-TDD Advance、TD-LTE, TD-LTEAdvance) 數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)的遠(yuǎn)端系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
為了實現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明實施例提供了一種對上行信號進(jìn)行噪聲抑制方法、設(shè)備和系統(tǒng)，在LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)的遠(yuǎn)端傳輸系統(tǒng)中，上行傳輸方向增加對子頻帶基帶信號載噪比與設(shè)定的載噪比門限值進(jìn)行比較的操作，對載噪比小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基站信號的發(fā)送時隙執(zhí)行關(guān)斷操作，而只對載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基帶信號執(zhí)行數(shù)字上變頻處理，使得該LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)只對上行有用信號進(jìn)行放大，而對載噪比小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基帶信號進(jìn)行抑制，從而有效地避免了基站底噪被抬升的缺陷，極大的改善了基站的上行接收靈敏度，降低了網(wǎng)絡(luò)建設(shè)成本。
需要說明的是，本發(fā)明實施例中涉及的上行噪聲抑制可以是基于OFDMA (Orthogonal Frequency Division Multiple Access 正交頻分多址)原理進(jìn)行處理，以及基于 SC_FDMA(Single-carrier Frequency-Division Multiple Access,單載波 分頻多工) 多址接入原理進(jìn)行處理。
下面結(jié)合說明書附圖對本發(fā)明各實施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
實施例一
如圖1所示，為本發(fā)明實施例一的一種對上行信號進(jìn)行噪聲抑制方法的流程圖， 該方法應(yīng)用于LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)中，所述方法包括
步驟101 :接收對上行LTE射頻信號進(jìn)行放大、模擬下變頻處理后的模擬中頻信號。
具體地，在步驟101中，通過覆蓋或者接收天線從空間接收到用戶終端發(fā)射的上行LTE射頻信號，濾除無用信號后得到上行射頻信號；
上行射頻信號經(jīng)過低噪聲放大器將上行射頻信號的幅度放大，并經(jīng)過模擬下變頻處理后，將上行中頻信號下變頻為模擬中頻信號。
需要說明的是，所述該上行LTE射頻信號有可能是由用戶端發(fā)送過來的，也有可能是有下一級中繼端設(shè)備發(fā)送過來的，這里不做限定。
步驟102 :將接收到的模擬中頻信號進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換以及數(shù)字下變頻處理，得到多個子頻帶基帶信號。
具體地，在步驟102中，將接收到的模擬中頻信號進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換設(shè)備采樣后，變成多個數(shù)字子頻帶信號；
多個數(shù)字子頻帶信號經(jīng)過數(shù)字下變頻DDC設(shè)備進(jìn)行下變頻處理后，得到多個子頻帶基帶信號。
需要說明的是，所述得到的子頻帶基帶信號的子載波數(shù)量將根據(jù)基站配置和實際網(wǎng)絡(luò)情況進(jìn)行確定，這里不限定子頻帶基帶信號的子載波數(shù)量。
步驟103 :確定各子頻帶基帶信號的載噪比。
具體地，在步驟103中，所述確定各子頻帶基帶信號的載噪比的方法包括但不限于
根據(jù)子頻帶基站信號的強度值和子頻帶基站信號所受到的干擾信號的強度值，計算得到每一個子頻帶基帶信號的載噪比Ec與Io的比值；
其中，Ec表示子頻帶基站信號的強度值，Io表示子頻帶基站信號所受到的干擾信號的強度值。
其中，所述設(shè)定的載噪比門限值為l 20dB。
較優(yōu)地，所述預(yù)定的載噪比門限值為9dB。
需要說明的是，所述設(shè)定的載噪比門限值可以根據(jù)LTE標(biāo)準(zhǔn)的演化進(jìn)行修改，也可以根據(jù)實際需要進(jìn)行設(shè)置，這里不做具體限定。
步驟104 :將確定的每一個子頻帶基帶信號的載噪比與設(shè)定的載噪比門限值進(jìn)行比較，當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比小于設(shè)定的載噪比門限值時，執(zhí)行步驟1 05 ;當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值時，執(zhí)行步驟106。
具體地，在步驟104中，將確定的每一個子頻帶基帶信號的載噪比與設(shè)定的載噪比門限值進(jìn)行比較的方法包括但不限于
將確定的每一個子頻帶基帶信號的載噪比與設(shè)定的載噪比門限值之間進(jìn)行作差運算，將得到的差值與O進(jìn)行比較，當(dāng)差值不小于O時，確定所述確定的載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值；當(dāng)差值小于O時，確定所述確定的載噪比小于設(shè)定的載噪比門限值。
步驟105 :關(guān)斷該載噪比小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基站信號的發(fā)送時隙。
在步驟105中，關(guān)斷該載噪比小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基站信號的發(fā)送時隙意味著將該載噪比小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基站信號濾除，這樣有效的減少了載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基站信號傳輸時所受到的噪聲干擾。
步驟106 :將該載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基站信號通過上行鏈路發(fā)送。
具體地，在步驟106中，將該載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基站信號經(jīng)由數(shù)字濾波設(shè)備進(jìn)行濾波處理，濾除比較過程中產(chǎn)生的雜散信號，得到濾噪后的子頻帶基帶信號；
對所述濾噪后的子頻帶基帶信號執(zhí)行數(shù)字上變頻處理，得到相應(yīng)的數(shù)字射頻信號并發(fā)送給光收發(fā)設(shè)備；由光收發(fā)設(shè)備將得到的數(shù)字射頻信號傳輸?shù)絃TE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)的近端系統(tǒng)，再經(jīng)過近端系統(tǒng)中的上行基帶處理設(shè)備、D/A轉(zhuǎn)換設(shè)備變換成模擬中頻信號;
該模擬中頻信號經(jīng)過上行放大器將信號幅值進(jìn)行放大后，由近端雙工器進(jìn)行濾波處理后，通過饋線返回至基站。
需要說明的是，所述子頻帶基站信號通過上行鏈路發(fā)送，可以發(fā)送給基站，也可以發(fā)送給上一級中繼端設(shè)備，這里不作限定。
這樣在LTE數(shù)字光纖直放站中實現(xiàn)了對上行信號進(jìn)行噪聲抑制，即只對上行有用信號進(jìn)行放大處理，使得基站上行接入信號的噪聲電平低于-123dBm/100KHz。
通過本發(fā)明實施例一的方案,在LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)的遠(yuǎn)端傳輸系統(tǒng)中，上行傳輸方向增加對子頻帶基帶信號載噪比與設(shè)定的載噪比門限值進(jìn)行比較的操作，對載噪比小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基站信號的發(fā)送時隙執(zhí)行關(guān)斷操作，而只對載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基帶信號執(zhí)行數(shù)字上變頻處理，使得該LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)只對上行有用信號進(jìn)行放大，而對載噪比小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基帶信號進(jìn)行抑制，從而有效地避免了基站底噪被抬升的缺陷，極大的改善了基站的上行接收靈敏度，降低了網(wǎng)絡(luò)建設(shè)成本。
實施例二
如圖2所示，為本發(fā)明實施例二的一種對上行信號進(jìn)行噪聲抑制設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖，本發(fā)明實施例二是與本發(fā)明實施例一的在同一構(gòu)思下的設(shè)備，該設(shè)備應(yīng)用于LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)中，所述設(shè)備包括確定模塊11、比較模塊12和抑制模塊13，其中
確定模塊11，用于確定上行 LTE射頻信號轉(zhuǎn)換得到的各子頻帶基帶信號的載噪比。
比較模塊12，用于將確定的每一個子頻帶基帶信號的載噪比與設(shè)定的載噪比門限值進(jìn)行比較。
抑制模塊13，用于當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比小于設(shè)定的載噪比門限值時，關(guān)斷該載噪比小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶上行信號的發(fā)送時隙；當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值時，將該載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶上行信號通過上行鏈路發(fā)送。
具體地，所述確定模塊11，具體用于計算得到每一個子頻帶基帶信號的載噪比為 Ec與Io的比值；
其中，Ec表示子頻帶基帶信號的強度值，Io表示子頻帶基帶信號所受到的干擾信號的強度值。
具體地，所述抑制模塊13，具體包括數(shù)字濾波單元21、數(shù)字上變頻單元22和關(guān)斷單元23，其中
數(shù)字濾波單元21，用于將該載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基站信號進(jìn)行濾波處理，濾除比較過程中產(chǎn)生的雜散信號，得到濾噪后的子頻帶基帶信號；
數(shù)字上變頻單元22，用于對對所述濾噪后的子頻帶基帶信號執(zhí)行數(shù)字上變頻處理，得到相應(yīng)的數(shù)字射頻信號，并發(fā)送給光收發(fā)設(shè)備；
關(guān)斷單元23，用于關(guān)斷比較單元比較得到的載噪比小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基帶信號的發(fā)送時隙。
需要說明的是，本發(fā)明實施例二所述的噪聲抑制設(shè)備可以是具有上述模塊的邏輯部件，還可以是能夠?qū)崿F(xiàn)上述功能的物理實體，這里不做具體限定。
實施例三
如圖3所示，為本發(fā)明實施例三的一種上行基帶處理設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。該上行基帶設(shè)備包括模數(shù)A/D轉(zhuǎn)換設(shè)備41、數(shù)字下變頻DDC設(shè)備42和數(shù)字上變頻DUC設(shè)備43，該上行基帶處理設(shè)備應(yīng)用于LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)中，且該上行基帶處理設(shè)備還包括載噪比Ec/Io判決電路44，其中
模數(shù)A/D轉(zhuǎn)換設(shè)備41，與數(shù)字下變頻器DDC連接，用于對上行LTE射頻信號執(zhí)行模數(shù)A/D轉(zhuǎn)換，將得到的多個數(shù)字子頻帶信號發(fā)送給DDC ；
數(shù)字下變頻DDC設(shè)備42，與載噪比Ec/Io判決電路連接，用于分別對各數(shù)字子頻帶信號執(zhí)行數(shù)字下變頻處理后，將得到的多個子頻帶基帶信號作為所述Ec/Io判決電路的輸入信號；
載噪比Ec/Io判決電路44，與數(shù)字上變頻DUC設(shè)備連接，用于確定各子頻帶基帶信號的載噪比，并將確定的每一個子頻帶基帶信號的載噪比與設(shè)定的載噪比門限值進(jìn)行比較，當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比小于設(shè)定的載噪比門限值時，關(guān)斷該載噪比小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基站信號的發(fā)送時隙；當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值時，將該載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基站信號發(fā)送給數(shù)字上變頻 DUC設(shè)備；
數(shù)字上變頻DUC設(shè)備43，用于對接收到的子頻帶基帶信號執(zhí)行數(shù)字上變頻處理， 得到相應(yīng)的數(shù)字射頻信號并發(fā)送。
所述上行基帶處理器，還包括
數(shù)字濾波器45，一端與載噪比Ec/Io判決電路連接，另一端與數(shù)字上變頻DUC設(shè)備連接，用于在載噪比Ec/Io判決電路的比較結(jié)果為確定的載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值時，將該載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基站信號進(jìn)行濾波處理，濾除比較過程中產(chǎn)生的雜散信號，得到濾噪后的子頻帶基帶信號發(fā)送給數(shù)字上變頻DUC設(shè)備。
需要說明的是，本發(fā)明實`施例三所述上行基帶處理設(shè)備中包含的載噪比Ec/Io判決電路可以是與本發(fā)明實施例二所述噪聲抑制設(shè)備具有相同功能的邏輯部件，也可以是具有本發(fā)明實施例二所述噪聲抑制設(shè)備具有相同功能的物理設(shè)備，例如載噪比Ec/Io判決電路包括一個計算單元、一個比較電路和一個選擇電路，其中，計算單元，用于確定各子頻帶基帶信號的載噪比；比較電路用于將確定的每一個子頻帶基帶信號的載噪比與設(shè)定的載噪比門限值進(jìn)行比較；選擇電路，用于根據(jù)比較結(jié)果觸發(fā)觸發(fā)不同的設(shè)備，這里不做具體限定。基于上述上行基帶處理設(shè)備，本發(fā)明實施例還提供一種LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)，其可以應(yīng)用于 LTE-FDD 系統(tǒng)、LTE-FDD Advance 系統(tǒng)、FDD-LTE 系統(tǒng)、FDD-LTEAdvance 系統(tǒng)、LTE-TDD 系統(tǒng)、LTE-TDD Advance 系統(tǒng)、TDD-LTE 系統(tǒng)、TDD-LTE Advance 系統(tǒng)、TD-LTE 系統(tǒng)以及TD-LTE Advance系統(tǒng)的至少一種系統(tǒng)中。如圖4所示，為多臺LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)的組網(wǎng)示意圖。其中，該LET數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)包括近端系統(tǒng)和遠(yuǎn)端系統(tǒng)，近端系統(tǒng)和遠(yuǎn)端系統(tǒng)又分別包括上行傳輸子系統(tǒng)和下行傳輸子系統(tǒng)。如圖5 所示，為頻分雙工 LTE (包括 LTE-FDD、LTE-FDD Advance、FDD-LTE,FDD-LTEAdvance)數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)的近端系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖，包括上行傳輸子系統(tǒng)和下行傳輸子系統(tǒng)。其中，上行傳輸子系統(tǒng)包括依次連接的光收發(fā)設(shè)備、上行基帶處理單元、模擬上變頻設(shè)備、上行放大器和DT端雙工設(shè)備；下行傳輸子系統(tǒng)包括依次連接的DT端雙工器、下行衰減設(shè)備、模擬下變頻設(shè)備、下行基帶處理設(shè)備和光收發(fā)設(shè)備。其中，DT端雙工器通過饋線與基站連接。如圖6 所示，為頻分雙工 LET (包括 LTE-FDD、LTE-FDD Advance、FDD-LTE,FDD-LTEAdvance)數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)的遠(yuǎn)端系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)不意圖，包括上行傳輸子系統(tǒng)和下行傳輸子系統(tǒng)。其中，上行傳輸子系統(tǒng)包括依次連接的MT端雙工器、上行低噪聲放大器、模擬下變頻設(shè)備、上行基帶處理設(shè)備和光收發(fā)設(shè)備；下行傳輸子系統(tǒng)包括依次連接的光收發(fā)設(shè)備、下行基帶處理 設(shè)備、模擬上變頻設(shè)備、下行放大器和MT端雙工器，其中MT端雙工器通過覆蓋或者接收天線接收用戶終端(如手機終端)的信號。需要說明的是，圖5中涉及的上行基帶處理單元和圖6中涉及的上行基帶處理設(shè)備是兩個功能不同的設(shè)備。具體地，MT端雙工器，與低噪聲放大器連接，用于通過天線接收用戶終端發(fā)射的上行LTE射頻信號，并對接收到的上行LTE射頻信號進(jìn)行濾波處理，并將濾波處理后的上行射頻信號發(fā)送給低噪聲放大器。低噪聲放大器，與模擬下變頻器連接，用于將接收到的上行射頻信號的信號幅度放大后，發(fā)送給模擬下變頻器。模擬下變頻器，與所述上行基帶處理設(shè)備連接，用于對接收對用戶終端發(fā)射的上行LTE射頻信號進(jìn)行放大后的上行射頻信號進(jìn)行模擬下變頻處理，將得到的模擬中頻信號發(fā)送給所述上行基帶處理設(shè)備。上行基帶處理設(shè)備，與光收發(fā)設(shè)備連接，用于將接收到的模擬中頻信號進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換以及數(shù)字下變頻處理，得到多個子頻帶基帶信號，并確定各子頻帶基帶信號的載噪比，并將確定的每一個子頻帶基帶信號的載噪比與設(shè)定的載噪比門限值進(jìn)行比較，當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比小于設(shè)定的載噪比門限值時，關(guān)斷該載噪比小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基站信號的發(fā)送時隙；當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值時，將該載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基站信號通過上行鏈路發(fā)送至光收發(fā)設(shè)備。
光收發(fā)設(shè)備，用于將所述上行基帶處理設(shè)備發(fā)送的數(shù)字射頻信號轉(zhuǎn)換為光信號后，發(fā)送給近端系統(tǒng)。
較優(yōu)地，所述MT端雙工器，具體包括環(huán)形器和濾波器，其中
濾波器，與環(huán)形器連接，用于通過天線接收用戶終端發(fā)射的上行LTE射頻信號，并對接收到的上行LTE射頻信號進(jìn)行濾波處理，并發(fā)送給環(huán)形器；
環(huán)形器，與低噪聲放大器連接，用于在確定接收的射頻信號是上行射頻信號時，將接收到的濾波處理后的上行射頻信號發(fā)送給低噪聲放大器。
其中，遠(yuǎn)端系統(tǒng)中的上行基帶處理設(shè)備包括依次連接的A/D轉(zhuǎn)換設(shè)備、數(shù)字下變頻DDC設(shè)備、載噪比Ec/Io判決電路、數(shù)字濾波器和數(shù)字上變頻DUC設(shè)備。
對于上述各功能實體之間的信號流向及處理機制，如上述圖5和圖6所示，上述系統(tǒng)的噪聲抑制方法如下
MT端雙工器通過覆蓋天線接收移動終端的上行LTE射頻信號，并濾除其中的無用信號后，發(fā)送給上行低噪聲放大器；
上行低噪聲放大器接收上行射頻信號后，將其的信號幅度放大，發(fā)送給模擬下變頻器；
模擬下變頻器對接收到的上行射頻信號進(jìn)行下變頻處理，得到模擬中頻信號；
A/D轉(zhuǎn)換器對模擬下變頻器發(fā)送來的模擬中頻信號執(zhí)行模數(shù)A/D轉(zhuǎn)換，將得到的多個數(shù)字子頻帶信號(由多個子載波組合而成)發(fā)送給DDC;其中，數(shù)字子頻帶信號的子載波數(shù)量和分布可以根據(jù)基站配置及網(wǎng)絡(luò)現(xiàn)狀進(jìn)行調(diào)整。
數(shù)字下變頻DDC設(shè)備分別對各數(shù)字子頻帶信號執(zhí)行數(shù)字下變頻處理后，將得到的多個子頻帶基帶信號作為Ec/Io判決電路的輸入信號；
載噪比Ec/Io判決電路確定各子頻帶基帶信號的載噪比，并將確定的每一個子頻帶基帶信號的載噪比與設(shè)定的載噪比門限值進(jìn)行比較，當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比小于設(shè)定的載噪比門限值時，關(guān)斷該載噪比小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基站信號的發(fā)送時隙；當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值時，將該載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基站信號發(fā)送給數(shù)字上變頻DUC設(shè)備；
數(shù)字上變頻DUC設(shè)備對接收到的子頻帶基帶信號執(zhí)行數(shù)字上變頻處理，得到相應(yīng)的數(shù)字射頻信號并發(fā)送給光收發(fā)設(shè)備；
光收發(fā)設(shè)備將接收到的數(shù)字射頻信號轉(zhuǎn)換為光信號，發(fā)送給數(shù)字微波拉遠(yuǎn)遠(yuǎn)端室內(nèi)單元IDU，再通過微波傳送到數(shù)字微波拉遠(yuǎn)近端IDU ；
經(jīng)過近端微波傳輸系統(tǒng)的上行基帶處理器進(jìn)行基帶處理后，得到模擬中頻信號， 發(fā)送給模擬上變頻器；
模擬上變頻器對該模擬中頻信號進(jìn)行上變頻處理后，得到射頻信號，再經(jīng)過上行放大器后，將射頻信號的幅度放大，經(jīng)過DT端雙工器濾波后，通過饋線回傳給基站。
其中，在時分雙工LET數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)的近端系統(tǒng)中，DT端雙工器被濾波器和環(huán)形器代替，如圖7所示，為時分雙工LTE (包括LTE-TDD、LTE-TDD Advance、TDD-LTE, TDD-LTE Advance、TD-LTE、TD-LTE Advance)數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)的近端系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；在時分雙工LET數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)的遠(yuǎn)端系統(tǒng)中，MT端雙工器被濾波器和環(huán)形器代替，如圖8所示，為時分雙工LTE (包括LTE-TDD、LTE-TDD Advance、TDD-LTE、TDD-LTEAdvance、TD-LTE、TD-LTE Advance)數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)的遠(yuǎn)端系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，如圖7和圖8所示的系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)以及各功能實體之間的信號流向及處理機制與上述圖5和圖6的所示的系統(tǒng)相似，在此不再贅述。本發(fā)明實施例通過在LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)的遠(yuǎn)端系統(tǒng)上行傳輸方向增加對子頻帶基帶信號載噪比與設(shè)定的載噪比門限值進(jìn)行比較的操作，對載噪比小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基站信號的發(fā)送時隙執(zhí)行關(guān)斷操作，而只對載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基帶信號執(zhí)行數(shù)字上變頻處理，使得該LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)只對上行有用信號進(jìn)行放大，而對載噪比小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基帶信號進(jìn)行抑制，從而有效地避免了基站底噪被抬升的缺陷，極大的改善了基站的上行接收靈敏度，降低了網(wǎng)絡(luò)建設(shè)成本。另外，本發(fā)明實施例中的數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)與其他數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)相比，還具有以下優(yōu)點1、有效地避免了為降低底噪對基站的干擾而人為的降低上行增益，從而使得網(wǎng)絡(luò)覆蓋上下行不平衡的缺陷。2、本發(fā)明采用了數(shù)字中頻和大動態(tài)A/D、D/A技術(shù)，將射頻信號數(shù)字化，在數(shù)字域?qū)TE上行時域信號進(jìn)行處理，使LTE數(shù)字光纖直放站具有上行噪聲抑制功能，利用這種技術(shù)可以在同一個施主基站下并聯(lián)多臺帶有此功能的LTE數(shù)字光纖直放站而不抬升基站的底噪，能夠極大改善施主基站的上行接收靈敏度，并極大的降低網(wǎng)絡(luò)建設(shè)成本。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含 這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種對上行信號進(jìn)行噪聲抑制方法，其特征在于，應(yīng)用于LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)中，包括確定由上行LTE射頻信號轉(zhuǎn)換得到的各子頻帶基帶信號的載噪比，并將確定的每一個子頻帶基帶信號的載噪比與設(shè)定的載噪比門限值進(jìn)行比較；當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比小于設(shè)定的載噪比門限值時，關(guān)斷該載噪比小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基站信號的發(fā)送時隙；當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值時，將該載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基站信號通過上行鏈路發(fā)送。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述確定由上行LTE射頻信號轉(zhuǎn)換得到的各子頻帶基帶信號的載噪比，具體包括計算得到每一個子頻帶基帶信號的載噪比為Ec與Io的比值；其中，Ec表示子頻帶基帶信號的強度值，Io表示子頻帶基帶信號所受到的干擾信號的強度值。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述設(shè)定的載噪比門限值范圍為f20dB。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述預(yù)定的載噪比門限值為9dB。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值時，將該載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基站信號通過上行鏈路發(fā)送，具體包括當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值時，將該載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基站信號經(jīng)由數(shù)字濾波設(shè)備進(jìn)行濾波處理，濾除比較過程中產(chǎn)生的雜散信號，得到濾噪后的子頻帶基帶信號；對所述濾噪后的子頻帶基帶信號執(zhí)行數(shù)字上變頻處理，得到相應(yīng)的數(shù)字射頻信號并發(fā)送給光收發(fā)設(shè)備。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在確定由上行LTE射頻信號轉(zhuǎn)換得到的各子頻帶基帶信號的載噪比之前，所述方法還包括接收上行LTE射頻信號，并對該上行LTE射頻信號進(jìn)行放大以及模擬下變頻處理后轉(zhuǎn)換得到模擬中頻信號；將接收到的模擬中頻信號進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換以及數(shù)字下變頻處理，得到多個子頻帶基帶信號。
7.—種對上行信號進(jìn)行噪聲抑制設(shè)備，其特征在于，應(yīng)用于LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)中，包括確定模塊，用于確定由上行LTE射頻信號轉(zhuǎn)換得到的各子頻帶基帶信號的載噪比；比較模塊，用于將確定的每一個子頻帶基帶信號的載噪比與設(shè)定的載噪比門限值進(jìn)行比較；抑制模塊，用于當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比小于設(shè)定的載噪比門限值時，關(guān)斷該載噪比小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶上行信號的發(fā)送時隙；當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值時，將該載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶上行信號通過上行鏈路發(fā)送。
8.如權(quán)利要求7所述的噪聲抑制設(shè)備，其特征在于，所述確定模塊，具體用于計算得到每一個子頻帶基帶信號的載噪比為Ec與Io的比值；其中，Ec表示子頻帶基帶信號的強度值，Io表示子頻帶基帶信號所受到的干擾信號的強度值。
9.如權(quán)利要求7所述的噪聲抑制設(shè)備，其特征在于，所述抑制模塊，具體包括數(shù)字濾波單元，用于將該載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基站信號進(jìn)行濾波處理，濾除比較過程中產(chǎn)生的雜散信號，得到濾噪后的子頻帶基帶信號；數(shù)字上變頻單元，用于對對所述濾噪后的子頻帶基帶信號執(zhí)行數(shù)字上變頻處理，得到相應(yīng)的數(shù)字射頻信號，并發(fā)送給光收發(fā)設(shè)備；關(guān)斷單元，用于關(guān)斷比較單元比較得到的載噪比小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基帶信號的發(fā)送時隙。
10.一種上行基帶處理設(shè)備，包括模數(shù)A/D轉(zhuǎn)換設(shè)備、數(shù)字下變頻DDC設(shè)備和數(shù)字上變頻DUC設(shè)備，其特征在于，該上行基帶處理設(shè)備應(yīng)用于LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)中，且該上行基帶處理設(shè)備還包括載噪比Ec/Io判決電路，其中模數(shù)A/D轉(zhuǎn)換設(shè)備，用于對上行LTE射頻信號執(zhí)行模數(shù)A/D轉(zhuǎn)換，將得到的多個數(shù)字子頻帶信號發(fā)送給DDC;數(shù)字下變頻DDC設(shè)備，用于分別對各數(shù)字子頻帶信號執(zhí)行數(shù)字下變頻處理后，將得到的多個子頻帶基帶信號作為所述Ec/Io判決電路的輸入信號；載噪比Ec/Io判決電路，用于確定各子頻帶基帶信號的載噪比，并將確定的每一個子頻帶基帶信號的載噪比與設(shè)定的載噪比門限值進(jìn)行比較，當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比小于設(shè)定的載噪比門限值時，關(guān)斷該載噪比小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基站信號的發(fā)送時隙；當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值時，將該載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基站信號發(fā)送給數(shù)字上變頻DUC設(shè)備；數(shù)字上變頻DUC設(shè)備，用于對接收到的子頻帶基帶信號執(zhí)行數(shù)字上變頻處理，得到相應(yīng)的數(shù)字射頻信號并發(fā)送給光收發(fā)設(shè)備。
11.如權(quán)利要求10所述的上行基帶處理設(shè)備，其特征在于，所述上行基帶處理設(shè)備，還包括數(shù)字濾波器，用于在載噪比Ec/Io判決電路的比較結(jié)果為確定的載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值時，將該載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基站信號進(jìn)行濾波處理，濾除比較過程中產(chǎn)生的雜散信號，得到濾噪后的子頻帶基帶信號發(fā)送給數(shù)字上變頻DUC 設(shè)備。
12.如權(quán)利要求l(Tll任一所述的上行基帶處理設(shè)備，其特征在于，所述上行基帶處理設(shè)備采用FPGA技術(shù)、CPLD技術(shù)或DSP技術(shù)中的至少一種技術(shù)實現(xiàn)。
13.一種LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)，包括近端系統(tǒng)和遠(yuǎn)端系統(tǒng)，所述遠(yuǎn)端系統(tǒng)包括上行傳輸子系統(tǒng)和下行傳輸子系統(tǒng)，其中，所述上行傳輸子系統(tǒng)包括模擬下變頻設(shè)備、上行基帶處理設(shè)備和光收發(fā)設(shè)備，其特征在于，其中模擬下變頻器，用于對上行LTE射頻信號進(jìn)行放大后的上行射頻信號進(jìn)行模擬下變頻處理，將得到的模擬中頻信號發(fā)送給所述上行基帶處理設(shè)備；上行基帶處理設(shè)備，用于將接收到的模擬中頻信號進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換以及數(shù)字下變頻處理，得到多個子頻帶基帶信號，并確定各子頻帶基帶信號的載噪比，并將確定的每一個子頻帶基帶信號的載噪比與設(shè)定的載噪比門限值進(jìn)行比較，當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比小于設(shè)定的載噪比門限值時，關(guān)斷該載噪比小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基站信號的發(fā)送時隙；當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值時，將該載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基站信號通過上行鏈路發(fā)送至光收發(fā)設(shè)備；光收發(fā)設(shè)備，用于將所述上行基帶處理設(shè)備發(fā)送的數(shù)字射頻信號轉(zhuǎn)換為光信號后，發(fā)送給近端系統(tǒng)。
14.如權(quán)利要求13所述的LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng),其特征在于，所述上行傳輸子系統(tǒng)還包括MT端雙工器和低噪聲放大器，其中MT端雙工器，用于通過天線接收用戶終端發(fā)射的上行LTE射頻信號，并對接收到的上行LTE射頻信號進(jìn)行濾波處理，并將濾波處理后的上行射頻信號發(fā)送給低噪聲放大器；低噪聲放大器，用于將接收到的上行射頻信號的信號幅度放大后，發(fā)送給模擬下變頻器。
15.如權(quán)利要求14所述的LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)，其特征在于，所述MT端雙工器，具體包括環(huán)形器和濾波器，其中濾波器，用于通過天線接收用戶終端發(fā)射的上行LTE射頻信號，并對接收到的上行LTE 射頻信號進(jìn)行濾波處理，并發(fā)送給環(huán)形器；環(huán)形器，用于在確定接收的射頻信號是上行射頻信號時，將接收到的濾波處理后的上行射頻信號發(fā)送給低噪聲放大器。
16.如權(quán)利要求13 15任一項所述的LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng),其特征在于，所述 LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)應(yīng)用于LTE-FDD系統(tǒng)或FDD-LTE系統(tǒng)、LTE-FDD Advance系統(tǒng)或 FDD-LTE Advance 系統(tǒng)、LTE-TDD 系統(tǒng)或 TDD-LTE 系統(tǒng)或 TD-LTE 系統(tǒng)、LTE-TDD Advance 系統(tǒng)或TDD-LTE Advance系統(tǒng)以及TD-LTEAdvance系統(tǒng)的至少一種系統(tǒng)中。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種對上行信號進(jìn)行抑制的方法、設(shè)備和系統(tǒng)，其主要內(nèi)容包括在LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)的遠(yuǎn)端傳輸系統(tǒng)中，上行傳輸方向增加對子頻帶基帶信號載噪比與設(shè)定的載噪比門限值進(jìn)行比較的操作，對載噪比小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基站信號的發(fā)送時隙執(zhí)行關(guān)斷操作，而只對載噪比不小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基帶信號執(zhí)行數(shù)字上變頻處理，使得該LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)只對上行有用信號進(jìn)行放大，而對載噪比小于設(shè)定的載噪比門限值的子頻帶基帶信號進(jìn)行抑制，從而有效地避免了基站底噪被抬升的缺陷，極大的改善了基站的上行接收靈敏度，降低了網(wǎng)絡(luò)建設(shè)成本。
文檔編號H04L25/03GK103067317SQ201210568400
公開日2013年4月24日 申請日期2012年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月24日
發(fā)明者肖田忠, 柳洋, 馮量 申請人:京信通信系統(tǒng)(中國)有限公司