射頻矩陣開關(guān)負載檢測電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本設計涉及射頻矩陣開關(guān)負載檢測電路，屬于射頻技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著GSM手機通信和無線局域網(wǎng)WI AN的市場需求不斷增加，應用于射頻收發(fā)前端的單片集成GaAs開關(guān)的發(fā)展前景越來越廣闊。與P斟二極管開關(guān)電路相比，GaAS開關(guān)具有簡化的偏置網(wǎng)絡、幾乎可以忽略的直流功耗、超高速的開關(guān)速度等優(yōu)點，而且與標準的CMOS開關(guān)電路相比，還具有較低的插入損耗，近年來在開關(guān)市場上具有明顯的優(yōu)勢。
[0003]隨著RF收/發(fā)支路的增加，普通的單刀雙擲開關(guān)(STOT)已經(jīng)很難滿足需求，多路輸入多路輸出矩陣開關(guān)的研宄隨之興起。射頻矩陣開關(guān)作為終端收發(fā)系統(tǒng)的關(guān)鍵模塊，發(fā)揮著重要作用。
[0004]為了使矩陣開關(guān)在任何狀態(tài)下都具有較低的回波損耗，在射頻矩陣開關(guān)兩個輸出端需加入負載檢測電路。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]根據(jù)上述要求，本發(fā)明的目的是提供射頻矩陣開關(guān)負載檢測電路，通過控制輸出端兩個電平的高低，保證射頻信號的正常輸出。
[0006]為實現(xiàn)上述目的，本設計是通過以下技術(shù)手段來實現(xiàn)的:
射頻矩陣開關(guān)負載檢測電路，其特征在于:所述負載檢測電路由一個邏輯非門和一個50 Ω電路構(gòu)成，晶體管Tl、電阻R1、電阻R2形成邏輯非門電路；晶體管T2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電容C構(gòu)成50 Ω電路。
[0007]進一步地:
所述的射頻矩陣開關(guān)負載檢測電路，其特征在于:電路輸入電壓端Vo提供正常工作電壓。
[0008]所述的射頻矩陣開關(guān)負載檢測電路，其特征在于:直流端DC為高電平時，晶體管Tl導通，輸出低電平到T2的柵極，T2截止。
[0009]所述的射頻矩陣開關(guān)負載檢測電路，其特征在于:DC為低電平時，晶體管Tl截止，輸出高電平到T2的柵極，T2導通，射頻信號直接接人50 Ω負載。
[0010]所述的射頻矩陣開關(guān)負載檢測電路，其特征在于:T2截止時，射頻信號輸出端口OP正常輸出。
[0011]所述的射頻矩陣開關(guān)負載檢測電路，其特征在于:Τ2導通時，在射頻信號輸出端口 OP不發(fā)生反射。
[0012]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明在射頻矩陣開關(guān)兩個輸出端需加入負載檢測電路，通過控制輸出端兩個電平的高低，使矩陣開關(guān)在任何狀態(tài)下都具有較低的回波損耗，保證射頻信號的正常輸出。
【附圖說明】
[0013]圖1為本發(fā)明電路組成結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0014]下面將結(jié)合說明書附圖，對設計作進一步的說明。
[0015]射頻矩陣開關(guān)負載檢測電路，其特征在于:所述負載檢測電路由一個邏輯非門和一個50 Ω電路構(gòu)成，晶體管Tl、電阻Rp電阻R2形成邏輯非門電路；晶體管T2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電容C構(gòu)成50Ω電路。
[0016]進一步地:
所述的射頻矩陣開關(guān)負載檢測電路，其特征在于:電路輸入電壓端Vo提供正常工作電壓。
[0017]所述的射頻矩陣開關(guān)負載檢測電路，其特征在于:直流端DC為高電平時，晶體管Tl導通，輸出低電平到T2的柵極，T2截止。
[0018]所述的射頻矩陣開關(guān)負載檢測電路，其特征在于:DC為低電平時，晶體管Tl截止，輸出高電平到T2的柵極，T2導通，射頻信號直接接人50 Ω負載。
[0019]所述的射頻矩陣開關(guān)負載檢測電路，其特征在于:T2截止時，射頻信號輸出端口OP正常輸出。
[0020]所述的射頻矩陣開關(guān)負載檢測電路，其特征在于:Τ2導通時，在射頻信號輸出端口 OP不發(fā)生反射。
[0021]以上顯示和描述了本設計的基本原理、主要特征及優(yōu)點。本行業(yè)的技術(shù)人員應該了解，本設計不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本設計的原理，在不脫離本設計精神和范圍的前提下，本設計還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本設計范圍內(nèi)。本設計要求保護范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
【主權(quán)項】
1.射頻矩陣開關(guān)負載檢測電路，其特征在于:所述負載檢測電路由一個邏輯非門和一個50 Ω電路構(gòu)成，晶體管Tl、電阻Rp電阻R2形成邏輯非門電路；晶體管T2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電容C構(gòu)成50Ω電路。
2.如權(quán)利要求1所述的射頻矩陣開關(guān)負載檢測電路，其特征在于:電路輸入電壓端Vo提供正常工作電壓。
3.如權(quán)利要求1所述的射頻矩陣開關(guān)負載檢測電路，其特征在于:直流端DC為高電平時，晶體管Tl導通，輸出低電平到T2的柵極，T2截止。
4.如權(quán)利要求1所述的射頻矩陣開關(guān)負載檢測電路，其特征在于:DC為低電平時，晶體管Tl截止，輸出高電平到T2的柵極，T2導通，射頻信號直接接人50 Ω負載。
5.如權(quán)利要求3所述的射頻矩陣開關(guān)負載檢測電路，其特征在于:T2截止時，射頻信號輸出端口 OP正常輸出。
6.如權(quán)利要求4所述的射頻矩陣開關(guān)負載檢測電路，其特征在于:Τ2導通時，在射頻信號輸出端口 OP不發(fā)生反射。
【專利摘要】射頻矩陣開關(guān)負載檢測電路，其特征在于：所述負載檢測電路由一個邏輯非門和一個50Ω電路構(gòu)成，晶體管T1、電阻R1、電阻R2形成邏輯非門電路；晶體管T2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電容C構(gòu)成50Ω電路。本發(fā)明在射頻矩陣開關(guān)兩個輸出端需加入負載檢測電路，通過控制輸出端兩個電平的高低，使矩陣開關(guān)在任何狀態(tài)下都具有較低的回波損耗，保證射頻信號的正常輸出。
【IPC分類】H03K17-94, H03K19-0175
【公開號】CN104579282
【申請?zhí)枴緾N201410774677
【發(fā)明人】張會林, 孫利華
【申請人】蘇州福豐科技有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2014年12月16日