專利名稱：電磁話筒的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一個話筒。
在現(xiàn)有技術(shù)中，我們知道一個話筒電動力學(xué)或電靜力學(xué)地檢測在聲波作用下發(fā)生振動的一個振動膜的位移以便將它變換成電信號，或者用一條激光束光學(xué)地檢測振動膜的位移。
在美國專利No．6，014，239和No．4，479，265中已經(jīng)提出了用一條激光束光學(xué)地檢測振動膜的位移的話筒，其中將一條激光束輻射到振動膜上，用光檢測器測量被反射的光束并將反射光束變換成電信號。
本發(fā)明要解決的問題一個用一個半導(dǎo)體激光器的話筒有一個檢測位移而不需導(dǎo)線的優(yōu)點，但是它需要一個精確的調(diào)整裝置，精確地調(diào)整半導(dǎo)體激光器和振動膜之間的距離并需要許多光學(xué)要素，從而導(dǎo)致一個復(fù)雜的結(jié)構(gòu)。進一步，因為附著在一個振動膜表面上的東西引起光的反射特性的變化，所以使話筒的特性惡化。特別在濕度很高的情形中可能使光的接收和發(fā)射成為不可能，從而使話筒停止工作。進一步，因為激光束是光，所以僅用一個集成邏輯電路不可能直接測量頻率或相位。
用根據(jù)光速恒定原理測量一個光程差推導(dǎo)出波長的方法進行一條激光束的頻率的測量。然而，這種測量方法的精度較低并需要一個尺寸較大的測量裝置。此外，光程的測量是不容易的。因此，如果用一條激光束在長時期內(nèi)使一個話筒能穩(wěn)定地工作是困難的。
本發(fā)明提供一個有一個簡單結(jié)構(gòu)的話筒，它解決了上面提到的諸問題，所述的話筒不需用一條導(dǎo)線來檢測一個振動膜的位移。
根據(jù)本發(fā)明的話筒裝備有一個在接收到一個聲波時發(fā)生振動并反射一個頻率低于1012Hz的電磁波的振動膜，一個接收和發(fā)射電磁波，將電磁波輻射到振動膜和接收被振動膜反射的電磁波的裝置，和一個測量諸振動膜信號的裝置，該裝置測量由接收和發(fā)射電磁波的裝置接收的電磁波的諸信號。由振動膜反射的電磁波的頻率和振幅的測量能將振動膜的位移變換成諸電信號。


圖1是一個表示本發(fā)明的基本結(jié)構(gòu)的方框圖。
圖2是用在本發(fā)明中的振蕩器的一個電路圖。
圖3是一個表示一個在振動膜和一個天線之間的距離與振蕩頻率的關(guān)系的特性曲線圖。
圖4是一個表示一個在振動膜和一個天線之間的距離與電壓振幅的關(guān)系的特性曲線圖。
圖5是處理邏輯電路的一個方框電路圖。
圖6是一個當(dāng)一個振動膜接收一個聲波時一個接收和發(fā)射電磁波的裝置輸出的振蕩頻率的諸信號的圖。
圖7是一個表示當(dāng)振動膜接收到一個聲波時一個處理邏輯電路輸出的脈沖數(shù)的差的諸信號的圖。
圖8是一個表示振動膜的位移與振動頻率的關(guān)系的特性曲線的圖。
圖9是一個消除畸變的功能。
圖10是一個表示用在本發(fā)明中的平面電感和振動膜的安排的一個例子的圖。
圖11是一個表示用在本發(fā)明中的平面電感和振動膜的安排的另一個例子的圖。
圖12是一個表示一塊用在本發(fā)明中的為了固定平面電感的絕緣平板的圖。
圖13是一個表示第一和第二個輸出的圖。
圖14是一個表示根據(jù)本發(fā)明的總的特性曲線的一個例子的圖。
圖15是一個表示根據(jù)本發(fā)明的總的特性曲線的另一個例子的圖。
現(xiàn)在參照一個如圖1所示的方框圖，對根據(jù)本發(fā)明的話筒的一個基本結(jié)構(gòu)進行描述。
如圖1所示，本發(fā)明的話筒1裝備有一個振動膜2，振動膜2在聲波3的作用下發(fā)生振動并反射一個頻率低于1012Hz但是優(yōu)先地頻率在108到1010Hz的范圍內(nèi)的電磁波。
將一個由一個在0℃電阻率低于20×10-6｛Ωcm｝的導(dǎo)電材料或一個附著在一個絕緣膜上的在0℃電阻率低于20×10-6｛Ωcm｝的導(dǎo)電材料組成的振動膜用作振動膜2。
更特別的是，我們優(yōu)先使用一個如Al或金的導(dǎo)電膜或一個其上附著所述的導(dǎo)電膜的振動膜。
進一步，在話筒1的接收和發(fā)射電磁波的裝置4上裝有一個天線6。從天線6向振動膜2輻射電磁波，和用天線6接收被振動膜2反射的電磁波。將被天線6接收的電磁波從接收和發(fā)射電磁波的裝置4輸出到處理邏輯電路5。通過用處理邏輯電路5測量電磁波的頻率和振幅，將振動膜的位移變換成諸電信號。然后，使移動振動膜2放在接收和發(fā)射電磁波的裝置4的天線6附近大約0．1到0．5mm處。
在有所述的結(jié)構(gòu)的話筒1中，所述的振動膜因空氣振動，如一個聲波3而振動。當(dāng)由所述的接收和發(fā)射電磁波的裝置4產(chǎn)生的電磁波向所述的振動膜輻射并接收到一個來自振動膜2的反射波時，由所述的接收和發(fā)射電磁波的裝置4產(chǎn)生的電磁波的頻率和振幅與振動膜2的位移相對應(yīng)地發(fā)生變化。
即，如果振動膜2受到位移，則在振動膜2和天線6之間的距離x發(fā)生變化。對距離x的變化作出響應(yīng)，由接收和發(fā)射電磁波的裝置4產(chǎn)生的諸信號的頻率和振幅也發(fā)生變化。這種情形如圖3和4所示。圖3表示x-f特性曲線，它代表在振動膜2和天線6之間的距離x與接收和發(fā)射電磁波的裝置4產(chǎn)生的諸信號的頻率f的關(guān)系。這里，x是在振動膜2和天線6之間的距離。f是接收和發(fā)射電磁波的裝置4產(chǎn)生的諸信號的頻率。如圖3所示，當(dāng)距離x較短時這個頻率較高，而當(dāng)距離x較長時這個頻率較低。如圖4所示，當(dāng)距離x較短時所述的電壓振幅較小，而當(dāng)距離x較長時所述的電壓振幅較大。當(dāng)振動膜2因聲波而振動時，振動膜2和天線6之間的距離x發(fā)生變化，并且距離x的變化與接收和發(fā)射電磁波的裝置4產(chǎn)生的諸信號的頻率和電壓振幅的變化相對應(yīng)。所以，從圖3和4顯見能將振動膜2的振動作為由接收和發(fā)射電磁波的裝置4產(chǎn)生的諸信號的頻率或電壓振幅的變化檢測出來。
現(xiàn)在，如圖1所示，我們以它的順序描述在結(jié)構(gòu)的方框圖中的每一個構(gòu)成要素。
首先，我們較詳細(xì)地說明所述的接收和發(fā)射電磁波的裝置4。如圖2所示，接收和發(fā)射電磁波的裝置4裝備有一個CMOS(互補型金屬氧化物半導(dǎo)體)放大器9，所述的放大器9由一個P信道MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)7和一個N信道MOSFET 8組成，所述的電感10連接在所述的CMOS放大器的輸入端和輸出端之間。所述的平面電感10形成一個正反饋環(huán)路，從而整個地形成一個振蕩器11。平面電感10起著一個發(fā)射和接收電磁波的天線的作用。我們將在后面對平面電感進行描述。
當(dāng)所述的振蕩器11處在一個穩(wěn)定的狀態(tài)中和振蕩頻率較高時，從所述的平面電感10向所述的平面電感10附近的空間注入電磁能，并向所述的振動膜輻射電磁波(圖1)。當(dāng)振動膜反射電磁波和平面電感10接收到反射的電磁波時，振動膜和平面電感10電磁地連接起來。即，如果在振動膜2和平面電感10之間的距離x發(fā)生變化，則平面電感的電感和電容等效地發(fā)生變化。另一方面，因為電感10形成一個正反饋環(huán)路，從而整個地構(gòu)成一個振蕩器11，所以振蕩器11的振蕩頻率和電壓振幅受到平面電感10的電感和電容的影響。因此，用處理邏輯電路5測量振蕩器11的振蕩頻率和電壓振幅(圖1)，從而可以在將振動膜2的位移變換成諸電信號的基礎(chǔ)上實現(xiàn)話筒裝置1。
現(xiàn)在，我們說明由振蕩器11將振動膜2的位移變換成諸電信號的工作。
通過在P信道MOSFET 7的漏極D和N信道MOSFET 8的源極S之間存在靜電電容C，將構(gòu)成振蕩器11的CMOS放大器9的門G靜電地連接起來。這個靜電電容C的作用是允許在CMOS放大器9的輸入端和輸出端之間產(chǎn)生相位差。下文中，我們將由于這個相位差引起的諸信號的延遲時間稱為門延遲時間TG。又，當(dāng)電能流入平面電感10時，也在兩端發(fā)生相位差。下文中，我們將由于這個相位差引起的諸信號的延遲時間稱為電感延遲時間TL。
于是，在CMOS放大器9的輸入端和輸出端之間產(chǎn)生諸信號的總的延遲時間(TG+TL)，如果我們建造了放大器9并且使放大器9保持幾乎恒定的工作狀態(tài)，則從總的延遲時間中，用它的電路結(jié)構(gòu)確定所述的延遲時間TG。另一方面，因為平面電感10和振動膜2電磁地連接起來，所以與在平面電感10和振動膜2之間的距離x的變化相對應(yīng)，延遲時間TL發(fā)生變化。
如果這個延遲時間TL發(fā)生變化，則振蕩器的諸輸出信號的頻率和振幅也發(fā)生變化。這些變化與振動膜2的振動狀態(tài)相對應(yīng)。為了通過使這些變化較大來增加檢測的靈敏度，只要增加特定的電導(dǎo)率就足夠了。為了增加特定的電導(dǎo)率，我們優(yōu)先地用特定的導(dǎo)電材料如Al或金做振動膜2。
下面，為了構(gòu)成諸聲波信號，我們測量所述的振蕩器11的諸輸出信號的頻率和振幅。優(yōu)先地，用一個脈沖計數(shù)器測量頻率。現(xiàn)在，參照圖5給出解說。
當(dāng)實際上從所述的振蕩器11的平面電感10向所述的振動膜輻射電磁波時，如果所述的振蕩器11接收到電磁波，則它的輸出變成一個從數(shù)拾MHz到數(shù)拾GHz的脈沖波，并且它的波形是一個脈沖的形狀。所述的處理邏輯電路5裝備有一個時鐘信號發(fā)生器12，它以一個石英振蕩器的振蕩頻率作為標(biāo)準(zhǔn)頻率，石英振蕩器產(chǎn)生一個短周期T1時鐘和一個長周期T2時鐘。這里，T1＜＜T2。
所述的振蕩器11的一個輸出端裝備有一個短周期脈沖計數(shù)器13和一個長周期脈沖計數(shù)器14，所述的短周期脈沖計數(shù)器13對在短周期T1中的脈沖數(shù)N1進行計數(shù)，所述的長周期脈沖計數(shù)器14對在長周期T2中的脈沖數(shù)N2進行計數(shù)。所述的短周期脈沖計數(shù)器13和長周期脈沖計數(shù)器14的一個輸出端裝備有一個脈沖數(shù)的差的變換器15，它進行脈沖數(shù)的差N=(N1×T2／T1)-N2的運算。
現(xiàn)在，我們較詳細(xì)地對所述的脈沖數(shù)的差進行說明。圖6表示聲波的波形被變換成振蕩器11的振蕩頻率的變化。在圖6中，水平軸T表示時間，垂直軸f表示振蕩頻率，f0表示在沒有聲波的情形中振蕩器11的振蕩頻率。振蕩器11的振蕩頻率在接收聲波時隨時間而變化，在沒有聲波的情形中主要在頻率f0附近增加或減少。測量這個振蕩頻率的方法是在一個短周期T1和長周期T2的一個抽樣周期中選通來自振蕩器11的諸輸出信號，計算在短周期T1中的脈沖數(shù)N1和在長周期T2中的脈沖數(shù)N2。這里，我們設(shè)置在T1＜＜T2的條件下T2=1sec。N1／T1，脈沖數(shù)N1被短周期T1除，等于在短周期T1的平均頻率。N2／T2，脈沖數(shù)N2被長周期T2除，等于在比頻率長得多的長周期T2的平均頻率，因為聲波每秒振動數(shù)拾次或更多，所以在沒有聲波的情形中N2／T2等于振蕩頻率f0。如從上面提到的內(nèi)容顯然可見的那樣，N1／T1主要在N2／T2附近增加或減少。所以，由聲波引起的振動膜的位移與N1／T1-N2／T2成正比關(guān)系。這里，將脈沖數(shù)的差定義為N1×T2／T1-N2。如果選通來自振蕩器11的諸輸出信號并用短周期脈沖計數(shù)器13和長周期脈沖計數(shù)器14對脈沖數(shù)N1和脈沖數(shù)N2進行計數(shù)，則(N1×T2／T1)每次抽樣時都在脈沖數(shù)N2附近隨時間變化。所以，如果找到脈沖數(shù)的差=(N1×T2／T1)-N2，則脈沖數(shù)的差表示聲波的波形。
進一步，所述的脈沖數(shù)的差的變換器15是一個對(N1×T2／T1)-N2進行運算的電路。例如，給定T1=10-6秒和T1=1秒，它表示(N1×106)-N2，這是由一個減法電路構(gòu)成的。
在所述的脈沖數(shù)的差的變換器15的一個輸出端，裝備有一個功能調(diào)整器16。在所述的功能調(diào)整器16的一個輸出端，裝備有一個并-串聯(lián)變換器17，D／A(數(shù)字／模擬)變換器18，一個集成電路19和一個平聯(lián)的脈沖輸出終端20，所述的并-串聯(lián)變換器17將諸并聯(lián)的脈沖列變換成諸模擬信號，而所述的集成電路對所述的D／A變換器18的輸出進行積分。
由所述的時鐘信號發(fā)生器12產(chǎn)生的短周期T1的一個時鐘脈沖與抽樣一個波形的抽樣頻率f1相對應(yīng)，并有T1=1／f1。長周期T2的一個時鐘脈沖是一個與短周期T1的時鐘脈沖比較足夠長的時間，通常將它設(shè)置在大約0．1或數(shù)秒。
偶爾，在脈沖數(shù)的差N中包括由于x-f的非線性的特性曲線引起的畸變。這里，x-f的特性曲線的一個代表性的例子如圖8所示。x是在振動膜2和天線6之間的距離。f是振蕩器11輸出的諸信號的頻率，它與N相對應(yīng)。這個x-f的特性曲線是從實際的測量數(shù)據(jù)得到的。如圖8所示，如果振動膜被位移，則根據(jù)x-f的特性曲線頻率f主要在工作點附近變化。因為x-f的特性曲線是非線性的，所以在將振動膜被的位移變換成頻率變化的過程中發(fā)生畸變。為了調(diào)整畸變，將x-f的特性曲線表示為一個被變換成一個線性函數(shù)的一個函數(shù)的形狀。
將x-f的特性曲線的一個函數(shù)形狀設(shè)置為f=F(x)，并將線性函數(shù)設(shè)置為f=G(x)=ax+b。這里，a和b都是常數(shù)。為了將x-f的特性曲線變換成線性函數(shù)，如果我們能找到一個滿足H(F(x)=G(x)的函數(shù)H(x)就足夠了。通過用一個由DSP(數(shù)據(jù)信號處理器)或一個邏輯電路組成的功能調(diào)整器16進行的操作能制定出這個函數(shù)H(x)。
在圖9中，以一條虛線表示的f=F(x)代表以一個函數(shù)形式表示的實際測量到的x-f的特性曲線。以一條實線表示的f=G(x)代表一條直線，而G(x)是用H(x)變換F(x)得到的函數(shù)。在圖5中，從邏輯電路5的脈沖數(shù)的差的變換器15輸出的脈沖數(shù)的差包括函數(shù)f=F(x)的畸變。為了調(diào)整畸變，能由功能調(diào)整器16用H(x)變換脈沖數(shù)的差。
因為所述的功能調(diào)整器16的輸出變成與振動膜的位移對應(yīng)的并聯(lián)的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)，所以為了輸出與串聯(lián)的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)相同的數(shù)據(jù)，我們用并-串聯(lián)變換器17的輸出。又，當(dāng)用模擬輸出時，用D／A變換器18和積分器19得到模擬信號。
如上面提到的，能用一個由一個常規(guī)的邏輯電路組成的計數(shù)器計算電磁波的頻率。所以，能使測量電路整個地變成一個集成電路，因此能夠提供一個結(jié)構(gòu)簡單，重量輕，價格低，能在長時間中穩(wěn)定工作的話筒。進一步，頻率的計算使得到數(shù)字形式的諸測量值成為可能，因此能提供一個有優(yōu)良的靈敏度或分辨率并適合于整體數(shù)字化的最佳話筒。
下面，對既用作天線又用作所述的接收和發(fā)射電磁波的裝置4的環(huán)路的平面電感的結(jié)構(gòu)進行說明(圖1)。平面電感有兩類結(jié)構(gòu)單一的平面電感和推挽式平面電感。
如圖10所示，單一型平面電感10是通過將一個圓的螺旋線圈10b網(wǎng)印在一塊絕緣平板10a的任意一個表面上形成的。
于是，將所述的單一型平面電感10安排得接近振動膜2的任意一邊。
當(dāng)將這個單一型平面電感10用作一個天線時，振動膜2的位移x和所述的振蕩器11的諸輸出信號的頻率f的關(guān)系包括諸非線性成分，如圖8所示。為了消除這種非線性關(guān)系，如下面指出的，優(yōu)先采用推挽式平面電感。
如圖11所示，在推挽式平面電感中，將一個第一個平面電感10A和一個第二個平面電感10B安排在接近振動膜2的兩個表面的地方，所述的第一個電感10A與一對環(huán)形的絕緣平板10a，10a＇的任意一個表面的一條周線在一起形成諸螺旋線圈10b和10b＇。
又，如圖12所示，諸環(huán)形的絕緣平板10a和10a＇分別有作為一條波路徑的諸孔10c和10c＇。
將所述的振動膜2支持并固定在一個環(huán)形的固定框架24的一個中心部分。所述的第一和第二個平面電感10A和10B分別固定在環(huán)形的固定框架24的一個上或下表面上。即，將振動膜，第一個平面電感和第二個平面電感安排在等距離的地方。
在圖11中，當(dāng)一個聲波從任何一個絕緣平板10a的孔10c進入使振動膜振動和振動膜受到振動時，聲波從另一塊絕緣平板10a＇的孔10c＇逸出。在這種類型的平面電感中，當(dāng)振動膜振動時，在振動膜2和各個平面電感之間的距離發(fā)生變化，所以能夠從諸平面電感中的任何一個得到振動膜位移的諸信號。如果通過操作使這樣得到的諸信號合成起來，則能夠?qū)崿F(xiàn)一個沒有諸畸變信號的話筒。下面，我們說明一個合成兩個信號的方法。
首先，我們說明輸出所述的兩個信號的方法。
作為電路的一種結(jié)構(gòu)，由一個與所述的第一個平面電感連接的放大器形成一個第一個振蕩器，和由一個與所述的第二個平面電感連接的放大器形成一個第二個振蕩器。
類似地如圖5所示，從第一個振蕩器輸出的脈沖數(shù)和從第二個振蕩器輸出的脈沖數(shù)是由第一和第二個處理邏輯電路的諸脈沖計數(shù)器進行計數(shù)的，第一和第二個處理邏輯電路是分別與第一和第二個振蕩器相對應(yīng)地形成的。又，第一和第二個輸出是從分別與第一和第二個處理邏輯電路的諸脈沖計數(shù)器相對應(yīng)地形成的脈沖數(shù)的差的變換器輸出的。如果兩個平面電感的x-f特性曲線是一樣的，則因為將振動膜，第一個平面電感和第二個平面電感安排在等距離的地方，所以第一和第二個輸出如圖13所示。如從圖13了解到的那樣，當(dāng)振動膜位在比沒有聲音的情形中的位置更接近第一個平面電感的位置上時，和如果第一個輸出的諸脈沖的差是Np1和第二個輸出的諸脈沖的差是Np2，則有Np1＞Np2。當(dāng)振動膜位在比沒有聲音的情形中的位置更接近第二個平面電感的位置上時，則有Np1＜Np2。這里，因為大的脈沖數(shù)的差導(dǎo)致較高的靈敏度，所以切換第一個輸出和第二個輸出使它成為總輸出。即，如圖14所示，當(dāng)振動膜位在比沒有聲音的情形中的位置更接近第一個平面電感的位置上時，我們用是第一個輸出的脈沖數(shù)的差Np1，而當(dāng)振動膜位在比沒有聲音的情形中的位置更接近第二個平面電感的位置時，我們用是第二個輸出的脈沖數(shù)的差Np2。即，圖14中的一個實線部分變成一個總輸出。以這種方式，與單一電感的情形比較我們能夠得到一個線性輸出。代替切換，我們能將與第一和第二個輸出的諸輸出相對應(yīng)的脈沖數(shù)的差的變換器的輸出簡單地相加和平均，形成總輸出。
如果將與第一和第二個輸出簡單地相加和平均，則總輸出的特性曲線如圖15所示。又在這種情形中，整個特性曲線變成幾乎是線性的。
除了平面電感的圓螺旋結(jié)構(gòu)外，如果采用一個多角螺旋結(jié)構(gòu)也能得到相同的效果。
如上面提到的那樣，我們描述了本發(fā)明的話筒的結(jié)構(gòu)和諸組成要素。本發(fā)明的話筒提供了一個能用于較廣闊的領(lǐng)域，如移動電話，卡拉OK和助聽器中的話筒。
因為我們用頻率低于1012Hz的電磁波代替一條激光束，所以根據(jù)本發(fā)明的話筒能用由一個常規(guī)的邏輯電路組成的計數(shù)器計算脈沖數(shù)。能將測得的電磁波頻率的變化用作諸輸出信號。所以，能將測量裝置整個地做成一個集成電路，從而我們能提供一個重量輕和能長時期穩(wěn)定工作的話筒。
權(quán)利要求
1．一個電磁話筒，它包括(1)一個在一個表面上接收聲波和在另一個表面上接收電磁波的振動膜；(2)一個用于輸出被振動膜反射的電磁波的發(fā)射-接收裝置；(3)一個用于計算從計數(shù)器輸出的脈沖數(shù)的計數(shù)器；(4)一個用于接收從計數(shù)器輸出的脈沖數(shù)的處理邏輯電路，其中電磁波的頻率低于1012Hz。
2．一個根據(jù)權(quán)利要求1的話筒，其中振動膜是由一個在0℃電阻率低于20×10-6｛Ωcm｝的導(dǎo)電材料組成的。
3．一個根據(jù)權(quán)利要求1的話筒，其中振動膜是由一個附著在一個絕緣膜上的在0℃電阻率低于20×10-6｛Ωcm｝的導(dǎo)電材料組成的。
4．一個根據(jù)權(quán)利要求1的話筒，其中振動膜是由一個Al膜或金膜形成的。
5．一個根據(jù)權(quán)利要求1的話筒，所述的接收和發(fā)射電磁波的裝置由一個形成一個起著一個天線作用的反饋環(huán)路的平面電感以及接收所述的電磁波并將所述的電磁波輻射到所述的振動膜上的振蕩器和一個其中所述的平面電感連接到反饋環(huán)路的振蕩器組成。
6．一個根據(jù)權(quán)利要求5的話筒，其中將平面電感安排得接近振動膜的諸表面中的任何一個表面。
7．一個電磁話筒，它包括(1)一個在一個表面上接收聲波和在兩個表面上都接收電磁波的振動膜；(2)一個用于輸出被振動膜反射的電磁波的發(fā)射-接收裝置；(3)一個用于計算從發(fā)射-接收裝置輸出的脈沖數(shù)的計算器；(4)一個用于接收從計數(shù)器輸出的脈沖數(shù)的處理邏輯電路，其中電磁波的頻率低于1012Hz。
8．一個根據(jù)權(quán)利要求7的話筒，其中所述的振動膜是由一個在0℃電阻率低于20×10-6｛Ωcm｝的導(dǎo)電材料組成的。
9．一個根據(jù)權(quán)利要求7的話筒，其中所述的振動膜是由一個附著在一個絕緣膜上的在0℃電阻率低于20×10-6｛Ωcm｝的導(dǎo)電材料組成的。
10．一個根據(jù)權(quán)利要求7的話筒，其中所述的振動膜是由一個Al膜或金膜形成的。
11．一個根據(jù)權(quán)利要求7的話筒，其中接收和發(fā)射電磁波的裝置包括形成一個起著一個天線作用的反饋環(huán)路的一個第一個平面電感和一個第二個平面電感以及接收所述的電磁波輻射并將所述的電磁波輻射到所述的振動膜的振蕩器；和一個第一個振蕩器和一個第二個振蕩器，其中第一個平面電感和第二個平面電感分別與一個反饋環(huán)路連接。
12．一個根據(jù)權(quán)利要求11的話筒，其中分別將第一個平面電感安排得接近所述的振動膜的兩個表面中的任何一個表面和將所述的第二個平面電感安排得接近所述的振動膜的另一個表面。
全文摘要
本發(fā)明提供一個有一個簡單的為了檢測一個振動膜的位移不需要一條導(dǎo)線的結(jié)構(gòu)的話筒。該話筒裝備有一個在任何一個表面上接收聲波和在另一個表面上接收電磁波的振動膜2,一個接收和發(fā)射被振動膜反射的電磁波的裝置4,一個計算從接收和發(fā)射電磁波的裝置輸出的脈沖數(shù)的計數(shù)器,和一個計算從計數(shù)器輸出的脈沖數(shù)的處理邏輯電路5。通過用處理邏輯電路計算被振動膜反射的電磁波的頻率和振幅將振動膜的位移變換成電信號。
文檔編號H04R19/00GK1291067SQ0011991
公開日2001年4月11日 申請日期2000年6月30日 優(yōu)先權(quán)日1999年7月1日
發(fā)明者赤松則男, 多田薰 申請人:青井電子株式會社, 赤松則男