專利名稱:壓電揚(yáng)聲器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本實(shí)用新型涉及一種揚(yáng)聲器,尤其涉及一種壓電揚(yáng)聲器。
背景技術(shù):
隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展,音頻放大器自身設(shè)計(jì)的技術(shù)含量和用戶的要求越來越 高,在當(dāng)今這個(gè)小型化的時(shí)代,壓電揚(yáng)聲器變得日益流行。在某些應(yīng)用場(chǎng)合,與傳統(tǒng)揚(yáng)聲器 比較,壓電揚(yáng)聲器具有明顯優(yōu)勢(shì)(一)傳統(tǒng)揚(yáng)聲器一般采用動(dòng)圈式揚(yáng)聲器結(jié)構(gòu),其體積大、工藝復(fù)雜、成本高;而薄 型化是壓電揚(yáng)聲器的一個(gè)優(yōu)點(diǎn);( 二)壓電揚(yáng)聲器音量高,且消耗電流小,聲學(xué)設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單;(三)壓電揚(yáng)聲器無磁鐵或者通電線圈,不會(huì)對(duì)外產(chǎn)生電磁干擾。請(qǐng)參考圖1,現(xiàn)有的壓電揚(yáng)聲器設(shè)計(jì)中,其在壓電片邊緣處通常為平整結(jié)構(gòu),這種 結(jié)構(gòu)的壓電揚(yáng)聲器存在的一個(gè)問題是其低頻工作頻率過高。
實(shí)用新型內(nèi)容針對(duì)現(xiàn)有壓電揚(yáng)聲器的低頻工作頻率過高的問題,本實(shí)用新型提供一種低頻工作 頻率較低的壓電揚(yáng)聲器。一種壓電揚(yáng)聲器,包括振膜、壓電片和折環(huán),所述振膜疊設(shè)在所述壓電片的背面, 所述折環(huán)分別設(shè)置在所述壓電片的相對(duì)邊緣處。優(yōu)選地,所述壓電片為矩形,所述折環(huán)設(shè)置在所述壓電片的正面長(zhǎng)邊。優(yōu)選地,所述折環(huán)分別設(shè)置在所述壓電片的二相對(duì)長(zhǎng)邊。優(yōu)選地,所述折環(huán)為長(zhǎng)條形結(jié)構(gòu),其包括平坦底部和突出結(jié)構(gòu),所述突出結(jié)構(gòu)為弧 形,并沿著所述折環(huán)的長(zhǎng)邊方向延伸。優(yōu)選地,所述壓電片為陶瓷壓電片。優(yōu)選地,進(jìn)一步包括第一框架和第二框架,所述第一框架和第二框架配合夾持所 述振膜、所述壓電片和所述折環(huán)的平坦底部。由于所述壓電揚(yáng)聲器是通過所述壓電片的壓電效應(yīng)產(chǎn)生扭曲振動(dòng)發(fā)聲,所以在其 長(zhǎng)邊設(shè)置所述雙折環(huán)的這種結(jié)構(gòu),可以有效擴(kuò)展所述壓電揚(yáng)聲器的低頻工作頻率,一般來 說,相比普通的壓電揚(yáng)聲器,本實(shí)用新型的所述壓電揚(yáng)聲器可以降低20% -30%左右的低 頻工作頻率。因此,本實(shí)用新型的壓電揚(yáng)聲器具有低頻工作頻率較低的優(yōu)點(diǎn)。
圖1是一種與本實(shí)用新型相關(guān)的壓電揚(yáng)聲器的立體示意圖。圖2是本實(shí)用新型壓電揚(yáng)聲器一較佳實(shí)施方式的立體結(jié)構(gòu)分解圖。圖3是圖2所示壓電揚(yáng)聲器組裝后的立體結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是圖3所示壓電揚(yáng)聲器沿IV-IV方向的部分剖視示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的壓電揚(yáng)聲器結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。請(qǐng)一并參閱圖2至圖4,其中,圖2是本實(shí)用新型壓電揚(yáng)聲器一較佳實(shí)施方式的立 體結(jié)構(gòu)分解示意圖,圖3是圖2所示壓電揚(yáng)聲器組裝后的立體結(jié)構(gòu)示意圖,圖4是圖3所示 壓電揚(yáng)聲器沿IV-IV方向的部分剖視示意圖。所述壓電揚(yáng)聲器1為矩形結(jié)構(gòu),其包括第一框架10、PCB 11 (印刷電路板)、一對(duì) 折環(huán)12、壓電片13、振膜14和第二框架15。所述第二框架15作為支撐框架,其為矩形封閉式結(jié)構(gòu),主要起支撐作用。所述振膜14為矩形平板結(jié)構(gòu),其邊緣處由所述第二框架15支撐。所述壓電片13是由多層壓電陶瓷共燒工藝制成,同樣為平整矩形結(jié)構(gòu),其疊設(shè)在 所述振膜14的表面,所述壓電片13的長(zhǎng)度小于所述振膜14的長(zhǎng)度。所述二折環(huán)12均為長(zhǎng)條形結(jié)構(gòu),其包括平坦底部120和突出結(jié)構(gòu)122,所述突出結(jié) 構(gòu)122為弧形,其沿著所述折環(huán)12的長(zhǎng)邊方向延伸。所述第一框架10為U型結(jié)構(gòu),其包括二平行的長(zhǎng)邊和一垂直連接二長(zhǎng)邊的短邊, 也就是說,所述第一框架10包括一缺口(未標(biāo)示),所述缺口位于二長(zhǎng)邊之間,并與所述短 邊相對(duì)。所述PCB 11設(shè)置在所述第一框架10的缺口處。所述壓電揚(yáng)聲器1組裝后的結(jié)構(gòu)如圖3和圖4所示,所述第一框架10與所述第二 框架15共同夾持所述振膜14、所述壓電片13和所述折環(huán)12的邊緣,其中,所述折環(huán)12的
突出結(jié)構(gòu)曝露。由于所述壓電揚(yáng)聲器1是通過所述壓電片13的壓電效應(yīng)產(chǎn)生扭曲振動(dòng)發(fā)聲,所 以在其長(zhǎng)邊設(shè)置所述雙折環(huán)12的這種結(jié)構(gòu),可以有效擴(kuò)展所述壓電揚(yáng)聲器1的低頻工 作頻率,一般來說,相比普通的壓電揚(yáng)聲器1,本實(shí)用新型的所述壓電揚(yáng)聲器1可以降低 20% -30%左右的低頻工作頻率。當(dāng)然,所述折環(huán)12的材料和厚度都可以產(chǎn)品的設(shè)計(jì)需要 進(jìn)行調(diào)整。以上僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施案例而已,并不用于限制本實(shí)用新型,對(duì)于本領(lǐng) 域的技術(shù)人員來說,本實(shí)用新型可以有各種更改和變化。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之 內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求一種壓電揚(yáng)聲器,包括振膜和壓電片,所述振膜疊設(shè)在所述壓電片的背面,其特征在于所述壓電揚(yáng)聲器進(jìn)一步包括折環(huán),所述折環(huán)分別設(shè)置在所述壓電片的相對(duì)邊緣處。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電揚(yáng)聲器,其特征在于所述壓電片為矩形,所述折環(huán)設(shè)置 在所述壓電片的正面長(zhǎng)邊。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的壓電揚(yáng)聲器,其特征在于所述折環(huán)分別設(shè)置在所述壓電片 的二相對(duì)長(zhǎng)邊。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的壓電揚(yáng)聲器,其特征在于所述折環(huán)為長(zhǎng)條形結(jié)構(gòu),其包括平 坦底部和突出結(jié)構(gòu),所述突出結(jié)構(gòu)為弧形,并沿著所述折環(huán)的長(zhǎng)邊方向延伸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電揚(yáng)聲器,其特征在于所述壓電片為陶瓷壓電片。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的壓電揚(yáng)聲器,其特征在于進(jìn)一步包括第一框架和第二框架, 所述第一框架和第二框架配合夾持所述振膜、所述壓電片和所述折環(huán)的平坦底部。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種壓電揚(yáng)聲器。所述壓電揚(yáng)聲器包括振膜、壓電片和折環(huán),所述振膜疊設(shè)在所述壓電片的背面,所述折環(huán)分別設(shè)置在所述壓電片的相對(duì)邊緣處。本實(shí)用新型的壓電揚(yáng)聲器具有低頻工作頻率較低的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H04R17/00GK201657306SQ201020156780
公開日2010年11月24日 申請(qǐng)日期2010年4月6日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月6日
發(fā)明者嚴(yán)緒東 申請(qǐng)人:瑞聲光電科技(常州)有限公司;瑞聲聲學(xué)科技(深圳)有限公司