專利名稱：應(yīng)用于scdma手機(jī)中的聲表面波中頻濾波器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于通信用電子元器件領(lǐng)域，具體地說，本實(shí)用新型涉及一種應(yīng) 用于SCDMA (同步多址接入技術(shù))手機(jī)中的低插入損耗聲表面波中頻濾波器。
背景技術(shù)：
聲表面波中頻濾波器具有體積小、較小的矩形系數(shù)、低插入損耗和高帶阻等 特性，因此廣泛應(yīng)用于SCDMA手機(jī)中頻濾波，而作為中頻濾波器的聲表面波濾波 器的插入損耗直接影響手機(jī)的功耗性能。
目前已有的SCDMA手機(jī)中，采用的窄帶中頻濾波器的損耗通常較大，通常為 7 10dB。已有窄帶中頻濾波器采用ST石英基片(如美國TriQuint產(chǎn)品)，器件 損耗大于7dB，因此不能很好的適應(yīng)SCDMA手機(jī)的要求。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提出一種采用ST石英基片上制 作的插入損耗小于6dB的窄帶中頻聲表面波濾波器，從而滿足SCDMA手機(jī)的 要求。
為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本實(shí)用新型提供的應(yīng)用于SCDMA手機(jī)中的聲表面波 中頻濾波器，制作在ST石英基片上，其特征在于，由兩個單相單向換能器，以 及位于所述兩個單相單向換能器之間的中間屏蔽條組成；其中，輸入單相單向換 能器的長度為54X，輸出單相單向換能器的長度為120、所述輸入和輸出單相單 向換能器的反射柵條的寬度是X/4，反射柵條的中心與相鄰指條中心間隔為3入/8， 換能器指條寬度為X/8;其中X為中心頻率對應(yīng)的波長。
上述技術(shù)方案中，所述輸入單相單向換能器的反射柵條數(shù)量為28根，輸出
單相單向換能器的反射柵條數(shù)量為34根。
上述技術(shù)方案中，所述輸入和輸出單相單向換能器的柵條金屬膜的厚度在 0. 9 Upm之間，所述柵條金屬膜的厚度與波長入的比值在0.03~0.04之間。
上述技術(shù)方案中，所述輸入單相單向換能器的加權(quán)方式采用不加權(quán)，輸出單 相單向換能器的加權(quán)方式采用抽指加權(quán)；所述輸入和輸出單相單向換能器的反射 柵陣的加權(quán)方式均采用抽指加權(quán)。
本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于(1)基片采用ST石英，溫度穩(wěn)定性好，適合窄帶 濾波器。(2)由于單根反射柵的反射強(qiáng)度隨反射柵條厚度增加而增加，所以可以 通過提高反射柵條的金屬膜厚度來降低器件插入損耗，從而使得插入損耗小于 6dB。


圖1是本實(shí)用新型的應(yīng)用于SCDMA手機(jī)中的聲表面波中頻濾波器的安裝結(jié) 構(gòu)示意圖。
圖2是本實(shí)用新型的應(yīng)用于SCDMA手機(jī)中的聲表面波中頻濾波器的結(jié)構(gòu)示 意圖。圖3是圖2實(shí)施例的幅頻響應(yīng)圖。 圖4是圖2實(shí)施例的群時延頻響圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和優(yōu)選實(shí)施例，對本實(shí)用新型作進(jìn)一步地描述。 實(shí)施例1
圖1是本實(shí)用新型的應(yīng)用于SCDMA手機(jī)中的聲表面波中頻濾波器的安裝結(jié) 構(gòu)示意圖。聲表面波中頻濾波器1粘貼在SMD (表面安裝器件)管座底面2上， 輸入與輸出電極通過引線3分別與四個管腳4相連。所述輸入、輸出電極的引出位 置可參見圖2。
圖2是本實(shí)用新型的應(yīng)用于SCDMA手機(jī)中的聲表面波中頻濾波器的結(jié)構(gòu)示 意圖。該聲表面波中頻濾波器由制作在ST石英基片5上的兩個單相單向換能器6、 8，以及中間屏蔽條7組成。換能器6采用不加權(quán)，換能器8采用抽指加權(quán)。反射柵 陣加權(quán)均采用抽指加權(quán)。反射柵條9的寬度是X/4 (X為中心頻率對應(yīng)的波長)，反 射柵條的中心與相鄰指條中心間隔為3人/8，換能器指條(包括換能指條、無換能 或無反射的填充指條)寬度為X/8。為了獲得窄帶濾波器的幅度響應(yīng)，兩個單相 單向換能器的長度不相等，分別為54X和120X，反射柵條數(shù)量分別為28根和34根。 為了達(dá)到相對低的插入損耗，當(dāng)反射柵條數(shù)目小的時候，取大的相對膜厚h/X， 從而獲得較大的總反射系數(shù)(總反射強(qiáng)度:id2與換能器總柵條數(shù)目的乘積,其值接 近l時能量泄漏小)。本實(shí)施例中的柵條金屬膜厚h為1.0Mm，相對膜厚h/入為 0.035。本實(shí)用新型中，柵條金屬膜厚h可以取0.9 l.lnm，即相對膜厚h/X取 0.03~0.04。
由于總的反射強(qiáng)度由單根反射強(qiáng)度和反射柵條數(shù)目乘積決定，而反射柵條的 數(shù)目已經(jīng)由換能器加權(quán)確定，所以通過控制單根反射柵條的反射強(qiáng)度來控制總的 反射強(qiáng)度。又由于單根反射柵條的反射信號的強(qiáng)度K,HRmxh/X+Rel，其中Rm= -0.71, Re=-0. 00057， h:柵條金屬膜的厚度，人:波長，即反射的周期長度X2。 因此可以通過改變柵條金屬膜的厚度h來控制反射信號強(qiáng)度。其特點(diǎn)在于ST石 英上面反射柵的反射信號主要來自于力學(xué)負(fù)載的貢獻(xiàn)，隨著膜厚的增加而增大， 反射信號的強(qiáng)度通過改變膜厚來控制，從而降低濾波器的插入損耗。
圖3是圖2中實(shí)施例的幅頻響應(yīng)曲線，從圖中可以看出，3dB帶寬約1.0MHz， 插入損耗為5.9dB，帶外抑制40dB。
圖4是圖2中實(shí)施例的群時延頻響曲線，從圖中可以看出110i0.5MHz范圍內(nèi)， 群時延起伏小于40nS。
實(shí)施例2
本實(shí)施例柵條金屬膜的厚度h取0.9^un，相對膜厚h/a取0.03 。其余部分與 實(shí)施例1相同。 實(shí)施例3
本實(shí)施例柵條金屬膜的厚度h取l.lpm，相對膜厚h/X取0.04。其余部分與實(shí) 施例1相同。
權(quán)利要求1、一種應(yīng)用于SCDMA手機(jī)中的聲表面波中頻濾波器，制作在ST石英基片上，其特征在于，由兩個單相單向換能器，以及位于所述兩個單相單向換能器之間的中間屏蔽條組成；其中，輸入單相單向換能器的長度為54λ，輸出單相單向換能器的長度為120λ；所述輸入和輸出單相單向換能器的反射柵條的寬度是λ/4，反射柵條的中心與相鄰的換能器指條中心間隔為3λ/8，換能器指條寬度為λ/8；其中λ為中心頻率對應(yīng)的波長。
2、 按權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于SCDMA手機(jī)中的聲表面波中頻濾波器，其 特征在于，所述輸入單相單向換能器的反射柵條數(shù)量為28根，輸出單相單向換 能器的反射柵條數(shù)量為34根。
3、 按權(quán)利要求1或2所述的應(yīng)用于SCDMA手機(jī)中的聲表面波中頻濾波器， 其特征在于，所述輸入和輸出單相單向換能器的柵條金屬膜的厚度在0.9 l.lpm之間，所述柵條金屬膜的厚度與波長X的比值在0.03 0.04之間。
4、 按權(quán)利要求1或2所述的應(yīng)用于SCDMA手機(jī)中的聲表面波中頻濾波器， 其特征在于，所述輸入單相單向換能器的加權(quán)方式采用不加權(quán)，輸出單相單向換 能器的加權(quán)方式采用抽指加權(quán);所述輸入和輸出單相單向換能器的反射柵陣的加 權(quán)方式均采用抽指加權(quán)。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種應(yīng)用于SCDMA手機(jī)中的聲表面波中頻濾波器，該濾波器制作在ST石英基片上，其特征在于，由兩個單相單向換能器，以及位于所述兩個單相單向換能器之間的中間屏蔽條組成；其中，輸入單相單向換能器的長度為54λ，輸出單相單向換能器的長度為120λ；所述輸入和輸出單相單向換能器的反射柵條的寬度是λ/4，反射柵條的中心與相鄰的換能器指條中心間隔為3λ/8，換能器指條寬度為λ/8；其中λ為中心頻率對應(yīng)的波長。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于(1)基片采用ST石英，溫度穩(wěn)定性好，適合窄帶濾波器。(2)可以通過提高反射柵條的金屬膜厚度來降低器件插入損耗，從而使得插入損耗小于6dB，能夠更好地滿足SCDMA手機(jī)的要求。
文檔編號H04Q7/32GK201008153SQ20072010317
公開日2008年1月16日 申請日期2007年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月11日
發(fā)明者何世堂, 徐方遷, 李紅浪 申請人:中國科學(xué)院聲學(xué)研究所