專利名稱：一種用于手機(jī)的全鍵盤擴(kuò)展電路及其按鍵掃描方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及移動終端設(shè)備領(lǐng)域，尤其涉及的是一種用于手機(jī)的全鍵盤擴(kuò)展電路及 其按鍵掃描方法。
背景技術(shù)：
為了滿足手機(jī)全鍵盤的需求，通常需要手機(jī)平臺芯片有足夠多的按鍵接口。但是 對很多低端平臺，按鍵接口數(shù)量有限，但是又常有設(shè)計全鍵盤的需求。因此可以通過I/O擴(kuò) 展芯片來擴(kuò)展按鍵接口，但是對于手機(jī)按鍵來說，I/O擴(kuò)展芯片又有一些缺陷，使用普通電 路及掃描方式會影響手機(jī)的性能甚至安全，如產(chǎn)生漏電等造成安全隱患。因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于，針對現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，提供一種用于手機(jī)的 全鍵盤擴(kuò)展電路及其按鍵掃描方法，通過電路設(shè)計和掃描方式設(shè)計，即實(shí)現(xiàn)了全鍵盤擴(kuò)展， 又解決了 I/O擴(kuò)展芯片的缺陷問題。本發(fā)明解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案如下
一種用于手機(jī)的全鍵盤擴(kuò)展電路，其中，包括與基帶芯片連接的I/O擴(kuò)展芯片，并將I/ 0擴(kuò)展芯片的I/O 口的0組管腳連接多個鍵盤列輸入線，將I/O 口的1組管腳連接多個鍵盤 行輸出線，所述多個鍵盤列輸入線與所述多個鍵盤行輸出線共同組成鍵盤矩陣；
并將多個鍵盤列輸入線通過上拉電阻連接至第一工作電源，以及將多個鍵盤行輸出線 通過下拉電阻連接參考地。所述的全鍵盤擴(kuò)展電路，其中，I/O擴(kuò)展芯片的每一 I/O 口管腳內(nèi)部電路包括第 一 MOS管和第二 MOS管；
第一 MOS管的S極連接第二工作電源、第一 MOS管的D極與第二 MOS管的D極連接，第
一MOS管的D極與第二 MOS管的D極連接的公共端連接至I/O擴(kuò)展芯片的I/O 口管腳，第
二MOS管的S極連接參考地。所述的全鍵盤擴(kuò)展電路，其中，所述I/O擴(kuò)展芯片I/O 口的0組的7個管腳P0. 1 至P0. 7，分別與鍵盤矩陣的7條列輸入線KCOLl至KC0L7 —一對應(yīng)連接。所述的全鍵盤擴(kuò)展電路，其中，所述I/O擴(kuò)展芯片I/O 口的1組的7個管腳Pl. 1 至Pl. 7，分別與鍵盤矩陣的7條行輸出線KROWl至KR0W7 —一對應(yīng)連接。所述的全鍵盤擴(kuò)展電路，其中，所述I/O擴(kuò)展芯片I/O 口的管腳P0. 0、管腳Pl. 0， 分別通過第一上拉電阻、第二上拉電阻連接至第一工作電源。一種所述的全鍵盤擴(kuò)展電路的按鍵掃描方法，其中，包括以下步驟
A、當(dāng)有按鍵按下時，產(chǎn)生按鍵中斷，基帶芯片開始進(jìn)行按鍵掃描；
B、將I/O擴(kuò)展芯片連接多個鍵盤列輸入線和多個鍵盤行輸出線的管腳設(shè)置為輸入口；
C、根據(jù)實(shí)際的鍵盤行輸出線和鍵盤列輸入線的數(shù)量，分別設(shè)置鍵盤行輸出線的行數(shù)常量H和鍵盤列輸入線的列數(shù)常量L ；同時設(shè)置行變量i和列變量j，并將行變量i和列變量 j的初始值賦為0 ；
D、從第i行開始掃描，并將該掃描的第i行設(shè)置為輸出口，輸出0；以及從第j列開始 逐個檢查是否有被拉低為0的列，每檢查一個，列變量j加1 ；
E、當(dāng)檢測到第j列被拉低為0時，確定當(dāng)前掃描的第i行和第j列的按鍵被按下，并將 當(dāng)前掃描的行數(shù)i和列數(shù)j作為該被按下按鍵的按鍵值發(fā)送給基帶芯片。所述的全鍵盤擴(kuò)展電路的按鍵掃描方法，其中，所述步驟E之后還包括步驟F、把 檢測過的與鍵盤行輸出線連接的I/O擴(kuò)展芯片管腳重新設(shè)置為輸入口，按鍵掃描結(jié)束。所述的全鍵盤擴(kuò)展電路的按鍵掃描方法，其中，所述步驟E還包括步驟
E1、當(dāng)當(dāng)前掃描的列數(shù)j等于列數(shù)常量L，所有列掃描完，沒有檢測到被拉低為0的列 時，則將該掃描完的行i的管腳設(shè)置為輸入口，將行變量i加1 ；
E2、并判斷該行變量i加1是否小于等于所述行數(shù)常量H，當(dāng)是時返回步驟D。所述的全鍵盤擴(kuò)展電路的按鍵掃描方法，其中，所述步驟E還包括步驟E3、當(dāng)判 斷該行變量i加1大于所述行數(shù)常量H時，返回步驟F。所述的全鍵盤擴(kuò)展電路的按鍵掃描方法，其中，所述步驟B中的將管腳設(shè)置為輸 入口具體包括設(shè)置管腳內(nèi)部電路的第一 MOS管和第二 MOS管為關(guān)閉，使管腳呈高阻狀態(tài)。本發(fā)明所提供的用于手機(jī)的全鍵盤擴(kuò)展電路及其按鍵掃描方法，由于采用了同時 通過設(shè)計外圍電路，以及新的掃描方式，當(dāng)檢測到有按鍵按下時，需要進(jìn)行掃描的行配置為 輸出I/O 口，其余的行設(shè)置為輸入I/O 口(當(dāng)I/O 口設(shè)置為輸入口的時候，I/O 口為高阻狀 態(tài)，內(nèi)部的兩個MOS管關(guān)閉)。配置為輸出I/O 口的行掃描完后立即重新設(shè)置為輸入口。這 樣當(dāng)同一列上不同行的兩個以上按鍵按下時，因為除了正在掃描的按鍵行是輸出口，其余 的行是輸入口，為高阻狀態(tài)，不會形成電流回路，防止了漏電情況的出現(xiàn)，從而解決了出現(xiàn) 危險的隱患。


圖1是本發(fā)明實(shí)施例的全鍵盤擴(kuò)展電路結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本發(fā)明實(shí)施例的鍵盤矩陣結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是一種I/O擴(kuò)展芯片管腳內(nèi)部電路原理圖。圖4是本發(fā)明實(shí)施例的I/O擴(kuò)展芯片管腳內(nèi)部電路原理圖。圖5是實(shí)施例的管腳與按鍵連接示意圖。圖6是本發(fā)明實(shí)施所述的全鍵盤擴(kuò)展電路的按鍵掃描方法流程圖。圖7是本發(fā)明實(shí)施例的按鍵掃描方法局部流程圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明所提供的用于手機(jī)的一種全鍵盤擴(kuò)展電路及其按鍵掃描方法，用于在芯片 鍵盤接口不足，又需要設(shè)計全鍵盤時，利用I/O擴(kuò)展芯片擴(kuò)展按鍵。同時通過設(shè)計外圍電 路，以及新的掃描方式，解決常用I/O擴(kuò)展芯片用于手機(jī)全鍵盤時的缺陷。為使本發(fā)明的目 的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚、明確，以下參照附圖并舉實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。 應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
本發(fā)明實(shí)施例提供的一種用于手機(jī)的全鍵盤擴(kuò)展電路，如圖1所示，包括通過I2C 總線與基帶芯片連接的I/O擴(kuò)展芯片U1，并將I/O擴(kuò)展芯片的I/O 口的0組管腳連接多個 鍵盤列輸入線，將I/O 口的1組管腳連接多個鍵盤行輸出線，所述多個鍵盤列輸入線與所述 多個鍵盤行輸出線共同組成鍵盤矩陣。如圖1所示，I/O擴(kuò)展芯片Ul的SCL (時鐘線)管腳、SDA (雙向數(shù)據(jù)線)管腳、INT 管腳分別通過I2C總線的I2C_SCL線(時鐘線)、I2C_SDA線(雙向數(shù)據(jù)線)及INT_0UT線與 基帶芯片連接。其中，所述I/O擴(kuò)展芯片I/O 口 0組的7個管腳P0. 1至P0. 7，分別與鍵盤 矩陣的7條列輸入線KCOLl至KC0L7 —一對應(yīng)連接。如圖1所示的
P0. 1管腳與第一列輸入線KCOLl對應(yīng)連接； P0. 2管腳與第二列輸入線KC0L2對應(yīng)連接； P0. 3管腳與第三列輸入線KC0L3對應(yīng)連接； P0. 4管腳與第四列輸入線KC0L4對應(yīng)連接； P0. 5管腳與第五列輸入線KC0L5對應(yīng)連接； P0. 6管腳與第六列輸入線KC0L6對應(yīng)連接； P0. 7管腳與第七列輸入線KC0L7對應(yīng)連接；
進(jìn)一步地，所述I/O擴(kuò)展芯片I/O 口 1組的7個管腳Pl. 1至Pl. 7，分別與鍵盤矩陣的 7條行輸出線KROWl至KR0W7——對應(yīng)連接。如圖1所示的 Pl. 1管腳與第一行輸出線KROWl對應(yīng)連接； Pl. 2管腳與第二行輸出線KR0W2對應(yīng)連接； Pl. 3管腳與第三行輸出線KR0W3對應(yīng)連接； Pl. 4管腳與第四行輸出線KR0W4對應(yīng)連接； Pl. 5管腳與第五行輸出線KR0W5對應(yīng)連接； Pl. 6管腳與第六行輸出線KR0W6對應(yīng)連接； Pl. 7管腳與第七行輸出線KR0W7對應(yīng)連接。通過本發(fā)明圖1所示的電路可以擴(kuò)展出49個按鍵，如圖2所示，上述7條列輸入線 KCOLl至KC0L7與上述7條行輸出線KROWl至KR0W7共同組成本發(fā)明實(shí)施例的鍵盤矩陣。本實(shí)施例中，所述I/O擴(kuò)展芯片I/O 口的管腳P0. 0、管腳P1.0管腳沒有用到，如圖 1所示，將管腳Po. 0、管腳Pl. 0分別通過第一上拉電阻R1、第二上拉電阻R2連接至第一工 作電源VCC。進(jìn)一步地，本發(fā)明中將多個鍵盤列輸入線通過上拉電阻連接至第一工作電源VCC， 以及將多個鍵盤行輸出線通過下拉電阻連接參考地，如圖1所示，將圖1所示的第一列輸入 線KCOLl至第七列輸入線KC0L7的七條列輸入線分別通過上拉電阻R3、R4、R5、R6、R7、R8、 R9連接至第一工作電源VCC。以及將圖1所示的第一行輸出線KROWl至第七行輸出線KR0W7 的七條輸出線分別通過下拉電阻R17、R16、R15、R14、R13、R12、Rll連接至參考地。本實(shí)施例中I/O擴(kuò)展芯片Ul的I/O 口 0組作為鍵盤列輸入，I/O 口 1組作為鍵盤 行輸出。當(dāng)沒有按鍵按下時，列輸入管腳被上拉電阻上拉為高電平，行輸出管腳被下拉電阻 下拉為低電平。當(dāng)有按鍵按下時，按鍵所在的列輸入管腳被拉低。如圖1和圖2所示，當(dāng)?shù)?一行輸出線KROWl與第一列輸入KCOLl的按鍵被按下時，第一列輸入KCOLl被第一行輸出 線KROWl拉低。同時Ul內(nèi)部產(chǎn)生中斷，通知給手機(jī)基帶芯片。手機(jī)基帶芯片收到中斷后，通過I2C總線接口控制Ul掃描按鍵陣列，識別出是哪個按鍵被按下。目前常用的I/O擴(kuò)展芯片，其I/O 口管腳的結(jié)構(gòu)有下面圖3和圖4所示兩種圖 3和圖4是不同種類的I/O擴(kuò)展芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖。圖3和圖4的粗黑線位置的是芯片的 I/O 口管腳，其他的地方都是芯片的內(nèi)部電路。其中，圖4所示的I/O 口管腳結(jié)構(gòu)是本發(fā)明實(shí)施例所采用的，圖4所示的I/O擴(kuò)展 芯片的每一 I/O 口管腳內(nèi)部電路包括第一 MOS管Ql和第二 MOS管Q2。第一 MOS管Ql的S極連接第二工作電源VDD、G極連接第一輸出號端，第一 MOS管 的D極與第二 MOS管的D極連接，第一 MOS管的D極與第二 MOS管的D極連接的公共端連接 至I/O擴(kuò)展芯片的I/O 口管腳；第二 MOS管的S極連接參考地、G極連接第二輸出信號端。當(dāng)I/O 口管腳作為輸入腳時，Ql，Q2關(guān)閉，I/O 口管腳為高阻態(tài)，圖3所示結(jié)構(gòu)內(nèi)部 有100K電阻上拉使芯片的I/O 口管腳為高電平；圖4所示結(jié)構(gòu)需要外加上拉或下拉電阻使 I/O 口管腳為高或低電平。當(dāng)I/O 口管腳作為輸出腳時，要輸出高電平，Q2關(guān)閉，Ql打開，I/O 口管腳連到第 二工作電源VDD，輸出高電平；當(dāng)要輸出低電平時，Ql關(guān)閉，Q2打開，I/O 口管腳連到地，輸 出低電平。對于圖3所示的I/O 口結(jié)構(gòu)，當(dāng)作為行時，配置為輸出，這時就會產(chǎn)生一個VDD經(jīng) 過100K電阻和Q2到地的通路，這樣就會產(chǎn)生漏電，電流為VDD/100K，當(dāng)行越多時，漏電就越 大。對電流消耗敏感的手機(jī)設(shè)計來說，這是不能接受的。因此，本發(fā)明實(shí)施例中采用具有圖4所示I/O 口結(jié)構(gòu)的I/O擴(kuò)展芯片來擴(kuò)展全鍵
ο圖1所示的鍵盤擴(kuò)展電路，沒有用到的I/O 口管腳P0. 0，Pl. 0，配置為輸入腳，為 避免I/O 口出現(xiàn)不確定狀態(tài)，產(chǎn)生漏電，這些沒用到的I/O 口管腳P0. 0、P1.0分別通過外 加的第一上拉電阻R1、第二上拉電阻R2，使?fàn)顟B(tài)明確。因為，配置為輸入腳時，芯片內(nèi)部的 Q1，Q2是關(guān)閉的。這個時候芯片管腳的狀態(tài)是不確定的，有可能處在高低電平之間，容易使 芯片產(chǎn)生漏電，這時必須使芯片的管腳處在高電平或者是低電平狀態(tài)。因此沒有用到的I/ 0 口，配置為輸入口，同時外加上拉電阻Rl和R2，使沒有用到的I/O 口處在高電平狀態(tài)。選用具有圖4所示I/O 口管腳結(jié)構(gòu)的I/O擴(kuò)展芯片來擴(kuò)展全鍵盤，雖然可以避免 漏電，但是如果用常規(guī)的掃描算法掃描，則會有嚴(yán)重的隱患。當(dāng)有按鍵被按下時，常規(guī)的掃 描算法是從中斷可以知道是哪一列的按鍵被按下，然后從0行開始，逐行設(shè)為低電平，其余 行設(shè)為高電平，當(dāng)某一行設(shè)為低時，列被拉低，則可判斷出是哪一行與哪一列的按鍵被按 下。但是如用圖1所示電路擴(kuò)展的全鍵盤，當(dāng)同一列上不同行的兩個按鍵被同時按下 時，如果用常規(guī)掃描方式，則掃描到其中一個被按下的按鍵時，該按鍵的行是通過Q2連到 地上的，另外一個按鍵的行信號是置高，被拉到VDD的，因為在同一列上，兩個按鍵是短路 的，電源VDD就被短路到地上，I/O 口上流過大電流，如圖5所示。這樣就會出現(xiàn)I/O 口被 燒壞，電源被短路的危險，產(chǎn)生嚴(yán)重的安全問題。如圖1和圖2所示，當(dāng)處在第一列輸入線KC0L1，第一行輸出線KROWl和第二行輸 出線KR0W2上的兩個按鍵同時按下時，當(dāng)掃描管腳Pl. 2時，I/O擴(kuò)展芯片的I/O 口管腳Pl. 1 管腳的Ql打開，Q2關(guān)閉，被置成高電平，如圖5所示，Pl. 2管腳的Ql關(guān)閉，Q2打開，被置成低電平。這樣給芯片供電的第二工作電源VDD就通過P 1.1管腳的Ql和Pl. 2管腳的Q2 被短路到地上，這樣電源VDD就有被燒掉的危險。同時因為VDD被短路，I/O擴(kuò)展芯片的管 腳Pl. 1和Pl. 2上有大電流通過，芯片管腳也存在被燒壞的危險。為了解決這個問題，針對I/O 口的特點(diǎn)，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種上述全鍵盤 擴(kuò)展電路的按鍵掃描方法，解決該問題。當(dāng)I/O 口設(shè)置為輸入口的時候，I/O 口為高阻狀態(tài)， 內(nèi)部的兩個MOS管關(guān)閉。以圖5為例，當(dāng)KR0W2掃描時，KROWl設(shè)置為輸入口，這樣，管腳Pl. 1的Ql、Q2就 是關(guān)閉的。這樣當(dāng)兩個按鍵同時按下時，VDD不會通過管腳Pl. 1的Ql短路到管腳Pl. 2的 地VSS上，就形成不了電流回路，解決了短路的問題。因此新的掃描方式設(shè)為當(dāng)檢測到有按 鍵按下時，需要進(jìn)行掃描的行配置為輸出I/O 口，其余的行設(shè)置為輸入I/O 口。配置為輸出 I/O 口的行掃描完后立即重新設(shè)置為輸入口。這樣當(dāng)同一列上不同行的兩個以上按鍵按下 時，因為除了正在掃描的按鍵行是輸出口，其余的行是輸入口，為高阻狀態(tài)，形成不了電流 回路，從而解決了出現(xiàn)危險的隱患。具體地，如圖6所示，本發(fā)明實(shí)施例的一種如上述全鍵盤擴(kuò)展電路的按鍵掃描方 法，包括以下步驟
步驟S610、當(dāng)有按鍵按下時，產(chǎn)生按鍵中斷信號，基帶芯片開始進(jìn)行按鍵掃描。如圖1和圖2所示，當(dāng)有按鍵按下時，產(chǎn)生按鍵中斷信號通過INT_0UT通知基帶芯 片開始進(jìn)行掃描。步驟S620、將I/O擴(kuò)展芯片連接多個鍵盤列輸入線和多個鍵盤行輸出線的管腳設(shè) 置為輸入口 ；其中，將管腳設(shè)置為輸入口具體包括設(shè)置管腳內(nèi)部電路的第一 MOS管Ql和 第二 MOS管Q2為關(guān)閉，使管腳呈高阻狀態(tài)，如圖4和圖5所示。步驟S630、根據(jù)實(shí)際的鍵盤行輸出線和鍵盤列輸入線的數(shù)量，分別設(shè)置鍵盤行輸 出線的行數(shù)常量H和鍵盤列輸入線的列數(shù)常量L ；如圖1所示，H= 7，L=7 ；同時設(shè)置行變量 i和列變量j，并將行變量i和列變量j的初始值賦為0，如圖7所示的S31、初始設(shè)置變量
i=0, j=0o步驟S640、從第0行(i行)開始掃描，并將該掃描的第i行設(shè)置為輸出口，輸出0， 如圖7所示的S41 ；以及從第0列(j列)開始逐個檢查是否有被拉低為0的列，每檢查一個， 列變量j加1。步驟S650、當(dāng)檢測到第j列被拉低為0時，確定當(dāng)前掃描的第i行和第j列的按鍵 被按下，并將當(dāng)前掃描的行數(shù)i和列數(shù)j作為該被按下按鍵的按鍵值發(fā)送給基帶芯片。如圖7所示的S42、判斷當(dāng)前檢測到第j列是否等于0，當(dāng)是時進(jìn)入S650，當(dāng)否時進(jìn) 入 S43 ；
543、判斷當(dāng)前掃描的第j列的變量j是否小于L列數(shù)常量L？當(dāng)是時進(jìn)入S45，當(dāng)否時 進(jìn)入S44 ；
544、判斷當(dāng)前掃描的第i行的變量i是否小于行數(shù)常量H，是的話進(jìn)入S46，否則進(jìn)入 S660。S45、列變量j加1，返回S42，以進(jìn)行下一列掃描。S46，設(shè)置當(dāng)前掃描的第i行的管腳為輸入口，并進(jìn)入S47。S47、行變量i加1，返回S41，以進(jìn)行下一行掃描。
另外，也可以采用當(dāng)當(dāng)前掃描的列數(shù)j等于列數(shù)常量L所有列掃描完，沒有檢測到 被拉低為0的列時，則將該掃描完的行i的管腳設(shè)置為輸入口，將行變量i加1 ；并判斷該 行變量i加1是否小于等于所述行數(shù)常量H，當(dāng)是時返回步驟S640。當(dāng)判斷該行變量i加 1大于所述行數(shù)常量H時，進(jìn)入步驟S660。步驟S660、把檢測過的與鍵盤行輸出線連接的I/O擴(kuò)展芯片管腳重新設(shè)置為輸入 口，按鍵掃描結(jié)束。綜上所述，本發(fā)明所提供的用于手機(jī)的全鍵盤擴(kuò)展電路及其按鍵掃描方法，由于 采用了同時通過設(shè)計外圍電路，以及新的掃描方式，當(dāng)檢測到有按鍵按下時，需要進(jìn)行掃描 的行配置為輸出I/O 口，其余的行設(shè)置為輸入I/O 口(當(dāng)I/O 口設(shè)置為輸入口的時候，I/O 口 為高阻狀態(tài)，內(nèi)部的兩個MOS管關(guān)閉)。配置為輸出I/O 口的行掃描完后立即重新設(shè)置為輸 入口。這樣當(dāng)同一列上不同行的兩個以上按鍵按下時，因為除了正在掃描的按鍵行是輸出 口，其余的行是輸入口，為高阻狀態(tài)，不會形成電流回路，防止了漏電情況的出現(xiàn)，從而解決 了出現(xiàn)危險的隱患。應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明的應(yīng)用不限于上述的舉例，對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，可 以根據(jù)上述說明加以改進(jìn)或變換，所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本發(fā)明所附權(quán)利要求的保 護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種用于手機(jī)的全鍵盤擴(kuò)展電路，其特征在于，包括與基帶芯片連接的I/O擴(kuò)展芯 片，并將I/O擴(kuò)展芯片的I/O 口的0組管腳連接多個鍵盤列輸入線，將I/O 口的1組管腳 連接多個鍵盤行輸出線，所述多個鍵盤列輸入線與所述多個鍵盤行輸出線共同組成鍵盤矩 陣；并將多個鍵盤列輸入線通過上拉電阻連接至第一工作電源，以及將多個鍵盤行輸出線 通過下拉電阻連接參考地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全鍵盤擴(kuò)展電路，其特征在于，I/O擴(kuò)展芯片的每一I/O 口 管腳內(nèi)部電路包括第一 MOS管和第二 MOS管；第一 MOS管的S極連接第二工作電源、第一 MOS管的D極與第二 MOS管的D極連接，第一MOS管的D極與第二 MOS管的D極連接的公共端連接至I/O擴(kuò)展芯片的I/O 口管腳，第二MOS管的S極連接參考地。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全鍵盤擴(kuò)展電路，其特征在于，所述I/O擴(kuò)展芯片I/O口的 0組的7個管腳P0. 1至P0. 7，分別與鍵盤矩陣的7條列輸入線KCOLl至KC0L7 —一對應(yīng)連 接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的全鍵盤擴(kuò)展電路，其特征在于，所述I/O擴(kuò)展芯片I/O口的 1組的7個管腳Pl. 1至Pl. 7，分別與鍵盤矩陣的7條行輸出線KROWl至KR0W7 —一對應(yīng)連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的全鍵盤擴(kuò)展電路，其特征在于，所述I/O擴(kuò)展芯片I/O口的管 腳P0. 0、管腳Pl. 0，分別通過第一上拉電阻、第二上拉電阻連接至第一工作電源。
6.一種如權(quán)利要求1所述的全鍵盤擴(kuò)展電路的按鍵掃描方法，其特征在于，包括以下 步驟A、當(dāng)有按鍵按下時，產(chǎn)生按鍵中斷，基帶芯片開始進(jìn)行按鍵掃描；B、將I/O擴(kuò)展芯片連接多個鍵盤列輸入線和多個鍵盤行輸出線的管腳設(shè)置為輸入口；C、根據(jù)實(shí)際的鍵盤行輸出線和鍵盤列輸入線的數(shù)量，分別設(shè)置鍵盤行輸出線的行數(shù)常 量H和鍵盤列輸入線的列數(shù)常量L ；同時設(shè)置行變量i和列變量j，并將行變量i和列變量 j的初始值賦為0 ；D、從第i行開始掃描，并將該掃描的第i行設(shè)置為輸出口，輸出0；以及從第j列開始 逐個檢查是否有被拉低為0的列，每檢查一個，列變量j加1 ；E、當(dāng)檢測到第j列被拉低為0時，確定當(dāng)前掃描的第i行和第j列的按鍵被按下，并將 當(dāng)前掃描的行數(shù)i和列數(shù)j作為該被按下按鍵的按鍵值發(fā)送給基帶芯片。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的全鍵盤擴(kuò)展電路的按鍵掃描方法，其特征在于，所述步驟E 之后還包括步驟F、把檢測過的與鍵盤行輸出線連接的I/O擴(kuò)展芯片管腳重新設(shè)置為輸入 口，按鍵掃描結(jié)束。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的全鍵盤擴(kuò)展電路的按鍵掃描方法，其特征在于，所述步驟E還 包括步驟E1、當(dāng)當(dāng)前掃描的列數(shù)j等于列數(shù)常量L，所有列掃描完，沒有檢測到被拉低為0的列 時，則將該掃描完的行i的管腳設(shè)置為輸入口，將行變量i加1 ；E2、并判斷該行變量i加1是否小于等于所述行數(shù)常量H，當(dāng)是時返回步驟D。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的全鍵盤擴(kuò)展電路的按鍵掃描方法，其特征在于，所述步驟E還包括步驟E3、當(dāng)判斷該行變量i加1大于所述行數(shù)常量H時，返回步驟F。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的全鍵盤擴(kuò)展電路的按鍵掃描方法，其特征在于，所述步驟B 中的將管腳設(shè)置為輸入口具體包括設(shè)置管腳內(nèi)部電路的第一MOS管和第二MOS管為關(guān)閉， 使管腳呈高阻狀態(tài)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于手機(jī)的全鍵盤擴(kuò)展電路及其按鍵掃描方法，將I/O擴(kuò)展芯片的I/O口0組管腳連接多個鍵盤列輸入線，將I/O口1組管腳連接多個鍵盤行輸出線，所述多個鍵盤列輸入線與所述多個鍵盤行輸出線共同組成鍵盤矩陣。本發(fā)明由于采用了當(dāng)檢測到有按鍵按下時，需要進(jìn)行掃描的行配置為輸出I/O口，其余的行設(shè)置為輸入I/O口(當(dāng)I/O口設(shè)置為輸入口的時候，I/O口為高阻狀態(tài)，內(nèi)部的兩個MOS管關(guān)閉)。配置為輸出I/O口的行掃描完后立即重新設(shè)置為輸入口。當(dāng)同一列上不同行的兩個以上按鍵按下時，因為除了正在掃描的按鍵行是輸出口，其余的行是輸入口，為高阻狀態(tài)，防止了漏電情況的出現(xiàn)，從而解決了出現(xiàn)危險的隱患。
文檔編號H04M1/23GK102088502SQ20111002880
公開日2011年6月8日 申請日期2011年1月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月26日
發(fā)明者林子華 申請人:惠州Tcl移動通信有限公司