專利名稱：顯示裝置和電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請(qǐng)涉及一種顯示裝置和包括該顯示裝置的電子設(shè)備，該顯示裝置包 含每個(gè)具有光接收元件的顯示像素。
背景技術(shù)：
存在一些技術(shù)能夠?yàn)轱@示裝置提供坐標(biāo)輸入功能。更特別的，例如包含 該坐標(biāo)輸入功能的顯示裝置包括具有壓敏觸摸板的顯示裝置(參見日本待審
專利申請(qǐng)公開No.2002-149085和No.2002-41244 )和具有電磁感應(yīng)觸摸板的 顯示裝置(參見曰本待審專利申請(qǐng)公開No.l 1-134105 )。
但是，難以對(duì)上述具有坐標(biāo)輸入功能的顯示裝置小型化。另外，這樣的 顯示裝置也要比普通的顯示裝置更加昂貴。為了克服這些困難，已經(jīng)對(duì)能夠 通過包含在每個(gè)像素中的光接收元件對(duì)接收到的光進(jìn)行檢測(cè)從而指明坐標(biāo) 的顯示裝置進(jìn)行了積極的開發(fā)(參見日本待審專利申請(qǐng)公開No.2004-318067 和No.2004-318819)。
上述通過采用光接收元件接收坐標(biāo)輸入操作的顯示裝置能夠小型化，并 擁有比具有坐標(biāo)輸入功能的顯示裝置更高的性價(jià)比。另外，上述顯示裝置能 夠接收多點(diǎn)坐標(biāo)輸入操作以及區(qū)域坐標(biāo)輸入操作。

發(fā)明內(nèi)容
然而，在包括光接收元件的顯示裝置中，顯示側(cè)上產(chǎn)生的信號(hào)可能通過 寄生電容與光接收(圖像獲取)側(cè)上產(chǎn)生的信號(hào)相互混合。為了防止這種情 況，可以進(jìn)行如下的方法，其中在連續(xù)的顯示幀周期中設(shè)置圖像獲取幀周期， 并且在圖像獲取幀周期獲取圖像。然而，即使進(jìn)行這種方法，也不能肯定地 防止顯示側(cè)上產(chǎn)生的信號(hào)通過寄生電容與圖像獲取側(cè)上產(chǎn)生的信號(hào)混合。而 且，也要求顯示側(cè)和圖像獲取側(cè)之間同步。
希望提供一種顯示裝置，該顯示裝置能夠防止顯示側(cè)上產(chǎn)生的信號(hào)通過 寄生電容與光接收側(cè)上產(chǎn)生的信號(hào)相互混合，并且能同步操作顯示側(cè)和光接收側(cè)。
本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置包括至少一像素部分，包括具有像素電極的 顯示單元和具有光接收元件的光接收單元；以及一屏蔽導(dǎo)電體，配置來(lái)將顯 示單元側(cè)的像素電極從光接收元件電屏蔽。該屏蔽導(dǎo)電體形成于像素電極和 光接收元件之間并具有固定電勢(shì)。
優(yōu)選的，該顯示裝置還包括另一屏蔽導(dǎo)電體，配置來(lái)將位于顯示單元側(cè) 的像素電極從連接到光接收單元并傳輸由光接收元件接收到的光產(chǎn)生的光 接收信號(hào)的光接收信號(hào)線電屏蔽。該另一屏蔽導(dǎo)電體形成于像素電極和光接 收信號(hào)線之間并具有固定電勢(shì)。
優(yōu)選的，該屏蔽導(dǎo)電體和另一屏蔽導(dǎo)電體采用現(xiàn)有的導(dǎo)電膜形成。
優(yōu)選的，該屏蔽導(dǎo)電體在垂直于基板的主要表面的方向上在光接收元件 上方和下方中至少一個(gè)位置形成。優(yōu)選的，該另一屏蔽導(dǎo)電體在垂直于基板 的主要表面的方向上在光接收元件和光接收信號(hào)線上方和下方中至少一個(gè) 位置形成。
優(yōu)選的，該屏蔽導(dǎo)電體和另一屏蔽導(dǎo)電體僅電屏蔽通過從光接收元件的 整個(gè)區(qū)域中排除光接收元件的有源層的區(qū)域而得到的電極的部分。
優(yōu)選的，該光接收元件采用形成于絕緣基板上的薄膜晶體管形成。優(yōu)選 的，該屏蔽導(dǎo)電體和另一屏蔽導(dǎo)電體電屏蔽通過從薄膜晶體管的整個(gè)電極區(qū) 域中排除作為光接收元件的薄膜晶體管的電極的部分而得到的區(qū)域。
優(yōu)選的，該光接收元件采用形成于絕緣基板上的二極管形成。優(yōu)選的， 該屏蔽導(dǎo)電體和另一屏蔽導(dǎo)電體電屏蔽通過從二極管的整個(gè)區(qū)域中排除作 為光接收元件的二極管的有源層的區(qū)域而得到的區(qū)域。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置，包括以矩陣形式排列的多個(gè)像素部分， 每個(gè)像素部分包括顯示單元和光接收單元，該顯示單元具有像素電極和薄膜 晶體管，該薄膜晶體管響應(yīng)于施加到柵電極的掃描脈沖信號(hào)操作地連接像素 電極和信號(hào)線，該光接收單元具有光接收元件并且被連接到光接收信號(hào)線， 光接收元件接收的光產(chǎn)生的光接收信號(hào)通過該光接收信號(hào)線傳輸；以及屏蔽 導(dǎo)電體，將顯示單元側(cè)的像素電極從光接收元件和/或光接收信號(hào)線電屏蔽， 該屏蔽導(dǎo)電體形成于像素電極和光接收元件之間以及像素電極和光接收信 號(hào)線之間的至少一位置，并且具有固定電勢(shì)。
一種電子設(shè)備包括根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的上述顯示裝置之一 。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在包括光接收元件的顯示裝置中，通過采用導(dǎo)電 膜將各個(gè)光接收元件從顯示側(cè)的像素電極電屏蔽，從而能夠防止顯示側(cè)上產(chǎn)
生的信號(hào)通過寄生電容與光接收側(cè)上產(chǎn)生的信號(hào)的相互混合。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，能夠防止顯示側(cè)上產(chǎn)生的信號(hào)通過寄生電容與光 接收側(cè)上產(chǎn)生的信號(hào)的相互混合。而且，顯示側(cè)和光接收側(cè)能夠同步地工作。


圖l是說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示裝置的示范性結(jié)構(gòu)的方框示意圖。
圖2是說明圖1的液晶顯示裝置的有效像素區(qū)域的示范性結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖3是說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光接收單元的基本結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖4是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的像素部分的截面圖。
圖5是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的包含在像素部分中的光接收單元的等效 電路的原理示意圖。
圖6是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的包含在像素部分中的光接收單元的原理 透視圖。
圖7是不具有屏蔽導(dǎo)電膜的像素部分截面圖。
圖8是包含在圖7像素部分中的光接收單元的等效電路的原理示意圖。
圖9是包含在圖7像素部分中的光接收單元的原理透視圖。
圖IO是說明顯示圖像的示意圖。
圖11是說明當(dāng)像素部分中不包含屏蔽導(dǎo)電膜時(shí)得到的獲取圖像的示意圖。
圖12是說明當(dāng)像素部分中包含屏蔽導(dǎo)電膜時(shí)得到的獲取圖像的示意圖。
圖13是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的像素部分的截面圖。 圖14是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的包含在像素部分中的光接收單元的光
接收信號(hào)線的原理透視圖。
圖15是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的像素部分的截面圖。
圖16是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的包含在像素部分中的光接收單元的光
接收元件或者光接收信號(hào)線的區(qū)域的原理透視圖。
圖17是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的像素部分的截面圖。
圖18是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的包含在像素部分中的光接收單元的光
接收元件或者光接收信號(hào)線的區(qū)域的原理透視圖。
圖19是根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的像素部分的截面圖。
圖20是根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的包含在像素部分中的光接收單元的等
效電if各原理圖。
圖21是根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的像素部分的截面圖。
圖22是根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的包含在像素部分中的光接收單元的等
效電5^原理圖。
圖23是采用根據(jù)第六實(shí)施例的使用頂柵極TFT的像素部分的截面圖。
圖24是說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置的裝置結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖25是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置的模塊結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖26是包含根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置的電視機(jī)的透視圖。
圖27是包含根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置的數(shù)碼相機(jī)的透視圖。
圖28是包含根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置的個(gè)人筆記本電腦的透視圖。
圖29是包含根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置的移動(dòng)終端設(shè)備的示意圖。
圖30是包含根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置的視頻攝像機(jī)的透視圖。
具體實(shí)施例方式
以下將參考

本發(fā)明的實(shí)施例
下面，為了使本發(fā)明中的實(shí)施例更容易理解，首先將說明包括顯示像素 的液晶顯示裝置的基本結(jié)構(gòu)和功能，其中每個(gè)顯示像素包括光接收元件。接 著，說明其具體結(jié)構(gòu)。
圖1是說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示裝置的示范性結(jié)構(gòu)的方框圖。 圖2是說明在圖1中說明的液晶顯示裝置中的有效像素區(qū)域的示范性結(jié)構(gòu)的 示意圖。
如圖1所示，液晶顯示裝置1提供有效像素區(qū)域2、垂直驅(qū)動(dòng)電路 (VDRV) 3、水平驅(qū)動(dòng)電路(HDRV) 4以及光接收控制電^各(RCTL ) 5。
在有效像素區(qū)域2中，多個(gè)像素部分20被排布成矩陣狀。每個(gè)像素部 分20包括彼此平行布置的顯示單元21和光接收單元22。
如圖2所示，每個(gè)顯示單元21包括作為開關(guān)元件的薄膜晶體管(TFT) 211;液晶單元(LC) 212，具有連接到TFT211的漏電極(或源電極)的像 素電極；以及，存儲(chǔ)電容(CS)213，其電極之一連接到TFT211的漏電極。 對(duì)于包含在相應(yīng)的像素部分20中的顯示單元21，掃描線H冊(cè)極線)6-1至像素部分20排列的方向成行地排列，信號(hào)線7-1至7-n沿著像素部 分20排列的方向成列地排列。排列在同一行中的顯示單元21的TFT211的 柵電極接到同一掃描線，即掃描線(柵極線)6-1至6-m中的一條。排列在 同一列中的顯示單元21的TFT 211的源電極(或者漏電極)連接到同一信 號(hào)線，即信號(hào)線7-1至7-n中的一條。在通常的液晶顯示裝置中，像素存儲(chǔ) 電容線8-1至8-m被單獨(dú)的排布。每個(gè)存儲(chǔ)電容213形成在像素存儲(chǔ)電容線 8-1至8-m中的一條和相應(yīng)的連接電極之間。預(yù)定DC電壓作為公共電壓 VCOM通過公共線被提供給包含在每個(gè)像素部分20的顯示元件21的液晶單 元212的相對(duì)電極和/或存儲(chǔ)電容213的另一個(gè)電極?？蛇x4奪的，該公共電壓 VCOM的極性在一個(gè)水平掃描周期(1H)中被反轉(zhuǎn)，并被提供給包含在每 個(gè)像素部分20的顯示元件21的液晶單元212的相對(duì)電極和存儲(chǔ)電容213的 另一個(gè)電極。
掃描線6-1至6-m由垂直驅(qū)動(dòng)電路3驅(qū)動(dòng)。信號(hào)線7-1至7-n由水平驅(qū) 動(dòng)電路4驅(qū)動(dòng)。
通過接收垂直開始信號(hào)VST、垂直時(shí)鐘信號(hào)VCK以及使能信號(hào)ENB， 垂直驅(qū)動(dòng)電路3在每個(gè)場(chǎng)周期中執(zhí)行垂直方向(行方向)的掃描，從而按照 逐行的方式順序地選擇連接到掃描線6-1至6-m的像素部分20。也就是說， 當(dāng)掃描脈沖SP1由垂直驅(qū)動(dòng)電路3傳送到掃描線6-l時(shí)，第一行中的像素部 分被選擇。當(dāng)掃描脈沖SP2由垂直驅(qū)動(dòng)電路3傳送到掃描線6-2時(shí)，第二行 中的像素部分被選擇。類似的，掃描脈沖SP3，…，和SPm被順序地傳送到 掃描線6-3，…，和6-m。
當(dāng)從時(shí)鐘發(fā)生器(未示出)接收指示水平掃描開始的水平開始脈沖HST 以及具有反相相位并作為水平掃描的參考信號(hào)的水平時(shí)鐘信號(hào)HCK時(shí)，水 平驅(qū)動(dòng)電路4產(chǎn)生抽樣脈沖，按照所產(chǎn)生的抽樣脈沖對(duì)輸入的圖像數(shù)據(jù)R (紅)，G (綠)和B (藍(lán))的片順序地執(zhí)行抽樣，并且將抽樣結(jié)果提供到信 號(hào)線7-1至7-n中相應(yīng)的信號(hào)線以作為待寫入到像素部分20相應(yīng)的一個(gè)中的 數(shù)據(jù)信號(hào)。
對(duì)于包含在相應(yīng)的像素部分20的光接收元件22，光接收元件控制線9-1 至9-m以及光接收元件信號(hào)線10-1至10-M沿像素部分20排列的方向成行 地排列。
圖3是說明根據(jù)該實(shí)施例的光接收單元的示范性基本結(jié)構(gòu)電路圖。
根據(jù)該實(shí)施例的光接收單元22提供有光接收元件221 、復(fù)位TFT 222、 光接收信號(hào)存儲(chǔ)電容(CO) 223、放大器224以及節(jié)點(diǎn)ND 221組成。光接 收元件221采用TFT或二4l管。
該光接收元件221連接于電源電勢(shì)VDD和節(jié)點(diǎn)ND 221之間。復(fù)位TFT 222采用例如n溝道晶體管形成。復(fù)位TFT 222的源電極連接到參考電勢(shì)VSS (例如，地GND ),復(fù)位TFT 222的漏電極連4秦到節(jié)點(diǎn)ND 221 ，并且復(fù)位 TFT 222的柵電極連接到排列在相應(yīng)行中的光接收元件控制線9。光接收信 號(hào)存儲(chǔ)電容223連接于節(jié)點(diǎn)ND 221和參考電勢(shì)VSS之間。放大器224的輸 入端連接到節(jié)點(diǎn)ND 221(也就是光接收信號(hào)存儲(chǔ)電容223所連接到的節(jié)點(diǎn))， 放大器224的輸出端連接到光接收信號(hào)線10。
光接收元件控制線9和光接收信號(hào)線10都連接到光接收控制電路5。光 接收控制電路5在預(yù)定的時(shí)間給光接收控制信號(hào)線9-1至9-m提供復(fù)位脈沖。 因此，包含于每個(gè)光接收單元22中的復(fù)位TFT 222被導(dǎo)通一定的時(shí)間，從 而節(jié)點(diǎn)ND221被復(fù)位。也就是說，例如儲(chǔ)存在連接到節(jié)點(diǎn)ND 221的光接 收信號(hào)儲(chǔ)存電容223中的電荷被放電，節(jié)點(diǎn)ND 221的電勢(shì)被設(shè)置成參考電 勢(shì)，于是光接收單元22的狀態(tài)被設(shè)置成它的初始狀態(tài)。與此同時(shí)，如果光 接收元件221接收一預(yù)定量的光，光接收元件221開始導(dǎo)通。隨后，節(jié)點(diǎn) ND221的電勢(shì)增加，并且電荷被存儲(chǔ)在光接收信號(hào)存儲(chǔ)電容223中。被存 儲(chǔ)的電荷被放大器224作為電信號(hào)放大。該電信號(hào)被作為光接收信號(hào)輸出到 光接收信號(hào)線10中，然后被輸入到光接收控制電路5中。光接收控制電路5 響應(yīng)于接收到的光接收信號(hào)執(zhí)行預(yù)定的功能單元的控制。
在根據(jù)該實(shí)施例的液晶顯示裝置1中，像素部分20設(shè)置來(lái)防止產(chǎn)生于 像素單元中的信號(hào)和在光接收單元中產(chǎn)生的信號(hào)通過寄生電容相互混合，并 且不同步地操作顯示單元和光接收單元。接下來(lái)，將說明根據(jù)該實(shí)施例配置 的液晶顯示裝置1的每個(gè)像素部分的具體構(gòu)造。
第一實(shí)施例
圖4是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的像素部分的截面圖。
如圖4所示，在每個(gè)像素部分20中，顯示單元21和光接收單元22彼 此平行排布。被柵絕緣膜232所覆蓋的柵電極233形成于透明的絕緣基板231 (例如玻璃基板)上。柵電極233連接于掃描線(柵極線)6。 TFT 211根據(jù) 從掃描線6輸入的掃描信號(hào)導(dǎo)通或截止。柵電極233通過使用金屬例如鉬
(Mo)或鉭(Ta)或合金進(jìn)行賊射形成。在柵絕緣膜232上，形成半導(dǎo)體 膜(溝道形成區(qū)域)234、在之間夾置半導(dǎo)體膜234的一對(duì)n-擴(kuò)散層(LDD 區(qū)域)235和236、以及在之間夾置半導(dǎo)體膜234的一對(duì)n+擴(kuò)散層(源區(qū)域) 237和n+擴(kuò)散層(漏區(qū)域)238。層間絕緣膜239覆蓋于柵絕緣膜232、半 導(dǎo)體膜(溝道形成區(qū)域)234、 n-擴(kuò)散層(LDD區(qū)域)235和236、 n+擴(kuò)散層 (源區(qū)域)237和n+擴(kuò)散層(漏區(qū)域)238上。由如SiN或者Si02等構(gòu)成的 層間絕緣膜240覆蓋于層間絕緣膜239上。在如圖4所示的像素部分20中， 顯示單元21和光接收單元22均具有以上所述的結(jié)構(gòu)。
在顯示單元21中，n+擴(kuò)散層237通過形成在層間絕緣膜239和240中 的接觸孔241a連接到源電極242， n+擴(kuò)散層238通過形成在層間絕緣膜239 和240中的接觸孔241b連接到漏電極243。該源電極242和該漏電極243 通過采用鋁(Al)構(gòu)圖獲得。該源電極242連接到信號(hào)線7。該漏電極243 通過在顯示側(cè)上的連接電極連接到透明電極(像素電極)。在光接收單元22 中，連接到固定電勢(shì)的屏蔽導(dǎo)電膜244形成于層間絕緣膜240上。該屏蔽導(dǎo) 電膜244可以由例如Al， TiAl， Mo，多晶硅或者透明電極(ITO )構(gòu)成。在 如圖4所示的情況下，屏蔽導(dǎo)電膜244最好由透明電極構(gòu)成。
在顯示單元21和光接收單元22中，平坦化膜245形成于層間絕緣膜 240、源電極242、漏電極243以及屏蔽導(dǎo)電膜244之上。位于顯示側(cè)246 上的透明電極(ITO)形成在平坦化膜245之上。液晶層248將液晶材料密 封在位于對(duì)向電極側(cè)247上的像素電極(透明電極ITO )和位于顯示側(cè)246 上的透明電極之間而形成。
在該實(shí)施例中，在包括光接收單元的顯示裝置中，通過采用屏蔽導(dǎo)電膜 244將光接收單元221從位于顯示側(cè)246上的像素電極電屏蔽，從而能夠防 止產(chǎn)生于顯示側(cè)的信號(hào)和產(chǎn)生于光接收(圖像獲fO側(cè)的信號(hào)的相互混合。 接下來(lái)，參考圖4至12來(lái)說明具有屏蔽導(dǎo)電膜的像素部分的優(yōu)越性，同時(shí) 與不具有屏蔽導(dǎo)電膜的像素部分進(jìn)行比較。
圖5是根據(jù)該實(shí)施例的包含在像素部分中的光接收單元的等效電路原理 圖。圖6是根據(jù)該實(shí)施例的包含在像素部分中的光接收單元的原理透視圖。 圖7是不具有屏蔽導(dǎo)電膜的像素部分截面圖。圖8是包含在圖7的像素部分 中的光接收單元的等效電路原理圖。圖9是包含在圖7的像素部分中的光接 收單元的原理透視圖。圖IO是說明顯示圖像的示例的示意圖。圖ll是當(dāng)像
素部分中不包含屏蔽導(dǎo)電膜時(shí)得到的獲取圖像的示意圖。圖12是說明當(dāng)像 素部分中包含屏蔽導(dǎo)電膜時(shí)得到的獲取圖像的示意圖。
圖11為當(dāng)具有光接收元件的顯示裝置顯示如圖IO所示的圖像然后在不 具備屏蔽導(dǎo)電膜的光接收元件獲取光接收信號(hào)(圖像獲取信號(hào))時(shí)得到的獲
取圖像的示例。如圖11所示，如果光接收元件221沒有4皮從位于顯示側(cè)246 上的像素電極屏蔽，則產(chǎn)生于顯示側(cè)上的信號(hào)就會(huì)和獲取圖像相混合。
如圖8和圖9所示，產(chǎn)生于顯示側(cè)上的信號(hào)和產(chǎn)生于光接收(圖像獲取) 側(cè)上的信號(hào)相互混合的原因在于，用來(lái)存儲(chǔ)光接收信號(hào)的光接收信號(hào)存儲(chǔ)電 容(C0) 223的電壓值V0通過寄生電容Cl受到顯示側(cè)246上的像素電極 的電壓改變的影響。因此，在該實(shí)施例中，通過采用導(dǎo)電膜將光接收元件從 位于顯示側(cè)246上的像素電極電屏蔽，能夠防止產(chǎn)生于顯示側(cè)的信號(hào)與產(chǎn)生 于光接收(圖像獲取)側(cè)的信號(hào)相互混合。
圖12為當(dāng)具有光接收元件的顯示裝置顯示如圖IO所示的圖像，采用導(dǎo) 電膜244將光接收元件221從位于顯示側(cè)246上的像素電極電屏蔽，然后從 光接收元件獲取光接收(圖像獲取)信號(hào)時(shí)得到的獲取圖像的示例。如圖12 所示，通過將光接收元件221從位于顯示側(cè)246上的像素電極電屏蔽，產(chǎn)生 于顯示側(cè)的信號(hào)和獲取圖像的相互混合的就會(huì)被有效地防止。
如圖4至6所示，通過將屏蔽導(dǎo)電膜244設(shè)置在光接收元件221和位于 顯示側(cè)246上的像素電極之間，并且將屏蔽導(dǎo)電膜244的電勢(shì)設(shè)定為一固定 電勢(shì)，即使像素電極的電壓被改變，該屏蔽導(dǎo)電膜依然能夠補(bǔ)償電壓改變的 影響，而且能夠因此防止產(chǎn)生于顯示側(cè)的信號(hào)與獲取圖像的相互混合。
如前所述，根據(jù)本發(fā)明中的第一實(shí)施例，通過在包括光接收元件的顯示 裝置中在光接收元件221和顯示側(cè)246上的像素電極之間設(shè)置導(dǎo)電膜244， 并且將導(dǎo)電膜244的電勢(shì)設(shè)定為固定電勢(shì)，能夠防止產(chǎn)生于顯示側(cè)的信號(hào)通 過寄生電容與圖像獲取側(cè)產(chǎn)生的信號(hào)的相互混合。僅采用以上所述的結(jié)構(gòu)， 就能夠防止產(chǎn)生于顯示側(cè)的信號(hào)和產(chǎn)生于光接收(圖像獲取)側(cè)的信號(hào)的相 互混合。因此，該顯示側(cè)和該光接收側(cè)(圖像獲取)能夠被同步地操作。
第二實(shí)施例
圖13是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的像素部分的截面圖。
圖14是根據(jù)第二 實(shí)施例的包含在像素部分中的光接收單元的光接收信號(hào)線的區(qū)域的原理透 視圖。
在根據(jù)第二實(shí)施例的像素部分20A中，不僅光接收元件而且光接收信號(hào)
線都采用屏蔽導(dǎo)電膜從像素電極屏蔽。這不同于根據(jù)第一實(shí)施例的像素部分20。
如圖13所示，光接收信號(hào)線10形成于柵絕緣膜232之上。層間絕緣膜 239覆蓋在光接收信號(hào)線IO上面。屏蔽導(dǎo)電膜244A選擇性地形成于相應(yīng)于 光接收信號(hào)線10的層間絕緣膜240上的區(qū)域(能夠被屏蔽的區(qū)域)上。
根據(jù)第二實(shí)施例，不僅光接收元件而且光接收信號(hào)線10采用屏蔽導(dǎo)電 膜244A從顯示側(cè)246上的像素電極屏蔽。因此，與第一實(shí)施例中所描述的 情況相比，產(chǎn)生于顯示側(cè)的信號(hào)和圖像獲取信號(hào)的相互混合能夠被更有效的 防止。
在該實(shí)施例中，可以設(shè)置一種新的屏蔽導(dǎo)電膜，或者可使用已有的屏蔽 導(dǎo)電膜。然而，從降低成本的觀點(diǎn)而言，希望使用已有的屏蔽導(dǎo)電膜。如前 所述，該屏蔽導(dǎo)電膜是A1薄膜，TiAl薄膜，Mo薄膜，多晶硅薄膜，或者透 明電極(ITO)薄膜。然而在該實(shí)施例中，該屏蔽導(dǎo)電膜并不僅限于以上所 述的薄膜。進(jìn)一步的，在該實(shí)施例中，該屏蔽導(dǎo)電膜設(shè)置在光接收元件221 和光接收信號(hào)線IO之上、之下或者旁邊。在這里，該屏蔽導(dǎo)電膜設(shè)置在光 接收元件221和光接收信號(hào)線IO之上、之下意味著該屏蔽導(dǎo)電膜、該光接 收元件221以及該光接收信號(hào)線10排布在垂直于圖中所示的透明絕緣基板 231的主要表面的方向上。根據(jù)以上的說明，通過將屏蔽導(dǎo)電膜244設(shè)置于 光接收元件221之上，從而將光接收元件221和光接收^言號(hào)線10從顯示側(cè) 246上的像素電極屏蔽，可以防止顯示側(cè)246上的像素電極的電壓改變對(duì)光 接收(圖像獲取)側(cè)的影響。
圖15是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的像素部分的截面圖。圖16是根據(jù)本發(fā) 明第三實(shí)施例的包含在像素部分中的光接收元件或者光接收單元的光接收 信號(hào)線的原理透視圖。
在根據(jù)第三實(shí)施例的像素部分20B中，在光接收單元中，屏蔽導(dǎo)電膜被 設(shè)置在光接收元件和\或光接收信號(hào)線之上和之下。這不同于第一實(shí)施例的像 素部分20和第二實(shí)施例的像素部分20A。
設(shè)置在光接收元件221和光接收信號(hào)線10之下的像素存儲(chǔ)電容線8的 電壓有時(shí)根據(jù)顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法改變。因此，為了對(duì)該電壓變化帶來(lái)的影 響進(jìn)行補(bǔ)償，需要在光接收元件和光接收信號(hào)線之下設(shè)置屏蔽導(dǎo)電膜。進(jìn)一
步的，如果該屏蔽導(dǎo)電膜被設(shè)置在該光接收元件和該光接收信號(hào)線之上和之 下，則產(chǎn)生于顯示側(cè)的信號(hào)和產(chǎn)生于圖像獲取側(cè)的信號(hào)的相互混合能夠被更 有效的防止。
圖15為其中屏蔽導(dǎo)電膜被設(shè)置在光接收信號(hào)線IO之下和之上的像素部 分20B的示范性結(jié)構(gòu)。在圖15中，相同的元器件采用與圖4中的那些相同 的附圖標(biāo)記。
在光接收單元22B中，被柵絕緣膜232覆蓋的像素存儲(chǔ)電容線8被設(shè)置 在透明絕緣基板(例如，玻璃基板)231上。該像素存儲(chǔ)電容線8采用和用 于形成包括在顯示單元21中的柵電極233相同的方法形成。類似于柵電極 233,該像素存儲(chǔ)電容線8通過采用金屬例如鉬(Mo)或鉭(Ta)或合金進(jìn) 行濺射形成。在與像素存儲(chǔ)電容線8相應(yīng)的柵絕緣膜232上的區(qū)域(能夠被 屏蔽的區(qū)域)中，第一屏蔽導(dǎo)電膜244-1形成。絕緣層249覆蓋在柵絕緣膜 232和屏蔽導(dǎo)電膜244-1之上。在與其中形成像素存儲(chǔ)電容線8的區(qū)域相應(yīng) 的絕緣膜249上的區(qū)域中，形成絕緣膜239B。層間絕緣膜240覆蓋于絕緣 膜239B和絕緣膜249之上。在相應(yīng)于其中屏蔽導(dǎo)電膜244-1形成的區(qū)域的 層間絕緣膜240上的區(qū)域中，形成光接收信號(hào)線10。該光接收信號(hào)線10采 用與用于形成像素單元21中的源電極242和漏電極243相同的方法以及材 料形成。平坦化膜245覆蓋于光接收信號(hào)線10和層間絕緣層240之上。
如同在第一實(shí)施例中所述，位于顯示側(cè)246上的透明電極形成在平坦化 膜245之上。此時(shí)，在光接收單元22B中，顯示側(cè)246上的透明電極選擇性 地形成在與光接收信號(hào)線IO相應(yīng)的區(qū)域(能夠被屏蔽的區(qū)域)中作為第二 屏蔽導(dǎo)電膜244-2。液晶材料密封在屏蔽導(dǎo)電膜244-2和相對(duì)電極側(cè)247上 的像素電極(透明電極ITO)之間，因而形成液晶層248。
根據(jù)第三實(shí)施例，通過在光接收元件和\或光接收信號(hào)線之上和之下均設(shè) 置屏蔽導(dǎo)電膜，產(chǎn)生于顯示側(cè)的信號(hào)和產(chǎn)生于光接收(圖像獲取)側(cè)的信號(hào) 的相互混合能夠被更有效的防止。
圖17是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的像素部分的截面圖。圖18是根據(jù)本發(fā) 明第四實(shí)施例的包含在像素部分中的光接收單元的具有光接收元件或者光 接收信號(hào)線的原理透視圖。
在根據(jù)第四實(shí)施例的像素部分20C中，屏蔽導(dǎo)電膜244C形成在光接收 單元中的光接收元件221之上。此時(shí)，為了使光接收元件221能夠接收光，
屏蔽導(dǎo)電膜244C并沒有形成在光接收元件221上的全體區(qū)域中，而僅僅是
之上的區(qū)域而得到的電極的部分。這不同于根據(jù)第一實(shí)施例的像素部分。
當(dāng)屏蔽導(dǎo)電膜形成在光接收元件之上時(shí)，希望屏蔽區(qū)域并不是在光接收
元件的有源層221a之上的區(qū)域得到的電極的部分。因此，在該實(shí)施例中， 采用圖17和圖18中所示的結(jié)構(gòu)。
在這種情況下，如果屏蔽區(qū)域的面積增大，則光接收元件能夠被更有效 地從像素電極電屏蔽。然而，在另一方面，光接收元件接收到的光量減少，
屏蔽區(qū)域最優(yōu)化。在該實(shí)施例中，屏蔽區(qū)域的最優(yōu)化的方法并不僅限于特定 方法。
第五實(shí)施例
圖19是根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的像素部分的截面圖。
圖20是根據(jù)本發(fā) 明第五實(shí)施例的包含在像素部分中的光接收單元的等效電路原理圖。
在根據(jù)第五實(shí)施例在像素部分20D中，形成在透明絕緣基板上的TFT (薄膜晶體管)221T用作光接收元件。這不同于第四實(shí)施例中的像素部分 20C。
像素部分20D的結(jié)構(gòu)與圖17所示的根據(jù)第四實(shí)施例中的像素部分的結(jié) 構(gòu)幾乎相同。然而，它們之間的區(qū)別在于形成延伸到TFT 221T的漏電極238R 的接觸孔241c，并且該漏電極238R連接到電極250。
這樣，當(dāng)TFT (薄膜晶體管)被用作光接收元件時(shí)，需要給TFT221T 的柵極施加比閾值電勢(shì)更小的電勢(shì)值以便在沒有使TFT 221T導(dǎo)通的情況 下，使TFT221T工作。進(jìn)而，當(dāng)TFT (薄膜晶體管)被用作光接收元件時(shí)， 其中發(fā)生光電轉(zhuǎn)換的有源層主要存在于漏極附近。因此，如圖19所示，與 第四實(shí)施例一樣，希望由屏蔽導(dǎo)電膜244D形成的屏蔽區(qū)域不包括漏極附近 的區(qū)域在內(nèi)。
根據(jù)第五實(shí)施例，能夠獲得類似于第一實(shí)施例中所獲得的效果。
第六實(shí)施例
圖21是根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的像素部分的截面圖。圖22是根據(jù)本發(fā) 明第六實(shí)施例的包含在像素部分中的光接收單元的等效電^^原理圖。
在根據(jù)第六實(shí)施例的像素部分20E中，在透明絕緣基板之上形成二極管 221D用作光接收元件。這不同于根據(jù)第五實(shí)施例的像素部分20D。
在這種情況下，柵絕緣膜232和絕緣膜249形成于透明絕緣基板231之 上。然后，在絕緣膜249上，p型多晶硅薄層251和n型多晶硅薄層252平 行連接，從而形成了 p-n結(jié)。層間絕緣膜239和240覆蓋于p型多晶硅薄層 251和n型多晶硅薄層252之上。在相應(yīng)于p型多晶硅層251的層間絕緣膜 240上的區(qū)域(能夠被屏蔽的區(qū)域)上，形成屏蔽導(dǎo)電膜244E。此外，在層 間絕緣膜239和240中形成延伸到n型多晶硅薄膜252的4妻觸孔241c。該n 型多晶硅薄膜252構(gòu)成二極管221D的陽(yáng)極。從而，n型多晶硅薄膜252連 接到電極253。平坦化膜245覆蓋于導(dǎo)電屏蔽膜244E、層間絕緣膜240和電 極253之上。顯示側(cè)246上的透明電極形成于平坦化膜245之上。
如果二極管用作第六實(shí)施例的光接收元件，則通常要求向二極管施加反 向偏置電壓。因此，向該n型多晶硅薄膜252施加正電壓。然而，如果可以 檢測(cè)到光電子，則正電壓將被施加到p型多晶硅薄層251。此外，當(dāng)二極管 被用作光接收元件時(shí)，其中主要發(fā)生光電轉(zhuǎn)換的有源層存在于在p-n結(jié)點(diǎn)附 近。因此，根據(jù)圖21所示，希望由屏蔽導(dǎo)電膜244E形成的屏蔽區(qū)域不包括 在p-n結(jié)點(diǎn)附近的區(qū)域。在圖21的所示的示例中，采用pn二極管。然而， 可以采用pin二極管代替該pn二極管。在這種情況下，有源層就是區(qū)域i。 因此，希望由屏蔽導(dǎo)電膜形成的屏蔽區(qū)域不包括區(qū)域i附近的區(qū)域。
在該具體實(shí)施例中，采用了底柵極TFT。盡管如此，也可以采用頂柵極 TFT作為光接收元件。
圖23是根據(jù)該實(shí)施例的采用頂柵極TFT的像素部分的截面圖。在圖23 中，相同的附圖標(biāo)記用來(lái)表示具有與圖4中的那些元件相同功能的元件。
如圖23所示，在采用頂柵極TFT 21TF的像素部分中，絕緣膜260于透 明絕緣基板231 (例如，玻璃基板)上形成。在絕緣膜260上形成了半導(dǎo)體 膜(溝道形成區(qū)域)234、在中間夾著半導(dǎo)體膜234的一對(duì)n-擴(kuò)散層(LDD 區(qū)域)235和236、和在中間夾著半導(dǎo)體膜234的一對(duì)n+擴(kuò)散層(源區(qū)域) 237和n+擴(kuò)散層(漏區(qū)域)238。進(jìn)而，柵絕緣膜232于半導(dǎo)體膜(溝道形 成區(qū)域)234和一對(duì)n-擴(kuò)散層(LDD區(qū)域)235和236之上形成。在柵絕緣 膜232上形成了柵電極233。層間絕緣膜239覆蓋于柵電才及233、 n-擴(kuò)散層 (LDD區(qū)域)235和236的一部分、n+擴(kuò)散層(源區(qū)域)237、 n+擴(kuò)散層(漏
區(qū)域)238以及絕緣膜260之上。由例如SiN或者Si02形成的層間絕緣膜 240覆蓋于層間絕緣膜239上。在如圖4所示的像素部分20的情況中，顯示 單元21和光接收單元22均具有以上所述的結(jié)構(gòu)。
在顯示單元21中，n+擴(kuò)散層237通過在層間絕緣膜239和240中形成 的接觸孔241a連接到源電極242。 n+擴(kuò)散層238通過在層間絕緣膜239和 240中形成的接觸孔241b連接到漏電極243。該源電極242和漏電極243采 用鋁(Al)通過進(jìn)行構(gòu)圖而獲得。該源電極242連接到信號(hào)線7。該漏電極 243通過連接電極連接到在顯示側(cè)上的透明電極(像素電極)。在光接收單元 22F中，連接到固定電勢(shì)的屏蔽導(dǎo)電膜244F選擇性地形成于層間絕緣層240 上。由如圖23所示的屏蔽導(dǎo)電膜244F形成的屏蔽區(qū)域不包括在漏極附近的 區(qū)域。該屏蔽導(dǎo)電膜244F可以采用Al， TiAl, Mo，多晶硅或者透明電極(ITO ) 構(gòu)成。
在顯示單元21和光接收單元22F中，平坦化膜245蓋于層間絕緣膜240、 源電極242、漏電極243以及屏蔽導(dǎo)電膜244F之上。位于顯示側(cè)246上的 透明電極(ITO)覆蓋在平坦化膜245上。液晶材料密封在位于相對(duì)電極側(cè) 247上的像素電極(透明電極ITO)和位于顯示側(cè)246上的透明電極之間， 〃(人而形成液晶層248。
如圖23所示，即使光接收元件為頂柵極TFT,通過采用具有固定電勢(shì) 的屏蔽導(dǎo)電膜將TFT從顯示側(cè)上的像素電極屏蔽，也能夠補(bǔ)償顯示側(cè)上的像 素電極的電壓改變對(duì)TFT柵極的影響。
如圖2所示，設(shè)置分別接收紅光、綠光或者藍(lán)光的光接收元件。然而， 單個(gè)光接收元件被設(shè)置來(lái)對(duì)應(yīng)于單個(gè)像素或多個(gè)像素。在說明書中，沒有說 明顯示裝置中的光接收元件的排布。因而，包含有如圖2所示的光接收元件 的顯示裝置能夠執(zhí)行光接收處理(圖像獲取)，同時(shí)防止產(chǎn)生于顯示側(cè)的信 號(hào)與產(chǎn)生于圖像獲取側(cè)的信號(hào)的相互混合。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置不僅可以用于液晶顯示器，還可以用于比 如有機(jī)EL顯示器的其它顯示裝置。例如，才艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置的 顯示單元可以為如圖24所示的薄膜裝置。圖24是包含于在絕緣基板上形成 的顯示單元的像素的示意截面圖。如圖24所示，像素包括包含多個(gè)薄膜晶 體管(在圖中僅表示出一個(gè)TFT )的晶體管部分、比如存儲(chǔ)電容的電容部分、 以及比如有機(jī)EL元件的發(fā)光部分。該晶體管部分和該電容部分采用TFT工
藝形成在該絕緣基板上。比如有機(jī)EL元件的發(fā)光部分形成在該晶體管部分和該電容部分之上。透明對(duì)向基板采用粘合劑附著到發(fā)光部分之上。這樣， 就形成了平面面4反。
如圖25所示，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置可以為模塊式平板顯示裝 置。例如，在絕緣基板上，形成了其中大量像素排布成矩陣形式的像素陣列 部分。每個(gè)像素包括液晶層和有機(jī)EL元件、薄膜晶體管和薄膜電容器。粘 合劑涂抹在該像素陣列部分(像素矩陣部分)周圍，比如玻璃基板的對(duì)向基 板附著到該像素陣列部分。這樣，形成了顯示模塊。彩色濾光片、保護(hù)膜、 遮光膜等根據(jù)需要附著到透明對(duì)向基板上。該顯示模塊可以提供有FPC (柔 性印刷電路)作為連接器以外部地傳送信號(hào)到像素陣列部分或從像素陣列部 分輸出信號(hào)。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的上述顯示裝置為平板顯示裝置，并且能用于各種 類型的電子設(shè)備的顯示，比如數(shù)碼相機(jī)、筆記本個(gè)人電腦、移動(dòng)電話和視頻 攝像機(jī)，用于以圖像或圖片播放接收的或者在其中產(chǎn)生的視頻信號(hào)。接下來(lái)， 將詳細(xì)說明采用該顯示裝置的電子設(shè)備。
圖26為采用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置的電視機(jī)的示意圖。該電視 機(jī)包括由前端面板12和濾色玻璃13構(gòu)成的圖像顯示屏幕11。該電視機(jī)通過 將根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖像顯示裝置應(yīng)用至圖像顯示屏幕11而制造。
圖27為采用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置的數(shù)碼相機(jī)的示意圖。在圖 27中，上部的示意圖為該數(shù)碼相機(jī)的主視圖，而下部的示意圖為該數(shù)碼相機(jī) 的后視圖。該數(shù)碼相機(jī)包括拍攝鏡頭、用作閃光燈的發(fā)光部分15、顯示部分 16、控制開關(guān)、菜單開關(guān)以及快門19。該數(shù)碼相機(jī)通過將根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例 的圖像顯示裝置應(yīng)用至圖像顯示部分16而制造。
圖28為釆用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置的個(gè)人筆記本電腦的示意圖。 機(jī)身20包括用來(lái)輸入字符的鍵盤21,以及用于機(jī)身20的蓋子包括用于圖像 顯示的顯示部分22。該個(gè)人筆記本電腦通過將根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖像顯示 裝置應(yīng)用至顯示部分22而制造。
圖29是采用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置的移動(dòng)終端設(shè)備的示意圖。 在圖29中，左側(cè)視圖為打開的狀態(tài)，而右側(cè)視圖為關(guān)閉的狀態(tài)。該移動(dòng)終 端設(shè)備包括上殼體23、下殼體24、連接單元(鉸鏈單元)25、顯示屏26、 副顯示屏27、圖形燈28以及照相機(jī)29。該移動(dòng)終端設(shè)備通過將根據(jù)本發(fā)明
實(shí)施例的圖像顯示裝置應(yīng)用至顯示屏26或者副顯示屏27而制造。
圖30是采用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置的視頻攝像機(jī)的示意圖。該
視頻攝像機(jī)包括機(jī)身30、位于前部的攝像鏡頭34、攝像開始/停止開關(guān)35
以及監(jiān)視器36。該視頻攝像機(jī)通過將根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖像顯示裝置應(yīng)用
至監(jiān)視器36而制造。
本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)了解，只要在權(quán)利要求或者其等同特征的范
圍內(nèi)，可以根據(jù)設(shè)計(jì)需要及其它因素進(jìn)行各種修改、組合、部分組合和變更。 本發(fā)明的內(nèi)容包含與2006年10月4日在日本專利局提出的日本專利申
請(qǐng)JP 2006-272786相關(guān)的主題內(nèi)容，其所有內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。
權(quán)利要求
1、一種顯示裝置，包括至少一個(gè)像素部分，包括具有像素電極的顯示單元和具有光接收元件的光接收單元；和屏蔽導(dǎo)電體，配置來(lái)將位于所述顯示單元側(cè)的像素電極從所述光接收元件電屏蔽，所述屏蔽導(dǎo)電體形成于所述像素電極和所述光接收元件之間，并且具有固定電勢(shì)。
2、 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，還包括另 一屏蔽導(dǎo)電體，配置來(lái)將位于所述顯示單元側(cè)的像素電極從光接收信 號(hào)線電屏蔽，所述光接收信號(hào)線連接到所述光接收單元并且傳送由所述光接 收元件接收的光而產(chǎn)生的光接收信號(hào)，所述另一屏蔽導(dǎo)電體形成于所述像素 電極和所述光接收信號(hào)線之間，并且具有固定電勢(shì)。
3、 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述屏蔽導(dǎo)電體采用現(xiàn)有的導(dǎo) 電膜形成。
4、 如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中所述另一屏蔽導(dǎo)電體采用現(xiàn)有 的導(dǎo)電膜形成。
5、 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述屏蔽導(dǎo)電體在垂直于基板 的主要表面的方向上在所述光接收元件的上方和下方中至少一個(gè)位置形成。
6、 如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中所述另一屏蔽導(dǎo)電體在垂直于 基板的主要表面的方向上在所述光接收元件和所述光接收信號(hào)線的上方和 下方中至少一個(gè)位置形成。
7、 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述屏蔽導(dǎo)電體僅電屏蔽通過 從所述光接收元件的整個(gè)區(qū)域中排除所述光接收元件的有源層的區(qū)域而得 到的電纟及的部分。
8、 如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中所述另一屏蔽導(dǎo)電體僅電屏蔽 通過從所述光接收元件的整個(gè)區(qū)域中排除所述光接收元件的有源層的區(qū)域 而得到的電極的部分。
9、 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述光接收元件采用在絕緣基板上形成的薄膜晶體管形成，且 其中所述屏蔽導(dǎo)電體電屏蔽通過從所述薄膜晶體管的整個(gè)電極區(qū)域中排除作為所述光接收元件的薄膜晶體管的電極區(qū)域的部分而得到的區(qū)域。
10、 如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中所述光接收元件采用在絕緣基板上形成的薄膜晶體管形成，且 其中所述另一屏蔽導(dǎo)電體電屏蔽通過從所述薄膜晶體管的整個(gè)電極區(qū) 域中排除作為所述光接收元件的薄膜晶體管的電極區(qū)域的部分而得到的區(qū)域。
11、 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述光接收元件采用在絕緣基板上形成的二極管形成，且 其中所述屏蔽導(dǎo)電體電屏蔽通過從所述二極管的整個(gè)區(qū)域中排除作為 所述光接收元件的二極管的有源層的區(qū)域而得到的區(qū)域。
12、 如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中所述光接收元件采用在絕緣基板上形成的二極管形成，且 其中所述另 一屏蔽導(dǎo)電體電屏蔽通過從所述二極管的整個(gè)區(qū)域中排除 作為所述光接收元件的二極管的有源層的區(qū)域而得到的區(qū)域。
13、 一種顯示裝置，包括以矩陣形式排列的多個(gè)像素部分，每個(gè)所述像素部分具有顯示單元和光 接收單元，所述顯示單元包括像素電極和薄膜晶體管，所述薄膜晶體管配置 為響應(yīng)于施加到柵電極的掃描脈沖信號(hào)操作地連接所述像素電極和信號(hào)線， 所述光接收單元包括光接收元件并且被連接到光接收信號(hào)線，通過所述光接 收信號(hào)線傳送由所述光接收元件接收的光所產(chǎn)生的光接收信號(hào)；和屏蔽導(dǎo)電體，配置來(lái)將位于所述顯示單元側(cè)的像素電極從所述光接收元 件和/或所述光接收信號(hào)線電屏蔽，所述屏蔽導(dǎo)電體形成于所述像素電極和所 述光接收元件之間以及所述像素電極和所述光接收信號(hào)線之間至少之一，并 且具有固定電勢(shì)。
14、 如權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中所述屏蔽導(dǎo)電體在垂直于基 板的主要表面的方向上在所述光接收元件和/或所述光接收信號(hào)線的上方 和下方中至少一個(gè)位置形成。
15、 如權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中所述屏蔽導(dǎo)電體僅屏蔽通過 從所述光接收元件的整個(gè)區(qū)域中排除所述光接收元件的有源層區(qū)域而得到 的電4及的部分。
16、 如權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中所述光接收元件采用在絕緣基板上形成的薄膜晶體管形成，且 其中所述屏蔽導(dǎo)電體電屏蔽通過從所述薄膜晶體管的整個(gè)電極區(qū)域中 排除作為所述光接收元件的薄膜晶體管的電極區(qū)域的部分而得到的區(qū)域。
17、 如權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中所述光接收元件采用在絕緣基板上形成的二極管形成，且 其中所述屏蔽導(dǎo)電體電屏蔽通過從所述二極管的整個(gè)區(qū)域中排除作為 所述光接收元件的二極管的有源層的區(qū)域而得到的區(qū)域。
18、 一種電子設(shè)備，包括如權(quán)利要求1或13所述的顯示裝置。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種顯示裝置和具有其的電子設(shè)備。該顯示裝置包括至少一像素部分，包括具有像素電極的顯示單元以及具有光接收元件的光接收單元；以及屏蔽導(dǎo)電體，配置來(lái)將位于顯示單元側(cè)的像素電極從光接收元件電屏蔽。該屏蔽導(dǎo)電體形成于像素電極和光接收元件之間，并且具有固定電勢(shì)。
文檔編號(hào)H04N5/335GK101197381SQ20071030618
公開日2008年6月11日 申請(qǐng)日期2007年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月4日
發(fā)明者仲島義晴, 山中剛, 建內(nèi)滿, 松井雅史, 真城康人 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社