專利名稱：Crt顯像管的消磁方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種CRT顯像管的消磁方法，尤其涉及一種CRT電視機(jī) 或電腦顯示器用CRT顯像管的消磁方法。本發(fā)明還涉及一種能實(shí)現(xiàn)上述方 法的CRT顯像管的消磁裝置。
背景技術(shù)：
目前，CRT顯示器雖然己經(jīng)受到LCD顯示器的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。但是，CRT 顯示器仍然具備技術(shù)成熟，價(jià)格低廉，可視角度大，響應(yīng)時(shí)間短，色澤逼 真等LCD顯示器不可替代的優(yōu)點(diǎn)，受到一些用戶的青睞。如圖1所示，為 顯像管的結(jié)構(gòu)示意圖，CRT顯像管包括陰罩板1、防爆圈6、消磁線圈3、 熒光屏4、顯像管錐體5、防爆圈6、屏蔽罩7。其中陰罩板l、防爆圈6、 屏蔽罩7等為鐵磁性部件，在每次工作后，會產(chǎn)生一些剩磁，其結(jié)果會導(dǎo) 致CRT顯像管的色純和會聚誤差。為了消除這種影響，必須經(jīng)常對CRT 顯像管進(jìn)行消磁。消磁的基本原理是利用一個(gè)相當(dāng)強(qiáng)的、但逐步衰減的交 變磁場，來使已磁化的磁性物體退磁。這種逐步衰減的交變磁場可以用一 逐漸減小的交流電流流過一個(gè)線圈來得到。CRT顯像管環(huán)繞顯象管四周有 一消磁線圈2，如圖3所示，為現(xiàn)有技術(shù)CRT顯示器的消磁線圈的安裝結(jié) 構(gòu)示意圖， 一矩形消磁線圈套裝在CRT顯象管外圍，顯示器在連接電源開 關(guān)后，消磁電路產(chǎn)生的逐漸衰減的交變電流流過消磁線圈2，產(chǎn)生一個(gè)較大
范圍的消磁磁場，使CRT顯像管中的鐵磁性部件業(yè)已存在的剩磁退磁，以
保證顯示器不會因該剩磁導(dǎo)致影像及色彩失真。如圖1所示，為現(xiàn)有的CRT 顯象管的傳統(tǒng)消磁方法，即采用一個(gè)消磁線圈3，用以產(chǎn)生大范圍的高強(qiáng)度 消磁磁場，此消磁磁場必須能夠達(dá)到使磁化最嚴(yán)重的部件(如陰罩板1、防 爆圈6等)能夠退磁的足夠強(qiáng)度，產(chǎn)生此種大范圍、高強(qiáng)度的消磁磁場必 須通過大尺寸和高安匝數(shù)的消磁線圈才能實(shí)現(xiàn)，但CRT顯像管中的鐵磁性 部件一部分由較高嬌頑力材料制成(如陰罩板l、防爆圈6等)，另一部分 則由較低嬌頑力材料制成(如屏蔽罩7等)，該部分低嬌頑力材料部件并不 需要高強(qiáng)度的消磁磁場進(jìn)行消磁，這就造成了材料資源的浪費(fèi)和產(chǎn)品成本 的增加。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種消磁效率高的CRT顯像管的消磁 方法。
為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用一種CRT顯像管的消磁方法，所 述CRT顯像管包括有不同嬌頑力的鐵磁性部件，所述消磁方法采用消磁裝 置產(chǎn)生逐步衰減的交變磁場，其特征在于，所述消磁裝置對應(yīng)于高嬌頑力 鐵磁性部件采用強(qiáng)消磁磁場，對應(yīng)于低嬌頑力鐵磁性部件采用弱消磁磁場。 在本發(fā)明所述的CRT顯像管的消磁方法中，所述消磁裝置為消磁線圈。
在本發(fā)明所述的CRT顯像管的消磁方法中，所述消磁線圈包括主消磁 線圈和副消磁線圈，主消磁線圈的消磁安匝數(shù)大于副消磁線圈的消磁安匝 數(shù)。
在本發(fā)明所述的CRT顯像管的消磁方法中，所述主消磁線圈產(chǎn)生的 漸衰交變磁場用于陰罩板、防爆圈高嬌頑力鐵磁性部件的消磁，所述副消 磁線圈產(chǎn)生的漸衰交變磁場用于磁屏蔽罩低嬌頑力鐵磁性部件的消磁。
在本發(fā)明所述的CRT顯像管的消磁方法中，所述的主消磁線圈為一對 或一對以上，對稱地安裝在CRT顯像管錐體同熒光屏結(jié)合部分。
在本發(fā)明所述的CRT顯像管的消磁方法中，所述主消磁線圈為矩形。 在本發(fā)明所述的CRT顯像管的消磁方法中，所述的副消磁線圈為一對 或一對以上，對稱地安裝于CRT顯像管錐體部分。
在本發(fā)明所述的CRT顯像管的消磁方法中，所述副消磁線圈為矩形。 在本發(fā)明所述的CRT顯像管的消磁方法中，所述兩個(gè)主消磁線圈的對 稱面與所述副消磁線圈的對稱面重合。
在本發(fā)明所述的CRT顯像管的消磁方法中，所述副消磁線圈靠近熒光 屏一側(cè)的邊與所述主消磁線圈靠近熒光屏一側(cè)的邊重合。
在本發(fā)明所述的CRT顯像管的消磁方法中，所述副消磁線圈靠近熒光 屏一側(cè)的邊與所述主消磁線圈靠近CRT顯像管錐體一側(cè)的邊重合。
在本發(fā)明所述的CRT顯像管的消磁方法中，所述兩個(gè)主消磁線圈的對 稱面與所述副消磁線圈的對稱面形成夾角。
本發(fā)明采用消磁線圈產(chǎn)生漸衰交變磁場對CRT顯像管進(jìn)行消磁，并由 主消磁線圈產(chǎn)生較強(qiáng)漸衰交變磁場對陰罩板和防爆圈等較高嬌頑力的鐵磁
性部件進(jìn)行消磁，由副消磁線圈產(chǎn)生較弱漸衰交變磁場對屏蔽罩等較低嬌
頑力的鐵磁性部件進(jìn)行消磁，從而優(yōu)化了CRT顯像管的消磁磁場分布，提
高了消磁效率，減少了制作消磁線圈所需的耗材，降低了成本。


下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
圖1是CRT顯像管的結(jié)構(gòu)示意圖2是現(xiàn)有技術(shù)CRT顯像管的消磁磁場示意圖3是現(xiàn)有技術(shù)CRT顯像管的消磁線圈的安裝結(jié)構(gòu)示意圖4是本發(fā)明的CRT顯像管消磁方法的第一種實(shí)施方式；
圖5是圖4所示消磁線圈的俯視圖6是本發(fā)明的CRT顯像管消磁方法的第二種實(shí)施方式； 圖7是圖6所示消磁線圈的俯視圖8是本發(fā)明的CRT顯像管消磁方法的第一、第二種實(shí)施方式的CRT 顯像管組件的后視圖9是本發(fā)明的CRT顯像管消磁方法的第一、第二種實(shí)施方式的CRT 顯像管組件的俯視圖。
圖10是本發(fā)明的CRT顯像管消磁方法的第三種實(shí)施方式的CRT顯像 管組件的后視圖11是本發(fā)明的CRT顯像管消磁方法的第四種實(shí)施方式的CRT顯像 管組件的后視圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的CRT顯像管的消磁方法，采用消磁裝置產(chǎn)生逐步衰減的交變 磁場，CRT顯像管構(gòu)成中包括容易受剩磁影響的陰罩板1、防爆圈6、屏蔽 罩7等。其中消磁裝置在所述陰罩板1、防爆圈6處產(chǎn)生的漸衰交變磁場的 磁場強(qiáng)度大于在所述屏蔽罩7處產(chǎn)生的漸衰交變磁場的磁場強(qiáng)度。
為了使得在所述陰罩板1和防爆圈6處產(chǎn)生的漸衰交變磁場的磁場強(qiáng) 度大于在所述屏蔽罩7處產(chǎn)生的漸衰交變磁場的磁場強(qiáng)度?？梢圆捎弥飨?磁線圈301和副消磁線圈302，主消磁線圈301的消磁安匝數(shù)小于所述副消 磁線圈302的消磁安匝數(shù)。所述主消磁線圈301產(chǎn)生的漸衰交變磁場覆蓋 陰罩板1和防爆圈6，所述副消磁線圈302產(chǎn)生的漸衰交變磁場覆蓋所述屏 蔽罩7。
圖4是本發(fā)明的CRT顯像管消磁方法的第一種實(shí)施方式，圖5是圖4 所示消磁線圈的俯視圖。在本實(shí)施例中，主消磁線圈301為兩個(gè)，兩個(gè)主 消磁線圈301為扁長形，對稱地安裝在CRT顯像管錐體5同熒光屏4結(jié)合 部。副消磁線圈302為兩個(gè)，兩個(gè)副消磁線圈302沿所述顯像管的錐形面 環(huán)繞，所述兩個(gè)副消磁線圈302對稱地安裝在CRT顯像管錐體5上。這樣 主消磁線圈301產(chǎn)生的消磁磁場覆蓋陰罩板1和防爆圈6周圍，副消磁線 圈302產(chǎn)生的消磁磁場覆蓋屏蔽罩7周圍。副消磁線圈302的線圈圈數(shù)小 于主消磁線圈301的線圈圈數(shù)，流過相同的消磁電流，副消磁線圈302產(chǎn) 生的消磁安匝數(shù)小于主消磁線圈301產(chǎn)生的消磁安匝數(shù)。
在本實(shí)施例中，兩個(gè)主消磁線圈301的對稱面與所述副消磁線圈302
的對稱面重合。副消磁線圈302靠近熒光屏4 一側(cè)的邊與所述主消磁線圈
301靠近CRT顯像管錐體5 —側(cè)的邊重合。
圖6是本發(fā)明的CRT顯像管消磁方法的第二種實(shí)施方式，圖7是圖6 所示消磁線圈的俯視圖。在本實(shí)施例中，主消磁線圈301為兩個(gè)，兩個(gè)主 消磁線圈301為扁長形，對稱地安裝在CRT顯像管錐體5同熒光屏4結(jié)合 部。副消磁線圈302為兩個(gè)，兩個(gè)副消磁線圈302沿所述顯像管的錐形面 環(huán)繞，對稱地安裝在CRT顯像管錐體5上。這樣主消磁線圈301產(chǎn)生的消 磁磁場覆蓋陰罩板1和防爆圈6周圍，副消磁線圈302產(chǎn)生的消磁磁場覆 蓋屏蔽罩7周圍。副消磁線圈302的線圈圈數(shù)小于主消磁線圈301的線圈 圈數(shù)，流過相同的消磁電流，副消磁線圈302產(chǎn)生的消磁磁場強(qiáng)度小于主 消磁線圈301產(chǎn)生的消磁磁場強(qiáng)度。
在本實(shí)施例中，兩個(gè)主消磁線圈301的對稱面與所述副消磁線圈302 的對稱面重合。副消磁線圈302靠近熒光屏4 一側(cè)的邊與所述主消磁線圈 301靠近熒光屏4 一側(cè)的邊重合。
圖8是本發(fā)明的CRT顯像管消磁方法的第一、第二種實(shí)施方式的CRT 顯像管組件的后視圖，圖9是本發(fā)明的CRT顯像管消磁方法的第一、第二 種實(shí)施方式的CRT顯像管組件的俯視圖。主消磁線圈301為矩形，對稱地 安裝在CRT顯像管錐體5同熒光屏4結(jié)合部，副消磁線圈302沿所述顯像 管的錐形面環(huán)繞。主消磁線圈301還可以為其他的形狀?？梢詫⒅飨啪€ 圈301產(chǎn)生的交變磁場的磁場方向設(shè)置為同CRT顯示器的主軸線垂直，采 用這種方式效果較好。
本發(fā)明的CRT顯示器還可以有其他的實(shí)施方式，例如一對主消磁線圈 301的對稱面與所述副消磁線圈302的對稱面可以形成一定的夾角。例如可 以將主消磁線圈301上下設(shè)置在CRT顯像管錐體5同熒光屏4結(jié)合部，而 副消磁線圈302左右設(shè)置在CRT顯像管錐體5上，如圖10所示。還可以 反過來，將主消磁線圈301左右設(shè)置在CRT顯像管錐體5同熒光屏4結(jié)合 部，而副消磁線圈302上下設(shè)置在CRT顯像管錐體5上。另外副消磁線圈 302也可以斜著設(shè)置，只要保持每對副消磁線圈302沿CRT顯像管主軸線 方向?qū)ΨQ即可，如圖11所示。
權(quán)利要求
1、一種CRT顯像管的消磁方法，所述CRT顯像管包括有不同嬌頑力的鐵磁性部件，所述消磁方法采用消磁裝置產(chǎn)生逐步衰減的交變磁場，其特征在于，所述消磁裝置對應(yīng)于高嬌頑力鐵磁性部件采用強(qiáng)消磁磁場，對應(yīng)于低嬌頑力鐵磁性部件采用弱消磁磁場。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的CRT顯像管的消磁方法，所述消磁裝置為 消磁線圈。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的CRT顯像管的消磁方法，所述消磁線圈包 括主消磁線圈和副消磁線圈，所述主消磁線圈的消磁安匝數(shù)大于副消磁線 圈的消磁安匝數(shù)。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的CRT顯像管的消磁方法，所述主消磁線圈 產(chǎn)生的漸衰交變磁場用于陰罩板、防爆圈高嬌頑力鐵磁性部件的消磁，所 述副消磁線圈產(chǎn)生的漸衰交變磁場用于磁屏蔽罩低嬌頑力鐵磁性部件的消 磁。
5、 根據(jù)權(quán)利要求3或4中任何一項(xiàng)所述的CRT顯像管的消磁方法， 其特征在于，所述的主消磁線圈為一對或一對以上，對稱地安裝在CRT顯 像管錐體同熒光屏結(jié)合部分。
6、 根據(jù)權(quán)利要求3或4中任何一項(xiàng)所述的CRT顯像管的消磁方法， 其特征在于，所述的副消磁線圈為一對或一對以上，對稱地安裝于CRT顯 像管錐體部分。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的CRT顯像管的消磁方法，其特征在于，所述兩個(gè)主消磁線圈的對稱面與所述副消磁線圈的對稱面重合。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的CRT顯像管的消磁方法，其特征在于，所述副消磁線圈靠近熒光屏一側(cè)的邊與所述主消磁線圈靠近熒光屏一側(cè)的邊 重合。
9、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的CRT顯像管的消磁方法，其特征在于，所 述副消磁線圈靠近熒光屏一側(cè)的邊與所述主消磁線圈靠近CRT顯像管錐體 一側(cè)的邊重合。
10、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的CRT顯像管的消磁方法，其特征在于，所 述兩個(gè)主消磁線圈的對稱面與所述副消磁線圈的對稱面形成夾角。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種CRT顯像管的消磁方法，該消磁方法采用消磁線圈產(chǎn)生漸衰交變磁場對CRT顯像管進(jìn)行消磁，并由主消磁線圈產(chǎn)生較強(qiáng)漸衰交變磁場對陰罩板和防爆圈等較高嬌頑力的鐵磁性部件進(jìn)行消磁，由副消磁線圈產(chǎn)生較弱漸衰交變磁場對屏蔽罩等較低嬌頑力的鐵磁性部件進(jìn)行消磁，從而優(yōu)化了CRT顯像管的消磁磁場分布，提高了消磁效率，減少了制作消磁線圈所需的耗材，降低了成本。
文檔編號H04N9/16GK101193315SQ20061015710
公開日2008年6月4日 申請日期2006年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月24日
發(fā)明者曹嘉燦 申請人:曹嘉燦