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一種高效去方塊效應(yīng)濾波器電路及其方法

文檔序號(hào):7954174閱讀:163來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:一種高效去方塊效應(yīng)濾波器電路及其方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)及微電子領(lǐng)域中的視頻編解碼技術(shù),具體地說(shuō),本
發(fā)明涉及H. 264/AVC視頻編碼標(biāo)準(zhǔn)中一種高效去方塊效應(yīng)濾波器電路及其 方法。
背景技術(shù)
去方塊效應(yīng)的環(huán)路濾波器是H. 264/AVC視頻編碼標(biāo)準(zhǔn)的重要組成部分, 可以顯著改善圖像的信噪比和主觀質(zhì)量。去方塊效應(yīng)濾波是以宏塊為基礎(chǔ), 對(duì)亮度分量和色度分量各4x4小塊的邊緣,按照先垂直邊,后水平邊的順序, 從左至右,從上往下逐條進(jìn)行的。圖1示出了H.264/AVC視頻編碼標(biāo)準(zhǔn)的單 個(gè)宏塊數(shù)據(jù),其中各小方格表示4x4小塊,加粗的線條表示需要濾波的各邊 緣位置。若對(duì)宏塊最左側(cè)的邊緣進(jìn)行濾波時(shí),還需用到左相鄰宏塊的右4 列數(shù)據(jù),并可能對(duì)其中3列數(shù)據(jù)作更改;對(duì)宏塊最上側(cè)的邊緣進(jìn)行濾波時(shí), 還需要用到上相鄰宏塊的低4行數(shù)據(jù),并可能對(duì)其中3行數(shù)據(jù)作更改。
對(duì)垂直邊進(jìn)行單步濾波操作時(shí),需要利用到當(dāng)前小塊的4個(gè)樣本數(shù)據(jù) (qO, ql, q2, q3)以及左相鄰小塊的4個(gè)樣本數(shù)據(jù)(p0, pl, p2, p3);對(duì)水平邊進(jìn) 行單步濾波操作時(shí),則涉及當(dāng)前小塊的4個(gè)樣本數(shù)據(jù)(q0, ql, q2, q3)以及上 相鄰小塊的4個(gè)樣本數(shù)據(jù)(p0,pl,p2,p3),如圖2所示。濾波結(jié)束后,樣本qO, ql, q2的數(shù)據(jù)值和樣本p0, pl, p2的數(shù)據(jù)值將被更新。
去方塊效應(yīng)濾波器的硬件電路實(shí)現(xiàn),目前己有的方法主要有以下幾種:
一種是對(duì)垂直邊濾波和水平邊濾波采用不同的數(shù)據(jù)通路進(jìn)行處理。這
種方法缺點(diǎn)是硬件開銷大,而且水平邊濾波與垂直邊濾波的控制邏輯有很 大差異,所需的處理時(shí)間也不同。
另外一種方法是在垂直邊濾波結(jié)束之后,對(duì)各4x4小塊進(jìn)行轉(zhuǎn)置,然后 釆用同一數(shù)據(jù)通路進(jìn)行水平邊濾波。在現(xiàn)有方法中,濾波是對(duì)宏塊中的各 邊緣按順序依次進(jìn)行的。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是通過(guò)轉(zhuǎn)置,使得垂直邊濾波和 水平邊濾波可以釆用同一數(shù)據(jù)通路,降低了控制復(fù)雜度;缺點(diǎn)是由于對(duì)各 邊緣按順序依次進(jìn)行濾波,破壞了數(shù)據(jù)相互依賴關(guān)系。這種方法為維護(hù)數(shù) 據(jù)相互依賴關(guān)系而提高處理速度,需要利用大容量的寄存器陣列來(lái)保存中 間運(yùn)算結(jié)果。
還有一種電路是采用多個(gè)轉(zhuǎn)置電路單元和緩沖存儲(chǔ)單元,實(shí)現(xiàn)二維的 去方塊效應(yīng)濾波。其優(yōu)點(diǎn)是垂直邊濾波和水平邊濾波交替進(jìn)行,很好地利 用了宏塊內(nèi)數(shù)據(jù)的相互依賴關(guān)系,從而提高了處理速度。缺點(diǎn)是電路開銷 大,控制復(fù)雜,而且沒(méi)有考慮水平相鄰宏塊之間的數(shù)據(jù)相互依賴關(guān)系。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種高效去方塊效應(yīng)濾波器電路及其 方法,可以在合理的電路開銷下提高處理速度。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明提出了一種高效去方塊效應(yīng)濾波器電路, 包括 一雙端口SRAM、 一維環(huán)路濾波器單元、控制單元;其中一維環(huán)路濾 波器一維環(huán)路濾波器單元包括并入并出一維邊緣濾波單元、4x4小塊緩沖 單元及可配置的4x4小塊轉(zhuǎn)置單元;雙端口SRAM,用于存儲(chǔ)當(dāng)前宏塊濾波操 作所需的樣本數(shù)據(jù),包括當(dāng)前宏塊數(shù)據(jù)、左相鄰宏塊的右4列數(shù)據(jù)、上相鄰 宏塊的低4行數(shù)據(jù)、 一維垂直邊濾波后得到的中間數(shù)據(jù),并輸出數(shù)據(jù)到一維
環(huán)路濾波器單元; 一維環(huán)路濾波器單元,接受雙端口SRAM的輸出數(shù)據(jù)和所 述控制單元輸出的濾波參數(shù);控制單元將濾波參數(shù)傳至一維環(huán)路濾波器單 元。
本發(fā)明還提出了一種去方塊效應(yīng)濾波方法,可應(yīng)用于上述的高效去方 塊效應(yīng)濾波器電路上,包括步驟一、首先對(duì)所述雙端口SRAM裝載當(dāng)前宏 塊數(shù)據(jù)與上相鄰宏塊數(shù)據(jù);步驟二、利用所述的高效去方塊效應(yīng)濾波器電 路先進(jìn)行當(dāng)前宏塊的垂直邊濾波,在輸出濾波結(jié)果的同時(shí),對(duì)當(dāng)前宏塊的 所述各4x4小塊進(jìn)行轉(zhuǎn)置;步驟三、在垂直邊濾波結(jié)束后,利用所述的高效 去方塊效應(yīng)濾波器電路再進(jìn)行當(dāng)前宏塊的水平邊濾波;若當(dāng)前宏塊存在右 相鄰宏塊,則在輸出當(dāng)前宏塊濾波結(jié)果時(shí),其右四列數(shù)據(jù)不立即輸出到外 部幀存,而是返回到所述雙端口SRAM內(nèi),作為下一宏塊濾波時(shí)用到的左側(cè) 宏塊數(shù)據(jù)。
本發(fā)明由于所述的去方塊效應(yīng)濾波器電路,可以有效利用宏塊內(nèi)數(shù)據(jù) 以及水平相鄰宏塊之間數(shù)據(jù)的相互依賴關(guān)系,從而可以明顯提高去方塊效 應(yīng)濾波的速度。同時(shí)由于垂直邊濾波和水平邊濾波釆用同一數(shù)據(jù)通路,而 且電路簡(jiǎn)潔,濾波控制電路易于實(shí)現(xiàn),實(shí)現(xiàn)整個(gè)去方塊效應(yīng)濾波器電路所 需門數(shù)較小。


圖l是H.264/AVC宏塊中需要濾波的邊緣示意圖; 圖2是垂直邊濾波與水平邊濾波涉及的樣本示意圖; 圖3是本發(fā)明高效去方塊效應(yīng)濾波器電路總體結(jié)構(gòu)框圖; 圖4是本發(fā)明高效去方塊效應(yīng)濾波器電路中的一維環(huán)路濾波器電路結(jié)
構(gòu);
圖5是SRAM1存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)示意圖,其中(1)為當(dāng)前宏塊數(shù)據(jù);(2)為左
相鄰宏塊數(shù)據(jù),(3)為上相鄰宏塊數(shù)據(jù);
圖6是圖5所述SRAM1—種可能的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)示意圖; 圖7是可配置4x4小塊轉(zhuǎn)置單元的輸出有效信號(hào)產(chǎn)生電路; 圖8是可配置4x4小塊轉(zhuǎn)置單元的數(shù)據(jù)傳遞方向控制電路。 圖9是本發(fā)明去方塊效應(yīng)濾波方法流程圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。 本發(fā)明提出了一種新型高效的去方塊效應(yīng)濾波器的硬件電路實(shí)現(xiàn),其 總體結(jié)構(gòu)如圖3所示,其中一維環(huán)路濾波器部分如圖4所示。
圖3中,當(dāng)前宏塊的樣本數(shù)據(jù)來(lái)自數(shù)據(jù)處理流水線的上一級(jí)模塊; SRAM2存儲(chǔ)的是上相鄰宏塊所在宏塊行的所有低4行數(shù)據(jù),用以提供當(dāng)前 宏塊濾波所需的上相鄰宏塊數(shù)據(jù);編碼信息寄存器為濾波器模塊提供所需
的編碼信息,用以計(jì)算Bs,α,β等濾波參數(shù);去方塊效應(yīng)濾波器模塊本身 由一片雙端口SRAM (SRAM1), 一維環(huán)路濾波器單元以及控制單元構(gòu)成。
SRAM1用以存儲(chǔ)當(dāng)前宏塊濾波操作所需的所有樣本數(shù)據(jù),包括當(dāng)前宏 塊數(shù)據(jù),左相鄰宏塊的右4列數(shù)據(jù),上相鄰宏塊的低4行數(shù)據(jù)。 一維垂直 邊濾波后得到的中間數(shù)據(jù)仍存儲(chǔ)于SRAM1中。
對(duì)每個(gè)宏塊進(jìn)行濾波操作時(shí),首先對(duì)SRAM1進(jìn)行裝載數(shù)據(jù)。在本發(fā)明 中,只需裝載兩部分?jǐn)?shù)據(jù)當(dāng)前宏塊數(shù)據(jù)與上相鄰宏塊數(shù)據(jù)。濾波時(shí)用到 的左相鄰宏塊數(shù)據(jù)則是左相鄰宏塊濾波結(jié)束時(shí)預(yù)留在SRAM1內(nèi)的。
為方便數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與處理,SRAM1的位寬為32比特。圖5列出了 SRAM1 存儲(chǔ)的所有數(shù)據(jù)。圖中每個(gè)小方格代表一個(gè)4x4小塊,對(duì)應(yīng)4個(gè)32比特 字。小方格中數(shù)字為各4x4小塊的索引號(hào)。圖6示出了 SRAM1 —種可能的 存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)。
圖4所示的一維環(huán)路濾波器由 并入并出一維邊緣濾波單元,(2)4x4 小塊緩存單元以及G)可配置的4x4小塊轉(zhuǎn)置單元三部分構(gòu)成。
并入并出一維邊緣濾波單元輸入的是參與濾波的8個(gè)樣本值,對(duì)應(yīng)兩 個(gè)32比特字P和Q,輸出為經(jīng)過(guò)濾波操作后的值P'和g',濾波參數(shù)由控 制單元給出。該一維邊緣濾波單元也可以工作在旁路狀態(tài),此時(shí)輸出,和 0'直接等于輸入P和Q。
一維邊緣濾波單元的輸入Q來(lái)自SRAM1的讀端口 。端口 Q的輸入數(shù)據(jù) 是以4x4小塊為單元,每個(gè)時(shí)鐘周期一個(gè)32比特字逐字輸入的。
一維邊緣濾波單元的輸出2'經(jīng)4x4小塊緩存單元延遲四個(gè)時(shí)鐘周期 后作為一維邊緣濾波單元的輸入P。該4x4小塊緩存單元可以采用16個(gè) 單字節(jié)的寄存器或者4個(gè)32比特字的寄存器來(lái)實(shí)現(xiàn)。
一維邊緣濾波單元的輸出P'則被送到可配置的4x4小塊轉(zhuǎn)置單元。 該可配置的4x4小塊轉(zhuǎn)置單元由16個(gè)單字節(jié)的寄存器構(gòu)成,它可以工作 在兩種模式直通模式與轉(zhuǎn)置模式。通過(guò)可配置的轉(zhuǎn)置單元后,每4x4 小塊的數(shù)據(jù)或者被直接輸出或者被轉(zhuǎn)置輸出,輸出目標(biāo)可能為SRAM1,可 能為SRAM2,也可能為片外幀存,這是由當(dāng)前濾波輸出樣本數(shù)據(jù)所在宏塊 的屬性(當(dāng)前宏塊,左相鄰宏塊還是上相鄰宏塊),所屬4x4小塊在宏塊 中所處位置,以及當(dāng)前邊緣濾波的方向決定的。
下面結(jié)合具體實(shí)施例進(jìn)一步講述本發(fā)明。
本發(fā)明的具體實(shí)施例中的去方塊效應(yīng)濾波器電路,先進(jìn)行垂直邊濾 波,在輸出濾波結(jié)果的同時(shí),對(duì)各4x4小塊進(jìn)行轉(zhuǎn)置;垂直邊濾波結(jié)束后, 利用同一數(shù)據(jù)通路進(jìn)行水平邊濾波。濾波過(guò)程中,通過(guò)合理選擇濾波順序, 可以有效利用數(shù)據(jù)之間的相互依賴關(guān)系。整個(gè)去方塊效應(yīng)濾波器電路的數(shù) 據(jù)流的控制方式敘述如下
一維邊緣濾波單元的輸入Q來(lái)自SRAM1的讀端口。端口Q的輸入數(shù)據(jù) 是以4x4小塊為單元,每個(gè)時(shí)鐘周期一個(gè)32比特字逐字輸入的。利用圖 5給出的4x4小塊索引號(hào),端口 Q的輸入數(shù)據(jù)次序按濾垂直邊和濾水平邊 兩種情況表述如下
1.濾垂直邊時(shí),端口Q的輸入數(shù)據(jù)次序按是否濾最左側(cè)垂直邊分兩
種情況
(1)若需要濾最左側(cè)垂直邊,輸入端口Q的4x4小塊數(shù)據(jù)依次為 24, 0, 1, 2, 3; 25, 4, 5, 6, 7; 26, 8, 9, 10, 11; 27, 12, 13, 14, 15; 28, 16, 17; 29, 18, 19; 30, 20, 21; 31, 22, 23
輸入24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31這幾個(gè)4x4小塊數(shù)據(jù)時(shí),一
維邊緣濾波單元處于旁路狀態(tài);輸入其它數(shù)據(jù)時(shí), 一維邊緣濾波單元處于 濾波狀態(tài)。
(2)若不濾最左側(cè)垂直邊,輸入端口 Q的4x4小塊數(shù)據(jù)依次為 0, 1, 2, 3; 4, 5, 6, 7; 8, 9, 10, 11; 12, 13, 14, 15; 16, 17;
18, 19; 20, 21;
22, 23
輸入0, 4, 8, 12, 16, 18, 20, 22這幾個(gè)4x4小塊數(shù)據(jù)時(shí), 一維 邊緣濾波單元處于旁路狀態(tài);輸入其它數(shù)據(jù)時(shí), 一維邊緣濾波單元處于濾 波狀態(tài)。
2.濾水平邊時(shí),端口Q的輸入數(shù)據(jù)次序按是否濾最上側(cè)水平邊分兩 種情況
(1)若需要濾最上側(cè)水平邊,輸入端口 Q的4x4小塊數(shù)據(jù)依次為
32,0,4, 8,12;
33,1,5, 9,13;
34,2,6, 10,14;
35,3,7, 11,15;
36,16:,18;37, 17, 19; 38, 20, 22; 39, 21, 23
輸入32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39這幾個(gè)4x4小塊數(shù)據(jù)時(shí),一 維邊緣濾波單元處于旁路狀態(tài);輸入其它數(shù)據(jù)時(shí), 一維邊緣濾波單元處于 濾波狀態(tài)。
(2)若不濾最上側(cè)水平邊,輸入端口 Q的4x4小塊數(shù)據(jù)依次為 0, 4, 8, 12; 1, 5, 9, 13; 2, 6, 10, 14; 3, 7, 11, 15; 16, 18;
17, 19;
20, 22; 21, 23
輸入0, 1, 2, 3, 16, 17, 20, 21這幾個(gè)4x4小塊數(shù)據(jù)時(shí), 一維邊 緣濾波單元處于旁路狀態(tài);輸入其它數(shù)據(jù)時(shí), 一維邊緣濾波單元處于濾波 狀態(tài)。
可配置的4x4小塊轉(zhuǎn)置單元可以工作在兩種模式:直通模式與轉(zhuǎn)置模 式。無(wú)論工作在哪種模式下,可配置4x4小塊轉(zhuǎn)置單元的輸入與輸出之間 均存在4個(gè)時(shí)鐘周期的延遲,輸出有效信號(hào)按圖7所示方式產(chǎn)生。
轉(zhuǎn)置單元中寄存器陣列數(shù)據(jù)的傳遞方向有水平方向和垂直方向兩種
可能。每隔四個(gè)時(shí)鐘周期,或保持或更改原來(lái)的數(shù)據(jù)傳遞方向。若前后4 個(gè)時(shí)鐘周期的數(shù)據(jù)傳遞方向一致,則電路工作在直通模式;若前后4個(gè)時(shí) 鐘周期的數(shù)據(jù)傳遞方向不同,則電路工作在轉(zhuǎn)置模式。
圖8給出了轉(zhuǎn)置單元中寄存器陣列數(shù)據(jù)傳遞方向的控制電路。其中輸 入信號(hào)DIN—VALID為可配置4x4小塊轉(zhuǎn)置單元的輸入有效信號(hào);TP—CTRL 為當(dāng)前4x4小塊輸入數(shù)據(jù)的轉(zhuǎn)置使能信號(hào)。輸出DIR—CTRL為寄存器陣列 的數(shù)據(jù)傳遞方向控制信號(hào)。
電路的工作模式是由當(dāng)前濾波輸出樣本數(shù)據(jù),所在宏塊的屬性(當(dāng) 前宏塊,左相鄰宏塊還是上相鄰宏塊),在宏塊中所處位置,以及當(dāng)前邊 緣濾波的方向決定的。
在進(jìn)行正常的去方塊效應(yīng)濾波操作時(shí),涉及三部分?jǐn)?shù)據(jù)當(dāng)前宏塊數(shù) 據(jù),左相鄰宏塊的右四列數(shù)據(jù)以及上相鄰宏塊的低四行數(shù)據(jù)。若最左側(cè)垂 直邊或者最上側(cè)水平邊不進(jìn)行濾波操作,則不需要左相鄰宏塊的數(shù)據(jù)或者 上相鄰宏塊的數(shù)據(jù)。
對(duì)于左相鄰宏塊的右4列數(shù)據(jù),只參與垂直邊濾波,濾波結(jié)束后保存 到SRAM2或片外幀存。這部分?jǐn)?shù)據(jù)中符合宏塊低4行條件的部分(對(duì)應(yīng)圖 4中27, 29, 31小塊),若當(dāng)前宏塊存在下相鄰宏塊,則這部分?jǐn)?shù)據(jù)輸出 到SRAM2,轉(zhuǎn)置使能;否則輸出到片外幀存,轉(zhuǎn)置禁止;左相鄰宏塊的其
他部分?jǐn)?shù)據(jù),輸出到片外幀存,轉(zhuǎn)置禁止。
對(duì)于上相鄰宏塊的低4行數(shù)據(jù),只參與水平邊濾波,濾波結(jié)束后保存
到片外幀存。輸出這部分?jǐn)?shù)據(jù)時(shí),轉(zhuǎn)置使能。
對(duì)于當(dāng)前宏塊數(shù)據(jù),垂直邊濾波后產(chǎn)生的中間數(shù)據(jù)返回到SRAM1原先
的存儲(chǔ)空間內(nèi),此時(shí)轉(zhuǎn)置始終使能。此時(shí)每個(gè)32比特字所對(duì)應(yīng)的4個(gè)相 鄰樣本的組合方式發(fā)生了改變,但每個(gè)4x4小塊在SRAM1中所對(duì)應(yīng)的4 個(gè)32比特字的存儲(chǔ)空間并不發(fā)生改變。
水平邊濾波結(jié)束后得到的數(shù)據(jù),可以分成四部分第一部分為當(dāng)前宏 塊的低4行右4列部分?jǐn)?shù)據(jù)(對(duì)應(yīng)圖4中15, 19, 23小塊);第二部分為 當(dāng)前宏塊的右4列非低4行部分?jǐn)?shù)據(jù)(對(duì)應(yīng)圖4中3, 7, 11, 17, 21小 塊);第三部分為當(dāng)前宏塊的低4行非右4列部分?jǐn)?shù)據(jù)(對(duì)應(yīng)圖4中12, 13, 14, 18, 22小塊);第四部分為當(dāng)前宏塊其它部分?jǐn)?shù)據(jù)。
對(duì)于第一部分?jǐn)?shù)據(jù),若當(dāng)前宏塊存在右相鄰宏塊,則這部分?jǐn)?shù)據(jù)輸出 到SRAM1,轉(zhuǎn)置使能。若其不存在右相鄰宏塊,但存在下相鄰宏塊,則這 部分?jǐn)?shù)據(jù)輸出到SRAM2,轉(zhuǎn)置禁止。其它情況下,這部分?jǐn)?shù)據(jù)輸出到片外 幀存,轉(zhuǎn)置使能。
對(duì)于第二部分?jǐn)?shù)據(jù),若當(dāng)前宏塊存在右相鄰宏塊,則這部分?jǐn)?shù)據(jù)輸出 到SRAMl,否則輸出到片外幀存。輸出這部分?jǐn)?shù)據(jù)時(shí)始終轉(zhuǎn)置始能。
對(duì)于第三部分?jǐn)?shù)據(jù),若當(dāng)前宏塊存在下相鄰宏塊,則這部分?jǐn)?shù)據(jù)輸出 到SRAM2,轉(zhuǎn)置禁止;否則輸出到外部幀存,轉(zhuǎn)置使能。
第四部分?jǐn)?shù)據(jù)輸出到外部幀存,轉(zhuǎn)置使能。
水平邊濾波結(jié)束后,當(dāng)前宏塊返回到SRAM1的那部分?jǐn)?shù)據(jù)并不保存到 原先的存儲(chǔ)空間內(nèi),而是保存到原先保存左相鄰宏塊數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)空間內(nèi) (對(duì)應(yīng)圖5中24 31小塊所處的存儲(chǔ)空間)。
圖9示出了利用本發(fā)明提出的高效去方塊效應(yīng)電路進(jìn)行去方塊效應(yīng) 濾波的具體方法流程。
綜上所述,本發(fā)明公開了一種H. 264/AVC視頻編碼標(biāo)準(zhǔn)去方塊效應(yīng)濾 波器的硬件電路實(shí)現(xiàn)方法,它由一片雙端口 SRAM, 一維環(huán)路濾波器單元 以及控制單元構(gòu)成,其中 一維環(huán)路濾波器單元由并入并出 一維邊緣濾波單 元,4x4小塊緩沖單元和可配置的4x4小塊轉(zhuǎn)置單元構(gòu)成。它可以有效利
用宏塊內(nèi)數(shù)據(jù)以及水平相鄰宏塊之間數(shù)據(jù)的相互依賴關(guān)系,從而可以顯著 提高去方塊效應(yīng)濾波的速度。同時(shí)由于垂直邊濾波和水平邊濾波采用同一 數(shù)據(jù)通路,電路簡(jiǎn)潔,易于控制,實(shí)現(xiàn)整個(gè)去方塊效應(yīng)濾波器電路所需門 數(shù)較小。本發(fā)明適用于計(jì)算機(jī)及微電子領(lǐng)域中的視頻編解碼器硬件電路實(shí) 現(xiàn)。
權(quán)利要求
1、一種高效去方塊效應(yīng)濾波器電路,連接產(chǎn)生濾波前當(dāng)前宏塊數(shù)據(jù)的上一級(jí)模塊、存儲(chǔ)濾波后數(shù)據(jù)的片外幀存、片內(nèi)SRAM(SRAM2)和編碼信息寄存器,其中片內(nèi)SRAM(SRAM2)存儲(chǔ)上相鄰宏塊所在宏塊行的所有低4行數(shù)據(jù),以提供當(dāng)前宏塊濾波所需的上相鄰宏塊數(shù)據(jù);編碼信息寄存器為濾波器模塊提供所需的編碼信息,以計(jì)算濾波參數(shù);其特征在于,所述去方塊效應(yīng)濾波器電路包括一雙端口SRAM(SRAM1)、一維環(huán)路濾波器單元、控制單元;其中所述雙端口SRAM(SRAM1),連接于所述產(chǎn)生濾波前當(dāng)前宏塊數(shù)據(jù)的上一級(jí)模塊和片內(nèi)SRAM(SRAM2),用于存儲(chǔ)當(dāng)前宏塊濾波操作所需的樣本數(shù)據(jù),包括當(dāng)前宏塊數(shù)據(jù)、左相鄰宏塊的右4列數(shù)據(jù)、上相鄰宏塊的低4行數(shù)據(jù)、一維垂直邊濾波后得到的中間數(shù)據(jù),并輸出數(shù)據(jù)到所述一維環(huán)路濾波器單元;所述一維環(huán)路濾波器單元,接受所述雙端口SRAM輸出數(shù)據(jù)和所述控制單元輸出的濾波參數(shù);所述控制單元連接于所述編碼信息寄存器、所述雙端口SRAM、所述一維環(huán)路濾波器單元,并將所述濾波參數(shù)傳至所述一維環(huán)路濾波器單元。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的高效去方塊效應(yīng)濾波器電路,其特征在于, 所述一維環(huán)路濾波器單元包括并入并出一維邊緣濾波單元、4x4小塊緩沖 單元及可配置的4x4小塊轉(zhuǎn)置單元。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的高效去方塊效應(yīng)濾波器電路,其特征在于, 所述并入并出 一維邊緣濾波單元具有輸入端口 P和Q,輸出端口 P'和g', 輸入端口Q連接所述雙端口SRAM的讀端口 ;輸出端口 2'連接所述4x4小塊緩 沖單元的輸入端口;輸入端口P連接所述4x4小塊緩沖單元的輸出端口;輸 出端口 ,連接所述可配置4x4小塊轉(zhuǎn)置單元的輸入端口 ;其中每個(gè)所述輸入 輸出端口的位寬為32比特;所述并入并出一維邊緣濾波單元可以工作在旁 路狀態(tài)或?yàn)V波狀態(tài);所述4x4小塊緩沖單元包括16個(gè)單字節(jié)的寄存器或者4個(gè)32比特字的寄 存器;所述可配置的4x4小塊轉(zhuǎn)置單元由16個(gè)單字節(jié)的寄存器組成的陣列構(gòu) 成,其可以工作在直通模式或轉(zhuǎn)置模式。
4、 一種去方塊效應(yīng)濾波方法,可應(yīng)用于根據(jù)權(quán)利要求l、 2或3所述的 高效去方塊效應(yīng)濾波器電路上,其特征在于,包括步驟一、首先對(duì)所述雙端口SRAM裝載當(dāng)前宏塊數(shù)據(jù)與上相鄰宏塊數(shù)據(jù); 步驟二、利用所述的高效去方塊效應(yīng)濾波器電路先進(jìn)行當(dāng)前宏塊的垂 直邊濾波,在輸出濾波結(jié)果的同時(shí),對(duì)當(dāng)前宏塊的所述各4x4小塊進(jìn)行轉(zhuǎn)置;步驟三、在垂直邊濾波結(jié)束后,利用所述的高效去方塊效應(yīng)濾波器電 路再進(jìn)行當(dāng)前宏塊的水平邊濾波;若當(dāng)前宏塊存在右相鄰宏塊,則在輸出 當(dāng)前宏塊濾波結(jié)果時(shí),其右四列數(shù)據(jù)不立即輸出到外部幀存,而是返回到 所述雙端口SRAM內(nèi),作為下一宏塊濾波時(shí)用到的左側(cè)宏塊數(shù)據(jù)。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的去方塊效應(yīng)濾波方法,其特征在于,所述步 驟二和步驟三均包括所述一維環(huán)路濾波器的并入并出一維邊緣濾波單元輸入?yún)⑴c濾波的8 個(gè)樣本值,對(duì)應(yīng)兩個(gè)32比特字P和Q,輸出為經(jīng)過(guò)濾波操作后的值P'和e', 該濾波參數(shù)由所述控制單元給出,若該一維邊緣濾波單元工作在旁路狀態(tài),則輸出F和2'等于輸入P和Q;其中所述一維邊緣濾波單元的輸入Q來(lái)自所述雙端口SRAM的讀端口 ,該 輸入以4x4小塊為單元,每個(gè)時(shí)鐘周期一個(gè)32比特字逐字輸入;所述一維邊緣濾波單元的輸出2'經(jīng)4x4小塊緩存單元延遲四個(gè)時(shí)鐘周 期后作為一維邊緣濾波單元的輸入P;所述一維邊緣濾波單元的輸出,則被送到所述可配置的4x4小塊轉(zhuǎn)置 單元,通過(guò)可配置的轉(zhuǎn)置單元后,所述每4x4小塊的數(shù)據(jù)或者被直接輸出或 者被轉(zhuǎn)置輸出,輸出目標(biāo)為SRAM1、 SRAM2或片外幀存,并由當(dāng)前濾波輸出 樣本數(shù)據(jù)所在宏塊的屬性、所屬4x4小塊在宏塊中所處位置以及當(dāng)前邊緣濾 波的方向決定;其中所在宏塊的屬性指宏塊為當(dāng)前宏塊、左相鄰宏塊還是 上相鄰宏塊。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種高效去方塊效應(yīng)濾波器電路,包括一雙端口SRAM、一維環(huán)路濾波器單元、控制單元;其中一維環(huán)路濾波器單元包括并入并出一維邊緣濾波單元、4×4小塊緩沖單元及可配置的4×4小塊轉(zhuǎn)置單元。本發(fā)明還公開了一種去方塊效應(yīng)濾波方法,可應(yīng)用于上述電路上,包括首先對(duì)雙端口SRAM裝載當(dāng)前宏塊數(shù)據(jù)與上相鄰宏塊數(shù)據(jù);利用高效去方塊效應(yīng)濾波器電路先進(jìn)行當(dāng)前宏塊的垂直邊濾波,在輸出濾波結(jié)果的同時(shí),對(duì)當(dāng)前宏塊的各4×4小塊進(jìn)行轉(zhuǎn)置;在垂直邊濾波結(jié)束后,利用高效去方塊效應(yīng)濾波器電路再進(jìn)行當(dāng)前宏塊的水平邊濾波,濾波結(jié)果中屬于當(dāng)前宏塊的右四列數(shù)據(jù)部分,根據(jù)需要返回到雙端口SRAM,作為下一宏塊濾波時(shí)用到的左側(cè)宏塊數(shù)據(jù)。
文檔編號(hào)H04N7/26GK101106710SQ20061002876
公開日2008年1月16日 申請(qǐng)日期2006年7月10日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月10日
發(fā)明者葉玉國(guó), 謙 唐, 歐陽(yáng)合, 霖 羅, 鄭宇馳, 陳樊忠 申請(qǐng)人:上海杰得微電子有限公司
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