專利名稱：一種反射式陣列波導(dǎo)調(diào)制型光開關(guān)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光通信和光信號(hào)處理中應(yīng)用的反射式陣列波導(dǎo)調(diào)制型1×N光開關(guān)，主要用于實(shí)現(xiàn)光傳輸線路或集成光路中的光信號(hào)相互轉(zhuǎn)換或邏輯操作。
背景技術(shù)：
光開關(guān)與光開關(guān)陣列是光纖通信系統(tǒng)中關(guān)鍵的光器件，隨著光纖通信技術(shù)的發(fā)展，特別是數(shù)據(jù)通信和密集波分復(fù)用(DWDM)系統(tǒng)的應(yīng)用，全光網(wǎng)絡(luò)(AON)已經(jīng)成為網(wǎng)絡(luò)發(fā)展的趨勢，復(fù)雜的網(wǎng)絡(luò)拓?fù)鋵煽俊㈧`活的網(wǎng)管產(chǎn)生了強(qiáng)烈的要求。DWDM在骨干網(wǎng)、城域網(wǎng)和接入網(wǎng)的應(yīng)用對具有交換功能的光開關(guān)的需要更加迫切。光域優(yōu)化、路由、保護(hù)和自愈等網(wǎng)絡(luò)功能已成為全光網(wǎng)的關(guān)鍵技術(shù)，這一切都離不開光開關(guān)。
現(xiàn)在已報(bào)道了采用微光機(jī)電(MOEMS)技術(shù)、液晶技術(shù)、全息光柵技術(shù)、氣泡技術(shù)，波導(dǎo)調(diào)制技術(shù)等各種技術(shù)的光開關(guān)。其中波導(dǎo)光開關(guān)開關(guān)速度快，一般在微秒到亞微秒量級，且易于集成大規(guī)模的開關(guān)陣列。尤其在光集成和光計(jì)算等領(lǐng)域，波導(dǎo)光開關(guān)已經(jīng)成為取得突破的關(guān)鍵技術(shù)?，F(xiàn)已報(bào)道的波導(dǎo)光開關(guān)通常利用Y型結(jié)構(gòu)(專利公開號(hào)CN 1279406A)和多模干涉(MMI)結(jié)構(gòu)(嚴(yán)清風(fēng)等，4×4區(qū)域調(diào)制多模干涉耦合SOI光波導(dǎo)開關(guān)的設(shè)計(jì)，半導(dǎo)體光電，2002，Vol.23 No.3p174-p177)，這類光開關(guān)的問題是單個(gè)器件輸入輸出端少，實(shí)現(xiàn)多端口交叉互連時(shí)要通過多級串連構(gòu)成光開關(guān)陣列，所需器件多，陣列結(jié)構(gòu)復(fù)雜，相應(yīng)增大插入損耗，串?dāng)_加劇，降低了開關(guān)性能；開關(guān)隔離度一般都不高；有些結(jié)構(gòu)如Y型結(jié)構(gòu)器件結(jié)構(gòu)不緊湊，尺寸很難做小。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種反射式陣列波導(dǎo)調(diào)制型1×N光開關(guān)結(jié)構(gòu)，用于實(shí)現(xiàn)多端口，低損耗，高隔離度的波導(dǎo)光開關(guān)。
本發(fā)明提供一種反射式陣列波導(dǎo)調(diào)制型光開關(guān)，它由輸入/輸出(I/O)波導(dǎo)陣列，平板波導(dǎo)區(qū)，調(diào)制波導(dǎo)陣列，可調(diào)光衰減器陣列，調(diào)制器陣列和反射鏡陣列六個(gè)結(jié)構(gòu)單元構(gòu)成。輸入/輸出(I/O)波導(dǎo)陣列，平板波導(dǎo)區(qū)，調(diào)制波導(dǎo)陣列依次以錐形波導(dǎo)直接耦合連接，可調(diào)光衰減器陣列制作在輸入/輸出(I/O)波導(dǎo)陣列上，調(diào)制器陣列制作在調(diào)制波導(dǎo)陣列上，反射鏡陣列制作在調(diào)制波導(dǎo)陣列的末端。輸入/輸出(I/O)波導(dǎo)陣列包含一條輸入波導(dǎo)和N條輸出波導(dǎo)，其中輸入波導(dǎo)位于輸入/輸出(I/O)波導(dǎo)陣列的中心，和輸出中心波導(dǎo)錯(cuò)開半個(gè)波導(dǎo)間距，輸入/輸出(I/O)波導(dǎo)陣列與平板波導(dǎo)區(qū)的耦合端面做成錐形波導(dǎo)，錐形波導(dǎo)的錐形口寬度小于或等于波導(dǎo)間距。平板波導(dǎo)區(qū)做成羅蘭圓結(jié)構(gòu)，調(diào)制波導(dǎo)陣列中調(diào)制波導(dǎo)是直波導(dǎo)，調(diào)制波導(dǎo)做得足夠長以提供必需的調(diào)制長度，波導(dǎo)間距逐漸增大以提供制作調(diào)制器陣列所需空間，調(diào)制波導(dǎo)數(shù)目大于或等于輸出波導(dǎo)數(shù)N，調(diào)制波導(dǎo)數(shù)目要取一個(gè)適當(dāng)值，波導(dǎo)數(shù)目太多會(huì)造成波導(dǎo)長度過大，增加器件尺寸和調(diào)制波導(dǎo)的傳輸損耗；波導(dǎo)數(shù)目太少會(huì)增加平板波導(dǎo)區(qū)和調(diào)制波導(dǎo)陣列的耦合損耗，調(diào)制波導(dǎo)陣列與平板波導(dǎo)區(qū)的耦合端面也要做成錐形波導(dǎo)，錐形波導(dǎo)的錐形口寬度小于或等于波導(dǎo)間距。在輸入/輸出(I/O)波導(dǎo)上制作可調(diào)光衰減器陣列，可調(diào)光衰減器的制作方案可以是利用Si的等離子色散效應(yīng)，由PN結(jié)載流子電注入實(shí)現(xiàn)光功率的吸收，達(dá)到可調(diào)衰減的目的；利用Si的等離子色散效應(yīng)，由PN結(jié)載流子光注入，產(chǎn)生大量光生載流子，對光信號(hào)實(shí)現(xiàn)功率吸收，達(dá)到可調(diào)光功率衰減的目的。在調(diào)制波導(dǎo)陣列上制作調(diào)制器陣列，調(diào)制器陣列的實(shí)現(xiàn)方法很多，可以是電光調(diào)制，所用的波導(dǎo)材料為LiNiO3材料或III-V族材料；熱光調(diào)制，所用的波導(dǎo)材料為SiO2材料、聚合物材料或SOI材料；載流子注入調(diào)制，所用的波導(dǎo)材料為Si或SOI材料，通過PN結(jié)的電注入或光注入實(shí)現(xiàn)光調(diào)制以及其它可能的調(diào)制方式。在調(diào)制波導(dǎo)陣列的末端制作反射鏡陣列，反射鏡陣列位于調(diào)制波導(dǎo)陣列和平板波導(dǎo)區(qū)交界端面圓的同心圓上，以避免由于調(diào)制波導(dǎo)長度不同造成光程差，反射面陣列的背面要鍍上增反射膜，反射鏡陣列構(gòu)成一個(gè)圓弧反射鏡。光信號(hào)由輸入波導(dǎo)輸入到平板波導(dǎo)區(qū)，輸入波導(dǎo)與平板波導(dǎo)區(qū)的錐形波導(dǎo)耦合端面，可以減少輸入/輸出(I/O)波導(dǎo)陣列與平板波導(dǎo)區(qū)的耦合損耗，增加接受光信號(hào)端口大小，減少模式轉(zhuǎn)換損耗。平板波導(dǎo)區(qū)將光信號(hào)均勻耦合進(jìn)調(diào)制波導(dǎo)陣列，調(diào)制波導(dǎo)陣列與平板波導(dǎo)區(qū)的錐形波導(dǎo)耦合端面，可以減少調(diào)制波導(dǎo)陣列與平板波導(dǎo)區(qū)的耦合損耗，增加接受光信號(hào)端口大小，減少模式轉(zhuǎn)換損耗。調(diào)制器陣列對調(diào)制波導(dǎo)陣列中的光信號(hào)實(shí)現(xiàn)相位調(diào)制，形成相位差。光信號(hào)在反射鏡陣列實(shí)現(xiàn)反射，反射鏡陣列背面的增反射膜可以增大反射效率，減少反射損耗。光信號(hào)經(jīng)反射鏡陣列反射后，又在調(diào)制波導(dǎo)陣列中由調(diào)制器陣列實(shí)現(xiàn)二次調(diào)制，相位差進(jìn)一步變大。當(dāng)光信號(hào)由調(diào)制波導(dǎo)陣列耦合進(jìn)平板波導(dǎo)區(qū)時(shí)，不同相位的光信號(hào)在平板波導(dǎo)區(qū)發(fā)生多光束干涉，根據(jù)多光束干涉原理，通過控制相位差可以控制光束輸出到指定的輸出波導(dǎo)，達(dá)到光信號(hào)切換的目的，平板波導(dǎo)區(qū)與輸出波導(dǎo)陣列的錐形波導(dǎo)耦合端面，可以減少平板波導(dǎo)區(qū)與輸出波導(dǎo)陣列的耦合損耗，增加接受光信號(hào)端口大小，減少模式轉(zhuǎn)換損耗。可調(diào)光衰減器陣列用于衰減非指定波導(dǎo)中的光功率即串?dāng)_光信號(hào)，從而進(jìn)一步增大光開關(guān)的隔離度，其作用相當(dāng)于一個(gè)1×1光開關(guān)陣列。器件做在同一襯底上，襯底材料與波導(dǎo)和調(diào)制器所用材料有關(guān)。
根據(jù)本發(fā)明提供的光開關(guān)，采用陣列波導(dǎo)調(diào)制的方式，實(shí)現(xiàn)多端口的1×N光開關(guān)，N可以做到幾十甚至上百。本發(fā)明區(qū)別于AWG器件，其采用反射式陣列波導(dǎo)調(diào)制，調(diào)制波導(dǎo)為直線波導(dǎo)，避免了AWG器件陣列波導(dǎo)彎曲部分的復(fù)雜幾何設(shè)計(jì)，且由于無彎曲部分，沒有彎曲損耗，光程長度易于控制，提高了器件性能；輸出端集成可調(diào)光衰減器陣列，解決了波導(dǎo)光開關(guān)隔離度不高的問題?？梢灾谱鞫丝跀?shù)多，性能好的波導(dǎo)光開關(guān)。
另外，如果將該1×N光開關(guān)的輸入/輸出(I/O)波導(dǎo)分別作為新開關(guān)的輸出和輸入波導(dǎo)，則構(gòu)成N×1光開關(guān)。本發(fā)明所述的光開關(guān)還可以通過全連接方法，實(shí)現(xiàn)N×N光開關(guān)功能。例如，N個(gè)所述的1×N光開關(guān)和N個(gè)所述的N×1光開關(guān)可組成一個(gè)N×N光開關(guān)陣列，用于光網(wǎng)絡(luò)的交叉連接(OXC)。各個(gè)光開關(guān)之間連接的方式可以是光波導(dǎo)連接或光纖連接。


下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的原理和優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行更詳細(xì)的說明。
圖1為通常的1×N波導(dǎo)光開關(guān)結(jié)構(gòu)示意圖，11為分光器，一般用Y型結(jié)構(gòu)和MMI結(jié)構(gòu)；12為調(diào)制器；13為耦合器，一般用3dB耦合器或MMI結(jié)構(gòu)。這類波導(dǎo)光開關(guān)一般端口數(shù)較少(N≤4)，并且存在隔離度不高的問題。
圖2為由1×2光開關(guān)構(gòu)成的1×32光開關(guān)陣列的示意圖，由示意圖可以看出，一個(gè)1×32光開關(guān)陣列，要由31個(gè)1×2光開關(guān)經(jīng)由5級串接得到，其插入損耗等于5級插入損耗之和，故插入損耗增大，串?dāng)_加劇，大大降低了器件性能。
圖3為通常的陣列波導(dǎo)光柵(AWG)結(jié)構(gòu)示意圖。31為輸入波導(dǎo)，32為平板波導(dǎo)，33為陣列波導(dǎo)，34為輸出波導(dǎo)。AWG器件具有結(jié)構(gòu)緊湊，易于集成，易于封裝等優(yōu)點(diǎn)，缺點(diǎn)是陣列波導(dǎo)彎曲部分的幾何設(shè)計(jì)復(fù)雜，工藝實(shí)現(xiàn)難度大。
圖4為根據(jù)本發(fā)明的反射式陣列波導(dǎo)調(diào)制型光開關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖。41為輸入/輸出(I/O)波導(dǎo)陣列，42為可調(diào)光衰減器陣列，43為平板波導(dǎo)區(qū)，44為調(diào)制波導(dǎo)陣列，45為調(diào)制器陣列，46為反射鏡陣列。
圖5為圖4所示光開關(guān)中輸入/輸出(I/O)波導(dǎo)陣列與平板波導(dǎo)區(qū)耦合端面的錐形波導(dǎo)示意圖。41為輸入/輸出(I/O)波導(dǎo)陣列，43為平板波導(dǎo)區(qū)，51為輸入/輸出(I/O)波導(dǎo)陣列與平板波導(dǎo)區(qū)耦合端面的錐形波導(dǎo)。
圖6為圖4所示光開關(guān)中平板波導(dǎo)區(qū)與調(diào)制波導(dǎo)陣列耦合端面的錐形波導(dǎo)示意圖。43為平板波導(dǎo)區(qū)，44為調(diào)制波導(dǎo)陣列，61為平板波導(dǎo)區(qū)與調(diào)制波導(dǎo)陣列耦合端面的錐形波導(dǎo)。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施例1如圖4所示實(shí)施例中，反射式陣列波導(dǎo)調(diào)制型1×N光開關(guān)以SOI材料做襯底，輸入/輸出(I/O)波導(dǎo)陣列41包含1條輸入波導(dǎo)和N條輸出波導(dǎo)，其中輸入波導(dǎo)位于輸入/輸出(I/O)波導(dǎo)陣列的中心，和輸出中心波導(dǎo)錯(cuò)開半個(gè)波導(dǎo)間距。輸入/輸出(I/O)波導(dǎo)陣列與平板波導(dǎo)區(qū)的耦合端面做成錐形波導(dǎo)，錐形波導(dǎo)的錐形口寬度等于波導(dǎo)間距。平板波導(dǎo)區(qū)43做成羅蘭圓結(jié)構(gòu)，與輸入/輸出波導(dǎo)陣列和調(diào)制波導(dǎo)陣列相連接。調(diào)制波導(dǎo)陣列44中調(diào)制波導(dǎo)是直波導(dǎo)，調(diào)制波導(dǎo)做得足夠長以提供必需的調(diào)制長度，波導(dǎo)間距逐漸增大以提供制作調(diào)制器陣列所需空間，調(diào)制波導(dǎo)數(shù)目大于或等于輸出波導(dǎo)數(shù)N，調(diào)制波導(dǎo)數(shù)目要取一個(gè)適當(dāng)值，波導(dǎo)數(shù)目太多會(huì)造成波導(dǎo)長度過大，增加器件尺寸和調(diào)制波導(dǎo)的傳輸損耗；波導(dǎo)數(shù)目太少會(huì)增加平板波導(dǎo)區(qū)和調(diào)制波導(dǎo)陣列的耦合損耗，調(diào)制波導(dǎo)陣列與平板波導(dǎo)區(qū)的耦合端面也要做成錐形波導(dǎo)，錐形波導(dǎo)的錐形口寬度約等于波導(dǎo)間距。調(diào)制器陣列45在調(diào)制波導(dǎo)上制作。調(diào)制器陣列用熱光調(diào)制方法實(shí)現(xiàn)；反射鏡陣列46位于調(diào)制波導(dǎo)陣列和平板波導(dǎo)區(qū)交界端面圓的同心圓上，反射鏡陣列的背面要鍍上增反射膜，反射鏡陣列構(gòu)成一個(gè)圓弧反射鏡?？烧{(diào)光衰減器陣列42在輸入/輸出波導(dǎo)陣列上制作，可調(diào)光衰減器利用Si的等離子色散效應(yīng)，在調(diào)制波導(dǎo)上制作PN結(jié)，通過載流子電注入實(shí)現(xiàn)光功率可調(diào)衰減。
在本實(shí)施例中提供的反射式陣列波導(dǎo)調(diào)制型光開關(guān)中，輸入/輸出(I/O)波導(dǎo)陣列與平板波導(dǎo)區(qū)耦合端面的錐形波導(dǎo)51錐形口寬度約等于波導(dǎo)間距(如圖5所示)。
在本實(shí)施例中提供的反射式陣列波導(dǎo)調(diào)制型光開關(guān)中，平板波導(dǎo)區(qū)與調(diào)制波導(dǎo)陣列耦合端面的錐形波導(dǎo)61錐形口寬度約等于波導(dǎo)間距(如圖6所示)。實(shí)施例2將本發(fā)明提供的1×N光開關(guān)的輸入/輸出(I/O)波導(dǎo)分別作為新開關(guān)的輸出和輸入波導(dǎo)，構(gòu)成N×1光開關(guān)。
實(shí)施例3將N個(gè)本發(fā)明提供的1×N光開關(guān)和N個(gè)本發(fā)明提供的N×1光開關(guān)全連接，構(gòu)成N×N光開關(guān)陣列，具體連接方法是N個(gè)1×N光開關(guān)的輸入波導(dǎo)作為N×N光開關(guān)陣列的輸入波導(dǎo)陣列，第一個(gè)1×N光開關(guān)的N條輸出波導(dǎo)分別和N個(gè)N×1光開關(guān)的第一條輸入波導(dǎo)連接，第二個(gè)1×N光開關(guān)的N條輸出波導(dǎo)分別和N個(gè)N×1光開關(guān)的第二條輸入波導(dǎo)連接，第三個(gè)1×N光開關(guān)的N條輸出波導(dǎo)分別和N個(gè)N×1光開關(guān)的第三條輸入波導(dǎo)連接，……，依此類推，第N個(gè)1×N光開關(guān)的N條輸出波導(dǎo)分別和N個(gè)N×1光開關(guān)的第N條輸入波導(dǎo)連接，N個(gè)N×1光開關(guān)的輸出波導(dǎo)作為N×N光開關(guān)陣列的輸出波導(dǎo)陣列。
權(quán)利要求
1.一種反射式陣列波導(dǎo)調(diào)制型光開關(guān)。其特征在于(1)它由輸入/輸出波導(dǎo)陣列，平板波導(dǎo)區(qū)，調(diào)制波導(dǎo)陣列，可調(diào)光衰減器陣列，調(diào)制器陣列和反射鏡陣列六個(gè)結(jié)構(gòu)單元構(gòu)成；(2)輸入/輸出波導(dǎo)陣列，平板波導(dǎo)區(qū)，調(diào)制波導(dǎo)陣列依次以錐形波導(dǎo)直接耦合連接，可調(diào)光衰減器陣列制作在輸入/輸出波導(dǎo)陣列上，調(diào)制器陣列制作在調(diào)制波導(dǎo)陣列上，反射鏡陣列制作在調(diào)制波導(dǎo)陣列的末端。
2.按權(quán)利要求1所述反射式陣列波導(dǎo)調(diào)制型光開關(guān)，其特征在于所述的輸入/輸出導(dǎo)陣列包含1條輸入波導(dǎo)和N條輸出波導(dǎo)，其中輸入波導(dǎo)位于輸入/輸出波導(dǎo)陣列的中心，與輸出中心波導(dǎo)錯(cuò)開半個(gè)波導(dǎo)間距。輸入/輸出波導(dǎo)陣列與平板波導(dǎo)區(qū)的耦合端面做成錐形波導(dǎo)，錐形波導(dǎo)的錐形口寬度小于或等于波導(dǎo)間距。
3.按權(quán)利要求1所述反射式陣列波導(dǎo)調(diào)制型光開關(guān)，其特征在于所述的平板波導(dǎo)區(qū)做成羅蘭圓結(jié)構(gòu)，并與輸入/輸出波導(dǎo)相連接，調(diào)制波導(dǎo)陣列中調(diào)制波導(dǎo)是直波導(dǎo)，調(diào)制波導(dǎo)數(shù)目大于或等于輸出波導(dǎo)數(shù)N，調(diào)制波導(dǎo)陣列與平板波導(dǎo)區(qū)的耦合端面也做成錐形波導(dǎo)，錐形波導(dǎo)的錐形口寬度小于或等于波導(dǎo)間距。
4.按權(quán)利要求1所述反射式陣列波導(dǎo)調(diào)制型光開關(guān)，其特征在于所述的可調(diào)光衰減器陣列制作在輸入/輸出波導(dǎo)上，利用硅的等離子色散效應(yīng)，由PN結(jié)載流子電注入或光注入，達(dá)到可調(diào)衰減。
5.按權(quán)利要求1所述反射式陣列波導(dǎo)調(diào)制型光開關(guān)，其特征在于所述的調(diào)制波導(dǎo)陣列上制作的調(diào)制器陣列或?yàn)殡姽庹{(diào)制或?yàn)闊峁庹{(diào)制或?yàn)檩d流子注入調(diào)制中的一種。
6.按權(quán)利要求5所述反射式陣列波導(dǎo)調(diào)制型光開關(guān)，其特征在于(1)電光調(diào)制所用的波導(dǎo)材料為LiNiO3或III-V族材料；(2)熱光調(diào)制所用的波導(dǎo)材料為SiO2材料、聚合物材料或SOI材料；(3)載流子注入調(diào)制所用的波導(dǎo)材料為Si或SOI材料。
7.按權(quán)利要求1所述反射式陣列波導(dǎo)調(diào)制型光開關(guān)，其特征在于在調(diào)制波導(dǎo)陣列末端制作的反射鏡陣列位于調(diào)制波導(dǎo)陣列和平板波導(dǎo)區(qū)交界面圓的同心圓上；反射鏡陣列構(gòu)成一個(gè)圓弧反射鏡。
8.按權(quán)利要求1所述反射式陣列波導(dǎo)調(diào)制型光開關(guān)，其特征在于反射鏡陣列的背面涂上增反射膜。
9.按權(quán)利要求1所述反射式陣列波導(dǎo)調(diào)制型光開關(guān)，其特征在于將1×N光開關(guān)的輸入/輸出波導(dǎo)分別作為此開關(guān)的輸出和輸入波導(dǎo)，構(gòu)成N×1光開關(guān)。
10.按權(quán)利要求1或9所述反射式陣列波導(dǎo)調(diào)制型光開關(guān)，其特征在于所述的光開關(guān)通過全連接方法，實(shí)現(xiàn)N×N光開關(guān)，N個(gè)所述的1×N光開關(guān)和N個(gè)所述的N×1光開關(guān)可組成N×N光開關(guān)陣列，用于光網(wǎng)絡(luò)的交叉連接。
全文摘要
一種反射式陣列波導(dǎo)調(diào)制型光開關(guān)，由輸入/輸出波導(dǎo)陣列、平板波導(dǎo)區(qū)、調(diào)制波導(dǎo)陣列、調(diào)制器陣列、反射鏡陣列、可調(diào)光衰減器陣列等基本單元構(gòu)成。輸入/輸出波導(dǎo)陣列，平板波導(dǎo)區(qū)，調(diào)制波導(dǎo)陣列依次以錐形波導(dǎo)直接耦合連接，可調(diào)光衰減器陣列制作在輸入/輸出波導(dǎo)陣列上，調(diào)制器陣列制作在調(diào)制波導(dǎo)陣列上，反射鏡陣列制作在調(diào)制波導(dǎo)陣列的末端。輸入光信號(hào)由平板波導(dǎo)區(qū)耦合進(jìn)調(diào)制波導(dǎo)陣列，并經(jīng)反射鏡陣列的反射，在調(diào)制波導(dǎo)陣列中實(shí)現(xiàn)兩次調(diào)相，從而使不同調(diào)制波導(dǎo)中的光信號(hào)產(chǎn)生相位調(diào)制。不同相位的光信號(hào)在平板波導(dǎo)區(qū)實(shí)現(xiàn)多光束干涉，控制光束輸出到指定的輸出波導(dǎo)，實(shí)現(xiàn)1×N光開關(guān)功能。且可構(gòu)成N×1光開關(guān)或N×N光開關(guān)陣列。
文檔編號(hào)H04J14/02GK1556426SQ20041001574
公開日2004年12月22日 申請日期2004年1月9日 優(yōu)先權(quán)日2004年1月9日
發(fā)明者吳亞明, 韓曉峰 申請人:中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所, 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究