專利名稱：下行導(dǎo)頻時隙的定位方法和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及TD-SCDMA移動通信系統(tǒng)，具體涉及一種下行導(dǎo)頻時隙的定位方法和系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
目前，時分同步碼分多址TD-SCDMA移動通信系統(tǒng)中，小區(qū)搜索過程中，一般先進行粗同步對下行導(dǎo)頻時隙DwPTS的位置進行定位，然后再根據(jù)DwPTS的位置進行后續(xù)的小區(qū)搜索過程。TD-SCDMA的幀結(jié)構(gòu)如圖1所示，幀結(jié)構(gòu)中的三個特殊時隙的結(jié)構(gòu)如圖2所示。從圖1和圖2可以看出，DwPTS開始包含32個chips的保護間隔，后面也有很長的保護間隔。TD-SCDMA小區(qū)搜索中DwPTS定位方法的基本原理是利用接收信號的功率形狀來搜索DwPTS的大致位置。在TD-SCDMA的幀結(jié)構(gòu)中，SYNC_DL的左邊有32chips的GP，右邊有96chips的GP，SYNC_DL本身為64chips。由于GP的功率很小，故從接收功率的時間分布上看，與GP相比SYNC_DL段的功率較大，利用此特點就可以判斷出一幀中DwPTS的大致位置。目前已有的方法是利用Sync_DL碼兩邊窗口各存在的32GP數(shù)據(jù)功率的和，與中間 Sync_DL的功率得到一組比值，然后從這組比值找到比值最大的位置就為DwPTS的位置。但是，現(xiàn)有技術(shù)的TD-SCDMA小區(qū)搜索中DwPTS定位方法，定位成功的概率較低，延長了小區(qū)搜索的時間。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明在于提供一種下行導(dǎo)頻時隙定位方法和系統(tǒng)，以解決現(xiàn)有技術(shù)存在的定位成功的概率較低，小區(qū)搜索時間長的問題，技術(shù)方案如下一種下行導(dǎo)頻時隙的定位方法，包括采用固定長度的功率特征窗在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)，以預(yù)設(shè)步長移動，得到相應(yīng)數(shù)量的功率特征窗；計算所述功率特征窗兩邊相同預(yù)設(shè)長度功率的平方和與中間預(yù)設(shè)長度功率的平方的比值；根據(jù)所述計算得到的比值，確定下行導(dǎo)頻時隙所在的位置。優(yōu)選的，上述方法中，還包括依據(jù)所述確定的下行導(dǎo)頻時隙的位置，進行小區(qū)搜索。優(yōu)選的，上述方法中，所述根據(jù)所述計算得到的比值，確定下行導(dǎo)頻時隙所在的位置，具體包括從所述計算得到的比值中選擇最大的比值，將該最大比值對應(yīng)的功率特征窗的起始位置作為下行導(dǎo)頻時隙的起始位置。優(yōu)選的，上述方法中，所述預(yù)設(shè)范圍為一幀信號的長度加上一個功率特征窗的長度。優(yōu)選的，上述方法中，所述一幀信號的長度為6400chips ；所述功率特征窗的長度為128chips ；所述功率特征窗兩邊相同預(yù)設(shè)長度為32chips ；所述功率特征窗中間預(yù)設(shè)長度為 64chips。一種下行導(dǎo)頻時隙的定位系統(tǒng)，包括特征窗移位單元，用于采用固定長度的功率特征窗在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)，以預(yù)設(shè)步長移動，得到相應(yīng)數(shù)量的功率特征窗；比值計算單元，用于計算所述功率特征窗兩邊相同預(yù)設(shè)長度功率的平方和與中間預(yù)設(shè)長度功率的平方的比值；定位單元，用于根據(jù)所述計算得到的比值，確定下行導(dǎo)頻時隙所在的位置。優(yōu)選的，上述系統(tǒng)中，還包括小區(qū)搜索單元，用于依據(jù)所述確定的下行導(dǎo)頻時隙的位置，進行小區(qū)搜索。優(yōu)選的，上述系統(tǒng)中，所述定位單元根據(jù)所述計算得到的比值，確定下行導(dǎo)頻時隙所在的位置，具體包括從所述計算得到的比值中選擇最大的比值，將該最大比值對應(yīng)的功率特征窗的起始位置作為下行導(dǎo)頻時隙的起始位置。優(yōu)選的，上述系統(tǒng)中，所述預(yù)設(shè)范圍為一幀信號的長度加上一個功率特征窗的長度。優(yōu)選的，上述系統(tǒng)中，所述一幀信號的長度為6400chips ；所述功率特征窗的長度為128chips ；所述功率特征窗兩邊相同預(yù)設(shè)長度為32chips ；所述功率特征窗中間預(yù)設(shè)長度為 64chips。從以上技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明提供的TD-SCDMA小區(qū)搜索中，下行導(dǎo)頻時隙的定位方法，根據(jù)功率特征窗兩邊相同預(yù)設(shè)長度功率的平方和與中間預(yù)設(shè)長度功率的平方的比值，來確定下行導(dǎo)頻時隙的位置，仿真實驗的結(jié)果表明，可以有效提高下行導(dǎo)頻時隙定位的成功率，從而可以縮短小區(qū)搜索時間。


為了更清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，下面將對本發(fā)明描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為TD-SCDMA的幀結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為TD-SCDMA幀中三個特殊時隙的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明提供的下行導(dǎo)頻時隙定位方法的流程圖；圖4為本發(fā)明實施例提供的一種下行導(dǎo)頻時隙定位方法的流程圖；圖5為本發(fā)明實施例提供的一種下行導(dǎo)頻時隙定位系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明實施例提供的另一種下行導(dǎo)頻時隙定位系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式本發(fā)明實施例從改進特征窗算法的角度，對現(xiàn)有技術(shù)的下行導(dǎo)頻時隙定位方法進行改進。具體的，本發(fā)明實施例利用功率特征窗兩邊相同預(yù)設(shè)長度功率的平方和與中間預(yù)設(shè)長度功率的平方的比值，來確定DwPTS的粗略位置。申請人利用本發(fā)明的方法進行了大量的仿真實驗，結(jié)果表明，本發(fā)明可以有效提高DwPTS定位的成功率，從而能夠提高DwPTS 定位的效率，縮短小區(qū)搜索的時間。下面將結(jié)合說明書附圖對本發(fā)明實施例提供的下行導(dǎo)頻時隙定位方法進行詳細說明。參見圖3所示，本發(fā)明實施例提供的下行導(dǎo)頻時隙定位方法，可以包括以下步驟S301，采用固定長度的功率特征窗在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)，以預(yù)設(shè)步長移動，得到相應(yīng)數(shù)量的功率特征窗。本發(fā)明實施例利用接收信號的功率形狀來搜索DwPTS的位置。首先，采用固定長度的功率特征窗在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)，以預(yù)設(shè)步長M移動，得到相應(yīng)數(shù)量的功率特征窗。其中，所述預(yù)設(shè)范圍為略大于一幀信號長度的一個范圍，具體可以為一幀信號的長度與一個功率特征窗的長度的和。實際應(yīng)用當中，信號的幀長為6400chips ；由于下行導(dǎo)頻時隙的長度一般為USchips，因此功率特征窗的長度選為USchips，那么所述預(yù)設(shè)范圍就是 6528chips。實際應(yīng)用當中，所述預(yù)設(shè)步長采用Ichips到khips的一個整數(shù)值，移位得到的功率特征窗的數(shù)量為信號的幀長除以預(yù)設(shè)的步長值?？梢岳斫獾氖?，步長越短，得到功率特征窗的數(shù)量也越多。S302，計算所述功率特征窗兩邊相同預(yù)設(shè)長度功率的平方和與中間預(yù)設(shè)長度功率的平方的比值。對于移位得到各個功率特征窗，計算窗內(nèi)兩邊相同預(yù)設(shè)長度功率的平方和與中間預(yù)設(shè)長度功率的平方的比值。實際應(yīng)用中，功率特征窗的長度選用USchips ；所述功率特征窗兩邊相同預(yù)設(shè)長度為32chips ；所述功率特征窗中間預(yù)設(shè)長度為64chips。其中，中間64chips與DwPTS的Sync_DL段相對應(yīng)；兩邊各32chips與DwPTS的 Sync_DL段兩邊的GP相對應(yīng)。S303，根據(jù)所述計算得到的比值，確定下行導(dǎo)頻時隙所在的位置。計算出各個特征窗兩邊各32chips功率的平方和與中間64chips功率的平方的比值后，根據(jù)所述計算得到的比值，確定DwPTS所在的位置。在本發(fā)明提供的下行導(dǎo)頻時隙定位方法的一個實施例中，進一步的，還可以包括步驟Al 依據(jù)所述確定的下行導(dǎo)頻時隙的位置，進行小區(qū)搜索。即是利用S303中確定的DwPTS位置，后續(xù)在小區(qū)搜索的過程中提高找到DwPTS位置的成功率，提高小區(qū)搜索成功的概率，也能夠相應(yīng)地縮短小區(qū)搜索的時間。在本發(fā)明提供的下行導(dǎo)頻時隙定位方法的一個實施例中，S303具體可以包括從所述計算得到的比值中選擇最大的比值，將該最大比值對應(yīng)的功率特征窗的起始位置作為下行導(dǎo)頻時隙的起始位置。如圖4所示，在本發(fā)明提供的下行導(dǎo)頻時隙定位方法的一個實施例中，可以包括以下步驟S401，采用固定長度的功率特征窗在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)，以預(yù)設(shè)步長移動，得到相應(yīng)數(shù)量的功率特征窗。在本實施例中，信號的幀長為6400chips ；功率特征窗的長度為U8chips，所述預(yù)設(shè)范圍就為 6528 (6400+1 ) chips。S402，將所述預(yù)設(shè)范圍內(nèi)的數(shù)據(jù)作為源數(shù)據(jù)，設(shè)置下行導(dǎo)頻時隙初始位置 DwPTSIoc的值，特征窗移位初始位置的Ioc值，功率特征窗兩邊相同預(yù)設(shè)長度功率的平方和與中間預(yù)設(shè)長度功率的平方的比值R的初始值。將一幀數(shù)據(jù)的長度和一個功率特征窗長度的和作為源數(shù)據(jù)，即將長度為 6528 (6400+128) chips的數(shù)據(jù)作為源數(shù)據(jù)，標記為FrameData ；設(shè)置行導(dǎo)頻時隙初始位置 DWPTSIoc的值為1 ；設(shè)置特征窗移位初始位置的Ioc值為1 ；設(shè)置功率特征窗兩邊相同預(yù)設(shè)長度功率的平方和與中間預(yù)設(shè)長度功率的平方的比值R的初始值為O。例如在本實施例中， 設(shè)置功率特征窗兩邊各32chips功率的平方和與中間64chips功率的平方和的比值R的初始值為O。S403，按照功率特征窗移位的順序，依次計算各功率特征窗兩邊相同預(yù)設(shè)長度功率的平方和與中間預(yù)設(shè)長度功率的平方的比值。本實施例中，按照功率特征窗移位的順序，取[FrameData(I0c), FrameData (loc+Ι)，...，F(xiàn)rameData (loc+127)]數(shù)據(jù)作為 Data，帶入以下公式
96Klcc - -128計算各功率特征窗兩邊各32chips功率的平方和與中間64chips功率的平方和的比值。S404,依次將各個比值與所述R初始值作比較，如果所述比值大于所述R初始值， 則將所述R初始值用該比值代替，且下行導(dǎo)頻時隙初始位置DwPTSloc的值用該功率特征窗的Ioc值代替。將計算得到的各個比值，依次與R初始值作比較，如果大于R的初始值，則用該比值札。。取代R初始值，且下行導(dǎo)頻時隙初始位置DwPTSloc的值用該功率特的Ioc值代替。S405，將所述Ioc的值設(shè)置為loc+M，進入S402，循環(huán)次數(shù)為所述預(yù)設(shè)范圍數(shù)據(jù)的長度與預(yù)設(shè)步長M的商，最后得到最大的比值對應(yīng)的DwPTS位置loc，以定位下行導(dǎo)頻時隙。S406，依據(jù)所述確定的下行導(dǎo)頻時隙的位置，進行小區(qū)搜索。為了驗證本發(fā)明的有益效果，申請人利用本發(fā)明實施例所公布的方法，取步長值M 為1，在AWGN和CASE3進行了與現(xiàn)有技術(shù)的性能對比，仿真結(jié)果如下AffGN下不同的Ior/Ioc下的成功率
Ior/Ioc(dB)本發(fā)明粗同步的成功率原算法粗同步成功率010%8%
權(quán)利要求
1.一種下行導(dǎo)頻時隙的定位方法，其特征在于，包括采用固定長度的功率特征窗在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)，以預(yù)設(shè)步長移動，得到相應(yīng)數(shù)量的功率特征窗；計算所述功率特征窗兩邊相同預(yù)設(shè)長度功率的平方和與中間預(yù)設(shè)長度功率的平方的比值；根據(jù)所述計算得到的比值，確定下行導(dǎo)頻時隙所在的位置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括依據(jù)所述確定的下行導(dǎo)頻時隙的位置，進行小區(qū)搜索。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述計算得到的比值，確定下行導(dǎo)頻時隙所在的位置，具體包括從所述計算得到的比值中選擇最大的比值，將該最大比值對應(yīng)的功率特征窗的起始位置作為下行導(dǎo)頻時隙的起始位置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)范圍為一幀信號的長度加上一個功率特征窗的長度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述一幀信號的長度為6400chips；所述功率特征窗的長度為128chips ；所述功率特征窗兩邊相同預(yù)設(shè)長度為32chips ；所述功率特征窗中間預(yù)設(shè)長度為64chips。
6.一種下行導(dǎo)頻時隙的定位系統(tǒng)，其特征在于，包括特征窗移位單元，用于采用固定長度的功率特征窗在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)，以預(yù)設(shè)步長移動，得到相應(yīng)數(shù)量的功率特征窗；比值計算單元，用于計算所述功率特征窗兩邊相同預(yù)設(shè)長度功率的平方和與中間預(yù)設(shè)長度功率的平方的比值；定位單元，用于根據(jù)所述計算得到的比值，確定下行導(dǎo)頻時隙所在的位置。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其特征在于，還包括小區(qū)搜索單元，用于依據(jù)所述確定的下行導(dǎo)頻時隙的位置，進行小區(qū)搜索。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述定位單元根據(jù)所述計算得到的比值，確定下行導(dǎo)頻時隙所在的位置，具體包括從所述計算得到的比值中選擇最大的比值，將該最大比值對應(yīng)的功率特征窗的起始位置作為下行導(dǎo)頻時隙的起始位置。
9.跟據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述預(yù)設(shè)范圍為一幀信號的長度加上一個功率特征窗的長度。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述一幀信號的長度為6400chips；所述功率特征窗的長度為128chips ；所述功率特征窗兩邊相同預(yù)設(shè)長度為32chips ；所述功率特征窗中間預(yù)設(shè)長度為64chips。
全文摘要
本發(fā)明公開一種下行導(dǎo)頻時隙定位方法和系統(tǒng)，包括采用固定長度的功率特征窗在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)，以預(yù)設(shè)步長移動，得到相應(yīng)數(shù)量的功率特征窗；計算所述功率特征窗兩邊相同預(yù)設(shè)長度功率的平方和與中間預(yù)設(shè)長度功率的平方的比值；根據(jù)所述計算得到的比值，確定下行導(dǎo)頻時隙所在的位置。本發(fā)明根據(jù)功率特征窗兩邊相同預(yù)設(shè)長度功率的平方和與中間預(yù)設(shè)長度功率的平方的比值，來定位下行導(dǎo)頻時隙的位置，仿真實驗的結(jié)果表明，可以有效提高定位的成功率。
文檔編號H04J3/06GK102412864SQ20101029252
公開日2012年4月11日 申請日期2010年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月20日
發(fā)明者高寶貴 申請人:聯(lián)芯科技有限公司