專利名稱：固體拍攝裝置及彌散評(píng)價(jià)方法
固體拍攝裝置及彌散評(píng)價(jià)方法關(guān)聯(lián)申請(qǐng)的引用本申請(qǐng)享受2011年6月27日申請(qǐng)的日本申請(qǐng)專利號(hào)2011-141405優(yōu)先權(quán)的利益，其日本申請(qǐng)專利的全部?jī)?nèi)容在本申請(qǐng)被援用。技術(shù)區(qū)域一般地，本實(shí)施方式涉及固體拍攝裝置及彌散(blooming)評(píng)價(jià)方法。
背景技術(shù)：
CMOS圖像傳感器中，高亮度的光入射時(shí)，光電二極管中發(fā)生大量的電荷，向周邊像素溢出超過排出能力的量，所以發(fā)生彌散。作為這樣的彌散的評(píng)價(jià)方法，存在使高亮度的光向全部的感光像素入射，用遮光像素檢測(cè)從那里溢出的電荷而量化的方法。這個(gè)方法中，假定在室外晴天的環(huán)境使用的條件時(shí)，需要準(zhǔn)備與太陽光同等的亮度的光源。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的問題是提供可以使光不入射至感光像素，而評(píng)價(jià)彌散的固體拍攝裝置及彌散評(píng)價(jià)方法。實(shí)施方式的固體拍攝裝置，其特征在于，包括像素陣列部，以矩陣狀配置有積蓄光電變換的電荷的像素；行掃描電路，以每行驅(qū)動(dòng)上述像素；電荷注入部，向上述像素陣列部的一部分的像素注入電荷；和定時(shí)控制電路，控制上述像素的驅(qū)動(dòng)定時(shí)及電荷注入定時(shí)。其他的實(shí)施方式的彌散評(píng)價(jià)方法，其特征在于，包括以下步驟向像素陣列部的一部分的像素注入電荷，其中上述像素陣列部以矩陣狀配置有積蓄光電變換的電荷的像素；和在向上述像素注入電荷時(shí)，從上述像素的周邊的像素讀出信號(hào)。根據(jù)上述構(gòu)成的固體拍攝裝置及彌散評(píng)價(jià)方法，可以使光不入射至感光像素，而評(píng)價(jià)彌散。


圖I是表示第I實(shí)施方式涉及的固體拍攝裝置的概略構(gòu)成的方塊圖。圖2 (a)是表示圖I像素PC的構(gòu)成的電路圖，圖2(b)是表示圖I像素PC'的構(gòu)成的電路圖。圖3 (a)是表示圖2(a)的像素PC的主要部分的斷面圖，圖3 (b)是表示圖2(a)的像素PC的低亮度時(shí)的電荷的狀態(tài)的電位圖，圖3(c)是表示圖2(a)的像素PC的高亮度時(shí)的電荷的狀態(tài)的電位圖。圖4(a)是表示圖2(b)的像素PCT的主要部分的斷面圖，圖4(b)是表示圖2(a)的像素PC的電荷注入時(shí)的電荷的狀態(tài)的電位圖。圖5是表示在圖2(a)的像素PC'的電荷注入時(shí)向周邊像素的電荷的擴(kuò)散狀態(tài)的平面圖。
圖6是表示第2實(shí)施方式涉及的固體拍攝裝置的彌散評(píng)價(jià)方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式根據(jù)實(shí)施方式的固體拍攝裝置，設(shè)置有像素陣列部、行掃描電路、電荷注入部、定時(shí)控制電路。像素陣列部中，以矩陣狀配置積蓄光電變換的電荷的像素。行掃描電路，以每行驅(qū)動(dòng)上述像素。電荷注入部，向上述像素陣列部的一部分的像素注入電荷。定時(shí)控制電路，控制上述像素的驅(qū)動(dòng)定時(shí)及電荷注入定時(shí)。以下，關(guān)于實(shí)施方式涉及的固體拍攝裝置，一邊參照附圖一邊說明。本發(fā)明不通過這些實(shí)施方式限定。(第I實(shí)施方式) 圖I是表示第I實(shí)施方式涉及的固體拍攝裝置的概略構(gòu)成的方塊圖。在圖1，這個(gè)固體拍攝裝置配置有像素陣列部1，在行方向及列方向以矩陣狀配置積蓄光電變換的電荷的像素PC ;行掃描電路2，以每行驅(qū)動(dòng)成為讀出對(duì)象的像素PC ;負(fù)載電路3，使垂直信號(hào)線Vlin的電位追隨從像素PC讀出的信號(hào)；列ADC電路4，用⑶S數(shù)字化各像素PC的信號(hào)分量；線存儲(chǔ)器5，僅以I線量保存ADC電路4數(shù)字化的各像素PC的信號(hào)分量；列掃描電路6，在水平方向掃描成為讀出對(duì)象的像素PC ;定時(shí)控制電路7，控制像素PC的驅(qū)動(dòng)定時(shí)及像素PC'的電荷注入定時(shí)；DA轉(zhuǎn)換器8，向列ADC電路4輸出斜坡信號(hào)Vramp;電流源G'，向像素陣列部I的一部分的像素PC'注入電荷；選擇器10，遮斷向像素PCi的電荷的注入；和轉(zhuǎn)換控制部9，進(jìn)行向像素PC'的電荷的注入的轉(zhuǎn)換控制。像素PC'優(yōu)選地配置在像素陣列部I的端部。通過在端部設(shè)置，像素PC'周邊以外可大致如以前那樣保持像素陣列部I的布線結(jié)構(gòu)/布局。在這里，像素陣列部I中，在行方向設(shè)置進(jìn)行像素PC，P(T的讀出控制的水平控制線Hlin，在列方向設(shè)置傳送從像素PC，PC'讀出的信號(hào)的垂直信號(hào)線Vlin。并且，拍攝操作中，用轉(zhuǎn)換控制部9截?cái)噙x擇器10，將像素PC'和電流源G'斷開。并且，通過用行掃描電路在垂直方向掃描2像素PC，PC'，選擇行方向的像素PC，PC'，從其像素Ρ(，Ρ(Τ讀出的信號(hào)經(jīng)由垂直信號(hào)線Vlin向列ADC電路4傳送。在這里，負(fù)載電路3中，從像素PC，PC'讀出信號(hào)時(shí)，在其像素PC，PC'之間構(gòu)成源極跟隨器，將垂直信號(hào)線Vlin的電位追隨從像素PC讀出的信號(hào)。并且，列ADC電路4中，從各像素PC，PC'的信號(hào)取樣復(fù)位電平及讀出電平，取得復(fù)位電平及讀出電平的差量，用CDS數(shù)字化各像素PC，PC'的信號(hào)分量，經(jīng)由線存儲(chǔ)器5作為輸出信號(hào)Vout輸出。另一方面，在彌散的評(píng)價(jià)時(shí)，用轉(zhuǎn)換控制部9導(dǎo)通選擇器10，將像素PC'和電流源G1連接。并且，從電流源(V向像素PC'注入電流，以電荷從像素PC'向周邊的像素PC溢出的方式設(shè)定電流量。此時(shí)，通過用行掃描電路2在垂直方向掃描像素PC，PC'，選擇行方向的像素PC，PC'，從其像素PC，PC'讀出的信號(hào)經(jīng)由垂直信號(hào)線Vlin向列ADC電路4傳送。并且，列ADC電路4中，從各像素PC的信號(hào)取樣復(fù)位電平及讀出電平，取得復(fù)位電平及讀出電平的差量，用CDS數(shù)字化各像素PC的信號(hào)分量，經(jīng)由線存儲(chǔ)器5作為輸出信號(hào)Vout輸出。并且，參照此時(shí)的圖像，通過確認(rèn)從像素PC'向周邊的像素PC溢出電荷到哪個(gè)程度的范圍，能評(píng)價(jià)彌散。并且，根據(jù)這個(gè)彌散的評(píng)價(jià)結(jié)果，能進(jìn)行固體拍攝裝置的發(fā)貨時(shí)間的合格與否的判斷。在這里，可通過向像素陣列部I的一部分的像素PC'注入電荷，能使光不入射至像素陣列部1，而評(píng)價(jià)彌散。因此，在彌散評(píng)價(jià)時(shí)，能不準(zhǔn)備具有與太陽光同等的亮度的光源，再現(xiàn)在室外晴天的環(huán)境使用的條件。圖2 (a)是表示圖I的像素PC的構(gòu)成的電路圖，圖2 (b)是表示圖I的像素PC'的構(gòu)成的電路圖。在圖2(a)，像素PC中設(shè)置有光電二極管H)，行選擇晶體管Ta，放大晶體管Tb，復(fù)位晶體管Tc及讀出晶體管Td。此外，在放大晶體管Tb、復(fù)位晶體管Tc和讀出晶體管Td的連接點(diǎn)形成浮動(dòng)擴(kuò)散點(diǎn)FD作為檢測(cè)節(jié)點(diǎn)。
并且，讀出晶體管Td的源極與光電二極管ro連接，向讀出晶體管Td的柵極輸入讀出信號(hào)READ。此外，復(fù)位晶體管Tc的源極與讀出晶體管Td的漏極連接，向復(fù)位晶體管Tc的柵極輸入復(fù)位信號(hào)RESET，復(fù)位晶體管Tc的漏極連接在電源電位VDD。此外，向行選擇晶體管Ta的柵極輸入行選擇信號(hào)ADRES，行選擇晶體管Ta的漏極連接在電源電位VDD。此夕卜，放大晶體管Tb的源極與垂直信號(hào)線Vlin連接，放大晶體管Tb的柵極與讀出晶體管Td的漏極連接，放大晶體管Tb的漏極與行選擇晶體管Ta的源極連接。此外，電流源G與垂直信號(hào)線Vlin連接。圖I的水平控制線Hlin，能以每行向像素PC傳送讀出信號(hào)READ，復(fù)位信號(hào)RESET及行選擇信號(hào)ADRES。并且，行選擇信號(hào)ADRES為低電平的場(chǎng)合，行選擇晶體管Ta成為截?cái)酄顟B(tài)，不進(jìn)行源極跟隨操作，所以不向垂直信號(hào)線Vlin輸出信號(hào)。此時(shí)，讀出信號(hào)READ和復(fù)位信號(hào)RESET變?yōu)楦唠娖綍r(shí)，讀出晶體管Td導(dǎo)通，向浮動(dòng)擴(kuò)散點(diǎn)FD排出光電二極管H)積蓄的電荷。并且，經(jīng)由復(fù)位晶體管Tc向排出電源VDD。向電源VDD排出光電二極管F1D積蓄的電荷之后,讀出信號(hào)READ成為行低電平時(shí)，用光電二極管H)開始有效的信號(hào)電荷的積蓄。其次，行選擇信號(hào)ADRES變?yōu)楦唠娖綍r(shí)，像素PC的行選擇晶體管Ta導(dǎo)通，向放大晶體管Tb的漏極施加電源電位VDD，所以用放大晶體管Tb和負(fù)載電路3構(gòu)成源極跟隨器。并且，復(fù)位信號(hào)RESET上升時(shí)，復(fù)位晶體管Tc導(dǎo)通，將浮動(dòng)擴(kuò)散點(diǎn)FD發(fā)生漏泄電流等的多余的電荷復(fù)位。并且，對(duì)應(yīng)浮動(dòng)擴(kuò)散點(diǎn)FD的復(fù)位電平的電壓應(yīng)用在放大晶體管Tb的柵極上。在這里，由于用放大晶體管Tb和負(fù)載電路3構(gòu)成源極跟隨器，垂直信號(hào)線Vlin的電壓追隨向放大晶體管Tb的柵極加的電壓，復(fù)位電平的輸出電壓Vsig經(jīng)由垂直信號(hào)線Vlin向列ADC電路4輸出。并且，列ADC電路4中，在輸入復(fù)位電平的輸出電壓Vsig的狀態(tài)，作為斜坡信號(hào)Vramp給予三角波，比較復(fù)位電平的輸出電壓Vsig和斜坡信號(hào)Vramp。并且，通過將復(fù)位電平的輸出電壓Vsig倒計(jì)時(shí)直到與斜坡信號(hào)Vramp的電平一致，將復(fù)位電平的輸出電壓Vsig轉(zhuǎn)換成數(shù)字值并保持。其次，讀出信號(hào)READ上升時(shí)，讀出晶體管Td導(dǎo)通，向浮動(dòng)擴(kuò)散點(diǎn)FD傳送光電二極管ro積蓄的電荷，對(duì)應(yīng)浮動(dòng)擴(kuò)散點(diǎn)FD的信號(hào)電平的電壓應(yīng)用在放大晶體管Tb的柵極上。在這里，由于用放大晶體管Tb和負(fù)載電路3構(gòu)成源極跟隨器，垂直信號(hào)線Vlin的電壓追隨向放大晶體管Tb的柵極施加的電壓，讀出電平的輸出電壓Vsig經(jīng)由垂直信號(hào)線Vlin向列ADC電路4輸出。并且，列ADC電路4中，在輸入讀出電平的輸出電壓Vsig的狀態(tài)，作為斜坡信號(hào)Vramp給予三角波，比較讀出電平的輸出電壓Vsig和斜坡信號(hào)Vramp。并且，這次通過將讀出電平的輸出電壓Vsig正計(jì)時(shí)直到與斜坡信號(hào)Vramp的電平一致，將讀出電平的輸出電壓Vsig和復(fù)位電平的輸出電壓Vsig的差量轉(zhuǎn)換成數(shù)字值，向線存儲(chǔ)器5發(fā)送。圖2(b)是表示圖I像素PC'的構(gòu)成的電路圖。在圖2(b)，像素PC'中設(shè)置有光電二極管HV，行選擇晶體管Ta'，放大晶體管Tb'，復(fù)位晶體管Tc'，讀出晶體管Td'和選擇晶體管Te'。此外，在讀出放大晶體管Tb'、復(fù)位晶體管Tc'和晶體管Td'的連接點(diǎn)形成浮動(dòng)擴(kuò)散點(diǎn)FD'作為檢測(cè)節(jié) 點(diǎn)。并且，讀出晶體管Td'的源極與光電二極管HV連接，讀出晶體管Td'的柵極與選擇晶體管Te'的源極連接。此外，復(fù)位晶體管Tc'的源極與讀出晶體管Td'的漏極連接，向復(fù)位晶體管Tc'的柵極輸入復(fù)位信號(hào)RESET，復(fù)位晶體管Tc'的漏極連接在電源電位VDD。此外，向行選擇晶體管Ta'的柵極輸入行選擇信號(hào)ADRES，行選擇晶體管Ta'的漏極連接在電源電位VDD。此外，放大晶體管Tb'的源極與垂直信號(hào)線Vlin連接，放大晶體管Tb'的柵極與讀出晶體管Td'的漏極連接，放大晶體管Tb'的漏極與行選擇晶體管Ta'的源極連接。選擇晶體管Te'的柵極與圖I轉(zhuǎn)換控制部9連接，向選擇晶體管Te'的漏極輸入讀出信號(hào)READ。并且，在彌散的評(píng)價(jià)時(shí)，用轉(zhuǎn)換控制部9導(dǎo)通選擇器10，將像素PC'和電流源G'連接。此外，用轉(zhuǎn)換控制部9截?cái)噙x擇晶體管Te'，遮斷向讀出晶體管Td'的柵極的讀出信號(hào)READ的輸入。并且，從電流源(V向光電二極管HV注入電流，以電荷從像素PC'向周邊的像素PC溢出的方式設(shè)定電流量。此時(shí)，通過用行掃描電路2在垂直方向掃描像素PC，PC'，選擇行方向的像素PC，PCi，從其像素PC，PCi讀出的信號(hào)經(jīng)由垂直信號(hào)線Vlin向列ADC電路4傳送。并且，列ADC電路4中，從各像素PC的信號(hào)取樣復(fù)位電平及讀出電平，取得復(fù)位電平及讀出電平的差量，用CDS數(shù)字化各像素PC的信號(hào)分量，經(jīng)由線存儲(chǔ)器5作為輸出信號(hào)Vout輸出。并且，根據(jù)此時(shí)的輸出信號(hào)Vout，能定量地評(píng)價(jià)從像素PC'向周邊的像素PC溢出的電荷量。在這里，在彌散的評(píng)價(jià)時(shí)，通過使向讀出晶體管TcT的柵極的讀出信號(hào)READ的輸入遮斷，能防止從電流源G'向光電二極管HV注入的電荷經(jīng)由讀出晶體管Td'向浮動(dòng)擴(kuò)散點(diǎn)FD'排出。因此，能防止從電流源G'向光電二極管HV注入的電荷變得無用，能使從電流源(V向光電二極管HV的電荷的注入效率提高。圖3 (a)是表示圖2 (a)的像素PC的主要部分的斷面圖，圖3 (b)是表示圖2 (a)的像素PC的低亮度時(shí)的電荷的狀態(tài)的電位圖，圖3(c)是表示圖2(a)的像素PC的高亮度時(shí)的電荷的狀態(tài)的電位圖。在圖3 (a)，在半導(dǎo)體基板形成阱21。在阱21形成元件分離區(qū)域22，用元件分離區(qū)域22以每像素PC元件分離阱21。此外，在阱21，形成互相分離的雜質(zhì)擴(kuò)散層23 25，在雜質(zhì)擴(kuò)散層23，24間的溝道區(qū)域上經(jīng)由柵絕緣膜形成柵電極26，在雜質(zhì)擴(kuò)散層24，25間的溝道區(qū)域上經(jīng)由柵絕緣膜形成柵電極27。在雜質(zhì)擴(kuò)散層23，能設(shè)置圖2 (a)的光電二極管H)及讀出晶體管Td的源極。在雜質(zhì)擴(kuò)散層24，能設(shè)置圖2(a)的讀出晶體管Td的漏極，復(fù)位晶體管Tc的源極及浮動(dòng)擴(kuò)散點(diǎn)FD。在雜質(zhì)擴(kuò)散層25，能設(shè)置圖2(a)的復(fù)位晶體管Tc的漏極。柵電極26能構(gòu)成圖2 (a)的讀出晶體管Td的柵極。柵電極27能構(gòu)成圖2(a)的復(fù)位晶體管Tc的柵極。并且，在低亮度時(shí)，用光電二極管H)光電變換的電荷e-積蓄在光電二極管H)。并且，通過讀出晶體管Td導(dǎo)通，向浮動(dòng)擴(kuò)散點(diǎn)FD排出光電二極管H)的電荷e-。此外，由于復(fù)位晶體管Tc導(dǎo)通，向電源電位VDD排出浮動(dòng)擴(kuò)散點(diǎn)FD。另一方面，在高亮度時(shí)，用光電二極管H)光電變換的電荷e_積蓄在光電二極管PD。并且，即使讀出晶體管Td截?cái)嗟膱?chǎng)合，光電二極管H)的電荷e-也向浮動(dòng)擴(kuò)散點(diǎn)FD溢出。此外，元件分離區(qū)域22的電位勢(shì)壘比讀出晶體管Td截?cái)鄷r(shí)的電位勢(shì)壘小時(shí)，自身的像 素PC的光電二極管H)的電荷e-向周邊的像素PC溢出。圖4(a)是表示圖2(b)的像素PC'的主要部分的斷面圖，圖4(b)是表示圖2(a)的像素PC的電荷注入時(shí)的電荷的狀態(tài)的電位圖。在圖4(a)，在半導(dǎo)體基板形成阱21。在阱21形成元件分離區(qū)域22，用元件分離區(qū)域22以每像素PC'元件分離阱21。此外，在阱21，形成互相分離的雜質(zhì)擴(kuò)散層23' 25'，在雜質(zhì)擴(kuò)散層23'，24'間的溝道區(qū)域上經(jīng)由柵絕緣膜形成柵電極26'，在雜質(zhì)擴(kuò)散層24'，25'間的溝道區(qū)域上經(jīng)由柵絕緣膜形成柵電極27'。在雜質(zhì)擴(kuò)散層23'，能設(shè)置圖2(b)的光電二極管HV及讀出晶體管Td'的源極。在雜質(zhì)擴(kuò)散層24'，能設(shè)置圖2(b)的讀出晶體管Td'的漏極，復(fù)位晶體管Tc'的源極及浮動(dòng)擴(kuò)散點(diǎn)FD'。在雜質(zhì)擴(kuò)散層25'，能設(shè)置圖2(b)的復(fù)位晶體管Tc'的漏極。柵電極26'能構(gòu)成圖2(b)的讀出晶體管Td'的柵極。柵電極27'能構(gòu)成圖2(b)的復(fù)位晶體管Tc'的柵極。此外，在像素PC'，設(shè)置遮斷像素PCT積蓄的電荷e-的讀出的選擇器11。在這里，讀出信號(hào)READ經(jīng)由選擇器11向柵電極26'供應(yīng)。這個(gè)選擇器11能用圖2 (b)的選擇晶體管Te'構(gòu)成。并且，在電荷注入時(shí)，用選擇器11遮斷向柵電極26'施加的讀出信號(hào)READ，截?cái)嘧x出晶體管Td'。此外，通過用選擇器10將電流源G'和雜質(zhì)擴(kuò)散層23'連接，從電流源Gi向光電二極管HV注入電流，以電荷e-從像素PC'向周邊的像素PC溢出的方式設(shè)定
電流量。圖5是表示在圖2(a)的像素PC'的電荷注入時(shí)向周邊像素的電荷的擴(kuò)散狀態(tài)的平面圖。在圖5，在圖I像素陣列部1，設(shè)置感光像素區(qū)域31及OB (Optical Black :光黑)像素區(qū)域32。并且，在感光像素區(qū)域31和OB像素區(qū)域32之間，形成防止從感光像素區(qū)域31溢出的電荷e-向OB像素區(qū)域32侵入的阻擋區(qū)域33。在感光像素區(qū)域31，以與感光像素相鄰的方式在感光像素區(qū)域31的端部配置像素PC'。并且，從電流源G'向像素PC'注入電流時(shí)，電荷e-從像素PC'向周邊的像素PC溢出。并且，以這個(gè)狀態(tài)驅(qū)動(dòng)像素陣列部I的像素PC，通過從像素PC讀出信號(hào)能評(píng)價(jià)彌散。
(第2實(shí)施方式)圖6是表示第2實(shí)施方式涉及的固體拍攝裝置的彌散評(píng)價(jià)方法的流程圖。在圖6，在固體拍攝裝置的彌散評(píng)價(jià)時(shí)，導(dǎo)通圖4的選擇器10，截?cái)噙x擇器11 (SI)。其次，從電流源(V向像素PC'注入電流(S2)，此時(shí)用列ADC電路4檢測(cè)從像素PC'，PC讀出的信號(hào)(S3)。并且，參照此時(shí)的圖像，通過確認(rèn)從像素PC'向周邊的像素PC溢出電荷到哪個(gè)程度的范圍，評(píng)價(jià)彌散(S4)。說明了本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施方式，但是，這些實(shí)施方式，作為實(shí)例出示，不意圖限定發(fā)明的范圍。這些新的實(shí)施方式，可以用其他的各種各樣的形態(tài)實(shí)施，在不越出發(fā)明的要旨的范圍內(nèi)，能進(jìn)行各種的省略，調(diào)換，變更。這些實(shí)施方式及其變形，包含在發(fā)明的范圍和要 旨內(nèi)，并且包含在權(quán)利要求的范圍內(nèi)記載的發(fā)明及其等同物的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種固體拍攝裝置，其特征在于，包括 像素陣列部，以矩陣狀配置有積蓄光電變換的電荷的像素； 行掃描電路，以每行驅(qū)動(dòng)上述像素； 電荷注入部，向上述像素陣列部的一部分的像素注入電荷；和 定時(shí)控制電路，控制上述像素的驅(qū)動(dòng)定時(shí)及電荷注入定時(shí)。
2.如權(quán)利要求I所述的固體拍攝裝置，其特征在于，從上述電荷注入部注入電荷的像素配置在上述像素陣列部的端部。
3.如權(quán)利要求I所述的固體拍攝裝置，其特征在于，從上述電荷注入部注入電荷的像素設(shè)置為與上述像素陣列部的感光像素相鄰。
4.如權(quán)利要求I所述的固體拍攝裝置，其特征在于，包括第I選擇器，遮斷從上述電荷注入部向上述像素的電荷的注入。
5.如權(quán)利要求4所述的固體拍攝裝置，其特征在于，包括第2選擇器，設(shè)置在從上述電荷注入部注入電荷的像素，遮斷上述像素積蓄的電荷的讀出。
6.如權(quán)利要求5所述的固體拍攝裝置，其特征在于，包括轉(zhuǎn)換控制部，進(jìn)行向上述像素的電荷的注入的轉(zhuǎn)換控制。
7.如權(quán)利要求6所述的固體拍攝裝置，其特征在于，上述轉(zhuǎn)換控制部，在拍攝操作時(shí)，通過截?cái)嗌鲜龅贗選擇器使從上述電荷注入部向上述像素的電荷的注入遮斷，在彌散評(píng)價(jià)時(shí)，通過導(dǎo)通上述第I選擇器使電荷從上述電荷注入部向上述像素注入。
8.如權(quán)利要求7所述的固體拍攝裝置，其特征在于，上述轉(zhuǎn)換控制部，在拍攝操作時(shí)，通過導(dǎo)通上述第2選擇器使上述像素積蓄的電荷的讀出成為可能，在彌散評(píng)價(jià)時(shí)，通過截?cái)嗌鲜龅?選擇器使上述像素積蓄的電荷的讀出遮斷。
9.如權(quán)利要求6所述的固體拍攝裝置，其特征在于，上述像素包括 光電二極管，進(jìn)行光電變換； 行選擇晶體管，進(jìn)行上述像素的行選擇； 讀出晶體管，從上述光電二極管向浮動(dòng)擴(kuò)散點(diǎn)傳送信號(hào)； 復(fù)位晶體管，將上述浮動(dòng)擴(kuò)散點(diǎn)積蓄的信號(hào)復(fù)位；和 放大晶體管，檢測(cè)上述浮動(dòng)擴(kuò)散點(diǎn)的電位。
10.如權(quán)利要求9所述的固體拍攝裝置，其特征在于，從上述電荷注入部注入電荷的像素還包括選擇晶體管，遮斷向上述讀出晶體管的柵極輸入讀出信號(hào)。
11.如權(quán)利要求10所述的固體拍攝裝置，其特征在于，上述光電二極管經(jīng)由上述第I選擇器與電流源連接。
12.如權(quán)利要求11所述的固體拍攝裝置，其特征在于，上述像素陣列部包括 水平控制線，在行方向進(jìn)行上述像素的讀出控制；和 垂直信號(hào)線，在列方向傳送從上述像素讀出的信號(hào)。
13.如權(quán)利要求12所述的固體拍攝裝置，其特征在于，包括 負(fù)載電路，使上述垂直信號(hào)線的電位追隨從上述像素讀出的信號(hào)； 列ADC電路，用⑶S數(shù)字化上述像素的信號(hào)分量；和 列掃描電路，在水平方向掃描成為讀出對(duì)象的像素。
14.如權(quán)利要求13所述的固體拍攝裝置，其特征在于，在彌散的評(píng)價(jià)時(shí)，以電荷從上述電荷注入部注入電荷的像素向周邊的像素溢出的方式設(shè)置上述電流源的電流量。
15.如權(quán)利要求14所述的固體拍攝裝置，其特征在于，在彌散的評(píng)價(jià)時(shí)，用上述轉(zhuǎn)換控制部導(dǎo)通上述第I選擇器，將上述像素和上述電流源連接。
16.如權(quán)利要求15所述的固體拍攝裝置，其特征在于，在上述彌散的評(píng)價(jià)時(shí)，通過用上述行掃描電路在垂直方向掃描上述像素選擇行方向的像素，從上述像素讀出的信號(hào)經(jīng)由上述垂直信號(hào)線向上述列ADC電路傳送。
17.如權(quán)利要求16所述的固體拍攝裝置，其特征在于，在上述彌散的評(píng)價(jià)時(shí)，上述列ADC電路從上述像素的信號(hào)取樣復(fù)位電平及讀出電平，取得上述復(fù)位電平及上述讀出電平的差量，用⑶S數(shù)字化上述像素的信號(hào)分量。
18.如權(quán)利要求17所述的固體拍攝裝置，其特征在于，在拍攝操作時(shí)，用上述轉(zhuǎn)換控制部截?cái)嗌鲜龅贗選擇器，將上述像素和上述電流源切斷。
19.如權(quán)利要求17所述的固體拍攝裝置，其特征在于，在上述拍攝操作時(shí)，通過用上述行掃描電路在垂直方向掃描上述像素選擇行方向的像素，從上述像素讀出的信號(hào)經(jīng)由上述垂直信號(hào)線向上述列ADC電路傳送。
20.如權(quán)利要求19所述的固體拍攝裝置，其特征在于，在上述拍攝操作時(shí)，上述列ADC電路從上述像素的信號(hào)取樣復(fù)位電平及讀出電平，取得復(fù)位電平及讀出電平的差量，用CDS數(shù)字化上述像素的信號(hào)分量。
21.一種彌散評(píng)價(jià)方法，其特征在于，包括以下步驟 向像素陣列部的一部分的像素注入電荷，其中上述像素陣列部以矩陣狀配置有積蓄光電變換的電荷的像素；和 在向上述像素注入電荷時(shí)，從上述像素的周邊的像素讀出信號(hào)。
22.如權(quán)利要求21所述的彌散評(píng)價(jià)方法，其特征在于，以電荷從注入上述電荷的像素向上述周邊的像素溢出的方式設(shè)置上述電荷的注入量。
23.如權(quán)利要求21所述的彌散評(píng)價(jià)方法，其特征在于，通過在垂直方向掃描上述像素選擇行方向的像素，在列方向傳送從上述像素讀出的信號(hào)。
24.如權(quán)利要求23所述的彌散評(píng)價(jià)方法，其特征在于，從上述像素的信號(hào)取樣復(fù)位電平及讀出電平，取得上述復(fù)位電平及上述讀出電平的差量，用CDS數(shù)字化上述像素的信號(hào)分量。
25.如權(quán)利要求21所述的彌散評(píng)價(jià)方法，其特征在于，在拍攝操作時(shí)，遮斷向上述像素的電荷的注入。
全文摘要
公開一種固體拍攝裝置及彌散評(píng)價(jià)方法。根據(jù)實(shí)施方式，上述固體拍攝裝置包括像素陣列部，以矩陣狀配置積蓄光電變換的電荷的像素；行掃描電路，以每行驅(qū)動(dòng)上述像素；電荷注入部，向上述像素陣列部的一部分的像素注入電荷；和定時(shí)控制電路，控制上述像素的驅(qū)動(dòng)定時(shí)及電荷注入定時(shí)。
文檔編號(hào)H04N5/374GK102857710SQ20121007077
公開日2013年1月2日 申請(qǐng)日期2012年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月27日
發(fā)明者川田英正, 小野地敬二, 真田數(shù)雅, 知識(shí)淳 申請(qǐng)人:株式會(huì)社 東芝