專利名稱：Mems話筒和用于制造mems話筒的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種話筒，其中轉(zhuǎn)換器元件被包圍在載體與蓋板之間。該轉(zhuǎn)換器元件可以將通過聲進入開口進入的聲信號轉(zhuǎn)變成電信號。
背景技術：
從US 2009/0001553A1已知將MEMS器件(=微機械電 子系統(tǒng))施加在載體上并且用罩或其它蓋板覆蓋的不同可能性。構造為傳感器的MEMS器件、例如話筒或者壓力傳感器在載體中或者在蓋板中需要開口，其中該MEMS器件為了器件的功能需要被覆蓋的內(nèi)部空間向外的流體連接(例如對于氣體或者液體來說)。廣為流傳的是具有位于下方的、也就是設置在載體中的聲開口的話筒。MEMS芯片在此可以從內(nèi)部封閉該聲開口并且因此整個殼體體積用作為聲學的參考體積或背部體積(Riickvo lumen) ο載體襯底上的MEMS芯片的電接觸可以在話筒的底側(cè)處進行，即在MEMS芯片的朝向載體襯底的側(cè)處進行。外部的焊接端子于是一般借助于載體襯底中的通孔接觸部引到該載體襯底的底側(cè)。如果在話筒的底側(cè)處也布置有聲進入開口，則可以簡單和有效地執(zhí)行話筒的功能測試，因為可以從同一側(cè)產(chǎn)生到測試裝置的電電接觸和聲接觸，這在根據(jù)共同的使用制造多個話筒時是特別有利的。但是經(jīng)常對MEMS話筒的聲學效果提出要求，這些要求需要另一位置處的聲進入開口。尤其是對于在不尋常的位置處具有聲進入開口的MEMS話筒存在這樣的問題，即功能測試現(xiàn)在明顯更復雜。到測試裝置的電接觸和聲接觸在這里必須從兩個不同側(cè)建立?？商鎿Q地也可以在功能測試中需要話筒的單個處理。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的任務因此是，說明一種MEMS話筒，該MEMS話筒可以具有任意位置處的聲進入開口并且在此可以簡單地測試。該任務通過具有權利要求I的特征的話筒解決。有利的構型以及用于制造話筒的方法從其它權利要求獲悉。提出一種話筒，該話筒具有載體、蓋板、安裝在載體上的被包圍在載體與蓋板之間的轉(zhuǎn)換器元件、第一聲進入開口以及蓋板中的第二聲進入開口，其中所述第一聲進入開口被在載體中預備，但是被封閉。所述轉(zhuǎn)換器元件例如構造為話筒芯片、尤其是MEMS話筒芯片。在載體中構造的第一聲進入開口在制造期間用于對話筒的測試。由此可以實現(xiàn)簡單的和自動化的測試方法，其中優(yōu)選可以從話筒的底側(cè)進行電和聲接觸。之后，第一聲進入開口被封閉并且在任意的位置構造第二聲進入開口。因此，本發(fā)明的話筒能夠?qū)崿F(xiàn)簡單和自動化的測試并且同時提供在任意位置處布置第二聲進入開口的可能性，使得達到較大的設計自由度。
在一個實施中，第一聲進入開口被用含塑料的物質(zhì)封閉。所述物質(zhì)可以是聚合物，該聚合物優(yōu)選通過噴墨印刷方法被施加。在噴墨印刷方法的情況下，通過噴嘴位置精確地和無接觸地施加流體的或者粘稠的材料。該方法使得能夠?qū)⒑芰系牟牧系男〉斡嗅槍π缘亍皣姟钡降谝宦曔M入開口上并且因此封閉該第一聲進入開口?？商鎿Q地，第一聲進入開口還可以通過選擇性的施加(分發(fā))來封閉。在此情況下，熱塑性塑料和反應樹脂物質(zhì)、必要時以與如填料的其它材料相混合的形式是合適的。如果在第一聲進入開口的區(qū)域中設置合適的可焊接的金屬化部，例如孔壁外罩或 者圍繞該聲進入開口的環(huán)，則也可以通過施加和熔化焊膏或者通過噴墨印刷熔融的焊劑來進行封閉。第一聲進入開口因此也可以通過可焊接材料、諸如焊膏或者熔融焊劑來封閉。另外還可能的是，用塞子或者標簽形式的模制件來封閉第一聲進入開口。在一個實施中，在轉(zhuǎn)換器元件的朝向載體的側(cè)上設置用于電接觸轉(zhuǎn)換器元件的裝置。為此，載體可以在其朝向轉(zhuǎn)換器元件的側(cè)上具有用于與該轉(zhuǎn)換器元件連接的連接面，并且在其背向轉(zhuǎn)換器元件的側(cè)上具有用于與外部的電路環(huán)境連接的接觸墊。另外，轉(zhuǎn)換器元件的連接面和載體的接觸墊可以經(jīng)由通孔接觸部穿過載體和/或轉(zhuǎn)換器元件電連接。轉(zhuǎn)換器元件可以以倒裝芯片技術安裝在載體上并且經(jīng)由凸塊與載體的連接面接觸。但是還可能的是，按傳統(tǒng)用芯片粘合劑固定轉(zhuǎn)換器元件并且制造與接合線的電連接。蓋板于是可以例如由罩或蓋子構成。在一個實施中，話筒具有至少一個另外的器件，其中該另外的器件同樣被蓋板覆蓋。所述另外的器件可以是另外的芯片，尤其是ASIC芯片。可替換地，所述轉(zhuǎn)換器元件和ASIC芯片可以組合成在唯一的芯片上的共同的器件。在一個實施中，在轉(zhuǎn)換器元件中和在另外的器件中分別構造一個空腔。這兩個空腔可以經(jīng)由通道或者通過其它方式彼此連接。轉(zhuǎn)換器元件中的空腔優(yōu)選是轉(zhuǎn)換器元件的背部體積。通過將該背部體積與在ASIC芯片中構造的另外的空腔相連接，轉(zhuǎn)換器元件的背部體積被擴大并且話筒的靈敏性因此被改善。在一個實施中，轉(zhuǎn)換器元件和另外的器件由兩個晶片構成，所述晶片分別在其平面?zhèn)染哂邪疾鄄⑶宜鼈兊钠矫鎮(zhèn)缺唤M合在一起使得這些凹槽在晶片被組合在一起的情況下共同構成一個空腔。兩個晶片之一可以在此作為壓制玻璃晶片或者噴鑄晶片以熱印方法或噴鑄方法來制造。兩個晶片的凹槽可以精確地彼此匹配。兩個晶片的組合允許減少用于引入腔體的處理時間并且還使壁厚最小化。在一個實施中，話筒的蓋板包括蓋板箔和至少一個金屬化層。在用于制造話筒的方法中，在載體上安裝轉(zhuǎn)換器元件。接著，蓋板被布置在轉(zhuǎn)換器元件和載體上，使得轉(zhuǎn)換器元件被包圍在蓋板和載體之間。第一聲進入開口被事先設置在載體中或者事后在施加蓋板之后產(chǎn)生?，F(xiàn)在執(zhí)行話筒的功能測試。接著，第一聲進入開口被封閉并且在蓋板中產(chǎn)生第二聲進入開口。在此情況下，可以以任何順序進行第一聲進入開口的封閉和第二聲進入開口的產(chǎn)生。第一聲進入開口通過含塑料的物質(zhì)被封閉。在此可以尤其是涉及聚合物或含聚合物的材料，其通過噴墨印刷方法被施加到第一聲進入開口上并且還可以在需要時通過曝光和/或以熱的方式被硬化。還可以將熔融的熱塑性塑料噴入到第一聲進入開口中，該熱塑性塑料在冷卻時凝固或硬化。
噴墨印刷方法是用于有針對性地無接觸地施加流體的或粘稠的材料的方法。該噴墨印刷方法使得能夠?qū)⒑芰系牟牧系男〉斡嗅槍π缘亍皣姟钡降谝宦曔M入開口上。另外可以將圍繞第二聲進入開口的密封結構施加到蓋板上。該密封結構與蓋板固定連接并且因此與話筒連接。該密封結構可以通過聚合物層、例如光致抗蝕劑層的結構化、通過壓印或者可替換地通過粘接或者以其它方式固定預先制成的密封結構來產(chǎn)生。借助于在蓋板上存在的密封結構，可以以簡單的方式將話筒安置到具有另外的聲進入開口的任意設備中，使得借助于位于另外的聲進入開口上的話筒借助于該密封結構密封地封閉殼體內(nèi)部，但是聲可以無阻礙地穿過居中布置的第二和另外的聲進入開口滲透到直至轉(zhuǎn)換器元件。 尤其可能的是，密封結構的制造被集成到話筒的制造過程中。密封結構可以通過這種方式以最小的尺寸和精確地在話筒的期望位置處制成。盡管如此，話筒可以可靠地安裝在殼體中并且精確匹配地相對于第二聲進入開口安裝在電氣設備的殼體中。根據(jù)一個實施方式，密封結構包括彈性體。這對于密封結構的密封功能、也就是用于話筒和電氣設備的殼體之間的密封是有利的，因為該彈性體也可以補償殼體內(nèi)部圍繞第二聲進入開口的不平坦性。彈性體也使得能夠在非100%平面平行地布置話筒和設備殼體的情況下仍然制造出所需要的密封性。根據(jù)另一實施方式，密封結構具有起泡結構。集成在該起泡結構中的優(yōu)選處于輕微過壓下的氣泡也提供密封結構的可壓縮性和彈性，所述氣泡因此具有與彈性體結構相同的優(yōu)點。彈性體以及起泡結構優(yōu)選地用有機塑料物質(zhì)實現(xiàn)。非常軟的熱塑性或者熱固性塑料也可以是合適的。特別合適的材料例如是橡膠(例如氯丁橡膠或者丙烯晴-丁二烯橡膠)、聚氨酯或者硅樹脂，其可以作為彈性體以緊密的結構制造或者也以起泡結構或者因此以可特別壓縮的版本來制造。由起泡塑料構成的密封結構也稱為FIPG (Foamed-In-PlaceGasket,現(xiàn)場發(fā)泡墊片)?？赡艿氖牵苯釉谠捦采?、也就是在蓋板上產(chǎn)生密封結構。為此可以借助于分發(fā)來施加或者滴上粘性液體形式的密封結構。還可能的是，例如借助于絲網(wǎng)印刷、打字蠟紙印刷或者沖印來壓印密封結構。在施加以后，讓作為粘性物質(zhì)施加的密封結構硬化或者該物質(zhì)主動硬化，例如在較高的溫度下或者在UV射線作用下。由熱塑性塑料制成的密封結構也可以以融化狀態(tài)施加并且通過冷卻硬化。密封結構也可以以固定形狀預先制成并且事后圍繞第一聲進入開口安裝到MEMS話筒上并且尤其是粘貼上。預先制成的密封體也可以覆蓋第二聲進入開口，如果該第二聲進入開口在該區(qū)域中是聲可穿透的或者被制成為聲可穿透的。為此，所述密封體可以具有例如多孔結構。也可以事后產(chǎn)生一個或多個孔。事后打開聲進入開口可能在話筒的制造-處理方法時是有利的，以便保護話筒的內(nèi)部、例如轉(zhuǎn)換器元件并且尤其是MEMS芯片的靈敏部分免受特定的處理步驟。密封結構的形狀可以根據(jù)相應的聲進入開口的形狀來選擇和構造。所述密封結構優(yōu)選具有環(huán)形或者框形閉合的結構，其中密封結構可以采取任意的輪廓線。圍繞第一聲進入開口還可以設置密封結構，該密封結構可以以與圍繞第二聲進入開口的相同方式構造。


下面根據(jù)實施例和所屬附圖進一步闡述本發(fā)明。附圖在此僅僅以示意性的和非比例正確的方式實施，從而從附圖中不能獲悉絕對的或者相對的比例說明。圖IA至IE示出在制造具有兩個聲進入開口的MEMS話筒時的不同方法步驟，
圖IF示出具有聲進入開口周圍的密封結構的話筒，
圖2示出MEMS話筒的功能測試， 圖3A和3B示出MEMS話筒的第二實施例，
圖4A和4B示出MEMS話筒的第三實施例，
圖5不出在安置到電氣設備的僅不意性不出的殼體G中之后的MEMS話筒。
具體實施例方式圖IA至IE示出制造MEMS話筒的不同方法步驟。圖IA示出在將轉(zhuǎn)換器元件WE和另外的器件BE安裝在載體TR上之后的MEMS話筒。轉(zhuǎn)換器元件WE具有膜片MEM和背部體積RV。該背部體積RV受到第一蓋板AD限制，該第一蓋板AD被在晶片水平上施加并且在此例如覆蓋轉(zhuǎn)換器元件中的凹槽以及因此密封地包圍轉(zhuǎn)換器元件的體積，使得該體積可以用作為背部體積。第一蓋板AD例如是箔。在載體TR中布置有聲進入開口 S01。蓋板也可以是剛性的罩，所述罩在安放到載體上之后在該罩的下面包圍空腔，在該空腔中可以布置話筒芯片并且必要時布置另外的分配給該話筒及其功能的器件。這樣的器件可以例如是ASIC(Application Specific Integrated Circuit,專用集成電路),其例如承擔用于話筒的放大和數(shù)字化功能并且產(chǎn)生相應的經(jīng)放大和/或經(jīng)數(shù)字化的輸出。所述罩于是可以由金屬、陶瓷、塑料或者這些材料的任意組合構成。整個在罩下面包圍的自由體積可以起到背部體積的作用。蓋板還可以具有轉(zhuǎn)換器元件或話筒芯片以及必要時ASIC的輪廓，并且例如作為蓋板箔AF層壓到整個轉(zhuǎn)換器元件上并且至少部分地也層壓到載體上。蓋板于是這樣施加到兩個芯片WE、BE上，即該蓋板在側(cè)面圍繞轉(zhuǎn)換器元件和ASIC芯片或另外的器件地用載體TR隔絕和密封。適合于此的蓋板因此例如由能層壓的箔制成，所述能層壓的箔是熱塑性箔、B狀態(tài)下的箔或者復合箔，該復合箔可以包括由塑料構成的一個或多個不同的子層并且必要時包括作為子層集成在其中的金屬箔。當這樣的層壓的蓋板箔AF在稍后的步驟中在外表配備金屬覆層時，獲得特別密封的蓋板。這樣的覆層可以例如借助于蒸鍍方法、等離子體方法或者濺射方法來施加并且以電鍍的或者無電流的方式被強化。利用相應厚的金屬覆層也可以在初始層壓的薄的蓋板箔的情況下產(chǎn)生機械上足夠穩(wěn)定的殼體。轉(zhuǎn)換器元件WE在這里經(jīng)由凸塊BU與載體TR電接觸。載體TR在其朝向轉(zhuǎn)換器元件WE的側(cè)上具有連接面ANF。在載體TR的背向轉(zhuǎn)換器元件WE的側(cè)上具有接觸墊KP。接觸墊KP和連接面ANF經(jīng)由通孔接觸部DK彼此連接。因此，現(xiàn)在在載體TR的底側(cè)上存在電接觸部和話筒的聲入口。功能測試現(xiàn)在可以簡單和自動化地執(zhí)行。
另外的器件(BE)也以倒裝芯片技術借助于凸塊(BU)安裝在載體上。圖IB :在通過穿過第一聲進入開口 SOl進行超聲波檢查的功能測試以后，載體TR中的第一聲進入開口 SOl被封閉。為此將聚合物通過噴墨印刷方法施加在第一聲進入開口SOl中。接著使聚合物硬化，例如通過曝光和/或以熱的方式。接著，為了制造上面已經(jīng)表明的金屬化部在蓋板箔AF上整面地施加基礎金屬化部GM，例如通過等離子體沉積或者通過濺射。為此使用例如Ti的金屬或者混合物或者金屬的層序列，其一方面保證了在蓋板箔AF上的良好附著并且另一方面良好地適合作為用于稍后以電鍍方式強化基礎金屬化部GM的生長層?？商鎿Q地，可以在如上所述地封閉載體TR中的第一聲進入開口 SOl之前將基礎金 屬化部GM整面地施加在蓋板箔AF上。圖IC示出根據(jù)下一步驟的MEMS話筒?；A金屬化部GM被以電鍍方式強化。優(yōu)選地這樣進行強化，即預先形成第二聲進入開口 S02或?qū)榈诙曔M入開口 S02設置的面從電鍍強化中排除。為此可以在基礎金屬化部GM上產(chǎn)生光阻結構RS作為稍后的第二聲進入開口 S02區(qū)域中的局部蓋板，例如通過對光致抗蝕劑層進行結構化。對基礎金屬化部GM的電鍍強化例如可以通過電鍍沉積銅作為導電層和另一個層作為抗腐蝕層來進行，其中該導電層和該另一個層一起構成強化層VS。例如在基礎金屬化部GM上相繼地以電鍍方式產(chǎn)生約50 μ m的Cu和幾μ m的鎳。圖ID示出在電鍍沉積強化層VS以后和在去除光阻結構RS以后的裝置。強化層VS中的開口在去除光阻結構RS以后位于該光阻結構RS阻擋了對基礎金屬化部GM電鍍強化的地方。圖IE示出在其制造之后的MEMS話筒。為了產(chǎn)生第二聲進入開口 S02而對蓋板的完全穿透現(xiàn)在例如通過激光鉆孔實現(xiàn)。因為僅僅要穿透相對薄的金屬層、即基礎金屬化部GM以及優(yōu)選由塑料制成的蓋板箔AF，這用相對小的強度和以被控制的方式實現(xiàn)，從而可以成功地阻止對MEMS話筒的位于第二聲進入開口 S02下方的部件或?qū)EMS話筒的載體的表面的損壞。為了在第二聲進入開口 S02的區(qū)域中打開基礎金屬化部GM，例如CO2激光、YAG激光或者UV激光是合適的。在方法的一種變型中，也可以例如利用噴墨印刷方法來壓印光阻結構RS。優(yōu)選在橫向伸展上產(chǎn)生相當于稍后的強化層VS的至少兩倍厚度的光阻結構RS。通過這種方式避免了電鍍沉積時對光阻結構RS的監(jiān)控。在基礎金屬化部GM被穿透以后，可以用較低的激光強度來處理蓋板箔AF，以便完全打開第二聲進入開口 S02或穿過蓋板的所有層。光阻結構在此不必被除去，該光阻結構也可以與位于下方的層一起被穿孔。可替換地，可以放棄光阻結構RS。如果諸如在激光鉆孔過程時采用例如通過等離子體譜分析的終點探測，則第二聲進入開口可以被鉆孔穿過全部的金屬化部厚度，而不必考慮對位于下方的部分的不允許的損壞。此外，原則上也可以以其它方式進行加殼體過程，諸如通過在芯片上固定預成形的罩或者蓋子。決定性的是在載體的組件接觸側(cè)上構成第一聲進入開口 S01、在功能測試以后對第一聲進入開口 SOl的再次密封和產(chǎn)生第二聲進入開口 S02。圖IF示出MEMS話筒的一個實施方式，其中轉(zhuǎn)換器元件中的空腔由蓋板AD密封并且因此在膜片與蓋板AD之間包圍背部體積，該背部體積基本上通過轉(zhuǎn)換器元件WE中的穿透部的大小來定義。蓋板AD可以包括緊接在背部體積上的第一蓋板、蓋板箔以及必要時金屬強化層。第二聲進入開口 S02在該實施中是到MEMS轉(zhuǎn)換器元件WE的膜片的入口，并且在這里恰好布置在轉(zhuǎn)換器元件和另外的芯片(例如ASIC)之間的空隙上。密封結構DS布置在兩個芯片之間的空隙上圍繞第二聲進入開口 S02。蓋板AD可以是共形地施加的蓋板。但是還可能的是，使用剛性的蓋板，該蓋板是預先制成的并且安放到載體TR上使得該蓋板覆蓋話筒芯片和另外的器件BE。第一聲進入開口在該圖IF中未示出。圖2示出用于根據(jù)制成的MEMS話筒的功能性來測試該MEMS話筒的測試方法。話筒MIK由晶片平行地制成并且接著被分成各個話筒。對于功能測試使用測試設備TA，該測試設備具有揚聲器LS、聲輸出開口 SAO和參考話筒RM。測試設備TA經(jīng)由要測試的話 筒MIK的聲進入開口 S02被調(diào)節(jié)為，使得測試設備TA的聲輸出開口 SAO和話筒MIK的聲進入開口S02互相重疊。對于精調(diào)可以采用攝像機CAM。測試設備TA和話筒MIK通過聲輸出開口SAO和聲進入開口 S02在聲學上彼此耦合。另外，測試設備TA具有電接觸裝置EKV，該電接觸裝置能夠?qū)崿F(xiàn)對話筒MIK的電接觸。通過測試設備tA和布置在帶BA上的話筒MIK彼此之間的相對運動可以相繼測試多個話筒MIK。圖3A和圖3B示意性示出本發(fā)明話筒的另一實施方式。圖3A以側(cè)視圖示出本發(fā)明的話筒。圖3B示出在圖3A中示出的話筒沿著線B-B’的截面圖。在圖3A和3B所示的話筒中，轉(zhuǎn)換器元件WE和另外的器件BE組合成唯一的芯片CH。芯片CH具有匯入到第二聲進入開口 S02中的開口。在轉(zhuǎn)換器元件WE中構造有背部體積RV。在圖3A和3B中示出的芯片CH由半導體材料構成的晶片、例如由硅晶片制成。在芯片的朝向載體TR的底側(cè)上，器件結構BES以及膜片MEM被結構化。所述器件結構可以例如是集成電路，尤其是ASIC結構。在芯片CH的背向載體TR的上側(cè)上，以干刻蝕方法或濕刻蝕方法刻蝕凹槽RV、HO以及一個或多個通道KA。所述凹槽和通道用第一蓋板AD封閉并且可以在載體上配備另一蓋板，該另一蓋板的結構和施加在圖IA至IE中描述。芯片、包括第一蓋板的所有制造步驟可以在晶片水平上進行。在對芯片進行分隔以后，將芯片安裝在載體上并且用蓋板箔AF進行另外的覆蓋。在晶片平面上施加的第一蓋板AD可以是箔。這防止了蓋板箔AF可能侵入到背部體積RV中。通過這種方式可以確保精確的背部體積RV的可再現(xiàn)性。圖3B示出在圖3A中示出的話筒沿著線B_B’的截面圖。轉(zhuǎn)換器元件WE的背部體積RV經(jīng)由通道KA與在另外的器件BE中構造的空腔HO連接。通道KA在此圍繞第二聲進入開口 S02。圖4A和圖4B示意性示出本發(fā)明話筒的另一實施方式。圖4A以側(cè)視圖示出本發(fā)明的話筒。圖4B示出在圖4A中示出的話筒沿著線B-B’的截面圖。在此，另外的器件BE和轉(zhuǎn)換器元件WE同樣組合成唯一的芯片CH。芯片CH通過連接兩個晶片WF1、WF2構成，其中每個晶片WF1、WF2在朝向相對晶片WF1、WF2的側(cè)上具有凹槽?，F(xiàn)在，兩個晶片WF1、WF2被組成為，使得它們的凹槽成對地補充給空腔HO。轉(zhuǎn)換器元件WE的背部體積RV又經(jīng)由通道KA與另外的器件BE中的空腔HO連接。
第一晶片WFl布置在載體TR與第二晶片WF2之間。第一晶片WFl基本上由半導體材料、例如由硅構成。在第一晶片WFl的朝向載體TR的底側(cè)上，器件結構BES和膜片MEM被結構化。在第一晶片WFl的上側(cè)上刻蝕進凹槽。在兩個晶片WF1、WF2組合在一起以后，這些凹槽構成轉(zhuǎn)換器元件WE的背部體積RV、HO的一部分。第二晶片WF2布置在第一晶片WFl的上側(cè)上，也就是第一晶片WFl的背向載體TR的側(cè)上。第二晶片WF2可以基本上由塑料或者由玻璃構成。該第二晶片可以以壓鑄、噴鑄或者熱印方法形成。在此，凹槽被在第二晶片的底側(cè)上、即在朝向第一晶片WFl的側(cè)上結構化。如果第一和第二晶片WF1、WF2在其平面?zhèn)扰c接縫面(FUgeflkhe)組合在一起，則第一和第二晶片中的凹槽構成用作為轉(zhuǎn)換器元件WE的背部體積的空腔HO、RV。另外，至少一個晶片WF1、WF2被在接 縫面中結構化，所述接縫面在晶片WF1、WF2被組合在一起時將空腔彼此連接。除了在晶片水平上制造話筒以外當然還可能的是，首先連接兩個晶片，分隔話筒，并且然后安裝到載體上。同樣可能的是，從第一晶片中分隔開的芯片被安裝并且之后才被與第二芯片連接和被覆蓋。例如借助于在芯片(第一和第二芯片)上施加的蓋板箔對第一和第二芯片的覆蓋在所有情況下在載體上進行。顯示出，利用所述的由轉(zhuǎn)換器元件WE、另外的器件BE和第二聲開口 S02構成的裝置可以達到話筒的如下聲學性能所述聲學性能對應于具有向下的聲開口的相同話筒的聲學性能。圖5示出在安置到電氣設備的僅示意性示出的殼體G、例如移動無線電設備的殼體中以后的MEMS話筒。示出了，MEMS話筒可以經(jīng)由密封結構DS將殼體中的兩個聲進入開口和MEMS話筒向內(nèi)或向殼體內(nèi)部密封，所述密封結構DS環(huán)繞第二聲進入開口 S02固定在MEMS話筒的蓋板AD上。通過這種方式，其中布置有另外的敏感的電氣或電子部件或器件的殼體內(nèi)部GI被保護免受殼體G外部的環(huán)境影響。附圖標記列表 WE轉(zhuǎn)換器元件 BE另外的器件 TR載體
MEM膜片 RV背部體積 SOl第一聲進入開口 AF蓋板箔 BU凸塊 ANF連接面 KP接觸墊 DK通孔接觸部 GM基礎金屬化部 S02第二聲進入開口 RS光阻結構 VS強化層MIK話筒TA測試設備LS揚聲器SAO聲輸出開口RM參考話筒CAM攝像機EKV電接觸裝置BA帶CH芯片KA通道HO空腔
WFU WF2第一或第二晶片 BES器件結構AD第一蓋板G殼體GI殼體內(nèi)部。
權利要求
1.話筒 -具有載體(TR)， -具有安裝在載體(TR)上的轉(zhuǎn)換器元件(WE)， -具有蓋板，其中轉(zhuǎn)換器元件(WE)被包圍在載體(TR)與蓋板之間， -具有第一聲進入開口(SOI),該第一聲進入開口在載體(TR)中被預備,但是被封閉，以及 -具有蓋板中的第二聲進入開口(S02)。
2.根據(jù)權利要求I的話筒， 其中第一聲進入開口(SOl)用含塑料的物質(zhì)被封閉。
3.根據(jù)權利要求I的話筒， 其中第一聲進入開口(SOl)用焊劑被封閉。
4.根據(jù)權利要求I至3之一的話筒， 其中密封結構(DS)圍繞第二聲進入開口被施加到蓋板上。
5.根據(jù)權利要求I至4之一的話筒， 其中載體(TR)在其朝向轉(zhuǎn)換器元件(WE)的側(cè)上具有連接面(ANF)， 其中載體(TR)在其背向轉(zhuǎn)換器元件(WE)的側(cè)上具有接觸墊(KP)， 其中載體(TR)具有通孔接觸部(DK)，該通孔接觸部使連接面(ANF)與接觸墊(KP )電接觸， 其中轉(zhuǎn)換器元件(WE)以倒裝芯片技術安裝在載體(TR)上，以及 其中轉(zhuǎn)換器元件(WE)經(jīng)由凸塊(BU)與安裝面(ANF)接觸。
6.根據(jù)權利要求I至4之一的話筒， 其中轉(zhuǎn)換器元件(WA)經(jīng)由接合線與載體(TR)電接觸。
7.根據(jù)權利要求I至5之一的話筒， 其中至少一個另外的器件(BE)施加在載體或者轉(zhuǎn)換器元件上，其中所述器件(BE)布置在蓋板下面或者被所述蓋板覆蓋。
8.根據(jù)權利要求7的話筒， 其中在轉(zhuǎn)換器元件(WE)中和在另外的器件(BE)中各構造一個空腔(RV，HO)，和 其中這兩個空腔(RV，HO)經(jīng)由通道(KA)彼此連接。
9.根據(jù)權利要求7或8的話筒， 其中轉(zhuǎn)換器元件(WE)和另外的器件(BE)構造在兩個晶片(WF1，WF2)中，所述晶片分別在其平面?zhèn)染哂邪疾?，并且其中這些平面?zhèn)仍谠捦仓斜唤M成在一起，使得所述凹槽一起構成連接的空腔(HO)。
10.根據(jù)權利要求I至9之一的話筒， 其中蓋板包括蓋板箔和金屬化層。
11.用于制造根據(jù)權利要求1-10之一的話筒的方法， 其中轉(zhuǎn)換器元件(WE)安裝在載體(TR)上， 其中蓋板被布置在轉(zhuǎn)換器元件(WE)和載體(TR)上，使得轉(zhuǎn)換器元件(WE)被包圍在蓋板和載體(TR)之間， 其中在載體(TR)中產(chǎn)生第一聲進入開口(S01)，其中執(zhí)行話筒的功能測試， 其中第一聲進入開口(SOI)被封閉， 其中在蓋板中產(chǎn)生第二聲進入開口(S02)。
12.根據(jù)權利要求11的方法， 其中第一聲進入開口(SOl)被含塑料的物質(zhì)或者被焊劑封閉。
13.根據(jù)權利要求12的方法， 其中第一聲進入開口(SOl)通過以下方式被封閉，即含聚合物的材料以噴墨印刷方法施加到第一聲進入開口(SOl)中并且通過曝光和/或以熱的方式被硬化。
14.根據(jù)權利要求11-13之一的方法， 其中在施加蓋板之前將另外的器件(BE)安裝在載體(TR)上。
15.根據(jù)權利要求11-14之一的方法， 其中箔(AF)越過轉(zhuǎn)換器元件(WE)被層壓到載體(TR)上。
16.根據(jù)權利要求15的方法， 其中金屬化層(GM，VS)被施加在箔(AF)上。
17.根據(jù)權利要求15的方法， 其中金屬化層包括基礎金屬化部(GM)和強化層(VS)，其中基礎金屬化部(GM)全面地施加到蓋板(AD)上，并且其中強化層(VS)通過金屬沉積被施加為，使得在稍后的第二聲進入開口(S02)的區(qū)域中阻止強化層(VS)的沉積。
18.根據(jù)權利要求16和17的方法， 其中光阻結構(RS)被施加在稍后的第二聲進入開口(S02)的區(qū)域中，該光阻結構阻止強化層(VS)在該區(qū)域中的沉積。
19.根據(jù)權利要求11-18之一的方法， 其中第二聲進入開口(S02)通過激光鉆孔方法產(chǎn)生。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于制造話筒的方法，其中轉(zhuǎn)換器元件(WE)安裝在載體(TR)上；蓋板被布置在轉(zhuǎn)換器元件(WE)和載體(TR)上，使得轉(zhuǎn)換器元件(WE)被包圍在蓋板和載體(TR)之間；在載體(TR)中產(chǎn)生第一聲進入開口(SO1)；執(zhí)行話筒的功能測試；第一聲進入開口(SO1)被封閉；以及在蓋板中產(chǎn)生第二聲進入開口(SO2)。另外，本發(fā)明涉及一種由該方法得出的話筒，其中第一聲進入開口(SO1)被預備，但是被封閉。
文檔編號H04R1/04GK102958826SQ201180033807
公開日2013年3月6日 申請日期2011年7月7日 優(yōu)先權日2010年7月8日
發(fā)明者W.帕爾, H.克呂格, G.法伊爾塔格, A.施特爾茲爾, A.萊德爾, S.賽茨 申請人:埃普科斯股份有限公司