以使用將板狀的導(dǎo)體材料如鋁板卷繞成線圈狀而得的部件。另外，構(gòu)成漏磁通抑制單元8的導(dǎo)線通過(guò)包覆等而被實(shí)施絕緣處理，以使得即便相互鄰接的導(dǎo)線接觸也不會(huì)導(dǎo)通。在不對(duì)導(dǎo)線進(jìn)行絕緣處理的情況下，在導(dǎo)線彼此之間設(shè)置足夠的距離以免相互接觸。
[0029]圖2是示出實(shí)施方式I所涉及的感應(yīng)加熱烹調(diào)器的鍋體、加熱線圈以及漏磁通抑制單元的位置關(guān)系的概要側(cè)剖視圖。如圖2所示，漏磁通抑制單元8設(shè)置于加熱線圈2周圍的與鍋體I對(duì)置的位置，且如圖中的虛線所示，以構(gòu)成漏磁通抑制單元8的導(dǎo)線的至少一部分與加熱線圈2的至少一部分在對(duì)置方向上重疊的方式配置。進(jìn)而，在本實(shí)施方式I中，漏磁通抑制單元8的導(dǎo)線的下端位于相比加熱線圈2的上端靠下側(cè)且相比加熱線圈2的下端靠上側(cè)的位置，在側(cè)視圖中，加熱線圈2與構(gòu)成漏磁通抑制單元8的導(dǎo)線在高度方向上重置。
[0030]此外，如圖2所示，在加熱線圈2的下側(cè)附近設(shè)置有鐵氧體磁芯9。
[0031]以上，對(duì)本實(shí)施方式I所涉及的感應(yīng)加熱烹調(diào)器100的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了說(shuō)明。其次，對(duì)本實(shí)施方式I所涉及的感應(yīng)加熱烹調(diào)器100的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。
[0032]若使用者對(duì)顯示操作部4進(jìn)行燒飯指示等加熱開(kāi)始的指示輸入，則控制部5開(kāi)始驅(qū)動(dòng)部3的控制。驅(qū)動(dòng)部3由變頻回路構(gòu)成，對(duì)加熱線圈2供給高頻電流。若在加熱線圈2流動(dòng)有高頻電流，則從加熱線圈2產(chǎn)生交變磁場(chǎng)，由此對(duì)作為被加熱物的鍋體I賦予磁通。如果被賦予磁通，則在鍋體I產(chǎn)生渦流，借助該渦流和鍋體I的電阻而產(chǎn)生焦耳熱，鍋體I被加熱。
[0033]若像這樣對(duì)加熱線圈2供給高頻電流，則從加熱線圈2產(chǎn)生磁通，對(duì)鍋體I進(jìn)行加熱。但是，并不是從加熱線圈2產(chǎn)生的全部的磁通都被利用于鍋體I的感應(yīng)加熱，從加熱線圈2產(chǎn)生的磁通的一部分成為對(duì)鍋體I的加熱未作出貢獻(xiàn)的所謂的漏磁通，并被朝周圍放射。該漏磁通與形成為線圈狀的漏磁通抑制單元8交鏈。換言之，漏磁通抑制單元8以與從加熱線圈2產(chǎn)生的磁通交鏈的方式配置。如果漏磁通與漏磁通抑制單元8交鏈，則在構(gòu)成漏磁通抑制單元8的導(dǎo)線沿消除漏磁通的方向產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)，流動(dòng)有感應(yīng)電流。由于借助以這種方式在漏磁通抑制單元8產(chǎn)生的感應(yīng)電流消除從加熱線圈2產(chǎn)生的漏磁通的一部分，因此朝感應(yīng)加熱烹調(diào)器100的框體外泄漏的磁通減少。
[0034]從漏磁通抑制單元8產(chǎn)生的磁場(chǎng)越強(qiáng)，則漏磁通抑制單元8的漏磁通消除效果越高。在漏磁通抑制單元8產(chǎn)生的磁場(chǎng)與在構(gòu)成漏磁通抑制單元8的導(dǎo)線流動(dòng)的電流以及導(dǎo)線的匝數(shù)成比例。因而，在導(dǎo)線流動(dòng)的電流越大、或者導(dǎo)線的匝數(shù)越多，則漏磁通的抑制效果越高。圖3是基于實(shí)驗(yàn)結(jié)果示出導(dǎo)線的安培匝數(shù)(在導(dǎo)線流動(dòng)的電流與匝數(shù)之積)與從感應(yīng)加熱烹調(diào)器產(chǎn)生的漏磁通之間的關(guān)系的圖。參照?qǐng)D3可知，安培匝數(shù)越大則漏磁通的抑制效果越尚。
[0035]此處，在漏磁通抑制單元8產(chǎn)生的電力損失P能夠根據(jù)在導(dǎo)線流動(dòng)的電流I和導(dǎo)線的電阻R通過(guò)P = I2 *R求出。由于像這樣電力損失與電流的平方成比例，因此，為了降低漏磁通抑制單元8的電力損失，減少電流的做法是有效的。并且，通過(guò)使導(dǎo)線的匝數(shù)增加與使電流減少的量相應(yīng)的量來(lái)維持安培匝數(shù)，保持漏磁通的抑制效果。
[0036]另外，以往，作為漏磁通抑制單元，存在將板狀的鋁等非磁性金屬形成為環(huán)狀并配置于加熱線圈的周圍的漏磁通抑制單元，但其匝數(shù)相當(dāng)于是I匝。因而，為了獲得漏磁通抑制效果，必須使在鋁板流動(dòng)有大電流，從而導(dǎo)致大的損失。
[0037]在本實(shí)施方式I中，將卷繞多匝導(dǎo)線而得的部件作為漏磁通抑制單元8配置于加熱線圈2的周圍，因此，即便使在導(dǎo)線流動(dòng)的電流降低，通過(guò)確保導(dǎo)線的匝數(shù)，能夠在不使漏磁通抑制效果降低的情況下降低在漏磁通抑制單元8產(chǎn)生的電力損失。因而，能夠削減感應(yīng)加熱烹調(diào)器100的消耗電力，能夠提高加熱效率。
[0038]另外，在導(dǎo)線流動(dòng)的電流依存于導(dǎo)線的電阻值，如果導(dǎo)線的電阻值大則在導(dǎo)線流動(dòng)的感應(yīng)電流減少，如果電阻值小則在導(dǎo)線流動(dòng)的感應(yīng)電流增加。導(dǎo)線的電阻值與導(dǎo)線的長(zhǎng)度成比例，與導(dǎo)線的截面積成反比例。因而，如果增加導(dǎo)線的匝數(shù)則電阻值增加，成為在導(dǎo)線流動(dòng)的感應(yīng)電流減少的趨勢(shì)。因此，為了適當(dāng)設(shè)定漏磁通抑制單元8的安培匝數(shù)，將導(dǎo)線的匝數(shù)以及截面積(線徑)設(shè)定為適當(dāng)?shù)闹?，由此?lái)調(diào)整在導(dǎo)線流動(dòng)的感應(yīng)電流。
[0039]如圖2所示，構(gòu)成漏磁通抑制單元8的導(dǎo)線設(shè)置于加熱線圈2的外周部，且構(gòu)成漏磁通抑制單元8的導(dǎo)線的至少一部分與加熱線圈2的至少一部分以在導(dǎo)線與加熱線圈2的對(duì)置方向上重疊的方式配置。通過(guò)像這樣加熱線圈2與構(gòu)成漏磁通抑制單元8的導(dǎo)線的至少一部分在兩者的對(duì)置方向上重疊，能夠縮短加熱線圈2與構(gòu)成漏磁通抑制單元8的導(dǎo)線之間的距離，在加熱線圈2產(chǎn)生的漏磁通高效地與漏磁通抑制單元8交鏈。由此，能夠提高漏磁通抑制效果。
[0040]圖4是對(duì)實(shí)施方式I所涉及的感應(yīng)加熱烹調(diào)器的漏磁通抑制單元的變形例進(jìn)行說(shuō)明的圖，是示出鍋體1、加熱線圈2以及漏磁通抑制單元8的位置關(guān)系的概要側(cè)剖視圖。在圖4所示的例子中，漏磁通抑制單元8的導(dǎo)線的匝數(shù)比圖2所示的漏磁通抑制單元8的導(dǎo)線的匝數(shù)多。如圖4所示，在增多漏磁通抑制單元8的導(dǎo)線的匝數(shù)的情況下，為了抑制漏磁通抑制單元8整體的高度方向的尺寸，可以將導(dǎo)線在徑向上重疊卷繞。通過(guò)像這樣將導(dǎo)線卷繞多層，能夠在減小漏磁通抑制單元8的高度方向的尺寸的同時(shí)能夠獲得匝數(shù)，能夠在感應(yīng)加熱烹調(diào)器100的框體內(nèi)的有限空間中配置設(shè)定為所需要的安培匝數(shù)的漏磁通抑制單元8。另外，在圖4中例示了將導(dǎo)線卷繞2層，但例如也可以將導(dǎo)線卷繞3層以上。
[0041]圖5是對(duì)實(shí)施方式I所涉及的感應(yīng)加熱烹調(diào)器的漏磁通抑制單元的變形例進(jìn)行說(shuō)明的圖，是示出鍋體、加熱線圈以及漏磁通抑制單元的位置關(guān)系的概要側(cè)剖視圖。在圖5所示的例子中，將構(gòu)成漏磁通抑制單元8的導(dǎo)線沿著加熱線圈2的外表面(加熱線圈2的與漏磁通抑制單元8對(duì)置的面)的形狀配置。加熱線圈2在將鍋體I的側(cè)面和底面相連的圓角狀的外壁的外側(cè)沿著該鍋體I的圓角狀的外壁配置，因此，通過(guò)將構(gòu)成漏磁通抑制單元8的導(dǎo)線沿著加熱線圈2的外表面形狀配置，構(gòu)成漏磁通抑制單元8的導(dǎo)線沿著鍋體I的底部附近的圓角狀的外壁配置。
[0042]通過(guò)像這樣將構(gòu)成漏磁通抑制單元8的導(dǎo)線沿著與該漏磁通抑制單元8對(duì)置的加熱線圈2的外形(外表面的形狀)配置，能夠使導(dǎo)線與加熱線圈2之間的距離保持均等而不會(huì)局部地離開(kāi)。因此，能夠防止因漏磁通抑制單元8的導(dǎo)線與加熱線圈2的距離局部地離開(kāi)而導(dǎo)致的漏磁通抑制效果的降低。另外，即便在如圖4所例示的那樣增加漏磁通抑制單元8的導(dǎo)線的匝數(shù)的情況下，也能夠效仿圖5的例子沿著加熱線圈2的外表面形狀將導(dǎo)線卷繞多層。
[0043]如上，在本實(shí)施方式I中，將導(dǎo)線在加熱線圈2的外周側(cè)卷繞多匝，并使該導(dǎo)線的兩端電短路而構(gòu)成漏磁通抑制單元8。因此，即便使在導(dǎo)線流動(dòng)的感應(yīng)電流降低，也能夠通過(guò)將導(dǎo)線卷繞多匝而維持安培匝數(shù)，因此，漏磁通抑制效果不會(huì)下降，能夠降低在漏磁通抑制單元8產(chǎn)生的電力損失。像這樣，能夠降低在漏磁通抑制單元8產(chǎn)生的電力損失，因此，能夠削減感應(yīng)加熱烹調(diào)器100的消耗電力，能夠提高加熱效率。此外，由于能夠降低在漏磁通抑制單元8產(chǎn)生的電力損失，因此感應(yīng)加熱烹調(diào)器100的框體內(nèi)部的溫度上升也被抑制，能夠抑制用于對(duì)框體內(nèi)進(jìn)行冷卻的冷卻單元的能力增大。因此，能夠降低冷卻單元的動(dòng)作所需要的消耗電力和伴隨著冷卻單元的動(dòng)作的噪音。
[0044]此外，在本實(shí)施方式I中，漏磁通抑制單元8的導(dǎo)線的至少一部分以在與加熱線圈2的對(duì)置方向上與加熱線圈2的至少一部分重疊的方式配置，因此，從加熱線圈2產(chǎn)生的漏磁通高效地與漏磁通抑制單元8交鏈，能夠提高抑制磁通朝感應(yīng)加熱烹調(diào)器100的框體外泄漏的漏磁通抑制效果。