功率放大器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種放大器，特別是涉及一種功率放大器。
【背景技術(shù)】
[0002]物聯(lián)網(wǎng)目前正在高速膨脹發(fā)展，具有非常大的應(yīng)用市場(chǎng)和豐富的應(yīng)用場(chǎng)景，比如智能家電，智能燈控，火災(zāi)檢測(cè)等。特別是有些不太容易布線，對(duì)人體有危害的地方，或者需要檢測(cè)的目標(biāo)物有厚墻阻隔等場(chǎng)景。這些地方并不需要太高的數(shù)據(jù)速率，往往只是些簡(jiǎn)單的控制信號(hào)的傳輸和其他的比如溫度濕度等數(shù)據(jù)的傳輸。但是對(duì)檢測(cè)模塊的信號(hào)傳輸距離，穿透性和功耗等有比較高的要求。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種功率放大器，其電路具有復(fù)雜度相對(duì)較低等特點(diǎn)，正好可以滿足傳輸距離遠(yuǎn)、低功耗以及穿透性高的要求。
[0004]本實(shí)用新型是通過下述技術(shù)方案來解決上述技術(shù)問題的:一種功率放大器，其特征在于，其包括第一 MOS器件、第二 MOS器件、第三MOS器件、第四MOS器件、第一電感、第二電感、第一電容、第二電容、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第三電容、第四電容、第五電容、第六電容、變壓器、天線，第一電阻、第一電容都與第一 MOS器件的柵極連接，第二電阻、第二電容都與第二 MOS器件的柵極連接，第三MOS器件的柵極與第三電阻連接，第四MOS器件的柵極與第四電阻連接，第三MOS器件的漏極、第四MOS器件的漏極與第一電感、第二電感、第三電容、第四電容、第五電容、第六電容相連；第一 MOS器件、第二 MOS器件都接地，第一電阻與第二電阻串聯(lián)，第三電阻與第四電阻串聯(lián)，第五電容、第六電容與變壓器的差分端連接，天線與變壓器的輸出端連接。
[0005]優(yōu)選地，所述第一 MOS器件、第二 MOS器件、第三MOS器件、第四MOS器件都為絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。
[0006]優(yōu)選地，所述第一電容、第二電容都是隔直電容。
[0007]本實(shí)用新型的積極進(jìn)步效果在于:本實(shí)用新型的電路具有復(fù)雜度相對(duì)較低等特點(diǎn)，正好可以滿足傳輸距離遠(yuǎn)、低功耗以及穿透性高的要求。
【附圖說明】
[0008]圖1為本實(shí)用新型功率放大器的工作原理圖。
[0009]圖2為本實(shí)用新型功率放大器的原理框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0010]下面結(jié)合附圖給出本實(shí)用新型較佳實(shí)施例，以詳細(xì)說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案。
[0011]如圖1所示，第一下變頻混頻器102、第二下變頻混頻器103都與功率放大器101連接，第一下變頻混頻器102、第二下變頻混頻器103還都與合成器104連接。
[0012]如圖2所示，本實(shí)用新型功率放大器包括第一 MOS器件201、第二 MOS器件202、第三MOS器件203、第四MOS器件204、第一電感205、第二電感206、第一電容207、第二電容208、第一電阻209、第二電阻210、第三電阻211、第四電阻212、第三電容213、第四電容214、第五電容215、第六電容216、變壓器217、天線218，第一電阻209、第一電容207都與第一 MOS器件201的柵極連接，第二電阻210、第二電容208都與第二 MOS器件202的柵極連接，第三MOS器件203的柵極與第三電阻211連接，第四MOS器件204的柵極與第四電阻212連接，第三MOS器件203的漏極、第四MOS器件204的漏極與第一電感205、第二電感206、第三電容213、第四電容214、第五電容215、第六電容216相連；第一 MOS器件201、第二 MOS器件202都接地，第一電阻209與第二電阻210串聯(lián)，第三電阻211與第四電阻212串聯(lián)，第五電容215、第六電容216與變壓器217的差分端連接，天線218與變壓器217的輸出端連接。第一電容207、第二電容208都是隔直電容。第一 MOS器件、第二MOS器件、第三MOS器件、第四MOS器件都為絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。
[0013]第一 MOS器件201的柵極、第二 MOS器件202的柵極分別通過第一電阻209、第二電阻210連接到第一偏置電壓VBO上；第三MOS器件203的柵極、第四MOS器件204的柵極分別通過第三電阻211、第四電阻212連接到第二偏置電壓VBl上。第一電感205、第二電感206、第三電容213、第四電容214通過合理取值后使其諧振點(diǎn)位于相應(yīng)的工作頻段。第一交流電壓信號(hào)RFINP、第二交流電壓信號(hào)RFINN通過第一電容207、第二電容208后加到第一 MOS器件201的柵極、第二 MOS器件202的柵極上并轉(zhuǎn)換成電流信號(hào)，交流電流信號(hào)通過第三MOS器件203的漏極、第四MOS器件204的漏極輸出到片外，通過第一電感205、第二電感206、第三電容213、第四電容214組成的諧振網(wǎng)絡(luò)后轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)，再通過變壓器輸出到天線，并輻射到空中。此電路設(shè)計(jì)所需器件少，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，設(shè)計(jì)復(fù)雜度相對(duì)較低，由于采用外部電感器件，具有較高的應(yīng)用靈活性，可獲得相對(duì)較高的漏端效率，節(jié)省芯片面積，同等輸出功率的情況下可節(jié)省功耗以滿足低功耗的要求。本實(shí)用新型面向的工作頻段為小于IGHZ的315MHz，868MHZ，900MHz等開放免授權(quán)頻段，此頻段射頻信號(hào)相對(duì)于大于IGHZ的面授權(quán)頻段具有更高的穿透性。
[0014]本實(shí)用新型功率放大器適用于射頻單片集成電路領(lǐng)域，具有高漏端效率，面積低，易于集成等特點(diǎn)。本實(shí)用新型功率放大器主要用于射頻集成芯片發(fā)射機(jī)最后一級(jí)功率放大，把射頻信號(hào)通過射頻天線以一定功率發(fā)射到空中，屬于射頻芯片關(guān)鍵模塊，對(duì)射頻信號(hào)的傳輸距離、穿透性等起非常關(guān)鍵的作用。
[0015]以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型的解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種功率放大器，其特征在于，其包括第一 MOS器件、第二 MOS器件、第三MOS器件、第四MOS器件、第一電感、第二電感、第一電容、第二電容、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第三電容、第四電容、第五電容、第六電容、變壓器、天線，第一電阻、第一電容都與第一 MOS器件的柵極連接，第二電阻、第二電容都與第二 MOS器件的柵極連接，第三MOS器件的柵極與第三電阻連接，第四MOS器件的柵極與第四電阻連接，第三MOS器件的漏極、第四MOS器件的漏極與第一電感、第二電感、第三電容、第四電容、第五電容、第六電容相連；第一MOS器件、第二MOS器件都接地，第一電阻與第二電阻串聯(lián)，第三電阻與第四電阻串聯(lián)，第五電容、第六電容與變壓器的差分端連接，天線與變壓器的輸出端連接。
2.如權(quán)利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述第一MOS器件、第二MOS器件、第三MOS器件、第四MOS器件都為絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。
3.如權(quán)利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述第一電容、第二電容都是隔直電容。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種功率放大器，其包括第一MOS器件等，第一電阻、第一電容都與第一MOS器件的柵極連接，第二電阻、第二電容都與第二MOS器件的柵極連接，第三MOS器件的柵極與第三電阻連接，第四MOS器件的柵極與第四電阻連接，第三MOS器件的漏極、第四MOS器件的漏極與第一電感、第二電感、第三電容、第四電容、第五電容、第六電容相連；第一MOS器件、第二MOS器件都接地，第一電阻與第二電阻串聯(lián)，第三電阻與第四電阻串聯(lián)，第五電容、第六電容與變壓器的差分端連接，天線與變壓器的輸出端連接。本實(shí)用新型的電路具有復(fù)雜度相對(duì)較低等特點(diǎn)，正好可以滿足傳輸距離遠(yuǎn)、低功耗以及穿透性高的要求。
【IPC分類】H03F3-20
【公開號(hào)】CN204465470
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520138404
【發(fā)明人】孫響, 姬曉鵬, 緱剛, 孫志軍, 王芳芳, 邢旭祥, 梁嘉偉, 趙洪金, 周少松, 但建華, 王明輝, 周利杰, 黃發(fā)前, 吳翔, 張韜
【申請(qǐng)人】上海蜂電網(wǎng)絡(luò)科技有限公司
【公開日】2015年7月8日
【申請(qǐng)日】2015年3月12日