上電復(fù)位電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種上電復(fù)位電路。
【背景技術(shù)】
[0002]對(duì)于數(shù)?；旌想娐?，在上電時(shí)，需要給到數(shù)字電路一個(gè)復(fù)位信號(hào)，重置上電帶來(lái)的不定狀態(tài)，使得整體電路能夠正常工作。
[0003]但在低電壓下，電路通常不能正常工作，不能正確保證輸出。比如，現(xiàn)有技術(shù)的復(fù)位電路在上電時(shí)，由于電源電壓較低，會(huì)導(dǎo)致其輸出的邏輯不確定，其輸出的復(fù)位信號(hào)不可
A+-.與巨O
[0004]因此，需要一種安全可靠的上電復(fù)位電路來(lái)提供可靠的復(fù)位信號(hào)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型提供了一種新型的上電復(fù)位電路，用于輸出復(fù)位信號(hào)，其能夠保證上電檢測(cè)的有效安全。
[0006]一種上電復(fù)位電路，用于輸出復(fù)位信號(hào)，其包括電源檢測(cè)電路，其中，所述電源檢測(cè)電路包括帶隙基準(zhǔn)電壓源、比較器、分壓模塊，所述分壓模塊輸出第一分壓電壓，其與所述帶隙基準(zhǔn)電壓源輸出的基準(zhǔn)電壓，通過(guò)所述比較器進(jìn)行比較，當(dāng)所述第一分壓電壓大于所述基準(zhǔn)電壓時(shí)，所述電源檢測(cè)電路輸出第一信號(hào)。
[0007]進(jìn)一步地，所述分壓模塊還輸出小于所述第一分壓電壓的第二分壓電壓，所述電源檢測(cè)電路還包括:第一 NMOS管，其源極接地，其漏極通過(guò)第一電阻連接到電源，其柵極接所述第二分壓電壓；第二 NMOS管，其源極接地，其柵極通過(guò)所述第一電阻連接到電源，其漏極連接到所述帶隙基準(zhǔn)電壓源的輸出支路上的MOS管的柵極。
[0008]進(jìn)一步地，所述上電復(fù)位電路還包括依次連接的濾波電路和計(jì)數(shù)延遲電路，分別用于對(duì)所述第一信號(hào)進(jìn)行濾波和延遲，最終輸出所述復(fù)位信號(hào)。
[0009]進(jìn)一步地，所述上電復(fù)位電路還包括連接于所述電源檢測(cè)電路和所述濾波電路之間的施密特觸發(fā)器，用于對(duì)所述第一信號(hào)進(jìn)行整形。
[0010]本實(shí)用新型的上電復(fù)位電路，其電源檢測(cè)部分采用帶隙基準(zhǔn)電壓源及比較器的電路結(jié)構(gòu)，并且增加了低電壓下的設(shè)置電路，能夠保證低電壓時(shí)輸出復(fù)位信號(hào)的準(zhǔn)確性。
【附圖說(shuō)明】
[0011]圖1為本實(shí)用新型的上電復(fù)位電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]圖2為本實(shí)用新型的上電復(fù)位電路的電源檢測(cè)電路的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖3為本實(shí)用新型的上電復(fù)位電路的電源檢測(cè)電路的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖4為圖3所示電路的波形示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型的上電復(fù)位電路作進(jìn)一步的詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本實(shí)用新型的限定。
[0016]參照?qǐng)D1，本實(shí)用新型的上電復(fù)位電路，用于輸出復(fù)位信號(hào)Vpor，優(yōu)選地，其包括依次連接的電源檢測(cè)電路、施密特觸發(fā)器、濾波電路和計(jì)數(shù)延遲電路。其中，電源檢測(cè)電路用于檢測(cè)電源電壓是否達(dá)到預(yù)定值，達(dá)到預(yù)定值時(shí)給出第一信號(hào)Vdet;該第一信號(hào)Vdet經(jīng)過(guò)施密特觸發(fā)器整形、濾波電路濾波、計(jì)數(shù)延遲電路延遲之后，形成最終輸出的復(fù)位信號(hào)Vpor0
[0017]參照?qǐng)D2，電源檢測(cè)電路包括帶隙基準(zhǔn)電壓源、比較器、以及分壓模塊。其中，分壓模塊輸出第一分壓電壓VI，Vl與帶隙基準(zhǔn)電壓源輸出的基準(zhǔn)電壓Vref，通過(guò)比較器進(jìn)行比較，當(dāng)?shù)谝环謮弘妷篤l大于所述基準(zhǔn)電壓Vref時(shí)，電源檢測(cè)電路輸出第一信號(hào)Vdet。圖2所示的帶隙基準(zhǔn)電壓源和比較器分別為簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)的帶隙基準(zhǔn)電壓源和比較器，所示的分壓模塊為串聯(lián)分壓電阻的分壓模塊，可以理解的是，這些結(jié)構(gòu)不限于圖2所示的結(jié)構(gòu)，其可以是任何本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的能夠?qū)崿F(xiàn)其類似功能的其他結(jié)構(gòu)。
[0018]由于在實(shí)際電路中，當(dāng)電源電壓較低時(shí)，帶隙基準(zhǔn)電壓源輸出的電平不是正常值，此時(shí)容易使得電源檢測(cè)電路的檢測(cè)結(jié)果錯(cuò)誤。為此，優(yōu)選地，參照?qǐng)D3，分壓模塊還輸出小于第一分壓電壓Vl的第二分壓電壓V2，該電源檢測(cè)電路還包括:第一 NMOS管麗I，其源極接地、漏極通過(guò)第一電阻R2連接至電源、柵極接第二分壓電壓V2 ;以及第二 NMOS管麗2，其源極接地、柵極通過(guò)第一電阻R2連接到電源、漏極連接到帶隙基準(zhǔn)電壓源的輸出支路上的MOS管M5的柵極。
[0019]參照?qǐng)D4的波形來(lái)描述該電源檢測(cè)電路的工作原理。
[0020]第一階段:當(dāng)電源上電時(shí)，由于電源電壓很低，因此第二分壓電壓V2也低，其使得第一 NMOS管麗I關(guān)閉，第二 NMOS管麗2的柵極(即節(jié)點(diǎn)A)經(jīng)第一電阻R2接至電源。當(dāng)電源繼續(xù)升高，使得第二 NMOS管麗2的柵源電壓大于其開啟電壓Vth2時(shí)，第二 NMOS管麗2導(dǎo)通，使得M5的柵極(即節(jié)點(diǎn)B)接地。此時(shí)，該基準(zhǔn)源的輸出節(jié)點(diǎn)經(jīng)M5拉至電源，即可以保證其輸出電壓Vref與電源值相同或略低于電源值，從而保證此時(shí)的第一分壓電壓Vl不會(huì)大于Vref，即能夠保證此時(shí)的Vdet輸出為低?？梢?，該電路結(jié)構(gòu)可以保證，在開機(jī)上電時(shí)，電源電壓較低電路未開始正常工作時(shí)，該上電復(fù)位電路輸出的復(fù)位信號(hào)Vpor為低，即不給出復(fù)位信號(hào)。
[0021]第二階段:當(dāng)電源電壓繼續(xù)升高時(shí)，同時(shí)第二分壓電壓V2也會(huì)繼續(xù)升高，當(dāng)其使得第一 NMOS管麗I的柵源電壓大于其開啟電壓Vthl時(shí)，第一 NMOS管麗I導(dǎo)通，其使得節(jié)點(diǎn)A接地，從而導(dǎo)致第二 NMOS管MN2關(guān)閉。至此，帶隙基準(zhǔn)電壓源開始正常工作，節(jié)點(diǎn)B的電壓抬升，帶隙基準(zhǔn)電壓源的輸出電壓Vref迅速下降到基準(zhǔn)電平，電源檢測(cè)電路進(jìn)入正常的判定狀態(tài)，即待電源上升到預(yù)定值(其通過(guò)第一分壓電壓Vl上升到Vref來(lái)間接判斷)，該電源檢測(cè)模塊的輸出電壓Vdet的輸出電平變高，從而使得該上電復(fù)位電路在電源電壓足夠高能夠使得電路正常工作的情況下，才輸出上電復(fù)位信號(hào)。
[0022]綜上，本實(shí)用新型的上電復(fù)位電路，其電源檢測(cè)部分采用帶隙基準(zhǔn)電壓源及比較器的電路結(jié)構(gòu)，并且增加了低電壓下的設(shè)置電路，能夠保證低電壓時(shí)輸出復(fù)位信號(hào)的準(zhǔn)確性。
[0023]以上【具體實(shí)施方式】?jī)H為本實(shí)用新型的示例性實(shí)施方式，不能用于限定本實(shí)用新型，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍由權(quán)利要求書限定。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)和保護(hù)范圍內(nèi)，對(duì)本實(shí)用新型做出各種修改或等同替換，這些修改或等同替換也應(yīng)視為落在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種上電復(fù)位電路，用于輸出復(fù)位信號(hào)，其包括電源檢測(cè)電路，其特征在于，所述電源檢測(cè)電路包括帶隙基準(zhǔn)電壓源、比較器、分壓模塊，所述分壓模塊輸出第一分壓電壓，其與所述帶隙基準(zhǔn)電壓源輸出的基準(zhǔn)電壓，通過(guò)所述比較器進(jìn)行比較，當(dāng)所述第一分壓電壓大于所述基準(zhǔn)電壓時(shí)，所述電源檢測(cè)電路輸出第一信號(hào)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的上電復(fù)位電路，其特征在于，所述分壓模塊還輸出小于所述第一分壓電壓的第二分壓電壓，所述電源檢測(cè)電路還包括: 第一 NMOS管，其源極接地，其漏極通過(guò)第一電阻連接到電源，其柵極接所述第二分壓電壓； 第二 NMOS管，其源極接地，其柵極通過(guò)所述第一電阻連接到電源，其漏極連接到所述帶隙基準(zhǔn)電壓源的輸出支路上的MOS管的柵極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的上電復(fù)位電路，其特征在于，所述上電復(fù)位電路還包括依次連接的濾波電路和計(jì)數(shù)延遲電路，分別用于對(duì)所述第一信號(hào)進(jìn)行濾波和延遲，最終輸出所述復(fù)位信號(hào)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的上電復(fù)位電路，其特征在于，所述上電復(fù)位電路還包括連接于所述電源檢測(cè)電路和所述濾波電路之間的施密特觸發(fā)器，用于對(duì)所述第一信號(hào)進(jìn)行整形。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種上電復(fù)位電路，用于輸出復(fù)位信號(hào)，其包括電源檢測(cè)電路，其中，所述電源檢測(cè)電路包括帶隙基準(zhǔn)電壓源、比較器、分壓模塊，所述分壓模塊輸出第一分壓電壓，其與所述帶隙基準(zhǔn)電壓源輸出的基準(zhǔn)電壓，通過(guò)所述比較器進(jìn)行比較，當(dāng)所述第一分壓電壓大于所述基準(zhǔn)電壓時(shí)，所述電源檢測(cè)電路輸出第一信號(hào)。本實(shí)用新型的上電復(fù)位電路，其電源檢測(cè)部分采用帶隙基準(zhǔn)電壓源及比較器的電路結(jié)構(gòu)，并且增加了低電壓下的設(shè)置電路，能夠保證低電壓時(shí)輸出復(fù)位信號(hào)的準(zhǔn)確性。
【IPC分類】H03K17-22
【公開號(hào)】CN204272062
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201420849948
【發(fā)明人】吳艷輝, 陳麗
【申請(qǐng)人】上海貝嶺股份有限公司
【公開日】2015年4月15日
【申請(qǐng)日】2014年12月23日