配線基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及一種配線基板，特別設(shè)及一種具有遷移（migration)抑制劑偏向于露 出表面附近的配線層的配線基板。
【背景技術(shù)】
[0002] 一直W來，在絕緣基板表面上配置有金屬配線的配線基板被廣泛用于電子構(gòu)件或 半導(dǎo)體元件等中。構(gòu)成金屬配線的金屬常使用導(dǎo)電性高的銀、銅，但該些金屬有容易產(chǎn)生離 子遷移的問題。
[0003] 作為防止此種金屬的離子遷移的方法，已提出有在金屬配線中導(dǎo)入既定的遷移抑 制劑的方法（專利文獻1)。
[0004] 現(xiàn)有技術(shù)文獻 [000引專利文獻
[0006] 專利文獻1 ;日本專利特開2012-99236號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 發(fā)明要解決的課題
[000引近年來，由于半導(dǎo)體集成電路或巧片零件等的小型化，正在推進金屬配線的微細 化。因此，配線基板中的金屬配線的寬度及間隔變得更窄，而更容易產(chǎn)生由離子遷移所致的 電路的斷線或?qū)?。在此種狀況下，要求配線基板中的金屬配線間的絕緣可靠性進一步提 局。
[0009] 另外，就各種電路或零件的性能提高的方面而言，還要求金屬配線的導(dǎo)電特性進 一步提局。
[0010] 在如專利文獻1所列舉般使用含有既定的遷移抑制劑的組合物來制作金屬配 線的情形時，遷移抑制劑在金屬細線中均勻地分散，若欲使金屬配線間的絕緣可靠性提 高而在金屬配線中含有大量的遷移抑制劑，則在金屬配線內(nèi)形成多個遷移抑制劑的區(qū)域 (domain)，結(jié)果金屬配線的導(dǎo)電特性降低。
[0011] 另一方面，若考慮到金屬配線的導(dǎo)電特性而減少金屬配線內(nèi)的遷移抑制劑的含 量，則雖然導(dǎo)電特性提高，但金屬配線間的絕緣可靠性降低。
[0012] 如此，在現(xiàn)有技術(shù)中，配線層的導(dǎo)電特性與離子遷移抑制功能（換言之，配線層間 的絕緣可靠性）大多情況下存在取舍（trade-off)的關(guān)系，因而謀求W更高的水平實現(xiàn)兩 者的技術(shù)。
[0013] 鑒于上述實際情況，本發(fā)明的目的在于提供一種配線層的導(dǎo)電特性及離子遷移抑 制功能優(yōu)異的配線基板。
[0014] 解決問題的技術(shù)手段
[0015] 本發(fā)明人等人進行了努力研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過控制配線層中的遷移抑制劑的分 布，可解決上述課題。
[0016] 即，本發(fā)明人等人發(fā)現(xiàn)，根據(jù)W下的構(gòu)成可解決上述課題。
[0017] (1) -種配線基板，具有絕緣基板及配線層，該配線層包含配置于絕緣基板上的第 1金屬層、及W覆蓋第1金屬層的不與絕緣基板接觸的表面的方式配置的第2金屬層，并且 第2金屬層的厚度為配線層的總體厚度的1/10,配線層含有遷移抑制劑，第2金屬層所含的 遷移抑制劑的質(zhì)量Y大于第1金屬層所含的遷移抑制劑的質(zhì)量X。
[001引 似根據(jù)（1)所記載的配線基板，其中遷移抑制劑含有選自由后述通式（1A)~通 式（3A)所表示的化合物、后述通式化A)~通式巧A)所表示的化合物、餓化合物、錯化合 物、儀化合物、氧化鋪、后述通式（1)~通式（5)所表示的化合物、后述通式（22)所表示的 化合物、后述通式（23)所表示的化合物、及具有后述通式（24)所表示的基團與后述通式 (25)所表示的基團的化合物所組成的組群中的至少一種。
[0019] (3)根據(jù)（2)所記載的配線基板，其中通式（1)所表示的化合物為選自由后述通式 (6)~通式（21)所表示的化合物所組成的組群中的至少一種。
[0020] (4)根據(jù)（1)至做中任一項所記載的配線基板，其中配線層中的金屬是選自由 金、銀、銅及侶所組成的組群中。
[0021] (5)根據(jù)（1)至（4)中任一項所記載的配線基板，其中在絕緣基板上配置有側(cè)面露 出的細線狀的第1金屬層，W覆蓋第1金屬層的包含側(cè)面且不與絕緣基板接觸的表面的方 式配置有第2金屬層。
[0022] (6) -種帶有絕緣層的配線基板，具有根據(jù)（1)至巧）中任一項所記載的配線基 板、及配置于配線基板的配線層上的絕緣層。
[002引 （7)根據(jù)（1)至妨中任一項所記載的配線基板，其是用于印刷配線基板。
[0024] 發(fā)明的效果
[0025] 根據(jù)本發(fā)明，可提供一種配線層的導(dǎo)電特性及離子遷移抑制功能優(yōu)異的配線基 板。
【附圖說明】
[0026] 圖1為表示本發(fā)明的配線基板的第1實施形態(tài)的示意性剖面圖。
[0027] 圖2為表示本發(fā)明的配線基板的第2實施形態(tài)的示意性剖面圖。
[002引圖3為表示本發(fā)明的帶有絕緣層的配線基板的實施形態(tài)的示意性剖面圖。
[0029] 圖4為用W對利用第1方法的配線層的形成加W說明的圖。
[0030] 圖5為用W對利用第2方法的配線層的形成加W說明的圖。
【具體實施方式】
[0031] W下，對本發(fā)明的配線基板的優(yōu)選形態(tài)加W說明。
[0032] 首先，對本發(fā)明的與現(xiàn)有技術(shù)相比較的特征加W詳述。
[0033] 在本發(fā)明中，通過使遷移抑制劑更偏向于配線層的露出表面（不與絕緣基材接觸 的表面）附近，能W更高的水平兼具通常處于取舍關(guān)系的配線層的導(dǎo)電特性與離子遷移抑 制功能兩者。更具體而言，通過使大量的遷移抑制劑偏向于配線層的外側(cè)露出表面附近，可 高效地抑制自配線層的露出表面附近析出至外側(cè)的金屬離子的擴散。另外，通過使大量的 遷移抑制劑偏向于配線層的外側(cè)表面附近，可在配線層內(nèi)部減少金屬W外的雜質(zhì)的量，結(jié) 果可在配線層內(nèi)部形成導(dǎo)通路，實現(xiàn)優(yōu)異的導(dǎo)電特性。
[0034] 繼而，參照圖式對本發(fā)明的配線基板的第1實施形態(tài)加W詳述。
[0035] 圖1表示配線基板的第1實施形態(tài)的示意性剖面圖，配線基板10具備絕緣基板 12、及遍及絕緣基板12上的整個面而配置的配線層14。配線層14具有第1金屬層14a及 第2金屬層14b。
[0036] W下，對各構(gòu)件（絕緣基板12、配線層14)加W詳述。
[0037] [絕緣基板]
[003引絕緣基板12只要為絕緣性且可支撐配線層，則其種類并無特別限制。例如可使用 有機基板、陶瓷基板、玻璃基板等。
[0039] 另外，絕緣基板12也可為選自由有機基板、陶瓷基板及玻璃基板所組成的組群中 的至少兩個基板層疊而成的構(gòu)造。
[0040] 有機基板的材料可列舉樹脂，例如優(yōu)選為使用熱硬化性樹脂、熱塑性樹脂或?qū)⒃?些樹脂混合而成的樹脂。熱硬化性樹脂例如可列舉；酪樹脂、脈樹脂、=聚氯胺樹脂、醇酸樹 月旨、丙締酸系樹脂、不飽和聚醋樹脂、鄰苯二甲酸二締丙醋樹脂、環(huán)氧樹脂、娃酬樹脂、快喃 樹脂、酬樹脂、二甲苯樹脂、苯并環(huán)了締樹脂等。熱塑性樹脂例如可列舉；聚酷亞胺樹脂、聚 苯離樹脂、聚苯硫離樹脂、芳族聚酷胺（polyaramid)樹脂、液晶聚合物等。
[0041] 而且，有機基板的材料也可使用玻璃織布、玻璃不織布、芳族聚酷胺織布、芳族聚 酷胺不織布、芳香族聚酷胺織布或使該些布含浸上述樹脂而成的材料等。
[0042] [配線層]
[0043] 配線層14為配置于絕緣基板12上的層，且作為導(dǎo)體部而發(fā)揮功能。
[0044] 配線層14 (換言之，第1金屬層14a或第2金屬層14b)主要是由金屬所構(gòu)成。金 屬的種類并無特別限制，可根據(jù)用途來適當(dāng)選擇最適的金屬。其中，就作為配線的功能的方 面而言，可列舉銀、銅、金、侶、鑲或該些金屬的合金等。
[0045] 在圖1中，配線層14具有第1金屬層14a、及配置于第1金屬層14a上的第2金屬 層14b。第2金屬層14b覆蓋第1金屬層14a的不與絕緣基板12接觸的表面。
[0046] 第2金屬層14b的厚度T1相當(dāng)于配線層14的總體厚度T2的1/10的厚度。換言 之，配線層14中的第2金屬層14b相當(dāng)于自配線層14的露出表面起至相當(dāng)于配線層14的 總體厚度的1/10的深度位置為止的區(qū)域。