專利名稱：固態(tài)成像裝置、照相機和電子裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明總體上涉及固態(tài)成像裝置、照相機和電子裝置。特別是，本發(fā)明 涉及在像素中包括轉換器的固態(tài)成像裝置，該轉換器用于將光電轉換元件產
生的電荷轉換成像素信號，例如CMOS圖像傳感器。本發(fā)明還涉及照相機 和電子裝置，它們每一個都提供有固態(tài)成像裝置。這里，CMOS圖像傳感器 是指至少部分利用CMOS工藝制造的圖像傳感器。
背景技術：
CMOS圖像傳感器是通過包括二維布置的多個像素來提供的固態(tài)成像 裝置，每個像素包括光電轉換元件和幾個像素晶體管或者所謂的MOS晶體 換，并且構造為將光電轉換元件產生的電荷轉換成圖像信號，以隨后被讀出。 近些年，CMOS圖像傳感器因其應用擴展到各種成像裝置而受到人們的關 注，例如應用于移動電話中使用的照相機、數(shù)字相機、數(shù)字攝像機和其它類 似的裝置。
圖1圖解了公知的CMOS圖像傳感器的實例。例如，CMOS圖像傳感 器1通過包括具有布置為二維陣列的多個像素3(單元)的成像部分4以及 包括周邊電路來提供，其中每個像素都包括用作光電轉換元件2的光敏二極 管和幾個像素晶體管(MOS晶體管)。
當光電轉換元件2接收光時，積累光電轉換所產生的信號電荷。這些像 素晶體管在本實例中提供為四晶體管電路構造，包括轉移晶體管6、復位晶 體管7、放大晶體管8和選擇晶體管9。轉移晶體管6用作將積累在光電轉 換元件2中的信號電荷轉移到浮置擴散(floating diffusion, FD )即放大晶體 管8的柵極的晶體管。復位晶體管7是使放大晶體管8的柵極電位復位的晶 體管。放大晶體管8用于放大信號電荷。選擇晶體管9用于選擇輸出像素。
在像素3中，轉移晶體管6的源極連接到光電轉換元件2，并且轉移晶 體管6的漏極連接到復位晶體管7的源極。轉移信號配線11連接到轉移晶 體管6的柵極，以控制該轉移晶體管的柵極電位。對于復位晶體管7，其漏極連接到電源電壓供給線(在下文稱為電源配線)10，而其柵極連接到用于
控制柵極電位的復位信號配線12。對于放大晶體管8，其漏極連接到電源配 線10，其源極連接到選擇晶體管9的漏極，而其柵極連接到轉移晶體管6 和復位晶體管7之間的浮置擴散(FD)。對于選擇晶體管9,其源極連接到 像素輸出線14,而其柵極連接到用于控制柵極電位的選擇信號配線13。
用于提供恒定電流的晶體管16連接到像素輸出線14,以給被選擇的放 大晶體管8提供恒定電流，使放大晶體管8運行為源極跟隨器，并且在像素 輸出線14上產生電位，從而該電位相對于晶體管8的柵極電位具有特定的 固定電壓差。恒定電位供給線17連接到晶體管16的柵極，用于提供固定的 電位，從而晶體管16在飽和區(qū)域運行以提供固定的電流。
數(shù)字32表示接地電位，用于控制半導體阱區(qū)的電位適合于形成像素， 而數(shù)字33表示接地配線。
另一方面，垂直選擇單元21、列選擇單元22和相關雙采樣(CDS， correlated double sampling)電路23提供為周邊電路。另外，為像素3的每 一行設置行選擇AND電路25、另 一個行選擇AND電路26及再一個行選擇 AND電路27，行選擇AND電路25的輸出端連接到轉移信號配線11,另一 個行選擇AND電路26的輸出端連接到復位信號配線12,而再一個行選擇 AND電路27的輸出端連接到選擇信號配線13。
脈沖端28連接到每一行中行選擇AND電路25的一個輸入端，用于給 轉移信號配線ll提供轉移脈沖，而來自垂直選擇單元21的輸出連接到行選 擇AND電路25的另一個輸入端。脈沖端29連接到每一行中行選擇AND 電路26的一個輸入端，用于給復位信號配線12提供復位脈沖，而來自垂直 選擇單元21的輸出連接到另一個輸入端。脈沖端30連接到每一行中行選擇 AND電路27的一個輸入端，用于給選擇信號配線13提供選擇脈沖，而來 自垂直選擇單元21的輸出連接到另一個輸入端。
對于這樣的構造，每個控制脈沖僅提供給連接到由垂直選擇單元21選 擇的行的信號配線。從每個像素3的讀出操作通過如圖2所示施加驅動信號 執(zhí)行如下。
圖2所示的轉移信號(脈沖)Sl提供給轉移信號配線11,復位信號(脈 沖)S2提供給復位信號配線12,而選擇信號(脈沖)S3提供給選擇信號配 線13。首先，通過提供選擇脈沖S3和復位脈沖S2,連接到將要讀出的行的選 擇晶體管9和復位晶體管7進入導電狀態(tài)，并且放大晶體管8的柵極(所謂 的浮置擴散FD)的電位被復位。在復位晶體管7轉換為非導電后，對應于 每個像素3的復位電平的電壓在后續(xù)階段讀出到CDS電路23。接下來，通 過提供轉移脈沖Sl,轉移晶體管6轉換為導電，并且累積在光電轉換元件2 中的電荷轉移到浮置擴散，即放大晶體管8的柵極。電荷轉移之后，轉移晶 體管6進入到非導電狀態(tài)，并且以對應于累積電荷量的信號電平的電壓在后 續(xù)階段讀出到CDS電路23。
關于CDS電路23,在先讀出的復位電平與信號電平之間的差值被計算， 由此抵消了固定模式噪聲(fixed pattern noise),該固定模式噪聲可以由對于 每個像素的閾值電壓Vth和類似因素的變化在放大晶體管中產生。列選擇單 元22被選擇時，累積在CDS電路23中的信號在諸如自動增益控制(AGC， automatic gain control)等的后續(xù)階段通過水平信號配線24讀出到電路，并 且隨后被處理。
圖1所示的配線采用多條金屬配線形成。這些配線是驅動配線，例如 轉移信號配線ll、復位信號配線12和選擇信號配線13;信號輸出配線，例 如4象素輸出配線14和水平信號配線24;電源配線10;以及4妄地配線33。例 如，在垂直方向上形成的像素輸出配線14形成在第一層上；在水平方向上 形成的諸如轉移信號配線11、復位信號配線12和選擇信號配線13的驅動配 線以及接地配線33形成在第二層上；而電源配線IO形成在第三層上。
另外，為了將電源配線10和驅動配線與用作像素晶體管的源極或者漏 極的擴散區(qū)域和柵極電極連接起來，從第三層到第二層、從第二層到第一層 以及從第 一層到擴散區(qū)域和柵極電極依此通過形成在層間絕緣層中的通孔 提供連接。在構造為將光通過多條金屬配線聚焦到光電轉換元件上的前照射 CMOS圖像傳感器中，通過避免在光電轉換元件的正上方形成配線，減少了 金屬配線引起的漸暈(vignetting),并且提高了聚焦效率。隨著配線層數(shù)的 增加，因成本和開口率的增加，聚焦效率的降低通常難于避免。
作為金屬配線的另一個角色，可以用于在像素之間阻擋光線。光束一到 達圖像傳感器的表面，就通過芯片上透鏡(on-chip lens)聚焦在每個光電轉 換元件上。然而，當光束的入射角大時，增加了入射的光束偏斜到原本希望 的光電轉換元件之外的位置。在光束進入鄰近的光電轉換元件的情況下，發(fā)生混色(color mixing),造成圖像質量的下降，例如圖像清晰度的降低。相 反，通過在光電轉換元件之間設置金屬配線，抑制了相鄰像素的混色，并且 可以防止圖像質量的下降。另外，對于像素之間的遮光還提出了另一種包括 虛設配線的結構(見日本未審查專利申請公開No. 2005-277404 )。
圖3的示意解了包括在成像部分中的已知配線結構。參考圖3，配 線形成有三層結構。也就是，像素輸出配線14由在第一層上在垂直方向上 延伸的金屬配線形成。用作驅動配線的轉移信號配線11、復位信號配線12 和選才奪信號配線13以及接地配線33由在第二層上彼此平行地在水平方向上 延伸的金屬配線形成。電源配線10由在第三層上形成為格子形狀的金屬配 線形成。為了將電源配線和驅動配線與擴散區(qū)域和像素晶體管的柵極電極連 接起來，如上所述，實際上從第三層到第二層、從第二層到第一層，然后從 第一層提供連接。然而，在附圖中省略了其詳細內容。第三層上的電源配線 10還用于在像素之間遮光。
另夕卜，在日本未審查專利申請公開No. 2003-230055中描述了 CMOS固 態(tài)成像裝置的另一個配線電路，在日本未審查專利申請公開No. 2005-216886 和曰本未審查專利申請公開No.特開平11 (1999)-204768中描述了包括在 CCD固態(tài)成像裝置中的遮光膜，并且在日本未審查專利申請公開No. 2004-104203中進一步描述了包括在CMOS固態(tài)成4象裝置中的遮光膜。

發(fā)明內容
在CMOS圖像傳感器中，對于驅動像素晶體管、像素輸出、電源和接 地電路，使用金屬配線提供像素陣列中的幾種配線。在所謂的前照射CMOS 圖像傳感器中，其中光從其上提供有形成的配線的一側入射到光電轉換元件 上，有必要防止由于配線引起的漸暈(vignetting)而造成靈敏度的下降。另 外，為了通過提高聚焦效率來改善靈敏度，希望通過減少光電轉換元件與芯 片上透鏡之間的距離來降低裝置的高度。
關于圖3的配線結構，所關心的是由配線自身的寄生電阻和電容引起的 信號延遲的作用以及陰影的產生。這些可以導致圖4象質量的下降。例如，在 大光學尺寸的CMOS圖像傳感器中，會涉及配線的寄生電阻和電容。像素 的特性隨著成像區(qū)域的位置而變化，并且會發(fā)生由陰影等引起的圖像質量的 下降。具體地講，因為電源配線和接地配線對輸出具有較強的影響，所以很希望配線具有低的電阻和電容。另一方面，像素之間的遮光也使用金屬配線 來抑制混色。為了滿足這些要求和希望的特性，重要的是總體上提高金屬配 線的靈活性。
因為如上所述采用形成為格子形狀的電源配線進行像素之間的遮光，所 以通過擴大格子的每個開口改善了聚焦效率，并且可以提高靈敏度。然而， 因為金屬配線的四種配線形成在第二層上，彼此平行地在水平方向上延伸， 所以配線密度變得很高，即使在降低了每個配線的線寬后，還伴隨著配線(在
本實例中圖3所示的第二層兩個外側上的轉移信號配線11和接地配線33) 的某些部分形成為突出到由格子形狀的電源配線10所限定的開口 IOA。結 果，減少了實際的開口面積，且相應地降低了靈敏度。另外，由于配線的寄 生電阻的增加，陰影會傾向于相對容易發(fā)生。
因為這四種配線的配線密度高，所以驅動配線與相鄰的接地配線33之 間的距離小，導致兩個配線之間的耦合電容大，并且相對容易產生接地電位 的波動。減少線寬引起的寄生電阻的增加也影響接地電位波動的產生。接地 電位的波動會檢測為噪聲。
所希望的是提供改善靈敏度和圖像質量的固態(tài)成像裝置，提供有該固態(tài) 成像裝置的照相機和提供有該照相機的電子裝置。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，提供固態(tài)成像裝置。該固態(tài)成像裝置包括成像區(qū) 域和用于驅動每個像素的堆疊配線，成像區(qū)域包括二維布置的多個像素，每
像素晶體管。在固態(tài)成像裝置中，像素之間的遮光部分通過組合選自堆疊配
線的多個不同配線而形成。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，提供照相機。該照相機包括固態(tài)成像裝置；光學 系統(tǒng)，構造為引導入射光到包括在固態(tài)成像裝置中的光電轉換元件；以及信 號處理電路，構造為處理來自固態(tài)成像裝置的輸出信號。固態(tài)成像裝置包括 成像區(qū)域和用于驅動每個像素的堆疊配線，成像區(qū)域包括二維布置的多個像 素，每個像素都包括光電轉換元件和用于讀出從光電轉換元件輸出的信號的 多個像素晶體管。在固態(tài)成像裝置中，像素之間的遮光部分通過組合選自堆 疊配線的多個不同配線而形成。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，提供電子裝置。該電子裝置包括照相機。該照相 機包括固態(tài)成像裝置、光學系統(tǒng)和信號處理電路，光學系統(tǒng)構造為引導光到包括在固態(tài)成像裝置中的光電轉換元件，而信號處理電路構造為處理來自固 態(tài)成像裝置的輸出信號。固態(tài)成像裝置包括成像區(qū)域和用于驅動每個像素的 堆疊配線，成像區(qū)域至少包括二維布置的多個像素，每個像素都包括光電轉 換元件和用于讀出從光電轉換元件輸出的信號的多個像素晶體管。在固態(tài)成 像裝置中，像素之間的遮光部分通過組合選自堆疊配線的多個不同配線而形 成。
在根據(jù)本發(fā)明實施例的固態(tài)成像裝置中，因為遮光部分通過組合選自堆 疊配線的多個不同配線而形成，所以減少了其它層上的配線密度，并且可以 增加通過組合多個配線形成的格子形狀的遮光部分所限定的開口的面積。另減少。
在根據(jù)本發(fā)明實施例的固態(tài)成像裝置中，因為增加了通過組合選自堆疊 配線的多個不同配線形成的格子形狀的遮光部分所限定的開口面積，所以提 高了聚焦效率，并且可以改善靈壽文度。另外，作為目前取得的減少電阻和電 容的結果，可以抑制陰影等引起的圖像質量的下降，也就是改善了圖像質量。
根據(jù)本發(fā)明實施例的照相機結合了上述的固態(tài)成像裝置。因此，可以取 得高靈壽丈度和高質量的圖片圖像。
根據(jù)本發(fā)明實施例的電子裝置結合了能夠提供高靈敏度和高質量的圖 片圖像的上述照相機。因此，可以獲得高性能的電子裝置。


圖1的示意解了 CMOS圖像傳感器的實例。 圖2是施加到圖1的CMOS圖像傳感器的驅動信號的信號波示意圖。 圖3的示意解了根據(jù)現(xiàn)有技術的CMOS圖像傳感器的配線結構。 圖4的示意解了根據(jù)本發(fā)明實施例的固態(tài)成像裝置主要部分的第一 實例。
圖5的示意解了根據(jù)本發(fā)明實施例的固態(tài)成像裝置主要部分的第二實例。
圖6的示意解了根據(jù)本發(fā)明實施例的固態(tài)成像裝置主要部分的第三實例。
圖7的示意圖為了比較的目的圖解了根據(jù)現(xiàn)有技術的電源供給裝置。圖8的示意解了適合于根據(jù)本發(fā)明實施例的固態(tài)成像裝置的電壓供 給裝置。
圖9的示意解了適合于根據(jù)本發(fā)明實施例的固態(tài)成像裝置的電壓/ 信號供給裝置的優(yōu)選實例。
圖10的示意解了根據(jù)本發(fā)明實施例的固態(tài)成像裝置主要部分的第 四實例。
圖11的示意解了根據(jù)本發(fā)明實施例的固態(tài)成像裝置主要部分的第 五實例。
圖12的示意解了對于根據(jù)本發(fā)明實施例的有效像素區(qū)域和OPB區(qū) 域電源分別不同的情況所適合的實例。
圖13的示意圖為了比較的目的圖解了根據(jù)現(xiàn)有技術的電源供給配線。 圖14的示意解了根據(jù)本發(fā)明實施例的照相機的構造。
具體實施例方式
下面，將參考附圖描述本發(fā)明的實施例。
才艮據(jù)本發(fā)明實施例的固態(tài)成像裝置可以是典型的前照射CMOS圖像傳 感器。盡管下面采用圖1示意性所示的前述構造的說明來描述根據(jù)本發(fā)明實 施例的固態(tài)成像裝置的實例，但是不意味著本發(fā)明限于該說明和附圖。
作為根據(jù)本發(fā)明實施例的CMOS圖像傳感器的固態(tài)成像裝置的示意性
構造類似于圖l所示的構造。就是說，根據(jù)本實施例的固態(tài)成像裝置包括成
像部分和設置在成像部分周圍的周邊電路。成像部分包括布置為二維陣列的 多個像素(單元)，其中例如每一個像素都包括用作光電轉換元件的光敏二
極管和一些像素晶體管(MOS晶體管)。圖1的實例中的這些像素晶體管包 括四個晶體管，例如轉移晶體管、復位晶體管、放大晶體管和選擇晶體管。 轉移信號配線連接到轉移晶體管的柵極，復位信號配線連接到復位晶體 管的柵極，而選擇信號配線連接到選擇晶體管的柵極。像素輸出線連接到選 擇晶體管的源極。另外，電源配線連接到復位晶體管和放大晶體管二者的漏
極。此外，提供接地配線。這些配線由金屬形成，具有在基板形成有光電轉 換元件的表面?zhèn)壬贤ㄟ^層間絕緣層堆疊的多個層的結構。
芯片上濾色器(on-chip color filter)和芯片上透鏡(on-chip lens)通過 平坦化層形成在多個配線層的上面。另一方面，垂直選擇單元、列選擇單元、相關雙采樣(CDS)電路等提 供為周邊電路。此外，為每一行像素設置具有連接到轉移信號配線的輸出端 的行選擇AND電路、具有連接到復位信號配線的輸出端的另一個行選擇 AND電路和具有連接到選擇信號配線的輸出端的再一個行選擇AND電路。 因為其它的特征和操作與圖1所示的類似，所以在此省略了重復的描述。 另夕卜，根據(jù)本發(fā)明實施例的固態(tài)成像裝置的特征是多個配線中采用的配 線結構。圖4是根據(jù)本發(fā)明實施例的固態(tài)成像裝置的示意圖，特別詳細地圖 解了配線結構的第 一 實例。第 一 實例的固態(tài)成像裝置41提供有成像部分42 以及轉移信號配線44、復位信號配線45和選擇信號配線46,成像部分42 包括由在第一層上在垂直方向上延伸的金屬配線形成的像素輸出配線43;而 轉移信號配線44、復位信號配線45和選擇信號配線46的每一個都由在第二 層上在水平方向上彼此平行地延伸的金屬配線形成。還是在該實例中，電源 配線47和接地配線48的每一個都由在第三層上的金屬配線形成為彼此部分 間斷的格子形狀。
電源配線47形成格子形狀作為第一格子結構，其每一個水平梁部分 (crosspiece portion) 47a在中間分開，而接地配線48類似地形成格子形狀 作為第二格子結構，其每一個水平梁部分48a在中間分開。這些電源配線47 和接地配線48布置為形成組合，從而第二格子結構的垂直梁部分48b和第 一格子結構的垂直梁部分47b相互設置為在空間上分別容納在電源配線47 和接地配線48的上述分開的部分中。利用這些電源配線47和接地配線48, 遮光部分53形成為格子形狀，其提供開口 52,每個開口 52都形成在空間上 對應于包括在像素中的光電轉換元件51的位置。
另外，第一和第二對水平梁47a和48a預先分別與電源配線47和接地 配線48分開，在電源配線47和接地配線48的方向彼此交叉的交叉位置上 采用連接配線55互連成對，連接配線55用在第二層上的金屬配線形成。
轉移信號配線44、復位信號配線45和選擇信號配線46由在第二層上水 平延伸的金屬配線形成，彼此平行地分別設置在電源配線47和接地配線48 形成為格子結構的水平梁部分47a和48a的線寬dl和d2 (在本實例中， dl=d2 )之內。然而，因為連接線55形成在電源配線47和接地配線48的上 述交叉位置，所以提供在兩個外側上的配線部分——即本實例中轉移信號配 線44和選擇信號配線46的部分一一形成為在交叉位置附近從上述線寬部分地突出到開口 52的區(qū)域中。
根據(jù)本發(fā)明實施例的固態(tài)成像裝置41的配線結構的第一實例，電源配 線47和接地配線48的每一個都用在第三層上的金屬配線形成為彼此部分間 斷的格子形狀，并且位于電源配線47和接地配線48的交叉位置的間斷部分 使用在第二層上的金屬配線形成的連接配線55互連。另外，利用電源配線 47和接地配線48的組合，遮光部分53形成為格子形狀。利用固態(tài)成像裝置 的這樣的構造，在有效實施像素之間的遮光后，可以改善圖像質量，由此控 制像素之間的混色。另外，因為擴展了面向光電轉換元件51的開口 52的面 積，所以可以改善聚焦效率，并且總體上增加靈敏度。
就是說，在圖3所示的情況下，因為第二層上的接地配線33和轉移信 號配線11形成為突出到由第三層上的格子形狀的電源配線10限定的開口 IOA的區(qū)域中，所以開口的有效面積實際限定為電源配線10、轉移信號配線 11和4姿地配線33所圍繞的面積。在本實例中，相比之下，以還用于遮光的 配線形成的開口 52的有效面積由第三層上的電源配線47和^"地配線48以 及第二層上的部分突出的配線(例如轉移信號配線44和選擇信號配線46 ) 所圍繞的區(qū)域限定。因此，本實例中的開口的面積可以增加的量為第二層上 配線的突出部分的面積的減少的量，并且與圖3的先前已知的實例相比，可 以改善聚焦效率，以及提高靈敏度。
因為接地配線48形成在第三層上，所以在第二層上的信號配線與接地 配線48之間耦合電容減少了。另外，因為接地配線48形成為格子形狀，所 以其配線寄生電阻變小。盡管連接配線55形成在第二層上，但是配線55與 其相鄰的信號配線之間的耦合電容可以因線長相對短而保持為小的。對于本 配線構造，因為抑制了接地電位的波動，所以可以穩(wěn)定接地電位。作為穩(wěn)定 接地電位的結果，所以可以抑制噪聲的發(fā)生。
此外，通過將電源配線47和接地配線48的每一個都形成為格子形狀， 配線自身的寄生電阻、電容可以保持得小，可以抑制陰影的發(fā)生，并因此可 以抑制陰影所導致的圖^象質量的下降。另外，因為與在先已知的結構相比減 小了第二層上的配線密度，所以可以實現(xiàn)配線的低電阻和低電容。同樣，減 少了信號延遲的影響，并且可以抑制由信號延遲引起的圖像質量的下降。
因為配線層數(shù)保持為三層，與圖3的實例相同，所以可以利用光電轉換 元件與芯片上透鏡之間相對小的距離來實現(xiàn)裝置厚度的減小，并且可以改善裝置的靈敏度。對于這樣的構造，減少了第二層上的配線數(shù)，并且因考慮到 漸暈的減少可以提高設計配線方案上的靈活性。
在第一實例中，如上所述，格子形狀的電源配線47和接地配線48的每 一個都用在第三層上的金屬配線形成，并且遮光部分53利用電源配線47和 接地配線48的組合形成為另一格子形狀。另外，遮光部分53也可以這樣來 提供，首先，使用信號配線44、 45和46中的任何一個以及電源配線47和 接地配線48中的一個在第三層上形成金屬配線的格子結構，并與圖4類似 的方式彼此部分分開；然后，使用連接配線55將這兩個格子結構組合起來。 在此情況下，電源配線47和接地配線48的另一個與彼此平行地水平延伸的 其它信號配線一起形成為第二層上的另一個金屬配線。
關于本裝置的構造，可以增加遮光部分中開口的面積，并且取得靈敏度 的改善。另外，由于減少了電阻和電容，還可以實現(xiàn)圖像質量的改善。
圖5是根據(jù)本發(fā)明實施例的固態(tài)成像裝置的示意圖，部分地詳細圖解了 配線結構的第二實例。第二實例的固態(tài)成像裝置61提供有成像部分42以及 轉移信號配線44、復位信號配線45和選擇信號配線46，成像部分42包括 由在第一層上在垂直方向上延伸的金屬配線形成的像素輸出配線43，轉移信 號配線44、復位信號配線45和選擇信號配線46的每一個都由在第二層上在 水平方向上彼此平行地延伸的金屬配線形成。同樣在本實例中，電源配線47
和接地配線48的每一個都用在第三層上的金屬配線形成為彼此部分間斷的 格子形狀。
電源配線47形成格子形狀作為第一格子結構，其水平梁部分47a的每 一個都在中間分開，并且接地配線48類似地形成格子形狀作為第二格子結 構，其水平梁部分48a的每一個都在中間分開。這些電源配線47和接地配 線48布置為形成組合，從而第二格子結構的垂直梁部分48b和第一格子結 構的垂直梁部分47b相互設置在空間上分別容納在電源配線47和接地配線 48的上述分開的部分中。通過電源配線47和接地配線48，遮光部分53形 成為格子形狀，該格子形狀提供有開口 52,每一個開口 52都形成在與像素 的光電轉換元件51空間上對應的部分。
另外，電源配線47和接地配線48分別形成為彼此部分間斷的格子形狀， 沒有像前述的第一實例那樣以采用連接配線的形式連接，而是在它們現(xiàn)在的 形狀中^f皮此部分間斷的電源配線47采用配線62在配線47的端部互連，同的端部互連。
第二層上的轉移信號配線44、復位信號配線45和選擇信號配線46由線 性水平延伸的金屬配線形成在整個裝置的長度上。兩側的配線例如轉移信號 配線44和選擇信號配線46提供為不突出到開口 52的區(qū)域中，開口 52形成 在作為電源配線47和接地配線48的組合的格子形狀的遮光部分53中。因 為該裝置的其它特征類似于上述第一實例的情況，所以在此省略了重復性的 描述。
根據(jù)本發(fā)明的實施例的固態(tài)成像裝置61的配線結構的第二實例，格子 形狀的遮光部分53以在第三層上的金屬配線形成為電源配線47和接地配線 48的組合的圖案，并且第二層上的信號配線44和46形成為不突出到開口 52的區(qū)域中。因此，開口 52面對各光電轉換元件的面積得以增加。本實施 例中總體上的開口面積可以大于第一實例。所以，可以改善聚焦效率，并且 提高靈敏度。
因為接地配線48形成在第三層上，所以第二層上的信號配線與接地配 線48之間的耦合電容減少，并且因為接地配線48形成為格子形狀，盡管彼 此部分間斷，然而配線的寄生電阻減少。因此，抑制了接地電位的波動，'并 且可以穩(wěn)定接地電位。作為穩(wěn)定接地電位的結果，可以抑制噪聲的發(fā)生。
此外，通過將電源配線47和接地配線48的每一個都形成為格子形狀， 配線自身的寄生電阻、電容可以保持為小的，可以抑制陰影的發(fā)生，并且可 以抑制因陰影引起的圖像質量的下降。另外，因為第二層上的配線密度相對 于在先已知的結構減小，所以可以實現(xiàn)配線的低電阻以及低電容。同樣，減 少了信號延遲的影響，并且可以抑制因信號延遲引起的圖像質量的下降。
因為配線的層數(shù)保持為三層，與圖3的實例相同，所以可以利用光電轉 換元件的接收表面與芯片上透鏡之間的相對小的距離來實現(xiàn)裝置厚度的減 少，并且可以改善靈敏度。對于這樣的構造，第二層上的配線數(shù)可以減少， 并且考慮到漸暈的減少可以在設計配線方案上提高靈活性。
因為在第二實例中電源配線47和接地配線48 ;f皮此分開的部分沒有采用 連接配線互連，所以第一實例的構造對于減少電源配線47和接地配線48的 寄生電阻更加有利。第 一 實例的構造總體上比第二實例更加有利。
圖6是根據(jù)本發(fā)明實施例的固態(tài)成像裝置的示意圖，特別地詳細圖解了配線結構的第三實例。第三實例的固態(tài)成像裝置71提供有成像部分42,成 像部分42包括由在第一層上垂直地延伸的金屬配線形成的像素輸出配線 43;和配線中的任意兩種(在本實例中為轉移信號配線44和復位信號配線 45)以及接地配線48用在第二層上水平延伸的金屬配線形成。此外，在本 實例中，電源配線47和選擇信號配線46用在第三層上的金屬配線形成，并 且格子形狀的遮光部分53形成為電源配線47和選擇信號配線46的組合。
電源配線47形成為具有相對大的線寬d3,它們之間具有預定的間隔并 彼此平行地垂直延伸，它們之間的預定間隔足以使光電轉換元件提供在開口 部分中。選擇信號配線46形成為水平延伸，具有另一個大的線寬d4 (在本 實例中d3=d4)。選擇信號配線46形成為在與電源配線47的交叉位置彼此 部分間斷，并且其端部在該位置通過第二層上的金屬所形成的連接配線72 互連。用垂直延伸的電源配線47和水平延伸的選擇信號配線46，形成格子 形狀的遮光部分53，這樣在與包括在像素中的光電轉換元件51空間上對應 的位置提供開口 52。電源配線47在配線47的端部使用配線73互連。
轉移信號配線44、復位信號配線45和接地配線48由在第二層上水平延 伸的金屬配線形成，彼此平行地提供在選擇信號配線46的線寬d4內。然而， 因為連接配線72形成在電源配線47和選擇信號配線46的交叉位置，所以 提供在兩個外側上的配線部分，也就是本實例中的接地配線48和轉移信號 配線44的部分，形成為在交叉位置的附近部分突出到開口 52的區(qū)域上。因 為其它裝置特征與第一實例的類似，在此省略其重復性的描述。
根據(jù)本發(fā)明實施例的固態(tài)成像裝置71的配線結構的第三實例，格子形 狀的遮光部分53使用分別由在第三層上的金屬配線形成的垂直延伸的電源 配線47和水平延伸的選擇信號配線46形成，在對應于包括在^f象素中的光電 轉換元件51空間上的位置具有開口 52。類似于第一實例的情況，提供在遮 光部分53中的開口 52的面積與在先已知的圖3的裝置結構中的情況相比較 大，開口面積增加了，相應地改善了聚焦效率并提高了靈敏度。
另外，通過減少第二層上的配線密度，可以減少接地配線48和復位信 號配線45之間的耦合電容，并且也可以減少接地配線48與第三層上的選擇 信號配線46之間的耦合電容。結果，抑制了接地電位的波動，并且可以穩(wěn) 定接地電位。
此外，還是在本實例中，抑制了陰影的發(fā)生，并且還可以抑制由陰影引起的圖像質量的下降。另外，因為第二層上的配線密度與在先已知的結構相 比減小，所以可以實現(xiàn)配線的低電阻和低電容，減少了信號延遲的影響,并 且可以抑制由信號延遲引起的圖像質量的下降。
因為配線的層數(shù)保持為三層，與圖3的實例相同，所以可以利用光電轉 換元件的接收表面與芯片上透鏡之間的相對小的距離來實現(xiàn)裝置厚度的減 少，并且可以改善靈敏度。關于這樣的構造，可以減少第二層上的配線數(shù)， 并且由于考慮到漸暈的減少可以增加設計配線方案上的靈活性。
第 一和第二實例的構造總體上比第三實例更加有利。
在根據(jù)本實施例的第三實例中，配線結構還可以這樣來提供，通過用轉
移信號配線44或者復位信號配線45來代替選擇信號配線46。另外，使用第 三層上的格子形狀的金屬配線來形成選自包括像素輸出配線43和驅動配線 44、 45和46的組中的兩種配線也是可行的。再者，配線的層數(shù)不限于三層， 而是還可以為兩層、四層或者更多層。
在上面的實例中，采用包括轉移、復位、放大和選擇晶體管的四晶體管 電路構造描述了用于形成單元像素的像素晶體管。根據(jù)本發(fā)明的實施例，可 以釆用包括除選擇晶體管外的轉移、復位和放大晶體管的三晶體管電路構 造。此外，本發(fā)明的實施例也可以應用于所謂的像素共享型CMOS圖像傳
感器，其中多個組共享像素晶體管，每個組形成為包括一個光電轉換元件和 一個轉移晶體管。
接下來，在根據(jù)上述實施例的固態(tài)成像裝置中，描述幾種構造，用于從 外部提供電源或者電源及信號二者到第三層上的不同配線。
在描述上述供給構造之前，首先將描述一個實例，該構造與在先已知的 情況相比適合于給一個層上的不同配線提供不同的電壓，例如電源或者電源 及接地二者。該示范性構造可以使用在本發(fā)明的實施例中。
為了適當確定固態(tài)成像裝置中的信號的亮度水平(luminance level),有 必要設定用作標準的黑度值(black level )。為了確定黑度值，采用光學黑像 素(在下文稱為OPB^f象素，OPB-叩tical black pixel),其通過金屬配線遮蔽 用作光電轉換元件的光敏二極管(PD)形成?？紤]到每一個都具體地用在水 平或者垂直方向上的配線層的各種不同目的，對于形成遮光金屬配線，利用 具有空間上對應于每個像素的開口的格子形狀的電源配線層是合適的。如圖 7所示，在OPB像素區(qū)域89中的OPB像素82覆蓋有遮光金屬81， OPB像素82提供在緊鄰有效像素85的外側，以對有效像素區(qū)域80中鄰近遮光金 屬81的開口 84形成的有效像素85的特性進行適當參考。另外，OPB像素 82形成在左、右、上、下四側上，以消除有效像素區(qū)域80中左、右、上、 下的有效像素85的特性差別。
考慮到確定黑度值標準，優(yōu)選OPB像素82和有效像素85在特性上相 同。然而，由于形成在裝置上的配線圖案上的差別，會引起由電學行為 (electrical behavior)和/或制造工藝上的差別造成的特性上的某些偏差。在 此情況下，特性上的差別可以通過給OPB像素82和有效像素85提供不同 的電源來補償。如圖7所示，當OPB像素區(qū)域89中的遮光金屬由有效像素 區(qū)域80中的電源配線層共享時，以及當使用一個單一電源時，電源可以按 原樣提取到外部。然而，當不同的電源分別提供給有效像素85和OPB像素 82時，必須分開引導到各像素的配線，并且將電源分別引導到外部。
因為有效像素85由OPB像素82圍繞，如圖8所示，所以在有效像素 85所用電源引導到外部的情況下，所預期的結構為使得位于圍繞有效像素的 OPB像素區(qū)域89中的OPB像素82和遮光金屬87的某些部分去除，并且到 有效像素區(qū)域80中的有效像素85的電源配線86可以通過這樣的去除部分 引導到外部。形成在OPB像素區(qū)域89上的遮光金屬87用作到OPB像素82 的電源配線。
然而，當這樣的結構形成有電源配線86和87時，到有效像素85的電 源變得不對稱。結果，導致顯示屏幕的陰影，并且相應于上述OPB像素82 的去除，會引起缺少關于左、右、上、下部特性差別的某些信息的可能性。
關于引導不同的電源到外部，在使用第三層上的金屬配線形成電源配線 47和接地配線48的情況下，產生如本發(fā)明的上述實施例中所描述的同樣的 困難。
因此，如圖9所示，根據(jù)本發(fā)明的實施例，當有效像素85中使用的電 源從外部提供時，提供遮光金屬87之外的另一種結構，從而配線層88的每 一個都形成在OPB像素82的上面。關于這樣的結構，用于將有效像素區(qū)域 80中的電源配線86引導到外部的配線層88可以對稱地實施在左、右、上、 下部。就是說，可以分別給OPB像素82和有效像素區(qū)域85提供不同的電 源，而不去除OPB像素82的部分，并且不引起任何電源上的不對稱。然而， 在固態(tài)成像裝置因其像素尺寸小而難于在像素自身上額外地提供一種配線并且難于采用閨9所示裝置的情況下，電源還可以實施為圖8所示的結構， 以使配線不通過光敏二極管的上面。
圖10的示意解了根據(jù)本發(fā)明實施例的第四實例，其中圖9所示用 于將電源配線和接地配線引導到外部的構造適合于前述第一實例用于使用 在第三層上的金屬配線形成電源配線47和接地配線48的構造。根據(jù)本實例 的固態(tài)成像裝置75提供為在有效像素區(qū)域77中包括電源配線47，在有效像 素區(qū)域77中設置有有效像素76,每個有效像素76都包括光電轉換元件51， 在該固態(tài)成像裝置75中電源配線47形成為延伸到其中設置有周邊OPB像 素78的OPB像素區(qū)域79上，從而作為遮光金屬91共享。
在有效像素區(qū)域77中，非有效像素區(qū)域92形成為鄰近OPB像素區(qū)域79。
另外，根據(jù)本實例，有效像素區(qū)域77中的接地配線48提供為通過在第 三層以外的層上的金屬配線引導到外部，在本實例中為第二層上的金屬配線 的電壓供給配線93。同樣，在本實例中，電壓供給配線93用作提供接地電 壓的配線。在此情況下，電壓供給配線93形成為通過提供在非有效像素區(qū) 域92和OPB像素78中光電轉換元件51的正上方。而且，如圖9所示，電 壓供給配線93形成為上、下以及左、右四側對稱，并且通過形成在周邊非 有效像素區(qū)域92中的每個開口 52的上面。用這樣的結構，電源電壓從周邊 OPB像素區(qū)域79中的遮光金屬91提供，而接地電壓從電壓供給配線93提 供。
電源配線47和接地配線48的配線圖案還可以形成為使它們的作用與圖 IO中的相反，其中接地配線48形成為延伸到OPB像素區(qū)域79上，從而也 共享為OPB像素區(qū)域上的遮光金屬，并且電源配線47提供為通過電壓供給 配線93引導到外部。
在根據(jù)本發(fā)明實施例的固態(tài)成像裝置75的配線結構的第四實例中，利 用在第三層上形成為上、下、左、右對稱的電源配線47和接地配線48，可 以提供不同的電源和接地電壓。通過在OPB像素區(qū)域79中的光電轉換元件 的正上方形成電壓供給配線用于引導接地配線48到外部，可以分別給OPB 像素區(qū)域79和有效像素區(qū)域77提供不同的電壓，而不引起電源和接地電壓 供給上的任何不對稱，即使對于每個都具有很小的單元尺寸的像素。
圖11的示意解了根據(jù)本發(fā)明實施例的配線結構的第五實例，其中圖8所示的將電源配線和接地配線引導到外部的構造用于前述第一實例用于
使用第三層上的金屬配線形成電源配線47和接地配線48的構造。根據(jù)本實 例的固態(tài)成像裝置95提供為去除OPB像素區(qū)域79的一部分，并且將電源 配線47或者接地配線48(在該實例中為電源配線47 )延伸到該去除的部分， 以作為遮光金屬91共享。另一個配線，即接地配線48，延伸到OPB像素區(qū) 域79除了去除的部分外的部分，以共享為遮光金屬90。 OPB像素78的去 除的部分可以^又形成在如圖8所示的 一側上，并且電源配線47可以^f又延伸 在一側上。作為選擇，OPB像素78的去除的部分可以提供在兩側上以左右 對稱，并且電源配線47形成為對稱地延伸到該兩側。
就根據(jù)本發(fā)明實施例的固態(tài)成像裝置95的配線結構的第五實例而言， 可以引導電源配線47和接地配線48到外部，其特別適合于實施在小像素尺 寸的固態(tài)成像裝置中。
圖12的示意解了根據(jù)本發(fā)明實施例的構造的另一個實例，其適合 于分別為有效像素區(qū)域77和OPB像素區(qū)域79提供的不同電源以引導到外 部的情況。在除了非有效像素區(qū)域92的有效像素區(qū)域77中，格子形狀的有 效像素電源配線96形成來用于遮光，而OPB像素的電源配線97形成在OPB 像素區(qū)域79中以便也用作遮光金屬。這些有效4象素電源配線96和OPB像 素電源配線97使用在第三層上的金屬配線形成。
另外，有效像素的電源配線96構造為通過在非有效像素區(qū)域92和OPB 像素78中設置的光電轉換元件的上面，并且通過另一層上的電壓供給配線 93 (在本實例中為第二層上的金屬配線)引導到外部。利用本結構，可以分 別給有效像素的電源配線96和OPB像素的電源配線97提供不同的電壓， 并且有效像素76和OPB像素78的特性可以彼此進行適當參考。
為了比較的目的，圖13圖解了在先已知的將電源配線引導到外部的實 例，對應于圖7的情況。為了易于理解，包括在圖13中類似于圖10、 11和 12的部分用相同的附圖標記表示。參考圖13，也用作有效像素區(qū)域77的遮 光金屬的電源配線47形成為延伸到OPB像素區(qū)域79。盡管電源配線47也 用作OPB像素區(qū)域79中的遮光金屬，但是由有效像素76和OPB像素78 的電源供給所共享。
接下來，將在下面描述通過第三層上的金屬配線分別以不同的電壓或者 電壓和信號提供給兩條配線的結構的幾個實例。關于引導電源配線到外部，當OPB像素區(qū)域中的遮光金屬都形成有相同的配線時，上述的供給通?？?以從OPB像素區(qū)域直接進行(參考圖7)。另一方面，當電源優(yōu)選分成兩個 時，例如一個用于有效像素區(qū)域而另一個用于OPB像素區(qū)域，或者一個用 于電源配線而另一個用于使用相同層上的金屬配線的接地配線，則要么去除 OPB像素區(qū)域79的一部分，要么給將電壓提供給不對稱的配線結構(參考 圖8)。另外，盡管也可以考慮通過遮光金屬層之外的層穿過OPB像素區(qū)域， 但是對于單元尺寸很小的像素難于實施該方法，因為另一個配線必須添加到 有效區(qū)域。然而，當采用圖9所示的構造時，即使在分開電源或者在相同的 層上提供電源和接地的情況下，也可以按著要求提供電源電壓，這是因為從 有效像素區(qū)域輸出的配線直接形成在OPB像素區(qū)域中設置的光電轉換元件 的上面。例如，即使在小單元尺寸的固態(tài)成像裝置中，不同的電壓也可以分 別提供給都在相同層上的OPB像素區(qū)域和有效像素區(qū)域中的配線，而不去 除OPB像素的部分，并且也不引起電壓供給上的不對稱。
圖9所示的結構適合于前述根據(jù)本發(fā)明實施例的固態(tài)成像裝置的配線結 構的第一、第二和第三實例。圖8的結構也適合于第一、第二和第三實例的 固態(tài)成像裝置。
盡管就關于將電源、接地等連接到有效像素區(qū)域已經對引導供給配線到 外部的方法進行了說明，但是本方法也可以適用于驅動電路配線等，用于期 望地從OPB像素區(qū)域的外部通過OPB像素區(qū)域輸入到有效像素區(qū)域。
圖14的示意解了提供有上述根據(jù)本發(fā)明實施例的固態(tài)成像裝置的 照相機。參考圖14，根據(jù)本實施例的照相機IOO提供為包括光學系統(tǒng)(光學 透鏡)101、固態(tài)成像裝置102和信號處理電路103。關于固態(tài)成像裝置102, 可以優(yōu)選釆用上述實施例中描述的裝置的任何一個，以及提供有配線結構的 第一實例或者第四實例的裝置。光學系統(tǒng)101構造為用從物體發(fā)出的圖像光 (入射光)在固態(tài)成像裝置102的成像表面上實施圖像形成。包括在固態(tài)成 像裝置102中的光電轉換元件將信號電荷積累固定的時間段。信號處理電路 103構造為提供給從固態(tài)成像裝置102輸出的信號各種信號處理，并且輸出 為圖片信號。根據(jù)本實施例的照相機100還可以包括照相機模塊，其通過模 塊化的光學系統(tǒng)101、固態(tài)成像裝置102和信號處理電路103形成。
關于根據(jù)本實施例的照相機100，因為該照相機結合了根據(jù)本發(fā)明實施 例的固態(tài)成像裝置，所以可以提供高靈敏度和高質量的圖片圖像。才艮據(jù)本發(fā)明的實施例，可以提供結合前述的圖14所示的照相^)L或者照 相機模塊的諸如移動電話為代表的移動裝置的各種電子裝置。關于根據(jù)本發(fā) 明實施例的電子裝置，因為包括能夠提供高靈敏度和高質量的圖片圖像的照 相機，所以可以提供高性能的電子裝置。
本領域的技術人員應當理解的是，在權利要求或其等同特征的范圍內， 根據(jù)設計需要和其它因素，可以進行各種修改、結合、部分結合和替換。
本發(fā)明包含2008年2月15日提交至日本專利局的日本專利申請JP 2008-035361相關的主題，將其全部內容引用結合于此。
權利要求
1、一種固態(tài)成像裝置，包括成像區(qū)域，包括二維布置的像素，每個像素都包括光電轉換元件和用于讀出從該光電轉換元件輸出的信號的多個像素晶體管；以及配線，形成在堆疊層上，用于驅動每個像素，其中該像素之間的遮光部分通過組合選自該配線中的第一配線和第二配線來形成。
2、 根據(jù)權利要求1所述的固態(tài)成像裝置，其中 該第一配線和該第二配線形成在單一層上。
3、 根據(jù)權利要求2所述的固態(tài)成像裝置，其中該第一配線和該第二配線形成為每個都具有彼此交叉的配線方向，并且 該第一配線在與該第二配線交叉的位置通過與該第一配線所在的層不 同的層上的連接配線互連。
4、 根據(jù)權利要求3所述的固態(tài)成像裝置，其中該第一配線和該第二配線的每個都形成為彼此部分地間斷的^f各子形狀， 從而組合得到形成為另外的格子結構的部分，這些部分的每一個都具有空間 上對應于包括在每個像素中的該光電轉換元件的開口 。
5、 根據(jù)權利要求4所述的固態(tài)成像裝置，其中 該第一配線和該第二配線是電源配線和接地配線。
6、 根據(jù)權利要求5所述的固態(tài)成像裝置，其中連接到該電源配線和該接地配線之一的電壓供給配線通過包括在光學 黑像素中的該光電轉換元件的正上方。
7、 根據(jù)權利要求5所述的固態(tài)成像裝置，其中 去除光學黑像素的一部分，以形成去除的部分， 該電源配線和該接地配線之一延伸到該去除的部分，并且 該電源配線和該接地配線中的另 一個延伸到該光學黑像素。
8、 根據(jù)權利要求3所述的固態(tài)成像裝置，其中連接到該第一配線和該第二配線之一的電壓/信號供給配線通過包括在 光學黑像素中的該光電轉換元件的正上方。
9、 根據(jù)權利要求3所述的固態(tài)成像裝置，其中去除光學黑像素的一部分以形成去除的部分， 該第一配線和該第二配線之一延伸到該去除的部分，并且 該第一配線和該第二配線中的另一個延伸到該光學黑像素。
10、 一種照相才幾，包4舌 固態(tài)成像裝置；光學系統(tǒng)，構造為引導入射光到包括在該固態(tài)成像裝置中的光電轉換元 件；以及信號處理電路，構造為處理來自該固態(tài)成像裝置的輸出信號；該固態(tài)成像裝置包括成像區(qū)域，包括二維布置的像素，每個像素都包括光電轉換元件和用于讀出從該光電轉換元件輸出的信號的多個像素晶體管；以及 配線，形成在堆疊層上，用于驅動每個像素，其中 該像素之間的遮光部分通過組合選自該配線中的第 一 配線和第二配線來形成。
11、 根據(jù)權利要求IO所述的照相機，其中該固態(tài)成像裝置中的該第一配線和該第二配線形成在單一層上。
12、 根據(jù)權利要求11所述的照相機，其中該第一配線和該第二配線形成為每個都具有彼此交叉的配線方向，并且 該第一配線在與該第二配線交叉的位置通過與該第一配線所在的層不 同的層上的連接配線互連。
13、 根據(jù)權利要求12所述的照相機，其中該第一配線和該第二配線的每個都形成為彼此部分地間斷的格子形狀， 從而組合得到形成為另外的格子結構的部分，這些部分的每一個都具有空間 上對應于包括在每個像素中的該光電轉換元件的開口 。
14、 根據(jù)權利要求13所述的照相機，其中 該第一配線和該第二配線是電源配線和接地配線。
15、 根據(jù)權利要求14所述的照相機，其中連接到該電源配線和該4妄地配線之一的電壓供給配線通過包括在光學 黑像素中的該光電轉換元件的正上方。
16、 根據(jù)權利要求14所述的照相機，其中 去除光學黑像素的一部分，以形成去除的部分，該電源配線和該接地配線之一延伸到該去除的部分，并且 該電源配線和該接地配線中的另 一個延伸到該光學黑像素。
17、 一種電子裝置，包括 照相機； 該照相機包括固態(tài)成像裝置，光學系統(tǒng)，構造為引導入射光到包括在該固態(tài)成像裝置中的光電轉 換元件，以及信號處理電路，構造為處理來自該固態(tài)成像裝置的輸出信號； 該固態(tài)成像裝置包括成像區(qū)域，包括二維布置的像素，每個像素都包括光電轉換元 件和用于讀出從該光電轉換元件輸出的信號的多個像素晶體管；以及配線，形成在堆疊層上，用于驅動每個像素，其中 該像素之間的遮光部分通過組合選自該配線的第一配線和第 二配線來形成。
18、 根據(jù)權利要求17所述的電子裝置，其中該固態(tài)成像裝置中的該第一配線和該第二配線為 形成在單一層上的電源配線和接地配線；每個都形成為彼此部分地間斷的格子形狀，從而組合得到形成為另外的 格子結構的部分，這些部分的每一個都具有空間上對應于包括在每個像素中 的該光電轉換元件的開口；所形成的每個都具有彼此交叉的配線方向；并且該第一配線在與該第二配線交叉的位置通過與該第一配線所在的層不 同的層上的連接配線互連。
19、 根據(jù)權利要求18所述的電子裝置，其中連接到該電源配線和該接地配線之一的電壓供給配線通過包括在光學 黑像素中的該光電轉換元件的正上方。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種固態(tài)成像裝置、照相機和電子裝置。該固態(tài)成像裝置包括成像區(qū)域和形成在堆疊層上的配線，成像區(qū)域包括二維布置的像素，每個像素都包括光電轉換元件和用于讀出從光電轉換元件輸出的信號的多個像素晶體管，并且配線用于驅動每個像素。通過組合選自配線的第一和第二配線形成像素之間的遮光部分。
文檔編號H04N5/335GK101510552SQ20091000636
公開日2009年8月19日 申請日期2009年2月16日 優(yōu)先權日2008年2月15日
發(fā)明者鈴木亮司, 阿部高志 申請人:索尼株式會社