專利名稱：差分四相相移鍵控發(fā)送機(jī)的驅(qū)動(dòng)幅度控制裝置及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通信設(shè)備，特別涉及一種差分四相相移4建控發(fā)送機(jī)的驅(qū)動(dòng)幅度控制裝置及方法。
背景技術(shù)：
在光通訊中應(yīng)用了很多新的調(diào)制技術(shù)，例如DPSK (Diffential Phase ShiftKeying,差分相移4建控)、DQPSK (Differential Quadrature Phase Shift Keying,差分四相相移4建控)等，而DQPSK編碼更因其可以降^f氐對(duì)于電器件速率、色散和PMD( Polarization Mode Dispersion,偏振模色散)的要求，在40G光通訊系統(tǒng)中占據(jù)重要地位。DQPSK發(fā)射機(jī)利用MZM ( Mach-Zender Modulator ，馬赫-曾德調(diào)制器)調(diào)制產(chǎn)生NRZ-DQPSK ( Non-Retum-to-Zero-DQPSK，不歸零-DQPSK)信號(hào)時(shí)，受驅(qū)動(dòng)器幅度變化的影響比NRZ-DPSK大很多。
圖1為調(diào)制驅(qū)動(dòng)幅度的影響示意圖，其中，圖IA為OSNR ( Optical SignalNoise Ratio,光信噪比)容限曲線示意圖，圖IB為色散容限曲線利用仿真示意圖，在不同光濾波帶寬(37.5GHz和75GHz)下OSNR容限和背靠背2dBOSNR代價(jià)色散容限隨調(diào)制驅(qū)動(dòng)幅度變化的曲線如圖1所示
從圖l中可以看出，當(dāng)驅(qū)動(dòng)幅度小于Vpi時(shí)，兩種光濾波帶寬(37.5GHz和75GHz)下隨著幅度的減小OSNR容限和2dB OSNR代價(jià)色散容限都迅速增大，當(dāng)幅度減小到0.5Vpi時(shí)相比Vpi帶來的OSNR代價(jià)超過4dB，遠(yuǎn)大于NRZ-DPSK的情況。當(dāng)驅(qū)動(dòng)器幅度大于Vpi時(shí)，兩種光濾波帶寬(37.5GHz和75GHz )下隨著幅度的增大OSNR容限和2dB OSNR代價(jià)色散容限先保持平穩(wěn)、然后迅速增大，但增大的速度比幅度減小時(shí)慢，當(dāng)幅度增大到1.5Vpi時(shí)相比Vpi帶來的OSNR代價(jià)接近2dB，遠(yuǎn)大于NRZ-DPSK的情況。驅(qū)動(dòng)幅度變化對(duì)NRZ-DQPSK性能的影響比較大，當(dāng)幅度為l.lVpi時(shí)雖然色散容限最小，但其OSNR性能最好；對(duì)于40Gb/s速率的NRZ-DQPSK系統(tǒng)，更關(guān)注優(yōu)越的OSNR性能，因此，取最佳驅(qū)動(dòng)器幅度為UVpi。所以，驅(qū)動(dòng)器幅度的穩(wěn)定性對(duì)于NRZ-DQPSK發(fā)射機(jī)的OSNR性能起著很大的影響，需要進(jìn)行驅(qū)動(dòng)器幅度的嚴(yán)格控制。
圖2為DQPSK發(fā)射機(jī)反饋控制裝置結(jié)構(gòu)框示意圖，圖中，CW表示未加調(diào)制信號(hào)的連續(xù)光譜光源，驅(qū)動(dòng)器I和驅(qū)動(dòng)器Q表示DQPSK調(diào)制器的上下兩個(gè)馬赫-曾德調(diào)制器的驅(qū)動(dòng)器，Biasl、 Bias2、 Bias3是偏置點(diǎn)l、偏置點(diǎn)2、偏置點(diǎn)3。如圖所示，CW發(fā)出的光經(jīng)過DQPSK調(diào)制器調(diào)制產(chǎn)生已經(jīng)調(diào)制的光信號(hào)發(fā)出，其中將經(jīng)調(diào)制的光信號(hào)分一部分用于進(jìn)行調(diào)制器、驅(qū)動(dòng)器I和驅(qū)動(dòng)器Q的狀態(tài)控制。
現(xiàn)有技術(shù)的不足在于由于DQPSK發(fā)射機(jī)需要對(duì)調(diào)制器的三個(gè)偏置點(diǎn)進(jìn)行控制，控制電路已經(jīng)比較復(fù)雜，如果用傳統(tǒng)的加導(dǎo)頻的方法并且通過時(shí)分復(fù)用的方式進(jìn)行驅(qū)動(dòng)器幅度控制，控制回路就會(huì)非常龐大，同時(shí)加導(dǎo)頻信號(hào)會(huì)引入一定的OSNR代-階。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所解決的技術(shù)問題在于提供了一種差分四相相移鍵控發(fā)送機(jī)的驅(qū)動(dòng)幅度控制裝置及方法。
本發(fā)明實(shí)施例中提供了 一種DQPSK發(fā)送機(jī)的驅(qū)動(dòng)幅度控制裝置，包括第一偏置點(diǎn)、第二偏置點(diǎn)、第三偏置點(diǎn)、驅(qū)動(dòng)器I、驅(qū)動(dòng)器Q、對(duì)CW發(fā)出的光信號(hào)進(jìn)行調(diào)制的DQPSK調(diào)制器，還包括
調(diào)制器反饋控制單元，與第一偏置點(diǎn)、第二偏置點(diǎn)、第三偏置點(diǎn)相連，用于根據(jù)DQPSK調(diào)制器調(diào)制后的光信號(hào)的 一部分對(duì)第 一偏置點(diǎn)、第二偏置點(diǎn)、第三偏置點(diǎn)進(jìn)行控制；
驅(qū)動(dòng)器I反饋控制單元，與驅(qū)動(dòng)器I相連，用于根據(jù)驅(qū)動(dòng)器I的溫度變化對(duì)驅(qū)動(dòng)器i的驅(qū)動(dòng)幅度進(jìn)行控制；
驅(qū)動(dòng)器q反4貴控制單元，與驅(qū)動(dòng)器q相連，用于沖艮據(jù)驅(qū)動(dòng)器q的溫度變化對(duì)驅(qū)動(dòng)器q的驅(qū)動(dòng)幅度進(jìn)行控制。
本發(fā)明實(shí)施例中提供了 一種dqpsk發(fā)送機(jī)的驅(qū)動(dòng)幅度控制方法，包括如下步驟
dqpsk調(diào)制器對(duì)cw發(fā)出的光信號(hào)進(jìn)行調(diào)制；
調(diào)制器反饋控制單元與第一偏置點(diǎn)、第二偏置點(diǎn)、第三偏置點(diǎn)相連，并根據(jù)dqpsk調(diào)制器調(diào)制后的光信號(hào)的一部分對(duì)第一偏置點(diǎn)、第二偏置點(diǎn)、第三偏置點(diǎn)進(jìn)行控制；
根據(jù)驅(qū)動(dòng)器i的溫度變化對(duì)驅(qū)動(dòng)器i的驅(qū)動(dòng)幅度進(jìn)行控制；根據(jù)驅(qū)動(dòng)器q的溫度變化對(duì)驅(qū)動(dòng)器q的驅(qū)動(dòng)幅度進(jìn)行控制。
本發(fā)明有益效果如下
本發(fā)明實(shí)施中，由于調(diào)制器反饋控制單元與第一偏置點(diǎn)、第二偏置點(diǎn)、第三偏置點(diǎn)相連，根據(jù)dqpsk調(diào)制器調(diào)制后的光信號(hào)的一部分對(duì)第一偏置點(diǎn)、第二偏置點(diǎn)、第三偏置點(diǎn)進(jìn)行控制；但是，其不再將經(jīng)調(diào)制的光信號(hào)分一部分用于進(jìn)行驅(qū)動(dòng)器i和驅(qū)動(dòng)器q的狀態(tài)控制；同時(shí)，根據(jù)驅(qū)動(dòng)器i、驅(qū)動(dòng)器q的溫度變化對(duì)驅(qū)動(dòng)器i的驅(qū)動(dòng)幅度進(jìn)行控制，而不是由調(diào)制器反饋控制單元進(jìn)行控制，從而使驅(qū)動(dòng)器幅度控制回路與dqpsk調(diào)制器的反饋控制剝離開，并通過驅(qū)動(dòng)器的溫度變化對(duì)驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)幅度進(jìn)行控制。因此，與現(xiàn)有技術(shù)相比，可以簡(jiǎn)化dqpsk發(fā)射機(jī)的控制回路的復(fù)雜程度。并且不需要在驅(qū)動(dòng)器的幅度上加導(dǎo)頻信號(hào)，從而不會(huì)產(chǎn)生多余的osnr代價(jià)。


圖1為背景技術(shù)中調(diào)制驅(qū)動(dòng)幅度的影響示意圖，其中圖1a為0snr容限曲線示意圖，圖1b為色散容限曲線利用仿真示意圖2為背景技術(shù)中dqpsk發(fā)射機(jī)反饋控制裝置結(jié)構(gòu)框示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例中DQPSK發(fā)送機(jī)的驅(qū)動(dòng)幅度控制裝置結(jié)構(gòu)示意圖4為本發(fā)明實(shí)施例中直接補(bǔ)償方式下的驅(qū)動(dòng)器反饋控制示意圖5為本發(fā)明實(shí)施例中直接補(bǔ)償方式下的溫度補(bǔ)償曲線示意圖6為本發(fā)明實(shí)施例中間接補(bǔ)償方式下的驅(qū)動(dòng)器反饋控制示意圖7為本發(fā)明實(shí)施例中DQPSK發(fā)送機(jī)的驅(qū)動(dòng)幅度控制方法實(shí)施流程示意圖。
具體實(shí)施例方式
由于DQPSK發(fā)射機(jī)需要對(duì)調(diào)制器的三個(gè)偏置點(diǎn)進(jìn)行控制，控制電路已經(jīng)比較復(fù)雜，如果用傳統(tǒng)的加導(dǎo)頻的方法并且通過時(shí)分復(fù)用的方式進(jìn)行驅(qū)動(dòng)器幅度控制，控制回路就會(huì)非常龐大，同時(shí)加導(dǎo)頻信號(hào)會(huì)引入一定的OSNR代價(jià)。因此，本發(fā)明實(shí)施例中提供了一種新的驅(qū)動(dòng)幅度監(jiān)測(cè)和控制技術(shù)，用于簡(jiǎn)化DQPSK光模塊發(fā)送機(jī)的多個(gè)相互耦合的控制回路，剝離原有的驅(qū)動(dòng)器幅度控制需要利用調(diào)制器進(jìn)行反饋的方式，而只需要通過驅(qū)動(dòng)器自身的某些信號(hào)作為反饋信號(hào)進(jìn)行幅度控制。下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
進(jìn)行說明。
圖3為DQPSK發(fā)送機(jī)的驅(qū)動(dòng)幅度控制裝置結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示，裝置中包括第一偏置點(diǎn)Biasl、第二偏置點(diǎn)Bias2、第三偏置點(diǎn)Bias3、驅(qū)動(dòng)器I、驅(qū)動(dòng)器Q、對(duì)CW發(fā)出的光信號(hào)進(jìn)行調(diào)制的DQPSK調(diào)制器，裝置中還包括
調(diào)制器反々貴控制單元，與第一偏置點(diǎn)、第二偏置點(diǎn)、第三偏置點(diǎn)相連，用于根據(jù)DQPSK調(diào)制器調(diào)制后的光信號(hào)的一部分對(duì)第一偏置點(diǎn)、第二偏置點(diǎn)、第三偏置點(diǎn)進(jìn)行控制；
驅(qū)動(dòng)器I反饋控制單元，與驅(qū)動(dòng)器I相連，用于根據(jù)驅(qū)動(dòng)器I的溫度變化對(duì)驅(qū)動(dòng)器I的驅(qū)動(dòng)幅度進(jìn)行控制；
驅(qū)動(dòng)器Q反饋控制單元，與驅(qū)動(dòng)器Q相連，用于根據(jù)驅(qū)動(dòng)器Q的溫度變化對(duì)驅(qū)動(dòng)器Q的驅(qū)動(dòng)幅度進(jìn)行控制。
由上述方案可見，調(diào)制器反^t控制單元不再將經(jīng)調(diào)制的光信號(hào)分一部分用于進(jìn)行驅(qū)動(dòng)器I和驅(qū)動(dòng)器Q的狀態(tài)控制，驅(qū)動(dòng)器幅度控制回路是與DQPSK調(diào)制器的反饋控制剝離開了，而是通過其他的反饋信號(hào)用于驅(qū)動(dòng)器幅度控制，即根據(jù)驅(qū)動(dòng)器的溫度變化對(duì)驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)幅度進(jìn)行控制。
實(shí)施中，考慮到現(xiàn)有的信號(hào)帶寬高達(dá)30-40GHz的高速驅(qū)動(dòng)器幾乎都是利用多極FET (field effect transistor,場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管)放大器串聯(lián)的結(jié)構(gòu)，其放大器的增益會(huì)隨溫度的變化而變化，這樣會(huì)導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)器幅度的變化。因此下面將給出不同的利用溫度進(jìn)行驅(qū)動(dòng)器幅度控制的實(shí)例。
實(shí)施例一
圖4為直接補(bǔ)償方式下的驅(qū)動(dòng)器反饋控制示意圖，圖中該驅(qū)動(dòng)器有三級(jí)，每一級(jí)可以認(rèn)為是一個(gè)MOSFET (MetalOxide Semicoductor Field EffectTransistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)，VD3是第三級(jí)的MOSFET的漏極電壓，VD2是第二級(jí)的MOSFET的漏極電壓、VD1是第一級(jí)的MOSFET的漏極電壓。
DC-DC是開關(guān)電源變化器，Vin是該DC-DC電源轉(zhuǎn)化的輸入電壓。
TEMP SENSOR是溫度傳感器。
VG是MOSFET的門極電壓。
ADC是才莫-數(shù)轉(zhuǎn)才灸器(Analog to Digital Converter )。
則如圖所示，在直接補(bǔ)償方式下，此類驅(qū)動(dòng)器的幅度與VD3相關(guān)，因此可以通過利用溫度傳感器檢測(cè)驅(qū)動(dòng)器的溫度，然后利用溫度補(bǔ)償算法來改變DC-DC的反饋網(wǎng)絡(luò)，從而改變VD3的值，保證驅(qū)動(dòng)器的幅度不變。驅(qū)動(dòng)器I和驅(qū)動(dòng)器Q可以獨(dú)立的利用此溫度控制回路進(jìn)行幅度控制。調(diào)制器反饋控制單元可以是任何控制方式，不會(huì)對(duì)驅(qū)動(dòng)器控制回路產(chǎn)生影響。
圖5為直接補(bǔ)償方式下的溫度補(bǔ)償曲線示意圖，圖中EYE一AMP是驅(qū)動(dòng)器輸出信號(hào)的幅度，C是攝氏溫度，VD是驅(qū)動(dòng)器MOSFET的漏極電壓。如圖所示，可以利用該溫度補(bǔ)償曲線來改變DC-DC的反饋網(wǎng)絡(luò)，即，可以根據(jù)驅(qū)動(dòng)器輸出信號(hào)的幅度與驅(qū)動(dòng)器MOSFET的漏極電壓獲取溫度補(bǔ)償曲線，并將其
9用于溫度的補(bǔ)償。
由上述實(shí)施例可見，在具體實(shí)施中，對(duì)于驅(qū)動(dòng)器I和/或驅(qū)動(dòng)器Q的控制
而言，可以如下
驅(qū)動(dòng)器I反饋控制單元可以包括
第一溫度傳感器，與驅(qū)動(dòng)器I相連，用于檢測(cè)驅(qū)動(dòng)器I的溫度變化；第一直接補(bǔ)償模塊，用于根據(jù)驅(qū)動(dòng)器I的溫度變化按溫度補(bǔ)償曲線進(jìn)行補(bǔ)
償后反饋至開關(guān)電源變化器DC-DC,用以控制第三級(jí)的MOSFET的漏才及電壓
VD3的變4t。
驅(qū)動(dòng)器Q反饋控制單元可以包括
第二溫度傳感器，與驅(qū)動(dòng)器Q相連，用于檢測(cè)驅(qū)動(dòng)器Q的溫度變化；第二直接補(bǔ)償模塊，用于根據(jù)驅(qū)動(dòng)器Q的溫度變化按溫度補(bǔ)償曲線進(jìn)行補(bǔ)
償后反饋至開關(guān)電源變化器DC-DC，用以控制第三級(jí)的MOSFET的漏才及電壓
VD3的變化。實(shí)施例二
圖6為間接補(bǔ)償方式下的驅(qū)動(dòng)器反饋控制示意圖，圖中的該驅(qū)動(dòng)器有三級(jí)，VD3是第三級(jí)的MOSFET的漏極電壓，VD2是第二級(jí)的MOSFET的漏極電壓、VD1是第一級(jí)的MOSFET的漏極電壓。
DC-DC是開關(guān)電源變化器，Vin是該DC-DC電源轉(zhuǎn)化的輸入電壓。
Current Monitor是電流才企測(cè)器。
VG是MOSFET的門極電壓。
ADC是才莫-數(shù)轉(zhuǎn)換器(Analog to Digital Converter )。
則如圖所示，在間接補(bǔ)償方式下，如果驅(qū)動(dòng)器的幅度受溫度的影響而發(fā)生改變，器件中另外一個(gè)信號(hào)流過VD3的電流會(huì)發(fā)生變化，故可以通過檢測(cè)VD3的電流是否變化間接地檢測(cè)了驅(qū)動(dòng)器的幅度是否發(fā)生了變化。若檢測(cè)到電流的變化則可以通過改變VG的電壓來修正VD3的電流，保證VD3的電流不變，從而對(duì)驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行了幅度控制。驅(qū)動(dòng)器I和驅(qū)動(dòng)器Q可以獨(dú)立的利用此溫度控制回路進(jìn)行幅度控制。調(diào)制器反饋控制單元可以是任何控制方式，不會(huì)對(duì)驅(qū)動(dòng)器控制回路產(chǎn)生影響。
由上述實(shí)施例可見，在具體實(shí)施中，對(duì)于驅(qū)動(dòng)器I和/或驅(qū)動(dòng)器Q的控制
而言，可以》口下
驅(qū)動(dòng)器I反饋控制單元可以包括
第一電流檢測(cè)模塊，與驅(qū)動(dòng)器I的VD3相連，用于檢測(cè)驅(qū)動(dòng)器I的VD3的電流變化；
第一間接補(bǔ)償模塊，用于根據(jù)驅(qū)動(dòng)器I的VD3電流變化控制第三級(jí)的MOSFET的門極電壓VG3的電壓變化，并通過控制VG3的電壓變化用以控制第三級(jí)的MOSFET的漏極電壓VD3的電流變化。
驅(qū)動(dòng)器Q反^t控制單元可以包括
第二電流檢測(cè)模塊，與驅(qū)動(dòng)器Q的VD3相連，用于檢測(cè)驅(qū)動(dòng)器Q的VD3的電流變化；
第二間接補(bǔ)償模塊，用于根據(jù)驅(qū)動(dòng)器Q的VD3電流變化控制VG3的電壓變化，并通過控制VG3的電壓變化用以控制第三級(jí)的MOSFET的漏^L電壓VD3的電流變化。
上述實(shí)施方案中，直接補(bǔ)償方式的控制方式簡(jiǎn)單，只要知道驅(qū)動(dòng)器全溫度范圍內(nèi)的補(bǔ)償曲線就可以進(jìn)行反饋控制。間接補(bǔ)償方式的控制方式相對(duì)復(fù)雜，需要通過電流檢測(cè)的方式進(jìn)行反饋控制。但是控制精度要比直接補(bǔ)償方式高，能夠通過檢測(cè)電流的微小變化對(duì)幅度進(jìn)行控制。具體實(shí)施中可以根據(jù)不同的應(yīng)用場(chǎng)合應(yīng)用不同的控制方式。
在實(shí)施中分別以直接補(bǔ)償和間接補(bǔ)償為例進(jìn)行說明，但是，從理論上來說，用其它的方式也是可以的，只要是能夠根據(jù)驅(qū)動(dòng)器的溫度變化對(duì)驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)幅度進(jìn)行控制即可，直接補(bǔ)償和間接補(bǔ)償僅用于教導(dǎo)本領(lǐng)域技術(shù)人員具體如何實(shí)施本發(fā)明，但不意味僅能使用這兩種方式，實(shí)施過程中可以結(jié)合實(shí)踐需要來確定相應(yīng)的方式。基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例中還提供了一種DQPSK發(fā)送機(jī)的驅(qū)動(dòng)幅度控制方法，由于該方法解決問題的原理與DQPSK發(fā)送機(jī)的驅(qū)動(dòng)幅度控制裝置相似，因此該方法的實(shí)施可以參見裝置的實(shí)施，重復(fù)之處不再贅述。
圖7為DQPSK發(fā)送機(jī)的驅(qū)動(dòng)幅度控制方法實(shí)施流程示意圖，如圖所示，在進(jìn)行驅(qū)動(dòng)幅度控制時(shí)可以包括如下步驟
步驟701 、 DQPSK調(diào)制器對(duì)CW發(fā)出的光信號(hào)進(jìn)行調(diào)制；步驟702、調(diào)制器反饋控制單元與第一偏置點(diǎn)、第二偏置點(diǎn)、第三偏置點(diǎn)相連，并根據(jù)DQPSK調(diào)制器調(diào)制后的光信號(hào)的一部分對(duì)第一偏置點(diǎn)、第二偏置點(diǎn)、第三偏置點(diǎn)進(jìn)行控制；
步驟703、根據(jù)驅(qū)動(dòng)器I的溫度變化對(duì)驅(qū)動(dòng)器I的驅(qū)動(dòng)幅度進(jìn)行控制；步驟704、根據(jù)驅(qū)動(dòng)器Q的溫度變化對(duì)驅(qū)動(dòng)器Q的驅(qū)動(dòng)幅度進(jìn)行控制。實(shí)施中，步驟701、 702、 703之間并無必然的時(shí)序要求。實(shí)施中，根據(jù)驅(qū)動(dòng)器I的溫度變化對(duì)驅(qū)動(dòng)器I的驅(qū)動(dòng)幅度進(jìn)行控制，可以包括
檢測(cè)驅(qū)動(dòng)器I的溫度變化；
根據(jù)驅(qū)動(dòng)器i的溫度變化按溫度補(bǔ)償曲線進(jìn)行補(bǔ)償后反饋至開關(guān)電源變化器DC-DC,用以控制第三級(jí)的MOSFET的漏極電壓VD3的變化。
實(shí)施中，根據(jù)驅(qū)動(dòng)器Q的溫度變化對(duì)驅(qū)動(dòng)器Q的驅(qū)動(dòng)幅度進(jìn)行控制，可以包括
檢測(cè)驅(qū)動(dòng)器Q的溫度變化；
根據(jù)驅(qū)動(dòng)器Q的溫度變化按溫度補(bǔ)償曲線進(jìn)行補(bǔ)償后反饋至開關(guān)電源變化器DC-DC，用以控制第三級(jí)的MOSFET的漏極電壓VD3的變化。
實(shí)施中，溫度補(bǔ)償曲線可以根據(jù)驅(qū)動(dòng)器輸出信號(hào)的幅度與驅(qū)動(dòng)器MOSFET的漏極電壓獲取。
實(shí)施中，根據(jù)驅(qū)動(dòng)器I的溫度變化對(duì)驅(qū)動(dòng)器I的驅(qū)動(dòng)幅度進(jìn)行控制，可以包括檢測(cè)驅(qū)動(dòng)器I的VD3的電流變化；
根據(jù)驅(qū)動(dòng)器I的VD3電流變化控制第三級(jí)的MOSFET的門極電壓VG3的電壓變化，并通過控制VG3的電壓變化用以控制第三級(jí)的MOSFET的漏才及電壓VD3的電流變化。
實(shí)施中，根據(jù)驅(qū)動(dòng)器Q的溫度變化對(duì)驅(qū)動(dòng)器Q的驅(qū)動(dòng)幅度進(jìn)行控制，可以包括
檢測(cè)驅(qū)動(dòng)器Q的VD3的電流變化；
根據(jù)驅(qū)動(dòng)器Q的VD3電流變化控制VG3的電壓變化，并通過控制VG3的電壓變化用以控制第三級(jí)的MOSFET的漏極電壓VD3的電流變化。
由上述實(shí)施例可見，本發(fā)明實(shí)施例中所提供的技術(shù)方案中，由于調(diào)制器反饋控制單元用于控制DQPSK調(diào)制器的三個(gè)偏置點(diǎn)電壓；驅(qū)動(dòng)器反饋控制單元用于獨(dú)立控制驅(qū)動(dòng)器的幅度。與現(xiàn)有技術(shù)相比，可以簡(jiǎn)化DQPSK發(fā)射機(jī)的控制回路的復(fù)雜程度。此外，本發(fā)明不需要在驅(qū)動(dòng)器的幅度上加導(dǎo)頻信號(hào)，從而不會(huì)產(chǎn)生多余的OSNR代l介。
本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員應(yīng)明白，本發(fā)明的實(shí)施例可提供為方法、系統(tǒng)、或計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。因此，本發(fā)明可采用完全硬件實(shí)施例、完全專欠件實(shí)施例、或結(jié)
合軟件和硬件方面的實(shí)施例的形式。而且，本發(fā)明可采用在一個(gè)或多個(gè)其中包含有計(jì)算機(jī)可用程序代碼的計(jì)算機(jī)可用存儲(chǔ)介質(zhì)(包括但不限于磁盤存儲(chǔ)器、
CD-ROM、光學(xué)存儲(chǔ)器等)上實(shí)施的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的形式。
本發(fā)明是參照根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的方法、設(shè)備(系統(tǒng))、和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的流程圖和/或方框圖來描述的。應(yīng)理解可由計(jì)算機(jī)程序指令實(shí)現(xiàn)流程圖和/或方框圖中的每一流程和/或方框、以及流程圖和/或方框圖中的流程和/或方框的結(jié)合?？商峁┻@些計(jì)算機(jī)程序指令到通用計(jì)算機(jī)、專用計(jì)算機(jī)、嵌入式處理機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備的處理器以產(chǎn)生一個(gè)才幾器，使得通過計(jì)算機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備的處理器執(zhí)行的指令產(chǎn)生用于實(shí)現(xiàn)在流程圖一個(gè)流程或多個(gè)流程和/或方框圖一個(gè)方框或多個(gè)方框中指定的功能的裝置。這些計(jì)算機(jī)程序指令也可存儲(chǔ)在能引導(dǎo)計(jì)算機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備以特定方式工作的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)器中，使得存儲(chǔ)在該計(jì)算機(jī)可讀存〗諸器中的指令產(chǎn)生包括指令裝置的制造品，該指令裝置實(shí)現(xiàn)在流程圖一個(gè)流程或多個(gè)流程和/或方框圖 一個(gè)方框或多個(gè)方框中指定的功能。
這些計(jì)算機(jī)程序指令也可裝載到計(jì)算機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備上，4吏得在計(jì)算機(jī)或其他可編程設(shè)備上執(zhí)行一 系列操作步驟以產(chǎn)生計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的處理，從而在計(jì)算機(jī)或其他可編程設(shè)備上執(zhí)行的指令提供用于實(shí)現(xiàn)在流程圖一個(gè)流程或多個(gè)流程和/或方框圖一個(gè)方框或多個(gè)方框中指定的功能的步驟。
盡管已描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員 一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對(duì)這些實(shí)施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實(shí)施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。
顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種差分四相相移鍵控DQPSK發(fā)送機(jī)的驅(qū)動(dòng)幅度控制裝置，包括第一偏置點(diǎn)、第二偏置點(diǎn)、第三偏置點(diǎn)、驅(qū)動(dòng)器I、驅(qū)動(dòng)器Q、對(duì)未加調(diào)制信號(hào)的連續(xù)光譜光源CW發(fā)出的光信號(hào)進(jìn)行調(diào)制的DQPSK調(diào)制器，其特征在于，還包括調(diào)制器反饋控制單元，與第一偏置點(diǎn)、第二偏置點(diǎn)、第三偏置點(diǎn)相連，用于根據(jù)DQPSK調(diào)制器調(diào)制后的光信號(hào)的一部分對(duì)第一偏置點(diǎn)、第二偏置點(diǎn)、第三偏置點(diǎn)進(jìn)行控制；驅(qū)動(dòng)器I反饋控制單元，與驅(qū)動(dòng)器I相連，用于根據(jù)驅(qū)動(dòng)器I的溫度變化對(duì)驅(qū)動(dòng)器I的驅(qū)動(dòng)幅度進(jìn)行控制；驅(qū)動(dòng)器Q反饋控制單元，與驅(qū)動(dòng)器Q相連，用于根據(jù)驅(qū)動(dòng)器Q的溫度變化對(duì)驅(qū)動(dòng)器Q的驅(qū)動(dòng)幅度進(jìn)行控制。
2、 如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)器I反饋控制單元 包括第一溫度傳感器，與驅(qū)動(dòng)器I相連，用于檢測(cè)驅(qū)動(dòng)器I的溫度變化； 第一直接補(bǔ)償模塊，用于根據(jù)驅(qū)動(dòng)器I的溫度變化按溫度補(bǔ)償曲線進(jìn)行補(bǔ)償后反饋至開關(guān)電源變化器，用以控制第三級(jí)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET的漏4及電壓的變化。
3、 如權(quán)利要求l所述的裝置，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)器Q反饋控制單元 包括第二溫度傳感器，與驅(qū)動(dòng)器Q相連，用于檢測(cè)驅(qū)動(dòng)器Q的溫度變化； 第二直接補(bǔ)償模塊，用于根據(jù)驅(qū)動(dòng)器Q的溫度變化按溫度補(bǔ)償曲線進(jìn)行補(bǔ) 償后反饋至開關(guān)電源變化器，用以控制第三級(jí)的MOSFET的漏極電壓的變化。
4、 如權(quán)利要求2或3所述的裝置，其特征在于，所述溫度補(bǔ)償曲線根據(jù) 驅(qū)動(dòng)器輸出信號(hào)的幅度與驅(qū)動(dòng)器MOSFET的漏極電壓獲取。
5、 如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)器I反饋控制單元包括第一電流檢測(cè)模塊，與驅(qū)動(dòng)器I的第三級(jí)的MOSFET的漏極電壓相連，用 于才&測(cè)驅(qū)動(dòng)器I的第三級(jí)的MOSFET的漏極電壓的電流變化；第一間接補(bǔ)償模塊，用于根據(jù)驅(qū)動(dòng)器I的第三級(jí)的MOSFET的漏極電壓電 流變化控制第三級(jí)的MOSFET的門極電壓的電壓變化，并通過控制第三級(jí)的 MOSFET的門極電壓的電壓變化用以控制第三級(jí)的MOSFET的漏極電壓的電 流變化。
6、 如權(quán)利要求l所述的裝置，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)器Q反饋控制單元 包括第二電流4企測(cè)才莫塊，與驅(qū)動(dòng)器Q的第三級(jí)的MOSFET的漏極電壓相連， 用于檢測(cè)驅(qū)動(dòng)器Q的第三級(jí)的MOSFET的漏極電壓的電流變化；第二間接補(bǔ)償模塊，用于根據(jù)驅(qū)動(dòng)器Q的第三級(jí)的MOSFET的漏極電壓 電流變化控制第三級(jí)的MOSFET的門極電壓的電壓變化，并通過控制第三級(jí) 的MOSFET的門極電壓的電壓變化用以控制第三級(jí)的MOSFET的漏極電壓的 電i充變4匕。
7、 一種DQPSK發(fā)送機(jī)的驅(qū)動(dòng)幅度控制方法，其特征在于，包括如下步驟 DQPSK調(diào)制器對(duì)CW發(fā)出的光信號(hào)進(jìn)行調(diào)制；調(diào)制器反饋控制單元與第一偏置點(diǎn)、第二偏置點(diǎn)、第三偏置點(diǎn)相連，并根 據(jù)DQPSK調(diào)制器調(diào)制后的光信號(hào)的一部分對(duì)第一偏置點(diǎn)、第二偏置點(diǎn)、第三 偏置點(diǎn)進(jìn)行控制；根據(jù)驅(qū)動(dòng)器I的溫度變化對(duì)驅(qū)動(dòng)器I的驅(qū)動(dòng)幅度進(jìn)行控制； 根據(jù)驅(qū)動(dòng)器Q的溫度變化對(duì)驅(qū)動(dòng)器Q的驅(qū)動(dòng)幅度進(jìn)行控制。
8、 如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)驅(qū)動(dòng)器I的溫度變 化對(duì)驅(qū)動(dòng)器I的驅(qū)動(dòng)幅度進(jìn)行控制，包括檢測(cè)驅(qū)動(dòng)器I的溫度變化；根據(jù)驅(qū)動(dòng)器i的溫度變化按溫度補(bǔ)償曲線進(jìn)行補(bǔ)償后反饋至開關(guān)電源變化器，用以控制第三級(jí)的MOSFET的漏極電壓的變化； 和/或，所述根據(jù)驅(qū)動(dòng)器Q的溫度變化對(duì)驅(qū)動(dòng)器Q的驅(qū)動(dòng)幅度進(jìn)行控制，包括 檢測(cè)驅(qū)動(dòng)器Q的溫度變化；根據(jù)驅(qū)動(dòng)器Q的溫度變化按溫度補(bǔ)償曲線進(jìn)行補(bǔ)償后反饋至開關(guān)電源變 化器，用以控制第三級(jí)的MOSFET的漏極電壓的變化。
9、 如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述溫度補(bǔ)償曲線根據(jù)驅(qū)動(dòng) 器輸出信號(hào)的幅度與驅(qū)動(dòng)器MOSFET的漏極電壓獲取。
10、 如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)驅(qū)動(dòng)器I的溫度變 化對(duì)驅(qū)動(dòng)器I的驅(qū)動(dòng)幅度進(jìn)行控制，包括;險(xiǎn)測(cè)驅(qū)動(dòng)器I的第三級(jí)的MOSFET的漏極電壓的電流變化； 根據(jù)驅(qū)動(dòng)器I的第三級(jí)的MOSFET的漏極電壓電流變化控制第三級(jí)的 MOSFET的門極電壓的電壓變化，并通過控制第三級(jí)的MOSFET的門極電壓 的電壓變化用以控制第三級(jí)的MOSFET的漏極電壓的電流變化； 和/或，檢測(cè)驅(qū)動(dòng)器Q的第三級(jí)的MOSFET的漏極電壓的電流變化； 根據(jù)驅(qū)動(dòng)器Q的第三級(jí)的MOSFET的漏極電壓電流變化控制第三級(jí)的 MOSFET的門極電壓的電壓變化，并通過控制第三級(jí)的MOSFET的門極電壓 的電壓變化用以控制第三級(jí)的MOSFET的漏極電壓的電流變化。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種差分四相相移鍵控發(fā)送機(jī)的驅(qū)動(dòng)幅度控制裝置及方法，包括差分四相相移鍵控調(diào)制器對(duì)未加調(diào)制信號(hào)的連續(xù)光譜光源發(fā)出的光信號(hào)進(jìn)行調(diào)制；調(diào)制器反饋控制單元與第一偏置點(diǎn)、第二偏置點(diǎn)、第三偏置點(diǎn)相連，并根據(jù)差分四相相移鍵控調(diào)制器調(diào)制后的光信號(hào)的一部分對(duì)第一偏置點(diǎn)、第二偏置點(diǎn)、第三偏置點(diǎn)進(jìn)行控制；根據(jù)驅(qū)動(dòng)器I的溫度變化對(duì)驅(qū)動(dòng)器I的驅(qū)動(dòng)幅度進(jìn)行控制；根據(jù)驅(qū)動(dòng)器Q的溫度變化對(duì)驅(qū)動(dòng)器Q的驅(qū)動(dòng)幅度進(jìn)行控制。采用本發(fā)明可以簡(jiǎn)化差分四相相移鍵控發(fā)射機(jī)的控制回路的復(fù)雜程度，并且不需要在驅(qū)動(dòng)器的幅度上加導(dǎo)頻信號(hào)，從而不會(huì)產(chǎn)生多余的光信噪比代價(jià)。
文檔編號(hào)H04B10/556GK101674138SQ20091017832
公開日2010年3月17日 申請(qǐng)日期2009年10月16日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月16日
發(fā)明者平 崔, 朱曉宇 申請(qǐng)人:中興通訊股份有限公司