夠強(qiáng)而對(duì)功率晶體管112的柵極進(jìn)行保護(hù)。
[0037] 雖然圖2中W示例性方式利用高端拓?fù)鋵?duì)驅(qū)動(dòng)器電路110進(jìn)行了圖示，但是將要 理解的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠針對(duì)低端拓?fù)鋀及半橋式拓?fù)鋵?shí)施該設(shè)計(jì)。
[0038] 本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)易于理解，材料和方法可W有所變化而仍然處于本發(fā)明的范 圍之內(nèi)。還要意識(shí)到的是，本發(fā)明提供了用來對(duì)實(shí)施例進(jìn)行說明的具體環(huán)境W外的許多可 應(yīng)用的創(chuàng)造性概念。因此，所附權(quán)利要求意在將送樣的處理、機(jī)器、制造、物質(zhì)組合、手段、方 法或步驟包括在其范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種電路，包括： 生成器電路，被配置為在基準(zhǔn)節(jié)點(diǎn)接收基準(zhǔn)電壓并且輸出控制信號(hào)以便施加于功率晶 體管的柵極端子； 第一電流源，被配置為生成第一電流以便施加于所述基準(zhǔn)節(jié)點(diǎn)； 第二電流源，被配置為生成第二電流； 開關(guān)電路，被配置為響應(yīng)于柵極壓力測(cè)試使能信號(hào)而選擇性地將所述第二電流耦合至 所述基準(zhǔn)節(jié)點(diǎn)； 第一電阻器，耦合在所述基準(zhǔn)節(jié)點(diǎn)和所述功率晶體管的驅(qū)動(dòng)節(jié)點(diǎn)之間，所述基準(zhǔn)電壓 跨所述第一電阻器而生成； 其中所述基準(zhǔn)電壓是可變的，在壓力測(cè)試未被使能時(shí)具有作為所述第一電流的函數(shù)的 較低值，并且在柵極壓力測(cè)試被使能時(shí)具有作為所述第一電流和所述第二電流的函數(shù)的較 高值；以及 鉗位電路，耦合在所述基準(zhǔn)節(jié)點(diǎn)和所述功率晶體管的所述柵極端子之間并且被配置為 施加作為所述基準(zhǔn)電壓的函數(shù)的鉗位電壓。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，進(jìn)一步包括所述功率晶體管，所述功率晶體管具有所 述柵極端子和耦合至所述驅(qū)動(dòng)節(jié)點(diǎn)的源極-漏極路徑。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中所述鉗位電路包括： 第一晶體管； 第二晶體管； 其中所述第一晶體管和所述第二晶體管的源極-漏極路徑串聯(lián)耦合在所述基準(zhǔn)節(jié)點(diǎn) 和所述功率晶體管的所述柵極端子之間。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路，其中所述鉗位電路進(jìn)一步包括： 耦合至所述功率晶體管的所述柵極端子的所述第一晶體管的柵極端子；以及 耦合至處于所述第一晶體管和所述第二晶體管的串聯(lián)耦合點(diǎn)的中間節(jié)點(diǎn)的所述第二 晶體管的柵極端子。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的電路，其中所述鉗位電路進(jìn)一步包括第三晶體管，所述第三 晶體管與所述第二晶體管相耦合以形成電流鏡像電路。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的電路，其中所述鉗位電路進(jìn)一步包括第二電阻器，所述第 二電阻器在所述功率晶體管的所述柵極端子和所述驅(qū)動(dòng)節(jié)點(diǎn)之間與所述第三晶體管的源 極-漏極路徑串聯(lián)耦合。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的電路，其中所述鉗位電路進(jìn)一步包括第四晶體管，所述第四 晶體管具有耦合在所述功率晶體管的所述柵極端子和所述驅(qū)動(dòng)節(jié)點(diǎn)之間的源極-漏極路 徑以及耦合至所述第二電阻器的柵極端子。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中所述生成器電路被配置為響應(yīng)于輸入信號(hào)而生成 所述控制信號(hào)以便施加于所述功率晶體管的所述柵極端子。9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中所述生成器電路進(jìn)一步被配置為在壓力測(cè)試被使 能時(shí)從所述功率晶體管的所述柵極端子斷開連接。10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中所述鉗位電壓在壓力測(cè)試未被使能時(shí)較低并且 在柵極壓力測(cè)試被使能時(shí)較高。11. 一種電路，包括： 生成器電路，被配置為在基準(zhǔn)節(jié)點(diǎn)接收基準(zhǔn)電壓并且輸出控制信號(hào)以便施加于被配置 為驅(qū)動(dòng)輸出節(jié)點(diǎn)的功率晶體管的柵極端子； 第一晶體管； 第二晶體管； 其中所述第一晶體管和所述第二晶體管的源極-漏極路徑串聯(lián)耦合在所述基準(zhǔn)節(jié)點(diǎn) 和所述功率晶體管的所述柵極端子之間； 第三晶體管，與所述第二晶體管相耦合以形成電流鏡像電路；以及 第四晶體管，具有耦合在所述功率晶體管的所述柵極端子和所述輸出節(jié)點(diǎn)之間的源 極-漏極路徑以及耦合至所述電流鏡像電路的輸出的柵極端子。12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的電路，進(jìn)一步包括所述功率晶體管，所述功率晶體管具有 所述柵極端子和耦合至所述輸出節(jié)點(diǎn)的源極-漏極路徑。13. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的電路，進(jìn)一步包括電阻器，所述電阻器耦合在所述基準(zhǔn)節(jié) 點(diǎn)和所述功率晶體管的驅(qū)動(dòng)節(jié)點(diǎn)之間，所述基準(zhǔn)電壓跨所述電阻器而生成。14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的電路，進(jìn)一步包括： 第一電流源，被配置為生成第一電流以便施加于所述基準(zhǔn)節(jié)點(diǎn)； 第二電流源，被配置為生成第二電流； 開關(guān)電路，被配置為響應(yīng)于壓力測(cè)試使能信號(hào)而選擇性地將所述第二電流耦合至所述 基準(zhǔn)節(jié)點(diǎn)； 其中所述基準(zhǔn)節(jié)點(diǎn)處的所述基準(zhǔn)電壓在壓力測(cè)試未被使能時(shí)具有作為所述第一電流 的函數(shù)的較低值，并且在壓力測(cè)試被使能時(shí)具有作為所述第一電流和所述第二電流的函數(shù) 的較高值。15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的電路，其中所述生成器電路被配置為在壓力測(cè)試被使能時(shí) 從所述功率晶體管的所述柵極端子斷開連接。16. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的電路，進(jìn)一步包括耦合在所述電流鏡像電路的輸出和所述 輸出節(jié)點(diǎn)之間的電阻器。17. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的電路，其中所述第一晶體管和所述第二晶體管響應(yīng)于壓力 測(cè)試使能信號(hào)而向所述功率晶體管的所述柵極端子施加可變的鉗位電壓，所述可變的鉗位 電壓在壓力測(cè)試未被使能時(shí)較低并且在柵極壓力測(cè)試被使能時(shí)較高。18. -種用于具有柵極端子和輸出端子的功率晶體管的驅(qū)動(dòng)電路，包括： 生成器電路，被配置為對(duì)所述功率晶體管的所述柵極端子施加驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)以便驅(qū)動(dòng) 所述輸出端子； 基準(zhǔn)電壓生成器，被配置為在基準(zhǔn)節(jié)點(diǎn)生成基準(zhǔn)電壓，所述基準(zhǔn)電壓具有作為所述控 制信號(hào)的基準(zhǔn)的第一電壓值并且具有用于在壓力測(cè)試期間使用的更高的第二電壓值； 耦合在所述基準(zhǔn)節(jié)點(diǎn)和所述功率晶體管的所述柵極端子之間的電路裝置，所述電路裝 置可操作以用作可變柵極鉗位電路，所述可變柵極鉗位電路表現(xiàn)出： 第一鉗位電壓，在所述生成器電路施加所述控制信號(hào)時(shí)被施加以對(duì)所述功率晶體管的 所述柵極處的電壓進(jìn)行鉗位；以及 更高的第二鉗位電壓，在所述生成器電路在柵極壓力測(cè)試模式期間從所述功率晶體管 的所述柵極斷開連接時(shí)被施加以對(duì)所述功率晶體管的所述柵極處的電壓進(jìn)行鉗位。19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中所述電路裝置包括： 第一晶體管，具有耦合至所述功率晶體管的所述柵極端子的柵極端子；和 第二晶體管； 其中所述第一晶體管和所述第二晶體管的源極-漏極路徑串聯(lián)耦合在所述基準(zhǔn)節(jié)點(diǎn) 和所述功率晶體管的所述柵極端子之間。20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中所述電路裝置進(jìn)一步包括： 第三晶體管，與所述第二晶體管相耦合以形成電流鏡像電路；以及 第四晶體管，具有耦合在所述功率晶體管的所述柵極端子和所述輸出端子之間的源 極-漏極路徑以及耦合至所述電流鏡像電路的輸出的柵極端子。21. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中所述基準(zhǔn)電壓生成器包括： 第一電流源，被配置為生成第一電流以便施加于所述基準(zhǔn)節(jié)點(diǎn)； 第二電流源，被配置為生成第二電流； 開關(guān)電路，被配置為響應(yīng)于壓力測(cè)試使能信號(hào)而選擇性地將所述第二電流耦合至所述 基準(zhǔn)節(jié)點(diǎn)； 其中第一電壓值是在所述生成器電路施加所述控制信號(hào)時(shí)被設(shè)置為所述第一電流的 函數(shù)的較低值，并且其中所述第二電壓值是在所述生成器電路在柵極壓力測(cè)試模式期間從 所述功率晶體管的所述柵極斷開連接時(shí)被設(shè)置為所述第一電流和所述第二電流的函數(shù)的 較高值。
【專利摘要】本發(fā)明的實(shí)施方式涉及支持壓力測(cè)試的具有柵極鉗位的驅(qū)動(dòng)器電路。生成器電路被耦合以對(duì)功率晶體管的柵極端子施加控信號(hào)，以驅(qū)動(dòng)輸出節(jié)點(diǎn)。生成基準(zhǔn)電壓，基準(zhǔn)電壓具有作為控制信號(hào)的基準(zhǔn)的第一電壓值并且具有用于在壓力測(cè)試中使用的更高的第二電壓值。在基準(zhǔn)電壓和功率晶體管柵極之間提供鉗位電路以在兩種模式中進(jìn)行工作。在一種模式中，鉗位電路在生成器電路施加控制信號(hào)時(shí)施加第一鉗位電壓以對(duì)功率晶體管的柵極處的電壓進(jìn)行鉗位。在另一種模式中，鉗位電路在柵極壓力測(cè)試期間施加更高的第二鉗位電壓以對(duì)功率晶體管的柵極進(jìn)行鉗位。
【IPC分類】H03K19/094
【公開號(hào)】CN105337606
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410320669
【發(fā)明人】曾妮
【申請(qǐng)人】意法半導(dǎo)體研發(fā)(深圳)有限公司
【公開日】2016年2月17日
【申請(qǐng)日】2014年6月30日