專利名稱：帶式同軸中高頻揚聲器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種高音揚聲器和中音揚聲器同軸設置的中高頻揚聲器。
背景技術：
目前公知的帶式高頻揚聲器是矩形結構，采用上下兩層高性能的磁條在中間形成磁場，在中間夾一張表面覆有回路鋁帶的薄膜，當有交變電流通過鋁帶時，在磁場的作用下，鋁帶會帶動薄膜上下振動推動空氣產生聲音。因為采用了上下磁路的結構，在發(fā)聲面從音源到輻射面的行程較長，加上需要在導磁板上采用聲槽來擴散，而且，振膜在垂直與水平方向上尺寸有差距，所以，從聲學角度講，傳統(tǒng)結構的帶式揚聲器的指向性較為尖銳，而且，作為單體講，它有很明顯的垂直與水平指向性的差異。而且任何的帶式揚聲器都存在振幅限制及失真的問題，進而導致它的可用頻寬較窄，主要體現在中低頻段的限制上。
普通的球頂型中音揚聲器的結構，顧名思義，它需要有球頂的部分(即振膜)。因為它是作為中音來設計的，所以它的高頻部分沒有辦法象球頂高音那樣達到20000赫茲。而且它需要有球頂形的振膜，所以在技術上沒有辦法與其它類型的高音設計成同軸的結構。
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是設計一種具有帶式高音揚聲器單元和中音揚聲器單元的高保真的中高頻揚聲器。
本發(fā)明的目的通過設計一種帶式同軸中高頻揚聲器予以實現，這種帶式同軸中高頻揚聲器的結構，包括安裝于高音支架上的高音揚聲器單元和安裝于中音支架上的中音揚聲器單元，其特征在于高音揚聲器單元位于中心部位，中音揚聲器單元位于高音揚聲器單元的外環(huán)，兩者構成同軸結構；高音揚聲器單元由環(huán)形上導磁板、高音環(huán)形釹鐵硼磁鐵和U形導磁板構成高音散逸的工作磁場的磁路結構，在環(huán)形上導磁板之上安裝有高音帶式平面振膜；中音揚聲器單元采用雙圓弧環(huán)形中音振膜，由中音U形導磁板、中音環(huán)形導磁柱和中音環(huán)形釹鐵硼磁鐵構成T型磁路結構，中音環(huán)形導磁柱位于內環(huán)，中音U形導磁板位于外環(huán)，兩者之間留有磁間隔，在磁間隔中安裝有中音音圈，中音環(huán)形釹鐵硼磁鐵安裝在中音U形導磁板的內底與中音導磁柱的下底之間，中音音圈與雙圓弧環(huán)形中音振膜連接。
本發(fā)明的帶式高音揚聲器單元部分，通過驅動系統(tǒng)驅動帶式振膜發(fā)聲，其振膜原理與傳統(tǒng)的帶式振膜原理一致，所述的高音帶式平面振膜可采用在KAPTON基面上復合一圓螺旋形平面線圈構成，使得在平面360度方向上指向性一致，消除垂直與水平的區(qū)別，同時振膜直接通過面板輻射出去，消除了行程上的干擾，使它的指向性較以前更為寬廣。
在帶式高音揚聲器單元的驅動部分，本發(fā)明可采用以下的技術參數1、所述的U形導磁板具有15°～85°的內環(huán)倒角α。
2、所述的環(huán)形上導磁板與U形導磁板之間的磁間隔寬度H為0.5～15mm。
在本發(fā)明的中音揚聲器單元中，所采用的雙圓弧環(huán)形中音振膜，其內外圈振膜部分采用圓環(huán)形設計，懸掛部分與傳統(tǒng)的球頂形一樣采用圓環(huán)形設計。所說的雙圓弧環(huán)形中音振膜的內圈直徑A為10～200mm，外圈直徑B為15～220mm。并所述的中音揚聲器單元配置有后導向管，用以拓寬中音的中低頻。
本發(fā)明采用帶式高音揚聲器單元和中音揚聲器單元同軸結構設計方案，其中高音揚聲器單元采用改良后的傳統(tǒng)驅動系統(tǒng)驅動帶式振膜發(fā)聲，其驅動部分，雖然還是采用傳統(tǒng)電動式揚聲器的結構，但是卻是利用它的散逸磁場推動振膜工作，與傳統(tǒng)的使用剛好相反。同時本發(fā)明根據需要加大了氣隙并對氣隙的導磁方式、中心導磁片的結構進行改進，可增加散逸磁場的強度及均勻性，提高喇叭的靈敏度并使驅動力更加均勻，減小失真。在本發(fā)明的中音揚聲器單元中，采用了新型的雙圓弧環(huán)形中音振膜和改進的低失真T型磁路結構，使之可以與任何合適尺寸的帶式高音揚聲器單元同軸，形成點聲源，解決相位差的問題，使音樂的還原更加完美。兩者的合理結合使本發(fā)明在電聲性能上達到高保真的要求，從而成為高保真的中高頻揚聲器。
圖1為本帶式同軸中高頻揚聲器的縱切面結構圖；圖2為高音散逸磁路工作示意圖；圖3為雙圓弧環(huán)形中音振膜切面結構圖；圖4為高音帶式平面振膜。
具體實施例方式
以下結合附圖對本實用新型的實施方式的結構細節(jié)作進一步的詳細說明本帶式同軸中高頻揚聲器實施例的基本結構如圖1所示，包括位于中心部位的帶式高音揚聲器單元和位于外環(huán)部位的中音揚聲器單元；帶式高音揚聲器單元由由環(huán)形上導磁板3、高音環(huán)形釹鐵硼磁鐵19和U形導磁板18構成高音散逸的工作磁場的磁路結構，在環(huán)形上導磁板3之上安裝有高音帶式平面振膜4，整個帶式高音揚聲器單元安裝在高音支架8上，高音帶式平面振膜4由高音音膜支撐架6固定在高音支架8上，在帶式高音揚聲器單元上設有帶裝飾子彈頭1的防護網5，防護網5與高音帶式平面振膜4之間用墊片2隔離；中音揚聲器單元采用雙圓弧環(huán)形中音振膜10，由中音U形導磁板15、中音環(huán)形導磁柱17和中音環(huán)形釹鐵硼磁鐵16構成T型磁路結構，中音環(huán)形導磁柱17位于內環(huán)，該環(huán)的內環(huán)面承托著高音支架8，中音U形導磁板15位于外環(huán)，兩者之間留有磁間隔，在磁間隔中安裝有中音音圈11，中音環(huán)形釹鐵硼磁鐵16安裝在中音U形導磁板15的內底與中音導磁柱17的下底之間，中音音圈11與雙圓弧環(huán)形中音振膜10連接，中音支架14承托著中音U形導磁板15而成為本揚聲器的外殼體，雙圓弧環(huán)形中音振膜10通過中音音膜外支架12和中音音膜內支架9固定在中音支架14和高音支架8之間，23為配置于中音揚聲器單元的后導向管；此外，在圖1中，7為高音裝飾環(huán)；13為面板；20為端子；21為后罩；22為輸出端子。
本帶式同軸中高頻揚聲器的高音帶式平面振膜由在KAPTON基面上復合一圓螺旋形平面線圈構成，如圖4所示。
圖2顯示了本帶式同軸中高頻揚聲器的高音散逸磁路工作示意圖，其U形導磁板18具的內環(huán)倒角α為45°環(huán)形上導磁板3與U形導磁板18之間的磁間隔寬度H為4.5mm。
圖3顯示了雙圓弧環(huán)形中音振膜切面結構圖，其內圈直徑A為49mm，外圈直徑B為84mm。
權利要求
1.一種帶式同軸中高頻揚聲器，包括安裝于高音支架(8)上的高音揚聲器單元和安裝于中音支架(14)上的中音揚聲器單元，其特征在于高音揚聲器單元位于中心部位，中音揚聲器單元位于高音揚聲器單元的外環(huán)，兩者構成同軸結構；高音揚聲器單元由環(huán)形上導磁板(3)、高音環(huán)形釹鐵硼磁鐵(19)和U形導磁板(18)構成高音散逸的工作磁場的磁路結構，在環(huán)形上導磁板(3)之上安裝有高音帶式平面振膜(4)；中音揚聲器單元采用雙圓弧環(huán)形中音振膜(10)，由中音U形導磁板(15)、中音環(huán)形導磁柱(17)和中音環(huán)形釹鐵硼磁鐵(16)構成T型磁路結構，中音環(huán)形導磁柱(17)位于內環(huán)，中音U形導磁板(15)位于外環(huán)，兩者之間留有磁間隔，在磁間隔中安裝有中音音圈(11)，中音環(huán)形釹鐵硼磁鐵(16)安裝在中音U形導磁板(15)的內底與中音導磁柱(17)的下底之間，中音音圈(11)與雙圓弧環(huán)形中音振膜(10)連接。
2.根據權利要求1所述的帶式同軸中高頻揚聲器，其特征在于所述的高音帶式平面振膜由在KAPTON基面上復合一圓螺旋形平面線圈構成。
3.根據權利要求1所述的帶式同軸中高頻揚聲器，其特征在于所述的U形導磁板(18)具有15°～85°的內環(huán)倒角α。
4.根據權利要求1所述的帶式同軸中高頻揚聲器，其特征在于所述的環(huán)形上導磁板(3)與U形導磁板(18)之間的磁間隔寬度H為0.5～15mm。
5.根據權利要求1所述的帶式同軸中高頻揚聲器，其特征在于所述的雙圓弧環(huán)形中音振膜(10)的內圈直徑A為10～200mm，外圈直徑B為15～220mm。
6.根據權利要求1所述的帶式同軸中高頻揚聲器，其特征在于所述的中音揚聲器單元配置有后導向管(23)。
全文摘要
一種帶式同軸中高頻揚聲器，包括位于中心部位的高音揚聲器單元和外環(huán)部位的中音揚聲器單元，兩者構成同軸結構；高音揚聲器單元由環(huán)形上導磁板、高音環(huán)形釹鐵硼磁鐵和U形導磁板構成高音散逸的工作磁場的磁路結構，采用高音帶式平面振膜；中音揚聲器單元由中音U形導磁板、中音環(huán)形導磁柱和中音環(huán)形釹鐵硼磁鐵構成T型磁路結構，采用雙圓弧環(huán)形中音振膜。由于中音揚聲器單元采用了新型的雙圓弧環(huán)形中音振膜和改進的低失真T型磁路結構，使之與帶式高音揚聲器單元同軸，兩者的合理結合使本發(fā)明在電聲性能上達到高保真的要求，成為高保真的中高頻揚聲器。
文檔編號H04R1/40GK1886005SQ20051003528
公開日2006年12月27日 申請日期2005年6月21日 優(yōu)先權日2005年6月21日
發(fā)明者姚洪波 申請人:中山市惠威電器有限公司